实验二晶体管元件的认识和测量

实验二晶体管元件的认识和测量

实验目的1、掌握用数字万用表鉴别晶体管的性能；2、了解晶体管特殊性图示仪的简单原理及使用方法，用晶体管的特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数；3、绘制小功率晶体管的特性曲线，并运用特性曲线求参数。实验器材

晶体管特性图示仪XJ4810一台；数字万用表UT56一只；晶体三极管3AX31、9014、9015各一只；稳压管2CW一只。

2AP91、常用晶体二极管、三极管外形图实验原理2、用数字万用表鉴别晶体三极管〔1〕晶体管的管脚和类型的识别：①先判断基级②判别类型③集电极和发射极的判断〔2〕晶体管性能好坏的检查eeecbcbbbecNPNcPNP90153DD01B3AX31B2763LM324CD4100Ib（μA）OVBE（V）0.220VCE=0V0.40.6VCE≥1V4080603、运用晶体管特性曲线求参数

(1)晶体二极管正反向V-I特性A、正向特性B、反向特性C、反向击穿特性vDovziDvBR(2)晶体三极管输入特性曲线硅管输入特性曲线Ib〔μA〕OVBE〔V〕0.0520VCE=0V0.100.15VCE≥1V4080600.20锗管输入特性曲线QIC（mA）VCE(V)OUCE(V)ΔIBΔIC(3)晶体三极管输出特性曲线A、工作区域饱和区：VCE小到一定程度，而是放大区：截止区：IB=0而IC≠0过损耗区：不大于其中如何一项平安工作区：小于其中如何一项饱和区截止区放大区IC〔mA〕VCEOOUCE(V)过损耗区安全工作区B、主要参数电流放大系数：集电极-基极反向饱和电流〔发射极开路〕集电极-发射极反向饱和电流〔基极开路〕集电极最大允许电流集电极最大允许功率损耗反向击穿电压〔集电极开路〕〔发射极开路〕〔基极开路〕uAICEOuAICBOIBICV（BR）EBOV（BR）CBOV（BR）CEOICEO=常数OVBE（V）102030243561ICE（mA）7060508040VCEO=常数ICEO、VCEO特性曲线4、三极管输出特性曲线及其逐点测量法示意图AAvvRBECRCEBOICIB0IB1IB2IB3UCEO5、三极管特性图示仪组成方框图tIbY轴放大器RC功耗限制电阻RB集电极扫描信号RF取样电阻阶梯波信号X轴放大器OtUS示波管UCEOICUCOIbteUR〔Ic〕bRLcUsaOtUSIb1Ib2Ib0Ib36、图示法测三极管输出特性根本原理OICIb0Ib1Ib2Ib3t3t2t1tIbt47、XJ4810型半导体管特性图示仪

辅助聚焦X轴选择Y轴选择聚焦电源指示亮度电源开关显示开关Y轴位移X轴选择电容平衡辅助电容平衡功耗电阻选择扫描电压范围保险丝扫描电压%极性选择极性调零级/簇单簇按开关串联电阻开关阶梯信号选择测试选择重复/关开关实验内容1、用万用表鉴别晶体三极管的性能〔1〕先判断晶体管的基极；〔2〕判断晶体管的集电极；〔3〕判断晶体管的类型；〔4〕利用数字万用表测晶体管hfe值。将实验结果记录于以下表中.晶体管型号类型判断管脚判断晶体管hfe值901490152、用XJ4810型晶体管特性图示仪测量晶体管的特性曲线与参数〔1〕测稳压管2CW4正反向伏安特性，在方格纸上记以下图示仪所显示的特性曲线，并记录稳定电压VZ。〔2〕晶体三极管输出特性测量①测出9014共发射极连接的输出特性曲线族，并用方格纸记下曲线分别估算线性区的β值。②分别求出当VCE＝3V时，IC＝5mA情况下管子的β值。〔3〕晶体三极管输入特性测量①测出3AX31和9014两管共发射极连接的输入特性曲线，在方格纸上记以下图示仪所显示的特性曲线族。②从输入特性曲线上求取IB=20uA时，9014、3AX31的VBE值。〔4〕晶体三极管反向击穿电压V〔BR〕CEO的测量测出3AX31和9014两管〔取ICEO=2mA〕的V〔BR〕CEO将击穿曲线记录于方格纸上，并求取V〔BR〕CEO的值。〔5〕晶体管穿透电流的测量〔VCEO=10V〕测出3AX31的ICEO曲线，用方格纸记录图示仪的ICEO曲线。9013(NPN)半导体管测试条件输出特性输入特性ICEO（基极开路）BVCBO（基极开路）峰值电压范围0～10V0-100V极性正(+)功耗电阻250Ω-2KΩX轴VCE：1V/度VBE0.1V/度VCE：10V/度Y轴IC：1mA/度基极电流IC：0.1mA/度阶梯信号重复极性正(+)阶梯选择10μA/级3AX81(PNP)半导体管测试条件输出特性输入特性ICEO（基极开路）BVCBO（基极开路）峰值电压范围0～