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§4-6绝缘栅双极晶体管§4-6绝缘栅双极晶体管一、绝缘栅双极晶体管的结构及特点结构：绝缘栅双极晶体管（以下简称IGBT）是由场效应晶体管和双极型晶体管复合而成的一种器件。IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。特点及应用：它融和了这两种器件的优点，既具有场效应晶体管器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型器件容量大的优点，因此，在现代电力电子技术中已逐步取代晶闸管或晶体管，得到了越来越广泛的应用。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照相机的频闪观测器、感应加热电饭锅等领域。§4-6绝缘栅双极晶体管二、绝缘栅双极晶体管的工作
原理IGBT的等效电路如图4-13所示。由图可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则场效应管导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则场效应管截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。图4-13IGBT的等效电路§4-6绝缘栅双极晶体管继续返回由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：1）IGBT栅极与发射极之间的电压；2）IGBT集电极与发射极之间的电压；3）
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