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DB13DB13/T1828—2013太阳能级类单晶硅片Quasi-monocrystallinesiliconsolarwafers河北省质量技术监督局发布I12规范性引用文件GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样GB/T25074太阳能级多晶硅GB50034-2004建筑照明设计DB13/T1633-2012太阳能级多晶硅片类单晶硅片quasi-monocrystallin2硅片边缘呈现的单面局部破损。一般用宽度（hhhaaha崩边或缺口a宽度h延伸度缺口breakage4.1按单晶比例分类4.2按产品质量分类5质量技术要求5.1单晶比例5.2.1外观3崩边(宽度a/mm，延伸度h/缺口(宽度a/mm，延伸度h/05.2.2规格尺寸3025202020200.50.50.3°10°45.2.3材料性能1817利用光学成像方法，测定最大晶粒面积，再按3.2的定义来计5少子寿命检验按GB/T1553进行，取整个硅片少子寿检验项目为本标准所规定的产品的全部质量技术要求。有下列情况之一时，应进行a)原料有较大改变，可能影响产品性能时；d)出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时；61237.4.1.1单晶比例检验结果符合标称分类，则判定7.4.2.1单晶比例检验结果符合标称分类，则判定

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