与非网：2024年车规功率半导体产业分析报告

个人简介十多年电子行业分析师从业经历。长期关注电子制造、汽车电子、消费电子、工业电子、晶圆制造等行业。聚焦技术前沿、市场动态、分销供应链334车载功率半导体56功率IC的发展和升级，成为系统信号处理和执行的桥梁。7MOSFETMOSFET用于电压变化转化为电流变化，起开关或放大作用。车载车载MOSFET需在极端环境下稳定工作，确保汽车运行。具备快速开关速度，减少系统响具备快速开关速度，减少系统响应时间，提高性能。。满足汽车电子需求。89汽车电源管理芯片应用于智能座舱、自汽车电源管理芯片应用于智能座舱、自动驾驶、车身电子等场景。PMIC产品主要分为AC/DC、DC/DC、2022年电源管理芯片市场规模为810.65亿元，预计2024年增至923.75亿元。BMSBMS核心技术包括AFE芯片、MCU、高精度ADC，确保电池安全高效运行。AFE芯片工作原理，来源：杰华特新能源汽车采用800V电压平台，推动电机控制器从硅基IGBT转向SiC-MOS。SiC器件在工业新能源和电机驱动领域需求快速增长，成为刚需。国产国产SiCMOSFET在工业应用中的市场份额正在成长，需通过可靠性测试。需求大幅增长。4.90%TIQualcommInfineonADISTM2021全球前10大功率IC公司市场占比，数据来源：与非研究国际市场中，几家海外巨头占据了较国际市场中，几家海外巨头占据了较大的市场份额，国内企业因起点低但发展迅速，尤其在中低端消费电子市场中具备成长机遇。全球半导体供应链短缺，为中国功率IC企业带来巨大机遇，本土企业如晶丰明源、富满微电子等增长超过100%，但仍处于资本市场价值洼地。排名123456789中国功率IC公司矽力杰半导体技术(杭州)有限公司上海晶丰明源半导体股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司富满微电子集团股份有限公司圣邦微电子(北京)股份有限公司上海南芯半导体科技有限公司深圳市明微电子股份有限公司上海贝岭股份有限公司上海艾为电子技术股份有限公司杰华特微电子股份有限公司2021年功率IC营收同比增长2021年中国大陆前10大功率IC公司营收和增速序号企业名称2020年营业收入（亿元）1安世半导体（中国）有限公司/2华润微电子控股有限公司3扬州扬杰电子科技股份有限公司4杭州士兰微电子股份有限公司5吉林华微电子股份有限公司6江苏长晶科技有限公司/7乐山无线电股份有限公司/8北京燕东微电子有限公司/9江苏捷捷微电子股份有限公司无锡新洁能股份有限公司/全球AFE市场主要由亚德诺半导体、德州仪全球AFE市场主要由亚德诺半导体、德州仪全球模拟前端（AFE）市场销售额预测（百万美元），来源：QYR），），2021年全球IGBT分立器件竞争格局，企业名称研发进度成立时间主机厂客户比亚迪半导体第五代比亚迪、小康、宇通、福田等时代电气第五代可量产，第七代（刚研发成功，合众、一汽、长安等10余家客户斯达半导第七代长城、长安、东风（据电机客士兰微第五代可量产，第七代（送审阶段）零跑、比亚迪等华润微电子第五代比亚迪、长城、吉利等年份汽车销量（万辆）单车MOSFET用量总用量估算价格（元/市场规模增速-444000144.4年份汽车销量（万辆）单车MOSFET用量总用量估算价格（元/市场规模增速-42.15%1），客户客户供应商特斯拉Onsemi、Wolfspeed梅赛德斯奔驰Onsemi、Wolfspeed蔚来通用Wolfspeed捷豹、路虎Onsemi、Wolfspeed厂商飞锃半导体芯塔电子纳芯微澎芯半导体澜芯半导体南瑞半导体导体蓉矽半导体杰平方半导体认证AEC-Q101AEC-Q101厂商飞锃半导体芯塔电子纳芯微澎芯半导体澜芯半导体南瑞半导体导体蓉矽半导体杰平方半导体认证AEC-Q101AEC-Q101车规认证中主要应用光伏储能模块产品驱系统光伏、储能新能源辅助电源主要产品规格成立时间备注第一家掌握6--AEC-Q101AEC-Q101AEC-Q101AEC-Q101AEC-Q101客户验证中司-新能源新能源汽车OBC、光伏光伏、新能源---MOSFET，具开尔文Source封装以信号感知芯片起家，后布局SiC器件功率半导体器件开发由中科院投资，专注车规SiC芯片推出低导通电阻产品，具车规级设计具先进结构和工艺，兼容18V栅压驱动英寸SiCMOSFET工艺平台的公采用自主研发封装技术，提高开关频率面向大功率应用，涵盖广泛产品系列涉及设计、封装、模块、检测等产品推出自主研发芯片，具高工艺可靠性具备车规主驱芯片高可靠性计划在香港建设8英寸SiCIDM晶圆厂基本半导体新能源汽车-发布第二代SiCMOSFET，具多种封装规格），功率半导体根据工作功率选择不同类型，包括高、类别公司新洁能,东微半导体,斯达半导体,芯朋微,富满微,宏微科技制造华虹半导体,上海先进（已退市）,中芯国际封测长电科技,通富微电,华天科技士兰微,华润微,比亚迪半导体,闻泰科技,扬杰科技,时代电气,华微电子,捷捷微电MOSFETAFESiC功率ICIGBT代数结构特征工作结温短路能力封装形式常见后缀芯片面积（相对值）工艺线宽（微米）通态饱和压降（伏）关断时间（微秒）功率损耗（相对值）断态电压出现时间IGBT1平面穿通型----53IGBT2改进的平面穿通型（PT）模块5IGBT3沟槽型（Trench）10us,600V,6us模块4032IGBT4非穿通型模块1IGBT5电场截止型模块4500TRENCHSTOP™5沟槽型电场-截止型（FS-Trench）无单管(650V)1IGBT6沟槽栅+场截止单管(1200V)-------IGBT7微沟槽+场截止过载175℃8us模块-------参数TransistorIGBT参数TransistorIGBT通态压降低中高通流能力高中低导电电荷电子、空穴电子、空穴电子、空穴开关速度低中高应用频率低频（＜10kHz）中频（10-100KHz）高频（100-500KHz）驱动方式电流驱动电压驱动电压驱动温度系数负PT：负NPT/SPT：正正耐压高、损耗低、效率在800V高压平台上，传统Si-IGBT难以适用。Transistor/IGBT/MOSFET参数对比，来源：与非研究院AFE化成为汽车产业发展趋势。化成为汽车产业发展趋势。2022年中国本土上市功率器件企业研发投入（亿元）0.15