2025晶体硅光伏组件

GB/T191GB/T2296GB/T 1部分:按接收质量限(AOL)GB/T GB/T GB/T GB/T GB/T 光伏（PV）1GB/T341602017GB/T GB/T GB/T GB/T 1GB/T GB/T31985GB/T GB/T36289.1- 1GB/T36289.2- 2GB/T GB/T NB/T Pmax：最大功率（maximumpower）Isc：短路电流（short-circuitcurrent）FF：填充因子（FillFactor）IP67：防护安全级别（IngressProtectionRating67按照电池片类型，可分为单晶硅组件和多晶硅组件两大类；单晶硅组件又分为P型和N型两类；按照组件的电池片切割工艺，可分为：1/2片；示例：DAS-WH144P6-450P166144450WGB/T9535(IEC61215)GB/T20047(IEC61730)标准，晶体硅光伏组件应满GB/T9535(IEC61215)系列和GB/T20047(IEC61730)系列标准的相应要求。并联电阻：≥30透光率：≥93.8%（380-1100nm范围内%%%透水率：<35体积电阻率：1.0*1015耐磨性：≥60%水汽透过率：≤2.0g/（m2·24h）（电解传感器法阻燃性：VTM击穿电压：≥17体积电阻率：≥1.0×1015DTI：≥150μm（1000V），≥300CTI：＞600VCTI：＞600700Lux~1000Lux1m面积≤6mm²5处；度≤50mm,数量≤3处；GB/T34160-2017或等同测试方法，P21.0%;N型单晶硅21.5%;19.0%。GB/T953510.7GB/T953510.8GB/T953510.9GB/T953510.12GB/T953510.14GB/T953510.15GB/T953510.17表1MQTMQTMQT小于40MΩ.㎡。MQTMQTMQTMQTMQTMQTMQTMQTMQTMQTMQT2、对于面积大于0.1不小于40MΩ.㎡。MQTMQT旁路二极旁路二极管MQT1旁路二极管MQT稳定MQTMQT（P-P）/P表2MSTMSTMST小于40MΩ.㎡。MST5MSTMSTMSTMST接线盒保持在安MST力测MSTMST管试验旁路二极MST1旁路二极MSTMSTMSTMSTMSTMSTMSTMSTMST于0.1Ω。MST1MST1IEC61730-15.5MSTIEC61730-2B所规定MST的施放点垂直高度超过150mm的时间不允许超过15s。MST1MST23直径为76mm6.5cm的微粒。MSTMSTMSTMST3IEC61215-2MQT13GB/T6495.1（IECIEC61730-2-MST54GB/T6495.1（IEC组件动态机械载荷试验依据IEC61215-2MQT20的要求进行。试验前后按照GB/T6495.1(IEC60904-1)的要求进行组件最大功率测试。PID试验依据IEC61215-2MQT21IEC62804-1的要求进行。试验前后按照GB/T6495.1(IEC60904