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文档简介

2.1晶圆切割项目二：封装工艺流程1.了解晶圆切割等处理方法2.掌握芯片贴装和互连工艺3.了解芯片封装成型及后续处理工艺4.了解剪切成型、印字、装配工艺知识目标晶圆切割2.1.1磨片为了保证电路层功能，目前批量生产所用硅片尺寸较大,厚度也较大，以保证其作为电路衬底材料能够有足够的强度，但同时这也给划片带来困难。因此,电路层制作完成后，需要先对硅片进行背面减薄，以达到所需要的厚度，并对硅片进行划片加工。目前,硅片的背面减薄技术主要有磨削、研磨、化学机械抛光、干式抛光、电化学刻蚀、湿法腐蚀、等离子辅助化学腐蚀、常压等离子腐蚀等。磨片的目的如下：（1）去掉晶圆背面的氧化物,保证芯片焊接时具有良好的黏结性。（2）消除晶圆背面的扩散层,防止寄生结存在。（3）使用大直径的晶圆制造芯片时,由于晶圆较厚,需要减薄才能满足划片、压焊和封装工艺的要求。（4）减小串联电阻和提高散热性能,同时改善欧姆接触。2.1.2贴片在晶圆背面贴上胶带(常称为蓝膜)并置于钢制引线框架上,此动作称为晶圆贴片。贴片完成后,就可以送至芯片切割机进行切割。晶圆贴片机如图2-2所示。图2-2晶圆贴片机2.1.3划片划片的目的是将加工完成的晶圆上的一颗颗晶粒切割分离。切割完后,一颗颗晶粒会井然有序地排列在胶带上。晶圆划片的效果和晶圆划片机分别如图2-3和图2-4所示。图2-3晶圆划片的效果图2-4晶圆划片机2.1.3划片划片工艺可以分为减薄前划片和减薄划片两种。减薄前划片,即先将硅片的正面切割出一定深度的切口,再进行背面磨削;减薄划片,即先用机械或化学的方式将硅片切割出切口,用磨削方法减薄到一定厚度以后,再采用等离子刻蚀技术去除掉剩余加工量,实现裸芯片的自动分离。划片完成以后,还需要进行扩晶工艺,扩晶的主要目的是将每个晶粒的间距增大

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