• 现行
  • 正在执行有效
  • 2025-04-08 颁布
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【正版授权-英语版】 IEC 63505:2025 EN Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 63505:2025 EN
  • 标准名称：测量SiC MOSFET阈值电压(VT)的指导原则
  • 英文名称：Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2025-04-08

文档简介

IEC63505:2025ENGuidelines是关于测量碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的阈值电压（VT）的标准。阈值电压是MOSFET的重要参数之一，它描述了晶体管开启时的阈值条件，影响其开关速度、功耗和可靠性。

以下是对IEC63505标准的详细解释：

1.测量原理：阈值电压的测量通常采用直流偏压测试法。通过向晶体管提供一定的直流偏压，并测量其漏源极间的电阻变化，进而推算出阈值电压。这种方法要求选择合适的偏压等级和测量方法，以获得准确的阈值电压值。

2.环境要求：在进行阈值电压的测量时，实验室应具备稳定的环境条件，如温度、湿度和电源质量等。这些因素都会影响测量的准确性。

3.设备要求：为了进行准确的阈值电压测量，需要使用高精度直流电源、电阻器、电流表和电压表等设备。同时，还需要考虑设备的稳定性和精度，以确保测量的准确性。

4.样品准备：在进行阈值电压测量前，需要准备合适的SiCMOSFET样品。样品应符合一定的规格和标准，以确保测试的一致性和可靠性。

5.数据处理：在获得阈值电压数据后，需要进行相应的数据处理和分析。这包括误差分析、线性拟合和结果的解释等。

6.验证与确认：在阈值电压测量过程中，需要定期对设备和测试方法进行验证和确认。这包括检查设备的精度、稳定性和环境适应性等，以确保测试结果的准确性和可靠性。

IEC63505:2025ENGuidelines提供了关于SiCMOSFET阈值电压测量的详细指南和要求，包括原理、环境、设备、样品准备、数据处理和验证等方面的内容。这些要求旨在确保测量

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