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§4-5场效应晶体管§4-5场效应晶体管一、结构特点MOS管的结构如图4-11所示，它是由一个掺杂浓度低的P型（或N型）硅片做为衬底，在衬底上扩散两个掺杂浓度高的N型区（或P型区），并引出图4-11N沟道场效应管的结构两个电极分别称为源极S和漏极D。两个N（或P）区中间的半导体表面上有一层二氧化硅薄膜，叫绝缘栅，其上再覆盖一层金属薄膜，构成栅极G。§4-5场效应晶体管N沟道P沟道增强型耗尽型增强型耗尽型

表4-1场效应管的图形符号MOS管的图形符号见表4-1。图4-12N沟道场效应管的工作原理§4-5场效应晶体管二、导电原理如图4-12a所示，在漏极D和源极S之间加上正向电压，当时，由于漏极与衬底之间的PN结处于反向偏置，漏源极间无导电沟道，漏极电流，场效应管处于截止状态。当时，P型衬底界面（靠绝缘栅一侧）就会感应出一层电子，即为N型层（或反型层）。当增加到某一临界电压时，两个分离的N型区便会接通，形成N型导电沟道，便产生漏极电流，MOS管此时处于导通状态，这个临界电压即为开启电压。§4-5场效应晶体管场效应晶体管是一种电压控制器件，即利用栅极电压

控制漏极电流，

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