我国区熔硅单晶产品发展研究现状分析

我国区熔硅单晶产品发展研究现状分析我国区熔硅单晶产品发展研究现状分析我国区熔硅单晶产品发展研究现状分析国内外区熔硅单晶生产技术工艺进展路径及商业应用前景询问报告区熔硅单晶也称区熔硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。区熔硅单晶是电力电子器件的关键材料。区熔硅单晶是较一般电子级单晶硅具有更高纯度和更高电阻率。区熔硅单晶采纳的多晶硅材料成本大大高于直拉单晶硅所用材料，而其产品销售价格也数倍于直拉单晶。半导体单晶硅材料行业的高速进展，有利于分立器件行业的进展；如果上游行业处于低谷，而分立器件行业没有实行相应的应对策略，则分立器件行业亦将进入低谷。中国市场来说，区熔硅单晶的生产商只有几家。从全球来看，该趋势全球并购也格外明显，我们认为，将来进一步的整合还会连续。目前全球区熔硅单晶产业集中度已经较高，主要为日本Shin-EtsuHandotai、小松公司Komatsu（已被Sumco收购），丹麦TOPSIL、德国Siltronic(由WackerChemieAG控股)、中环股份（环欧）等五家公司。目录TOC\o"1-3"\n\u第一章中国区熔硅单晶产品进展现状分析第一节区熔硅单晶行业进展现状一、2010年国内区熔硅单晶行业进展概况二、国内区熔硅单晶行业企业竞争格局其次节区熔硅单晶行业产业政策一、产业政策二、技术壁垒三、人民币升值影响分析第三节区熔硅单晶产品供求格局一、2008-2010年区熔硅单晶市场产品总产量统计二、2008-2009年区熔硅单晶市场细分产品产量统计三、2005-2010年区熔硅单晶市场产品市场容量统计四、2010-2012年我国区熔硅单晶市场供求猜测第四节区熔硅单晶行业产业链构成模型分析一、区熔硅单晶行业产业链构成二、区熔硅单晶行业产业链模型分析其次章2008-2009年区熔硅单晶产品生产技术市场调查第一节区熔硅单晶产品构成一、区熔硅单晶行业产品分类标准二、区熔硅单晶行业主要产品市场份额其次节国内区熔硅单晶产品生产技术应用现状第三节国外区熔硅单晶产品生产技术应用现状第四节我国区熔硅单晶产品技术应用成熟度分析第五节区熔硅单晶产品生产技术与应用市场关系第三章2008-2009年区熔硅单晶当前生产工艺革新路径第一节区熔硅单晶生产工艺介绍其次节区熔硅单晶生产工艺进展历程第三节国外区熔硅单晶生产工艺进展阶段比较第四节我国区熔硅单晶生产工艺革新路径第五节国内区熔硅单晶生产设备介绍第六节国内区熔硅单晶生产设备应用现状第七节我国区熔硅单晶技术研发现状第四章国内外典型区熔硅单晶企业生产技术工艺应用调查第一节中环股份一、企业基本情况二、企业技术进展历程三、企业技术实力分析其次节企业生产技术工艺应用情况一、企业区熔硅单晶产品生产技术选择二、企业区熔硅单晶工艺设备配置三、企业区熔硅单晶生产技术研发与革新状况第五章国内外区熔硅单晶产品技术工艺研发动态第一节国内区熔硅单晶产品技术工艺研发动态其次节国外区熔硅单晶产品技术工艺研发动态第三节2011-2012年区熔硅单晶技术工艺研发趋势分析第四节国内外企业竞争力对比分析1.研发竞争力分析2.生产竞争力分析3.销售竞争力分析4.管理竞争力分析第五节国外主要代表性企业讨论一、德国瓦克（WackerChemieAG）二、日本信越（Shin-EtsuHandotai）三、日本小松四、丹麦Topsil第六节区熔硅单晶产品现行技术同类替代技术进展第六章2009-2012年区熔硅单晶产品技术工艺应用前景研判第一节国外区熔硅单晶产品技术工艺应用前景其次节我国区熔硅单晶技术工艺应用前景第三节我国区熔硅单晶技术工艺进展对行业项目投资的影响第七章我国区熔硅单晶行业典型投资项目分析第一节项目总投资估算一、固定资产建设投资估算二、流淌资金估算三、项目总投资其次节资金筹措及投资计划一、资金来源与出资方式二、项目筹资方案三、投资使用计划四、借款偿还计划第三节项目财务评价一、计算依据及相关说明二、总成本费用估算三、销售收入、销售税金及附加和增值税估算四、损益及利润及安排第四节盈利能力分析一、投资利润率，投资利税率二、财务内部收益率、财务净现值、投资回收期三、项目财务现金流量表四、项目资本金财务现金流量表五、盈亏平衡分析六、敏感性分析第五节效益分析一、经济效益二、社会效益第八章2010-2012年区熔硅单晶市场行情第一节市场状况分析及猜测（2010-2012年）其次节供需状况分析及猜测（2010-2012年）第三节进出口状况分析一、2005-2010年区熔硅单晶市场产品进口量统计二、2008-2009年区熔硅单晶市场产品出口量统计三、2010-2012年区熔硅单晶市场产品出口猜测第九章区熔硅单晶销售策划第一节国内外市场分布其次节部分国内需求厂家及联系方式第三节部分国外需求厂家及联系方式第十章区熔硅单晶技术开发、项目投资、生产及销售注意事项第一节产品技术开发注意事项其次节项目投资注意事项第三节产品生产注意事项第四节产品销售注意事项第十一章华经纵横主要讨论结论及策略建议第一节策略建议主要理论及数据支持说明其次节针对客户需求给出独家策略建议一、宏观策略角度二、中观产业角度三、微观企业角度

第一章中国区熔硅单晶产品进展现状分析第一节区熔硅单晶行业进展现状一、2010年国内区熔硅单晶行业进展概况区熔硅单晶也称区熔硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。区熔硅单晶是电力电子器件的关键材料。区熔硅单晶是较一般电子级单晶硅具有更高纯度和更高电阻率。区熔硅单晶采纳的多晶硅材料成本大大高于直拉单晶硅所用材料，而其产品销售价格也数倍于直拉单晶。半导体单晶硅材料行业的高速进展，有利于分立器件行业的进展；如果上游行业处于低谷，而分立器件行业没有实行相应的应对策略，则分立器件行业亦将进入低谷。二、国内区熔硅单晶行业企业竞争格局中国市场来说，区熔硅单晶的生产商只有几家。从全球来看，该趋势全球并购也格外明显，我们认为，将来进一步的整合还会连续。目前全球区熔硅单晶产业集中度已经较高，主要为日本Shin-EtsuHandotai、小松公司Komatsu（已被Sumco收购），丹麦TOPSIL、德国Siltronic(由WackerChemieAG控股)、中环股份（环欧）等五家公司。其次节区熔硅单晶行业产业政策一、产业政策高纯的区熔硅单晶是制作各种探测器、传感器的关键原材料，其市场增长趋势也很明显。另外采纳高阻区熔硅制造微波单片集成电路（MMIC）以及微电子机械系统（MEMS）等高端微电子器件，被广泛应用于微波通讯、雷达、导航、测控、医学等领域，也显示出巨大的应用前景。区熔硅单晶的具有重要的战略意义，2011年科技重大专项项目指南中，我们看到了区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制项目。面对高压大功率IGBT芯片产品制造需求，我国讨论开发直径150mm和200mm区熔硅单晶片产业化技术，形成性能稳定的批量生产能力；满意1200V－3300VIGBT芯片产业化对区熔硅单晶的要求和4500－6500V以上IGBT芯片的研制需求。2012年供应生产线用户考核认证，2013年形成5000片/月以上的销售。讨论开发国产区熔单晶炉，2012年进入生产线考核并通过用户验证，形成批量供货，供应IGBT材料项目使用。主要产业政策如下：1、调整和振兴规划出台电子信息产业企稳回升态势明朗2009年4月152、3G牌照发放通信制造业保持平稳进展工业和信息化部1月7日正式宣布，批准中国移动通信集团公司增加基于TD-SCDMA技术制式的第三代移动通信(3G)业务经营许可，中国电信集团公司增加基于CDMA2000技术制式的3G业务经营许可，中国联合网络通信集团公司增加基于WCDMA技术制式的3G业务经营许可。中国电信业全面进入3G时代。2009年前10个月，我国3G进展总体进展顺利，3G用户总数达到977万，其中中国移动TD3、物联网等新业态兴起战略性新兴产业成为新增长点2009年8月，温家宝总理指示要加快传感网讨论，把传感系统和3G中的TD技术结合起来，尽快建立“感知中国”中心。9月，中国传感器网络标准工作组成立。除了物联网以外，以可再生能源技术、节能减排技术、清洁煤技术及核能技术支撑的新能源产业，以传感网、物联网关键技术、后IP时代相关技术支撑的信息网络产业，以微电子及光电子材料和器件、新型功能材料、高性能结构材料、纳米技术和材料支撑的微电子和光电子材料和器件产业，以医疗器械关键核心技术支撑的先进医疗设备制造等，逐渐成为战略性新兴产业和新的经济增长点。下游的推动将会直接扩大区熔硅单晶市场需求。从世界范围来讲，我国出台十项措施时机选得比较好，是对金融危机的危险性看准摸清了火候到了的时候才出手的。我国出台十项措施对我国的区熔硅单晶行业也是利好，有利于企业自主创新和结构调整，有利于技术进步和产业升级。我国的人民币汇率实现了有限的浮动政策，人民币的升值压力逐渐释放。我国货币的升值不行避开的使得进口产品的价格竞争力增加。区熔硅单晶市场的价格目前还处于高位运行，国内外产商均通过维持市场高价来猎取高额利润。如果我国的汇率连续向着人民币升值的方向进展，将会有利于我国进口。估计将来几年随着我国汇率的调整和人民币的升值，国内的区熔硅单晶进口价格的下降趋势，这主要体现在我国人民币升值带来的一系列好处。与此同时，国外市场的疲软，对于国内区熔硅单晶行业来说是一个好机会，引入技术和设备的成本也比较低，将很好的促进国内区熔硅单晶行业的技术更新和产品改造工作，也降低了国内区熔硅单晶的成本和价格。二、技术壁垒高反压、大电流电力电子器件的进展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单晶的拉制，最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。由于技术封锁，研制和生产大直径区熔硅单晶的工艺条件需要摸索，格外是加热线圈结构和拉晶参数。购买国际先进的技术仪器，仿效学习并研发出自己的技术，前期购买仪器成本太高，一般的小型公司难以担当先进的Typ-FZ系列仪器昂扬的价格。因此，国内企业只有在生产中不停地摸索，克服技术壁垒，逐步研发并填补我国大直径区熔硅单晶生产技术的空白。在半导体单晶硅材料产业链中，多晶硅是生产硅单晶的原料，是半导体器件的上游基础材料。2006年国内包括半导体器件和硅晶体太阳能电池的多晶硅年需量超过10,000吨，而国内的生产能力仅为300吨/年左右，因此多晶硅材料绝大部分依靠进口。单晶硅材料的支撑体系薄弱，所需的关键设备和检测仪器主要依靠进口，形成了产品更新一代就必须从国外引进新一代设备的局面，这就客观上加大了产业进展的投入，在肯定程度上制约了国内半导体材料企业的进展。三、人民币升值影响分析我国的人民币汇率实现了有限的浮动政策，人民币的升值压力逐渐释放。我国货币的升值不行避开的使得进口产品的价格竞争力增加。区熔单晶硅市场的价格目前还处于高位运行，国内外产商均通过维持市场高价来猎取高额利润。如果我国的汇率连续向着人民币升值的方向进展，将会有利于我国进口。估计将来几年随着我国汇率的调整和人民币的升值，国内的区熔单晶硅进口价格的下降趋势，这主要体现在我国人民币升值带来的一系列好处。与此同时，国外市场的疲软，对于国内区熔单晶硅行业来说是一个好机会，引入技术和设备的成本也比较低，将很好的促进国内区熔单晶硅行业的技术更新和产品改造工作，也降低了国内区熔单晶硅的成本和价格。第三节区熔硅单晶产品供求格局一、2008-2010年区熔硅单晶市场产品总产量统计2005-2008年，我国区熔硅单晶行业产量呈现快速增长的趋势，2009年产量有所下降，2005年产量为71吨，2006年为76.31吨，增速为7.48％，到了2009年为71.54吨，增长率比2008年下降了16.53％，2010年1-5月份为39.12吨。同比增长率为8.42%.

图表2008-2010年区熔硅单晶市场产品总产量资料来源：中国产业竞争情报网二、2008-2009年区熔硅单晶市场细分产品产量统计区熔硅单晶目前的主要应用产品包括2种：气相掺杂（GasDopsiton）和中子嬗变掺杂（NTD）。其中GD目前市场规模约占区熔硅总体规模的80%左右，主要的应用领域为传统电子电力器件，格外是高压大功率器件，400V以上电压产品等；NTD规模约占20%左右，主要应用于铁路、电站以及由新型能源技术所推动的变压变频器件应用中。前者受电源管理等市场的节能需求的推动；后者由于铁路、电厂的大规模建设以及新型能源如风能发电等市场的进展，目前有较快的市场增长。2005年GD产量为58.22吨，NTD为12.78吨，到了2009年GD产量为58.92吨，NTD为12.62吨。2010年1-5月份GD与NTD分别31.92吨7.2吨。2009年之前，产量均保持了较为平稳的增长趋势。

图表2008-2010年区熔硅单晶市场细分产品总产量资料来源：中国产业竞争情报网三、2005-2010年区熔硅单晶市场产品市场容量统计2005区熔硅单晶行业市场容量为79.41吨，2006年为94.1吨，增速为18.5％，2009年市场容量达到118.74吨。同比增长4.56%，2010年1-5月份为68.91吨，同比增长18.14％。图表2005-2010年区熔硅单晶市场产品市场容量资料来源：中国产业竞争情报网四、2010-2012年我国区熔硅单晶市场供求猜测从下表可以看出，近年来，GD比重在81%-82%之间浮动，变化不大，市场比例处于较为稳定的状态。图表2005-2010年中国区熔硅单晶市场产品结构变化资料来源：中国产业竞争情报网第四节区熔硅单晶行业产业链构成模型分析一、区熔硅单晶行业产业链构成产业链即从一种或几种资源通过若干产业层次不断向下游产业转移直至到达消费者的路径，它包含四层含义：一是产业链是产业层次的表达；二是产业链是产业关联程度的表达；产业关联性越强，链条越紧密，资源的配置效率也越高；三是产业链是资源加工深度的表达；产业链越长，表明加工可以达到的深度越深；四是产业链是满意需求程度的表达。产业链始于自然资源、止于消费市场，但起点和终点并非固定不变。区熔硅单晶产业链结构分析：上游原材料供应商，中游区熔硅单晶生产厂家，下游大功率器件、电力机车的牵引系统等相关区熔硅单晶消费者，此外还有贯穿产业链的物流配送厂家等。

图表区熔硅单晶产业链结构图区熔硅单晶区熔硅单晶生产商原材料供应商下游消费物流配送大功率器件企业等多晶硅中环股份等资料来源：中国产业竞争情报网二、区熔硅单晶行业产业链模型分析1、上游原材料供应单晶硅由多晶硅制得，而近几年，太阳能电池产业快速进展，多晶硅供应急剧增加。2008年国内多晶硅产量超过4500吨，产能超过1万吨。依据最新的统计数据显示，我国目前在建和筹建的多晶硅项目总能将接近8万吨，而需求量仅为4.6万吨，如果产能全部释放，将过剩近一半的多晶硅产品。2009年9月26日，国务院转发国家发改委、工业和信息化部等10产能过剩是下游需求转暖未能传导至上游的主要缘由。我们估量明年全球光伏多晶硅需求量在6万吨，而供应量在10万吨（已扣除半导体行业用量），其中4万吨来自中国。因此我们认为多晶硅现货价格还将连续下跌，我们目前假设2010~2011年均价分别为55和50美元/公斤，该假设有下调空间。摆在中国多晶硅企业面前的迫切任务是降成本，途径有二：一是在现有还原西门子法基础上降成本，例如采纳更先进的氢化方法循环利用四氯化硅/二氯二氢硅、自产三氯氢硅、申请直供电降低电费等等，但该类方法难以将成本降至30美元之下；二是采纳更先进的还原方法，例如硅烷法可以产生很少副产品，成本可望降低至25美元甚至更低。从价格看，多晶硅的价格风光不再，70美元/公斤现货价格以下已经徘徊数月，生产商的盈利空间进一步被压缩。目前国内技术基本采纳改良西门子发，生产成本基本掌握在50-60美元/公斤之间，部分较好企业可以达到40多美元/公斤，即便如此，产能过剩带来的多晶硅售价的缓慢回落仍然使我们对行业前景堪忧。从污染和耗能角度看，国内多晶硅项目在现有条件下属于高排放，高污染行业，主要是对于尾气中四氯化硅、氯化氢的回收率不高。虽然目前，国内企业引进的第三代设备完全可以做到尾气的闭路回收，现在已经解决了污染的问题，但这需要较高的成本，只有大企业才能实现，小规模生产企业排放问题仍然没有得到有效解决。提高准入标准可以有效掌握污染。图表