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文档简介

第十章

核磁共振波谱分析法一、核磁共振与化学位移二、影响化学位移原因第二节

核磁共振与化学位移第1页一、核磁共振与化学位移

理想化、裸露氢核；满足共振条件：

0=

B0/(2

)产生单一吸收峰；实际上，氢核受周围不停运动着电子影响。在外磁场作用下，运动着电子产生相对于外磁场方向感应磁场，起到屏蔽作用，使氢核实际受到外磁场作用减小：

B=（1-

）B0

：屏蔽常数。

越大，屏蔽效应越大。

0=[

/(2)]（1-

）B0因为屏蔽作用存在，氢核产生共振需要更大外磁场强度（相对于裸露氢核），来抵消屏蔽影响。第2页化学位移：

0=[

/(2)]（1-

）B0因为屏蔽作用存在，氢核产生共振需要更大外磁场强度（相对于裸露氢核），来抵消屏蔽影响。

在有机化合物中，各种氢核周围电子云密度不一样（结构中不一样位置）共振频率有差异，即引发共振吸收峰位移，这种现象称为化学位移。第3页化学位移表示方法1．位移标准没有完全裸露氢核，没有绝正确标准。相对标准：四甲基硅烷Si(CH3)4（TMS）（内标）

位移常数

TMS=02．为何用TMS作为基准?(1)12个氢处于完全相同化学环境，只产生一个尖峰；（2）屏蔽强烈，位移最大。与有机化合物中质子峰不重迭；（3）化学惰性；易溶于有机溶剂；沸点低，易回收。第4页位移表示方法

与裸露氢核相比，TMS化学位移最大，但要求

TMS=0，其它种类氢核位移为负值，负号不加。

=[（样-TMS)/

TMS]106(ppm)

小，屏蔽强，共振需要磁场强度大，在高场出现，图右侧；

大，屏蔽弱，共振需要磁场强度小，在低场出现，图左侧；第5页常见结构单元化学位移范围第6页二、影响化学位移原因电负性与质子相连元素电负性越强，吸电子作用越强，价电子偏离质子，屏蔽作用减弱，信号峰在低场出现。-CH3，

=1.6~2.0，高场；-CH2I，

=3.0~3.5,-O-H，-C-H，

大

小低场高场第7页影响化学位移原因2

价电子产生诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。第8页影响化学位移原因3

价电子产生诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。第9页影响化学位移原因4

苯环上6个

电子产生较强诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。第10页

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