《电工电子技术基础》第六章 半导体二极管与三极管 自测题及答案

PAGEPAGE18第六章半导体二极管与三极管自测题一、判断题1.稳压管在正常工作时，处于反向击穿状态。2.二极管的单向导电性是指正向导通，反向截止特性。3.对于NPN型硅管放大电路处于饱和区时发射结和集电结均正偏。4.P型半导体的少数载流子是自由电子。5.稳压管在正常工作时，处于正向导通状态。6.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。7.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。8.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。9.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。10.对纯净半导体掺入主杂质，便可制成P型或N型半导体。11.三极管处于放大状态时，发射结处于正偏，集电结处于反偏。12.P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素原子。13.N型半导体的少数载流子是自由电子。14.P型半导体是掺入5价元素的杂质。15.P型半导体的多数载流子是空穴二、填空题1.图示为晶体管的输出特性曲线，曲线中近似水平部分为晶体管工作的（）区，底部阴影部分为（）区，左侧阴影部分为（）区。2.在硅晶体中掺入（）价元素成为P型半导体，其中少数载流子为（）。3.晶体管的三种工作状态分别为：（）、（）、（）。4.N型半导体的少数载流子为（）。5.PN结的单向导电性是指（）。6.P型半导体是在本征半导体里掺入了（）价元素，多数载流子是（），少数载流子是（）。三、选择题1.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。A.变窄B.基本不变C.变宽2.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（）。A.ISeUB.C.3.稳压管的稳压区是其工作在（）。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿4.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏5.在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体，加入（）元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价6.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。A.增大B.不变C.减小7.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。A.83B.91C.1008.放大电路中测得某晶体管三个极的电位分别为9V，4V，3.4V，则这三个极分别为（）。AC，B，EBC，E，BCE，C，BDB，E，C9.在硅晶体中掺入（）价元素成为N型半导体，其中多数载流子为（）。(A)三；自由电子(B)三；空穴(C)五；自由电子(D)五；空穴10.在硅晶体中掺入价元素成为P型半导体，其中多数载流子为（）。A.五；自由电子B.五；空穴C.三；自由电子D.三；空穴11.双极型晶体管的三个极分别为：b、c、e（）。A.基极、发射极、集电极B.集电极、基极、发射极C.基极、集电极、发射极D.集电极、发射极、基极12.图示为晶体管的（）特性曲线。反向B.输出C.基极D.输入晶体管的主要参数中叫做（）。直流电流放大倍数B.交流电流放大倍数C.直流电压放大倍数交流电压放大倍数在硅晶体中掺入()价元素成为N型半导体，其中少数载流子为（）。五；自由电子B.五；空穴C.三；自由电子D.三；空穴双极型晶体管的电极e叫做（）。基极B.集电极C.发射极D.耦合极双极型晶体管的电极c叫做（）。基极B.集电极C.发射极D.耦合极四、计算题1.写出图示电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。【解】UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问：（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？【解】（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为μA所以输出电压UO＝UCE＝2V。（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以如图所示，已知ui＝5sinωt(V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。【解】结果见图示波形测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画