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DB52DB52/T861—20132CB003型硅雪崩整流二极管详细规范Detailspecificationforsiliconavalancherectifierdiodeoftype2CB0032013-12-06发布2014-02-01实施贵州省质量技术监督局发布I 1 1 1 1 3 9 1GB/T2423.3电工电子产品基本环境试验第2部分：试验方法试验GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第GB/T4937.2半导器体器件机GB/T4937.3半导器体器件机械GB/T4937.4半导器体器件机械和气候试验GB/T6571半导体器件分立器件2符号A—E—FJ<M6外径NNWH型号VAAA℃℃注：当Tc≥25℃时，按0.56A/℃的速率线3主要电特性（除非另有规定，TA=25℃)见表2。VW=1msD≤2%FM=70AVW=1msFM=70AVR1R254单位5FM=70AR1Ⅳ-1.4.1Ⅳ-1.2.3W=1msD≤2%FM=70A5VV35时间：2s±0.5sIR1TA3/sVR1方向：X1、Y1、Z1方向，非工作状态6RR7R2W=1msD≤2%V正向不重复浪涌电流反向不重复浪涌电流FSMRSMIR1FSM=490ARSM=75A、tW=10msD≤1%VIR1同A2bV8快速温度变化后反向漏电流测试IR13/sVIR1VIR1同A2bV9ROVRV器件应贮存在温度-10℃~40℃和相对湿度不大于80%的干燥、通风、无腐蚀性气体影响的库房9.1器件的最大额定值是指对器件能够安全使用的工作条件和环境条件的9.2为了有利于提高器件工作的可靠性，应考虑对器件的最大额定值参数tfft
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