AMOLED产业及技术发展趋势-工信部

目录2AMOLED现状及开展趋势AMOLED原理及优势AMOLED市场现状AMOLED产业现状AMOLED未来开展及挑战19631987199019971963年，Pope蒽单晶体1987年，Kodak，C.W.Tang小分子双层结构OLED器件1990年，剑桥大学高分子OLED器件，并于1992年成立CDT19361936年，Destrian发现有机电致现象1997年Forrest发现磷光电致发光现象日本Pioneer首次将OLED商品化200420072021~20212007年三星开始量产AMOLED产品SONY推出11〞OLEDTV产品2021年国内首条PMOLED量产线在昆山建立SONY和SMD分别展示27〞和31〞OLEDTV2021年LG量产15〞OLEDTV2021年三星建立G5.5AMOLED量产线三星展出世界上首款透明笔记本原型机三星发布首款AMOLED屏的3D2021~2021年国内首款12〞AMOLEDTV成功点亮三星Galaxy系列大卖，4个月销量突破1000万台AUO展出32〞OLEDTV2021年LG和SMD分别展出了55〞OLEDTVAMOLED开展历程AMOLED根本原理AMOLED的优势[真彩色][超轻超薄][低功耗][快速响应][超宽视角][高比照]

AMOLED与LCD的比照指标AMLCDAMOLEDAMOLED产品的相对优势发光方式被动发光自主发光无需背光源，色彩鲜艳，对比度高器件结构复杂简单全固态结构，结构简单，成本低视角受限制接近180度宽视角，侧视画面色彩不失真响应时间10-3秒10-6秒更适合动态显示，无拖尾现象温度范围-20－600C-40－800C高低温性能优越，适应各种特殊环境LCDAMOLED与LCD相比，AMOLED的结构相对简单，这决定了AMOLED先天具有优异的性能和低廉的本钱。如果工艺成熟，其本钱优势将会很快显露出来。AMLCD=背光源(Backlight)+TFT背板+液晶盒(Cell)AMOLED=TFT背板

+OLED器件a-SiTFTμ-SiTFTLTPSTFTOxideSiOGSPCMIC/MILCELASLS晶粒大小N/A10~20nm0.4~1.0μm数μm~数百μm0.5~1μm(调整困难)2~3.5μm(调整容易)N/A单晶载流子迁移率（cm2/Vs）0.5~1.01~5~20(n),~20(p)~60(n),~60(p)~110(n),~50(p)~185(n),~80(p)<10270(n),100(p)大尺寸>Gen.10取决于PECVD设备Gen.4Gen.4Gen.4量产Gen.5以上较难Gen.4量产Gen.5.5可能Gen.4开发中开发中主要应用公司LCD厂商SMD,LGDLGD,SMD,AUOSMD,CMELSharpSMD,SONY,TMD,LGD,AUO等SMDLGD,SMDCorning等优点大尺寸，成本低，工艺简单，均匀性好大尺寸，成本低大尺寸，成本低，工艺简单，重复性好晶粒尺寸可调工艺成熟，稳定性好结晶化尺寸可控室温工艺，稳定性优越，大面积一致性好迁移率高、均匀性好不需要补偿电路问题点TFTStability(Vth漂移),Mobility低重复性，TACTTime大尺寸玻璃基板扭折问题，Ion/Mobility低金属残留，漏电流高，晶粒尺寸不均匀均匀性大尺寸困难，受到设备限制均匀性，MuraMobility低，工艺稳定性差大尺寸基板困难开发方向补偿电路，驱动设计工艺优化工艺优化去除金属残留技术开发设备开发，补偿电路SLSMask优化Autofocus工艺优化Tiling技术优化AMOLED样品/产品Samsung40”2004Sony27”2007LG15”2009CMEL7”2008Sony11”2007Samsung14”2007Samsung19”2009Samsung2.4”2007

非晶硅TFT背板W=3mm迁移率(cm2/Vs)电流(mA)多晶硅100.015.0非晶硅0.70.1需要大尺寸TFT(几百微米)载流子迁移率低：每个像素的驱动电流要求大约为10μA，对于实际TFT尺寸来说，驱动OLED需要TFT迁移率大于20cm2/Vs可靠性差：阈值电压漂移，需要补偿电路 AMLCD工作时TFT负荷约为0.1~0.2%，而AMOLED工作时为100%，因此对阈值电压

漂移程度要求高的多。

低温多晶硅TFT背板特点：

-载流子迁移率高(50~100cm2/Vs，TFT特性优异，可以制作P型器件，有希望集成驱动电路问题：

-晶界导致非均匀性，阈值电压和载流子迁移率的差异导致OLED电流的差异，易产生显示mura,工艺复杂，大尺寸困难。栅绝缘层pMOSTFT中间层钝化层源极漏极多晶硅沟道LDDnMOSLDDTFT栅极栅极CMOSTFT源极漏极多晶硅沟道LDD

主要特点：迁移率较高10~30cm2/Vs,能够用溅射法制造，工艺简单〔类似a-Si〕，可以使用低温工艺条件，容易实现大面积生产。主要问题点：有源层对水氧敏感，制造工艺再现性差，TFT的重复性及稳定性需提高。氧化物半导体TFT背板OLED原理及优势AMOLED市场现状AMOLED产业现状AMOLED未来开展及挑战中小尺寸FPD市场中小尺寸FPD市场中小尺寸FPD市场 DisplaySearch预测AMOLED电视2021年起步，约11万台，2021年后将快速增长， 2021年到达1800万台，年均增长率到达105%。大尺寸AMOLED出货量预测数据来源：DisplaySearch2021Q2OLED原理及优势AMOLED市场现状AMOLED产业现状AMOLED未来开展及挑战全球AMOLED产业化现状目前，全球已有AMOLED量产线10条，在建的7条，仅SMD能大批量供给AMOLED，产业主要集中在东亚地区，中国具备一定竞争潜力国家/地区厂商产线世代基板尺寸(mm)产能(K/月)量产时间OLED技术TFT背板技术韩国三星移动显示(SMD)A1-14.5G730×920272007Q3FMMLTPS(ELA)韩国三星移动显示(SMD)A1-24.5G730×920142009Q2韩国三星移动显示(SMD)A1-34.5G730×920482010Q2韩国三星移动显示(SMD)A2-15.5G1300×1500242011.Q2FMMLTPS(ELA)韩国三星移动显示(SMD)A2-25.5G1300×1500322011Q4韩国韩国LGDE24.5G730×92082011Q2FMMLTPS(ELA)日本日本索尼-3G600×7205TBDFMMLTPS中国台湾台湾友达(AUO)L3DLinkouAMOLED3.5G620×75072012.Q4FMMLTPS中国台湾台湾友达(AUO)L4BAMOLED4.5G730×92030TBDFMMLTPS中国台湾台湾新奇美(CMI)TPOHinschu13.5G620×750-TBDFMMLTPS中国大陆京东方(BOE)Erdos5.5G1300×150054K2013.Q4FMMLTPS中国大陆维信诺(Visionox)kunshan5.5G1300×150030K2014.Q3FMMLTPS中国大陆维信诺(Visionox)kunshan2.5G400×500Pilot2010.Q2FMMLTPS中国大陆上海天马(Tianma)shanghai4.5G730×920Pilot2011.Q1FMMLTPS中国大陆上海天马(Tianma)Xiamen5.5G1300×1500302013.Q1FMMLTPSOLED原理及优势AMOLED市场现状AMOLED产业现状AMOLED未来开展及挑战中小尺寸产品开展方向来源:Intel-IDF2021针对SmartPhone，25~35cm查看距离，300ppi已达人眼感知极限2021年300ppi→2021年400~500ppi中小尺寸产品开展方向Sumsung中小尺寸AMOLED尺寸inch4.84.654.55.297.75.55像素720*1280720*1280720*1280800*12801280*800720*1280ppi306316326286197267亮度cd/m2300350350300300300IMID2021Sansung中小尺寸AMOLEDLG55〞DemoSMD55〞DemoSONY11〞XEL-1LG15〞OLEDTVLG31〞DemoSMD40〞DemoSONY21〞,27〞Demo(CES2021)AUO32〞Demo(FPDI2021)20〞30〞40〞20072021大尺寸，超薄，高比照&高色域(CES2021)2021~20212021~大尺寸产品开展方向Samsung55inOLEDTVIMID2021SansungOLEDTVCR150k:1NTSC124%Thickness1.6mmWeight3.5kgStructureLTPS+RGBLightingTypeBottomEmission

IMID2021LGDOLEDTVCR100k:1ATSC118%Thickness1.6mmWeight3.5kgStructureWOLED+CF(RGBW)OxideIGZOLightingTypeBottomEmission

LGD55inOLEDTV三星VsLG55〞OLEDTV1.补偿电路；2.Coherent公司研制VYPER系列激光器，光束长度达750mm，可以支持G5.5生产线；3.SMD与设备厂商合作，正在进行可应用于G8.5的ELA设备开发，但尚未对外发布。激光束拼接工艺控制困难，需大功率激光器；TFT特性一致性较差，Mura控制比较困难；工艺复杂〔8~11mask〕，设备本钱高、运行本钱高。大尺寸应用主要问题点：开发方向&进展：改进工艺和设计，改进Oxide半导体组成结构，提升TFT可靠性，包括稳定性和重复性等；导入EtchStopLayer(ESL)，保护Oxide薄膜，但多一道MASK；继续研究与a-SiTFT结构相同的BackChannelEtch(BCE)结构，以减少MASK

TFT稳定性；工艺性差，氧化物半导体化学敏感，S/D刻蚀时，易受损；对水、氧和UV光等敏感。大尺寸应用主要问题点：开发方向&进展：精细金属荫罩激光热转印喷薄打印白光+彩膜原理示意图图形最小线宽约15μm2~5μm10~20μm约2.5μm最大解析度200~250PPI300~400PPI200PPI300~400PPI开口率30~50%70~80%50~60%60~70%材料利用率10~20%20~30%80~90%60~80%优点已量产，设备成熟可用于大尺寸高解析度可用于大尺寸设备成本较低可用于大尺寸CF技术成熟缺点大尺寸困难增加转印板成本配套设备不成熟材料受限设备精度要求高目前还不成熟透过率问题量产技术不成熟目前研发公司已量产技术SMD,SonyCDT,Seiko-EpsonLGD柔性显示维信诺：开展历程20012001，北京维信诺成立19961996，清华大学开始OLED研究2008201220062006，OLED产业化基地落户江苏昆山2021，在昆山的支持下，筹建AMOLED生产线2021，建成我国第一条AMOLED中试线建设2006，OLED产业遇到低谷携手清华创新昆山维信诺：PMOLED量产线建设2005.052006.072007.092021.012021.10量产线筹备组和工程部相继成立产业面临低谷，维信诺逆势而为首选设备商“雪上加霜〞元旦设备合同签订8月设备搬入，10月底产品进入市场2021全球市场占有率第二，实现盈利单线运营效率最高，在全球率先实现盈利维信诺：全球PMOLED出货排名2021年维信诺出货量为全球PMOLED市场的24%，居全球第二。来源:DisplaySearch2021Q42021.092021.103.5〞全彩AMOLED图像显示7.6〞全彩AMOLED图像显示2011.1112”全彩AMOLED图像显示2011.042.8”全彩AMOLED图像显示2021年开发4款AMOLED产品规划建设5.5代AMOLED量产线5.5代生产线月投片量3万片，年产AMOLED产品1亿支〔以4英寸产品计算〕产品将主要应用于智能、平板电脑、超级本等消费类电子产品，以及工业仪器仪表、医疗器械等特殊应用领域，占据全球10-20%市场份额2021年规划建设一条5.5代AMOLED量产线，预计2021年投产产学研合作机制96年-2001年

清华大学OLED实验室

基础研究2001-2008年北京维信诺中试线：工艺技术开发；研发中心：新技术开发联合实验室：前沿技术开发2008年—昆山维信诺PM量产线：制造销售PMOLED产品；PM研发中心：新技术开发；AM研发中心：AMOLED工艺技术开发；整机、TP及其他业务；联合实验室：前沿技术开发。研发成果就是产品，没有成果转化的过程。专业化、职业化、国际化团队

维信诺：知识产权截至2021年7月共申请专利412件，包括创造专利324件〔国内284件、国外40件〕，其中198件专利已获授权清华大学研究OLED技术十五年，维信诺公司创业十周年十年磨一剑，荣获国家创造一等奖442021年12月18日温家宝总理视察维信诺温家宝总理视察维信诺OLED产业开展思考显示器：国家战略性产业

平板显示产业是跨电子、信息、新材料、节能领域的产业。产业带动力强，对国民经济奉献大。行业产业拉动系数房地产业2.2汽车产业2.64平板显示产业4制造装备技术微电子技术光电子技术半导体工程技术化学材料技术新型平板显示技术第一代CRT（显像管）第二代LCD(液晶）新一代OLED（有机发光）真空器