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mAVRWVRDmAVRWVRD测正向特性测反向特性二、二极管的伏安特性正向电压：阳极高电位阴极低电位反向电压：阴极高电位阳极低电位PN正向电流反向电流二极管理论伏安特性曲线OD段称为正向特性。OC段，正向电压较小(小于0.5V)，正向电流非常小，只有当正向电压超过某一数值时，才有明显的正向电流，这个电压称为死区电压，亦称开启电压。CD段，当正向电压大于死区电压后，正向电流近似以指数规律迅速增长，二极管呈现充分导通状态。1

正向特性ADCBiDuDOUBRADCBiDuDoUBROB段称为反向特性。这时二极管加反向电压，反向电流很小。当温度升高时，半导体中本征激发增加，是少数载流子增多，故反向电流增大，特性曲线向下降。3反向击穿特性BA段称为反向击穿特性当二极管外加反向电压大于一定数值时，反向电流突然剧增，称为二极管反向击穿。2反向特性二极管理论伏安特性曲线小结：二极管的伏安特性硅管0.5V,锗管0.1V。反向击穿电压U(BR)导通压降

外加电压大于死区电压二极管才能导通。

外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+

反向电流在一定电压范围内保持常数。

半导体二极管iDouD20406080100(mA)(v)-40-80-0.1-0.20.40.82AP15的伏安特性曲线2CP1020的伏安特性曲线~iDouD-200-10020406080100-10-30-2075℃20℃(mA)(v)(μA)12

材料开启电压（V）导通电压（V）反向饱和电流（μA）硅（Si）≈0.50.6~1<0.1锗（Ge）≈0.10.2~0.5

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