模拟电子技术基础（第4版）课件：双极型晶体管的特性曲线

双极型晶体管的特性曲线

晶体管的特性曲线全面描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。晶体管的三种基本接法（组态）(a)cebiBiC输出回路输入回路(b)ecbiBiEceiEiCb(c)(a)共发射极；(b)共集电极；(c)共基极测量电路共发射极输出特性曲线：输出电流iC与输出电压uCE的关系曲线(以iB为参变量)晶体管的特性曲线共射输出特性曲线uCE/V5101501234iC/mA动画演示IcCeIENPNIBRCUCCUBBRBbIEPIC1IBNIENICN共发射极输出特性曲线共射输出特性曲线uCE/V5101501234iC/mA10A

饱和区放大区集电结零偏cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICNICBO临界饱和点共发射极输出特性曲线uCE/V5101501234iC/mAIB＝40A

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当IB=0时,IC=ICEO称为穿透电流。共发射极输出特性曲线cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICNICBO共射输出特性曲线uCE/V5101501234BIi＝－CBOiC/mAIB＝40A

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共发射极输出特性曲线cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICNICBO共射输出特性曲线uCE/V5101501234饱和区截止区放大区iC/mAIB＝40A

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uCE＝uBEcICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBO15VbIEBOBIi＝－CBO共发射极输出特性曲线共射输出特性曲线uCE/V5101501234饱和区截止区iB＝－ICBO放大区iC/mAuCE＝uBEIB＝40A

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1.放大区发射结正偏，集电结反偏（1）iB

对iC

的控制作用很强。共发射极输出特性曲线用交流电流放大倍数来描述：cbeNPN在数值上近似等于

β共发射极输出特性曲线（2）uCE

变化对IC

的影响很小（恒流特性）即IC主要由IB决定，与输出环路的外电路无关。uCE/V5101501234饱和区截止区iB＝－ICBO放大区iC/mAuCE＝uBEIB＝40A

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共发射极输出特性曲线1.放大区基区宽度调制效应(厄尔利效应)uCE↑→c结反向电压↑→c结宽度↑→基区宽度↓→基区中电子与空穴复合的机会↓iC↑→cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICNICBOcbeNPN基调效应表明：输出交流电阻rce=ΔuCE/ΔiC<∞基区宽度调制效应(厄尔利效应)（1）iB

一定时，饱和区iC

比放大区的小（2）UCE一定时,iB

增大，iC

基本不变（饱和区）2.饱和区共发射极输出特性曲线cbeNPN饱和时，c、e间的电压称为饱和压降，记作UCE(sat)。（小功率Si管）UCE(sat)=0.3V；（小功率Ge管）UCE(sat)=0.1V。三个电极间的电压很小，管子完全导通，相当一个开关“闭合（Turnon）”。共发射极输出特性曲线2.饱和区cbeNPN3.截止区发射结和集电结均处于反向偏置,三个电极均为反向电流，所以数值很小。

管子不通，相当于一个“开关”打开（Turnoff）。共发射极输出特性曲线3.截止区iB=-iCBO

（此时iE=0）以下称为截止区。工程上认为：iB=0以下即为截止区。共发射极输出特性曲线共发射极输入特性曲线共发射极输入特性曲线IcCeIENPNIBRCUCCUBBRBIbIBNIEPIENICNC1共发射极输入特性曲线（1）0<UCE<1时，随着UCE增加，曲线右移，特别在0<UCE<UCE(SAT),即工作在饱和区时，移动量将更大一些。（2）UCE

>1时，进入放大区，曲线近似重合。温度对晶体管特性的影响T↑，uBE↓：T↑，ICBO↑：T↑，β

↑：cbeNPNcICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICNICB