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文档简介

sic萌芽期，处于科研和军工应用阶段，商业应用较少；随着特斯拉在在电动汽车发展需求牵引下，近几年已进入宽禁带半导体时代特别SiC功率器件性能的潜力还远未发挥，技术和产业发展还有很大机会，IEEEITRW成立四个小组推动宽禁带半导体器件相关技术发展及应用，其中封装集成技术是宽禁带半导体的关键发展路线之一：系统集成的关键技术：处理好电气连接过程中的绝缘、导热、机械应力和控制性能问题SiC功率半导体器件封装集成目前面临的共同技术挑战：（1）高开关速度引起电磁寄生参数：高参数下快速开关导致宽频电磁振荡，封装和装联都要降低寄生参数（2）小芯片面积导致强热流密度：小尺寸热量聚集加速器件老化失效，封装和功率组件都要提高散热能力（3）材料高应力应变降低可靠性：异质材料界面性能失配危及可靠运行，封装内部和外部的应力都加大了（4）高集成度引起强电磁热力藕合：多物理场耦合效应恶化系统性能，封装内外都存在多物理场耦合问题碳化硅行业发展需要新的研究和产业模式：功率器件封装集成关键性能由器件布局结构、芯片互连、封装材料、散热结构及集成技术等多个关键技术决定功率器件封装关键技术1：低感布局结构功率器件封装关键技术2：高可靠芯片互连技术连、双面基板互连及柔性基板互连等方向发展功率器件封装关键技术3：高可靠封装材料—芯片粘接材料结、纳米铜烧结发展功率器件封装关键技术3：高可靠封装材料—绝缘材料环氧树脂能够实现更高的可靠性及环境适应性功率器件封装关键技术4：高效散热技术系数，降低热阻功率器件封装关键技术5：高密度系统集成技术电力电子变换器系统由大量元件组成，基于高性能功率器件，考虑电磁热力耦合进行高密度集成设计、低电磁干扰技术研究及元件封装集成，提升系统功率密度封装集成技术发展趋势-封装高性能功率器件封装采用多种新型封装结构、芯片互连结构和封装材料，向着低感、低热阻、高可靠、小尺寸塑封方向发展封装集成技术发展趋势-集成随着功率器件封装及装联技术的发展，利用传统封装功率器件设计的模式，正向基于定制化、高性能、小尺寸碳化硅功率器件的高密度系统集成方向发展，将系统功率密度提升至新高

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