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电子电路分析与实践半导体二极管张家口职业技术学院《电子电路分析与实践》教学团队二极管：一个PN结就是一个二极管。单向导电：二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。

符号半导体二极管根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。半导体的电阻率为10-3～109

cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的特点：导电能力不同于导体、绝缘体；受外界光和热刺激时电导率发生很大变化——光敏元件、热敏元件；掺进微量杂质，导电能力显著增加——半导体。半导体的基本知识当T=0K和无外界激发时，导体中没有载流子，不导电。当温度升高或受到光的照射时有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电。

因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。半导体的基本知识本征激发+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子空穴

在本征半导体中掺入三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N型半导体（电子型半导体）在本征半导体中掺入五价的元素(磷、砷、锑

)杂质半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5+5自由电子多余电子，成为自由电子在本征半导体中掺入三价的元素（硼）P型半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+3+3空穴空穴本征半导体——完全纯净的、结构完整的半导体晶体。载流子——可以自由移动的带电粒子。电导率——与材料单位体积中所含载流子数有关，载流子浓度越高，电导率越高。N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子是空穴；P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子是电子。本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体、N型半导体、P型半导体呈电中性本征半导体：空穴数=自由电子数N型半导体：自由电子数=正离子数+空穴数；P型半导体：空穴数=负离子数+自由电子数。导体显电性+五价的元素+三价的元素产生多余电子产生多余空穴因浓度差多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区

空间电荷区形成内电场

内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散PN结的形成外加的正向电压削弱了内电场内电场对多子扩散运动的阻碍减弱扩散电流加大扩散电流远大于漂移电流PN结呈现低阻性。

(1)PN结加正向电压P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。

PN结的形成P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。（2）PN结加反向电压

外加反向电压加强了内电场内电场对多子扩散运动的阻碍增强扩散电流大大减小漂移电流大于扩散电流PN结呈现高阻性PN结的形成PN结正向电阻小，反向电阻大——单向导电性。总结PN结面积大，用于大电流整流电路。(1)点接触型二极管PN结面积小，结电容小

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