英诺赛科深度研究报告：氮化镓功率半导体龙头引领三代半能源革命新风向

目 录一、氮化镓功率半体头，技术产线领先优势显 6（一）球大化率半体IDM，全压品矩重三半争局 6（二）司权构，核团产积深厚 8（三）收增&速亏，望越IDM重模式利点验 9二、氮化镓：从消电到数据中心汽车电子定义功率半导体新杆 12（一）三半体镓，频效性破术临点 121、代料比性代际迁场分明确 122、消类GaN用动规高增，争局高集中 15（二）化各域爆发数中心机人汽车力长 171、费子侧AI动快需高，化器件间续大 172、据心大型代引算需高，GaN效能化速地 193、业&器：现精控并少关耗，望导器领域 214、车子汽智化大所，规率件持高压高升级 22三、英诺赛科：IDM高筑护城河，产能扩张领域布局驱动盈利力速提升 24（一）费子导部厂，强局电领域筑期长 24（二）据心积展数中布，多厂商开作 26（三）业&器：抓机人业遇关电机动品实量产 28（四）车子导内外个机客，圆交数同大增长 29（五）IDM城显技术垒&发势&粘性筑实垒 30（六）作ST法供应韧，能用提升动利力行 32四、盈利预测 33五、风险提示 34图表目录图表1 司务展程及程碑 6图表2 司品型性能标 6图表3 司分户况 7图表4 化半体业链局 7图表5 司IPO基资者资况 8图表6 司权构况 8图表7 司任理队情况 9图表8 司收增情况 10图表9 司利及利率况 10图表10 公净润利率况 10图表2021-2024年业收分品比况 图表12 2021-2024年产品收百元） 图表13 2021-2024H1司主业收分区比 图表14 2023年司要客收占比 图表15 2021-2024年司期费率况 12图表16 24H1司分类情况 12图表17 公全团发分架图 12图表18 主三半材料比 13图表19 GaNHEMT体管基结构 14图表20 Si/SiCLDMOS晶体的本构 14图表21 硅氮镓化硅功半体论用比较 14图表22 氮镓主点及势 15图表23 氮镓率体的游用 15图表24 2019-2028E功率导市规（） 16图表25 2019-2028E氮化半体场模渗透率 16图表26 2023年球化镓导公竞格局 16图表27 氮镓率体产链 17图表28 全球AI手售量预（部） 18图表29 中国AI手货量预（台） 18图表30 华部机池容迭情（mAh） 18图表31 华部机电功迭情（W） 18图表32 小米65W氮镓快、65W器AD651及45WPD充器对比 19图表33 2023-2028E消费子化市规（亿） 19图表34 大型展线 20图表35 2018-2024年大模参数量 20图表36 2023-2028E算力模（EFlops） 20图表37 全数中化镓率导市规（亿） 20图表38 数中服的电架框图 21图表39 2023-2028E储能池装量吉时） 21图表40 2023-2028E可再能及业化市场模亿） 21图表41 特拉代Optimus人机人 22图表42 全人机产业模测亿元） 22图表43 我新源月度量增速 23图表44 我新源月度售透（%） 23图表45 车载GaN潜应用域 23图表46 罗与自合开载GaN器件 24图表47 2023-2028E车载化市规（元） 24图表48 公应于电子品主氮镓品 24图表49 应于能内部源关氮镓片 25图表50 全首款全化快方案 25图表51 公司2024年品应案汇总 25图表52 E-Bike无扇120W电方，善热的时小统积 26图表53 内嵌4颗700V氮镓片的300W薄TV电参设计 26图表54 公应于中心品主氮镓品 27图表55 针对48V开发款业先相2kW交降压源案 28图表56 公应于生能及业品主氮化产及各的性 28图表57 公应于电子主氮镓品 29图表58 2023年球十大率导公（收入） 30图表59 8寸圆片器数是6英晶的1.8倍 30图表60 公苏、生产地能晶片产量晶片及用情况 31图表61 英赛分产品局研进展 31图表62 意半体诺赛签氮镓术合开协议 32图表63 英赛科design-in及design-win展） 33图表64 英赛销本拆（2024H1） 33图表65 英赛单圆成拆（元/圆） 33图表66 英赛业分 34一、氮化镓功率半导体龙头，技术+产线领先优势尽显（一）全球最大氮化镓功率半导体IDM，全电压产品矩阵重塑三代半竞争格局第三代半导体国产化标杆，全球氮化镓龙头地位稳固。英诺赛科自2017年7月成立以来（GaN）202412OPPOVIVO202333.7%招股说明书、汾湖发布公众号、公司公告、充电头网公众号，华创证券图表1 公司业务发展程及里程碑招股说明书、汾湖发布公众号、公司公告、充电头网公众号，华创证券五条核心产品线，全面覆盖高频高效、小型化等全场景。HVGaNGaN、芯片。图表2 公司产品类型性能指标产品类型配置耐压导阻(typ)封装高压GaNHEMT单通道650~900V26~470mΩTOLL/DFN8X8/TO220F/TO252,etc低压GaNHEMT单通道30~150V1.2~53mΩWLCSP4.45X2.30//En-FCQFN4X6/FCQFN5X4//LGA2.3X3.3,etcVGaN功率器件双桥40~120V0.9~9mΩWLCSP2.1X2.1/FCQFN6X4/En-FCQFN4X6,etcSolidGaN合封模块单通道/半桥100~700V2.4~365mΩLGA5X6.5/QFN6X8/TO247-4L氮化镓驱动IC单通道/半桥100~700V-DFN3X3/WLCSP1.62X1.62/FCQFN3X3公司官网，图表3 公司部分客户况公司官网，华创证券公司官网，华创证券IDMIDM20241.395%78IDM680%30%图表4 氮化镓半导体业链布局弗若斯特沙利文、转引自招股说明书弗若斯特沙利文、转引自招股说明书IPO募资约13.02202412IPO（1）8：60%8（GaN-on-Si）晶圆产线升级及设备采购，目标未来五年内将月产能从当前基数提升至70,000产品矩阵及份额拓展AI10%图表5 公司IPO基石投资者投资情况基石投资者投资总额（万美元）将予认购的发售股份（万股）占发售比例占紧随全球发售完成后已发行股本总额比例STHK（意法半导体全资子公司）50001259.2127.76%1.43%江苏国企混改基金2500629.613.88%0.72%东方创联1250311.666.87%0.35%苏州高端装备1250311.666.87%0.35%招股说明书，*按发售价30.86港元计算，发售占比假设超额配股权未行使。（二）公司股权结构多元，核心团队产业积淀深厚创始人控股Luo5.59%SKChinaInnoHKIND，企查查，华创证券资料来源：W图表6 公司股权结构况IND，企查查，华创证券资料来源：W*数据截止2025年01月27日核心高管团队具有国际化技术背景及丰富产业经验，引领技术商业化落地。LuoNASA“GaN+8+IDM”JayHyungSon793项含06图表7 公司现任管理队情况姓名职务性别年龄学历履历WeiweiLuo创始人、董事长女55博士20177172024521日获委任为执行董事，负责集团的整体业务发展和战略规划英诺深圳的董事长及英诺赛科(广东横琴)科技有限公司的董事。具备丰富经验，创办公司前多年来一直从事科学研究、项目管理及创业。现为星钥半导体有限公司董事，该公司主要从事显示及微屏技术的研发。JayHyungSon执行董事男63学士201771720245213CIM,Inc.的董事，INNOEPI,Inc.官，及InnoScienceInc.的总裁。吴金刚执行董事、首席执行官男58博士20231122024521经验，曾任职于中芯国际经理。钟山执行董事、首席财务官男53学士20177172024521深圳市元泓创业投资有限公司的董事。倪景华副总经理男46硕士于2023年1月加入集团，负责集团的研发工作。在半导体技术行业拥有丰富经验，曾任中芯国际集成电路制造有限公司技术研究发展总监、山东产研及龙山微电子工艺事业部副总经理。李新华副总经理男45硕士于2020年5月加入集团，负责集团的制造工作。在半导体技术行业拥有丰富经验，曾任英诺珠海厂长，曾就职于中芯国际、中芯北方集成。刘丽华董事会秘书女52硕士2024124521联席公司秘书。曾担任招商证券股份有限公司投资银行部总监，东鹏饮料财务总监、董事、副总裁及董事会秘书。IND，（三）营收高增&加速减亏，有望跨越IDM重资产模式盈利拐点考验营收高增印证成长动能，规模效应显现有望迎来盈利拐点。201920231.3917.60实现了88.5%2021-20240.688.28亿元，CAGR129.9%。图表8 公司营收及增情况9 400%8 350%7 300%6250%5200%4150%32 100%1 50%02021

2022

2023

0%2024营业收入（亿元） YoY(%)indind，华创证券资料来源：W规模效应逐步释放，亏损收窄趋势明确。20242023-61.6%2024年-19.5%42.1pct。2350%，202410.46IDM的企业，公司在发展初期面临较大的折旧摊销压力，同时需要持续投入研发资金及市场拓展费用。近年来，随着产能持续扩张带来的规模经济效益显现，公司盈利能力得到显资料来源：W图表9 公司毛利润及利率情况 图表10 公司净利润及利率情况0.0(0.5)(1.0)(1.5)(2.0)(2.5)(3.0)(3.5)(4.0)(4.5)

毛利润（亿元）

毛利率（%）

0%202420232024202320222021-100%-150%-200%-250%-300%-350%

(5)(10)(15)(20)(25)(30)(35)(40)

净利润（亿元）

净利率

0%202420232024202320222021-2000%-3000%-4000%-5000%-6000%IND， IND，公司三大类产品结构，晶圆/分立器件业务系核心增长极。202301.90占比32.024//22.2%/33.9%/43.5%77.4%图表2021-2024年营业收入分产品占比况 图表12 2021-2024年分产品营收（百万元）100%0%

氮化镓分立器件及集成电路 氮化镓晶圆 氮化镓模组 其他22.2%22.2%33.9%43.5%

900700500300100(100)

氮化镓分立器件及集成电路 氮化镓晶圆氮化镓模组 其他

350%202120222021202220232024150%50%-50%2021 2022 2023 2024 分立器件及集成电路YoY 晶圆YoY资料来源：W资料来源：W模组YoY资料来源：W资料来源：Wind，招股说明书， ind，招股说明书，业务收入主要集中在中国内地地区，客户集中度高。2021-2023202499.7%、95.4%90.2%89.5%2023图表13 2021-2024H1公司主营业务收入分区比 图表14 2023年公司要客户收入占比客户G,32.10%其他,43.70%客户B,6.60%客户H,客户G,32.10%其他,43.70%客户B,6.60%客户H,客户C100%95%90%85%80%75%70%65%60%

99.795.499.795.490.289.5

客户I,

5.80%

,6.50%招股说明书， 招股说明书，2021-2024含研1274.3%（2021-2024年CAGR41.7%压缩3）263%54%提升明显。图表15 2021-2024年公司期间费用率情况 图表16 24H1公司员工分类别情况1200%1000%800%600%400%200%0%

2021 2022 2023 2024 销售及营销费用率 行政费用率 研发费用率招股说明书， 招股说明书，高投入构建技术壁垒，国际化团队配置形成协同网络。截至2024年6月，研发人员达30440%8图表17招股说明书，公司官网，华创证券招股说明书，公司官网，华创证券二、氮化镓：从消费电子到数据中心&汽车电子，定义功率半导体新标杆（一）第三代半导体氮化镓，高频高效特性突破技术临界点1、三代材料对比：性能代际跃迁，场景分化明确世纪50S、锗G）2080GA磷化铟（nP）为主要代表；第三代半导体是以碳化硅（C、氮化镓（GN、氧化锌（ZOAE>3.4SiC和GaN（S1eV（aA1.4（a3.433Vc5G通及他业领。图表18 主要三代半导材料对弗若斯特沙利文，转引自招股说明书弗若斯特沙利文，转引自招股说明书氮化镓和碳化硅同属第三代宽禁带半导体，但技术特性和应用方向各有侧重。GNaeue、aN（epax与AGN（bae8065V（MHz级SiC650VGaN图表19 GaNHEMT晶体管的基本结构 图表20 Si/SiCLDMOS晶体管的基本结构资料来源：Fr资料来源：FredFu《GaNPowerHEMTTutorial:GaNBasics》 edFu《GaNPowerHEMTTutorial:GaNBasics》资料来源：Fr资料来源：Fr图表21硅、氮化镓和碳化硅的功率半导体理论应用比较弗若斯特沙利文，转引自招股说明书弗若斯特沙利文，转引自招股说明书传统硅基材料接近极限，宽禁带材料引领半导体代际革命。图表22 氮化镓的主要点及优势弗若斯特沙利文，转引自招股说明书弗若斯特沙利文，转引自招股说明书2、非消费类GaN应用驱动规模高速增长，竞争格局高度集中GaNGaN2018AnkerGaNGaN650V全球GaNPowerDeviceGaN202323%203048%弗若斯特沙利文，转引自招股说明书图表23弗若斯特沙利文，转引自招股说明书GaN2023GaN180.5%伏储能降本需求迫切及AI预测，2024-2028年GaN功率半导体市场规模年复合增速将达98%，2028年全球规模或突破500亿元，占功率半导体份额跃升至10.1%，十年内市场实现超二十倍扩容。图表24 2019-2028E全球功率半导体市场模亿）

图表25 2019-2028E全球氮化镓半导体市规及透率600050004000300020001000

6005004003002001000

201920202021202220232024E2025E2026E2027E2028E

50%CAGR：98.510.1%CAGR：98.510.1%CAGR：88.540%35%30%25%20%15%10%5%0%CAGR：7.8CAGR：1.2 CAGR：7.8CAGR：1.2 201920202021202220232024E2025E2026E2027E2028E

市场规模（亿元） GaN渗透率弗若斯特沙利文、转引自招股说明书， 弗若斯特沙利文、转引自招股说明书，全球氮化镓功率半导体市场竞争格局高度集中，公司份额全球第一。数据，202392.8%202333.7%IDM图表262023年全球氮化镓半导体公司竞争格局其他,其他,7.20%英飞凌,10.50%英诺赛科,33.70%EPC,10.60%Navitas,18.20%PowerIntegrations,19.80%公司公告、弗若斯特沙利文，转引自招股说明书，华创证券GaNSiCIDM实现协同效应，为客户提供定制解决方案并确保扩大规模后的产能及供应；下游为应用场景，包括但不限于光伏及储能、消费电子、电动汽车、数据中心等。图表27 氮化镓功率半体产业链华经产业研究院、电力电子技术与应用公众号，华创证券华经产业研究院、电力电子技术与应用公众号，华创证券（860（二）氮化镓各领域需求爆发，数据中心&机器人&汽车接力成长1、消费电子：端侧AI带动快充需求高增，氮化镓器件空间持续扩大AIAI50002024AI1.52027年，全球AI5.950%IDCAI20271.5。图表28 全球AI手机售量及预测（亿部） 图表29 中国AI手机货量及预测（亿台）765432102023 2024E 2025E 2026E 销售量（亿部） YoY(%)

250%200%150%100%50%0%

1.61.41.210.80.60.40.20

2023 2024E 2025E 2026E 出货量 AI手机占比

60%50%40%30%20%10%0%年AI手机发展洞察报告》，IDC&OPPO《AI手机白皮书》，端侧AI需更高算力支撑，推动消费电子充电功率和电池容量提升。据CounterpointResearchQ180%0W5WAIAI搭载AIAIMate6.4%Pro2022-2024Mate60Pro33.3%，Mate70Pro13.6%，充分体现端侧AI图表30 华为部分机型池容量迭代情况（mAh） 图表31 华为部分机型电功率迭代情况（W）6000 1205000 1004000 803000 602000 401000 200Mate20 Mate30 Mate40 Mate50 Mate60 Mate70

0Mate20 Mate30 Mate40 Mate50 Mate60 Mate70数字款 Pro款 数字款 Pro款中关村在线， 中关村在线，已从5W40，ae30W5（10Pro+搭载7000mAh+/USB-PD40%50%。叠加端侧AI氮化镓器件作为消费电子核心场景的关键技术，受益于快充小型化、电源模块高密度化趋势，叠加终端功率需求提升，行业成长空间持续拓宽。图表32 小米65W氮镓快充、65W充电器AD651及45WPD充电器体积对比

图表33 2023-2028E全球消费电子氮化镓场模（亿元）CAGR:72%250CAGR:72%2001501005002023 2024E 2025E 2026E 2027E 2028E充电头网（注：顺序为从左到右） 弗若斯特沙利文，转引自招股说明书，2、数据中心：大模型迭代引领算力需求高涨，GaN高效性能催化加速落地2023年现象级应用ChatGPT引发新一轮AI021746364036401.8万682.5万个A10090-10020231,494.9EFlops2028年的65%,20231.4%20289.4%。数据中心算力需求逐年提高，催化氮化镓功率半导体在数据中心领域落地。20230.714.62CAGR84%。ing-NamHangetal.《LargeLanguageModelsMeetohannesGerstmayretal.《MultibodyModelsGenerated图表34 大模型发展时线 图表35 2018-2024年间大模型参数数量ing-NamHangetal.《LargeLanguageModelsMeetohannesGerstmayretal.《MultibodyModelsGeneratedNext-GenerationNetworkingTechnologies:AReview》 fromNaturalLanguage》资料来源：J图表36 2023-2028E全球算力规模（EFlops）资料来源：J

图表37 全球数据中心化镓功率半导体市规模资料来源：Ch（亿元）资料来源：Ch20000180001600014000120001000080006000400020000

CAGR:65%2023 2028ECAGR:65%

16CAGR:84%14CAGR:84%1210864202023 2024E 2025E 2026E 2027E 2028E招股说明书， 弗若斯特沙利文，转引自招股说明书，在典型的数据中心内，必须由功率器件实现电力的多级转换，在初始阶段，在数据服务器内由功率器件将高压交流电转换为中压直流电，然后由功率器件将中压直流电转换为低压直流电向GPUGPU10%1%GaN图表38 数据中心服务的电源架构框图芯闻公众号芯闻公众号资料来源：013、工业&机器人：可实现精准控制并减少开关损耗，有望主导机器人领域资料来源：01储能装机高增叠加5G基建放量，GaN5G20281,302.52023-202846.3%GaN20230.8978%复合增速增长至2028年的15.77亿元。图表39 2023-2028E全球储能电池年装机（时）

图表40 2023-2028E全球可再生能源及工氮镓场规模（亿元）1400120010008006004002000

%CAGR:46.32023 2028E%CAGR:46.3

18CAGR:78%16CAGR:78%141210864202023 2024E 2025E 2026E 2027E 2028E业协会、国家能源总署，转引自招股说明书，弗若斯特沙利文，转引自招股说明书，机器人行业正迈入“AI驱动GR00TN1等AIOptimus202212003457.41%2028年206图表41 特斯拉二代Optimus人形机器人 图表42 全球人形机器产业规模预测（亿元）250 70%200150100

02023

2024

0%2025E 2026E 2027E 2028E全球人形机器人产业规模（亿美元） YoY（%）机器之心 中商产业研究院，能化发展。2.0"功率功率密度大幅提升15kW/kg能效转换效率高达95%（3MHz）控制响应延迟压缩至210米/驱动系统小型化与轻量化4、汽车电子：汽车智能化大势所趋，车规功率器件持续高压/高频升级新能源汽车持续渗透，汽车智能化大势所趋。20151286.650.18%201510.28%2025241.89%。图表43 我国新能源汽月度销量及增速 图表44 我国新能源汽月度零售渗透率（%）180160120100806040200

800%700%600%500%400%300%200%100%0%-100%2015-012015-072015-012015-072016-012016-072017-012017-072018-012018-072019-012019-072020-012020-072021-012021-072022-012022-072023-012023-072024-012024-072025-01

50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%2015-012015-062015-012015-062015-112016-042016-092017-022017-072017-122018-052018-102019-032019-082020-012020-062020-112021-042021-092022-022022-072022-122023-052023-102024-032024-082025-01销量（万辆） YoY（%）中国汽车工业协会， 中国汽车工业协会，GaNGaNGaNDC/DC电器OBCDQgQoss等参数相比硅器件提升1.5~3131/5，L2+/L3图表45车载GaNoleole《PowerGaN2023marketandtrends》资料来源：Y800V资料来源：Y20230.692028246.37224%2412GaNIT252027GaN图表46 罗姆与马自达合开发车载GaN器件

图表47 2023-2028E全球车载氮化镓市场模元）CAGR:224%300.00CAGR:224%250.00200.00150.00100.0050.000.00资料来源：IT2023 2024E 2025E 2026E 2027E 2028E资料来源：IT之家 弗若斯特沙利文，转引自招股说明书，三、英诺赛科：IDM高筑护城河，产能扩张&多领域布局驱动盈利能力快速提升（一）消费电子：导入头部厂商，加强布局家电等领域构筑长期增长等2024700V图表48 公司应用于消电子产品的主要氮镓品应用领域公司氮化镓产品特性公司的氮化镓产品适用于为各种小型便携电子器件高效供电，包括智能手手机充电器650V/700V氮化镓分立器件及机、平板电脑、液晶显示器及笔记本电脑。氮化镓具有高频、开关速度笔记本电脑电源适配器氮化镓集成电路快、开关损耗低及高效率等特点，符合手机充电器对更高功率、更高功率密度不断增加的需求，特别是在快速扩张的快速充电领域。过压保护芯片40V/100V双向氮化镓分立器件当输入电压超过预定水准时，过压保护芯片通过关闭电源来保护手机、笔记本电脑及其他消费电子产品的主系统。随著消费电子产品充电功率的持续增加，OVP电路变得必要。公司的旗舰双向氮化镓芯片以一颗双向氮化MOSFETOVP电路尺寸，对于空间尤其有限的产品（如手机）所使用电路板至关重要。氮化镓分立器件在操作方面表现出色，减少开关损耗和导通损耗，提高了电源转换效率和整体充电效率。氮化镓分立器件亦采用无风扇设计，使体电动自行车╱电动滑板车650V/700V氮化镓分立器件积最小化并增加防水性。此外，应用氮化镓分立器件可以将电源的开关频40%凑和轻便。目前许多高端电动自行车已经开始配备氮化镓充电器，具备快速充电功能，设计小巧，便于携带。小家电650V/700V氮化镓分立器件及氮化镓集成电路公司的氮化镓产品能提供高效的电源转换以及电机驱动解决方案，并且在小家电中日益普及。例如，在电吹风机中应用氮化镓集成电路，可以在紧MOSFET30%功率。招股说明书，2019650V市场即获得华硕、安克等头部品牌采用；2021年公司双向导通产品VGaN率先导入OPPOMOSFET；202265WAC/DCGaNOPPO际厂商对高端氮化镓器件的长期垄断。图表49 应用于智能手内部电源开关的氮镓片 图表50 全球首款端全氮化镓快充英诺赛科官网 英诺赛科官网图表51 公司2024年品应用案例汇总类型型号应用案例InnoGaN开关管INN650D02品胜65W2A2C氮化镓桌面充插座INN650D080B安克250W4C2A氮化镓桌面充电器INN650D150A努比亚氘锋140W3C1A氮化镓充电器INN650DA150ALG65WUSB-C氮化镓快充充电器INN650TA070AH港晟280WDC氮化镓电源适配器INN700D140CAohi140W2C1A氮化镓充电器（青春版）飞利浦200W充电器倍思100W伸缩线桌面充小米140W氮化镓快充充电器安克140W3C1A氮化镓充电器众显100W2C1A氮化镓充电器安克250W4C2A氮化镓桌面充电器嘉楠140WUSB-C氮化镓电源适配器INN700D240B小米100W氮化镓快充充电器联想thinkplus100W2A2C氮化镓多口充电器INN700DA190B麦多多70W2C1A四合一氮化镓快充插座INN700DA240B小米90W2C1A氮化镓快充充电器INN700DA240AWIKOHiGTCube显卡魔方vivo120W氮化镓闪充充电器INN700DA480A宜家SJÖSS赫约斯30W氮化镓充电器INN700TK190B港晟150WDC氮化镓电源适配器酷态科15号140W3C1A充电器INN700TK240B小米67W2C1A+HDMI氮化镓快充插座小米67W2C1A氮化镓快充插线板小米67W2A2C氮化镓桌面快充插座INN700TK350B港晟150WDC氮化镓电源适配器酷态科15号140W3C1A充电器酷态科10号充电器CP氮化镓功率芯片ISG6108QA酷态科6号氮化镓电能卡片（充电器）充电头网公众号，（1）音频领域，公司聚焦D100V（3）针对家电领域图表52 E-Bike无风扇120W充电器方案，改散的同时缩小系统体积

图表53 内嵌4颗700V氮化镓芯片的300W超薄TV电源参考设计 英诺赛科公众号 英诺赛科公众号（二）数据中心：积极拓展数据中心布局，与多家厂商展开合作PSU及主板提供矩阵式产品针对数据中心前端输入侧PSU（PFC/LLC）1kW-4kWAC/DC152KWPSUPFC+LLCQgCo(tr)Qrr0s（96.58满足54V至12V供电环节的高效率高功率密度需求。图表54 公司应用于数中心产品的主要氮镓品应用领域产品名称产品规格封装应用于服务器电源的供电单元电源(PSU)SolidGaN合封氮化镓ISG6121TD700V/29mΩTO247-4LISG6122TD700V/39mΩTO247-4LISG6123TD700V/55mΩTO247-4LISG6124TD700V/77mΩTO247-4LISG3202LA100V/3.2mΩLGA5x6.5GaNDriver氮化镓驱动器INS1001DE700VSingle-ChannelGaNDriverDFN3X3INS2001W100VHBGaNDriverWLCSP1.6X1.6INS2001FQ100VHBGaNDriverFCQFN3X3INS2002W100VHBGaNDriverWLCSP1.62X1.62INS2002FQ100VHBGaNDriverFCQFN3X3100V-650VGaN分立器件INN650TA030C650V/30mΩTOLLINN650TA050C650V/50mΩTOLLINN650D350B650V/350mΩDFN8X8INN100EAE035A100V/3.5mΩEn-LGA3.3X3.3INN100FQ016A100V/1.6mΩFCQFN4X6应用于数据中心主板电源(Motherboard)SolidGaN合封氮化镓ISG3202LA100V/3.2mΩLGA5x6.5GaNDriver氮化镓驱动器INS2001W100VHBGaNDriverWLCSP1.6X1.6GaNDriver氮化镓驱动器INS2001FQ100VHBGaNDriverFCQFN3X3GaNDriver氮化镓驱动器INS2002W100VHBGaNDriverWLCSP1.62X1.62GaNDriver氮化镓驱动器INS2002FQ100VHBGaNDriverFCQFN3X3100VGaN分立器件INN100W032B100V/3.2mΩWLCSP3.5X2.13100VGaN分立器件INN100W070B100V/7mΩWLCSP2.5X1.5100VGaN分立器件INN100EA035A100V/3.5mΩEn-LGA3.3X3.3公司官网转引自爱集微，英诺赛科推出GaN48V—>12V降压。12V48V48V12V2548VBuckINS2002FQICINN100EA035A双面散热GaN98%，大幅提升效率，帮助实现低碳、节能发展。英诺赛科公众号图表55 针对48V架构开发两款行业领先四相2kW交错降压电源方案英诺赛科公众号PSU,8KW48V12VDC-DCAI电源中采用Innoscience氮化镓技术，实现96%80PLUS（三）工业&机器人：紧抓机器人产业机遇，关节电机驱动产品已实现量产LED及电机驱动器及控制器等场景，直击传统硅基方案能效与空间瓶颈“高/GaN+图表56 公司应用于可生能源及工业产品主氮化镓产品及其各的性应用领域公司氮化镓产品特性锂离子电池化成及分容设备电池化成分容设备的全氮化镓电源模组化成分容设备在锂离子电池生产过程中的活化及测试过程至关重要，需要大量使用高功率双向电源转换模组。该设备乃用于生产过程其中一个能源最密集的阶段，消耗绝大部分能源。公司氮化镓产品大幅提升了该等电源模组的效率和功率密度，提高了电池生产线的整体生产力，大大降低硬件成本，还大幅降低了电耗。电池管理系统100V/150V双向氮化镓分立器件电池管理系统对于储能与电动汽车电池包的安全运行至关重要，可防止损坏及故障，同时确保可靠的充放电。电池管理系统通常配备一个电池保护单元，在需要时将电池MOSFETNMOS45%33%的占板面积，实现具成本效益的系统设计。LED照明650V/700V氮化镓分立器件在全球转向可持续发展及生态友好做法的趋势下，LED照明行业正高速增长。LED的LED现更小的开关损耗，减小驱动器尺寸，同时提高效率及开关频率。光伏及储能系统40V/100V/650V/700V氮化镓分立器件；氮化镓单相微型逆变器绿色能源解决方案（特别是光伏）被广泛应用，以减少碳排放及促进可持续发展。为确保持续供电，这种系统还需要与储能解决方案相结合，以便夜晚也有电可用。凭借公司氮化镓产品的特性，如静态及动态损耗低，寄生电容小，开关速度快，支援高频等，公司的氮化镓产品可以显著提高光伏系统的效率，并减小系统体积来降低成本。当应用于光伏微型逆变器时，公司氮化镓产品在生产成本降低的同时将能量转换损耗30%20%。公司氮化镓产品亦能将储能系统运行中的能量传输DC-DC换器时，公司的氮化镓产品可大幅将能量转换损耗降低。电机驱动器及控制器100V氮化镓分立器件；500V氮化镓集成电路电机驱动器及控制器是各种应用的重要动力源，包括消费电子产品、家用电器、工业生产、机器人等。公司氮化镓解决方案通过提升电机驱动器及控制器的性能、可靠性及效率，使之变得更小、更轻及更便宜。招股说明书，2024100V/150V100W（四）汽车电子：导入国内外多个主机厂客户，晶圆交付数量同比大幅增长公司产品主要应用于48V电源系统及LiDAR202116949驾驶车辆LiDAR图表57 公司应用于汽电子的主要氮化镓品应用领域公司氮化镓产品特性LiDAR80V/100V车规级氮化镓分立器件氮化镓产品在激光雷达(LiDAR)系统中的应用日益普及，特别是在需要高性能、高可靠性的场景中，如自动驾驶车辆、无人机和其他类型的远程感测设备。在自动驾驶车辆的LiDAR系统中，氮化镓产品提供的高功率和快速回应能力，使得车辆能实时地检测和识别周围的物体和障碍物。此举增强车辆的反应时间，实现更有效的汽车安全监测和更好的自动驾驶体验。LiDAR系统内的镭射驱动器，可以提供更高的电流和更窄的脉冲宽度，助于扩展测量范围及提高分辨率。电动汽车电源系统100V氮化镓分立器件现今的汽车提供越来越多交互功能，这要求高效的配电系统。为满足此需求，汽车工业正转换到更有效率的电源系统，这需要采用高效、紧凑及轻便的变换器。公司氮化镓产品具有优良的开关特性及高频率的能力，有助于开发更小更轻的变换器，还能同时通过减少与电感相关的损耗使其更高效。招股说明书，24242024986.7%LiDAR（五）IDM护城河显著，技术壁垒&先发优势&客户粘性构筑坚实壁垒IDMIDM公司公告、弗若斯特沙利文，转引自招股说明书图表58 2023年全球十大功率半导体公（收入计）公司公告、弗若斯特沙利文，转引自招股说明书初期即战略性采用8406英8124/68GaN-on-Si680%公司官网图表59 8英寸晶圆的片器件数量是6英寸晶的1.8倍公司官网688英寸GaN晶圆量产的IDM202413,00057源，深度优化GaN95%20243.0/30%图表60 公司苏州、珠生产基地产能（晶片产量（晶圆片）及用情况生产基地主要产品建筑面积（㎡）20232024上半年产能产量利用率%产能产量利用率%苏州生产基地8英寸硅基氮化镓晶圆162,522.4948,00041,29786.0%49,00035,19471.8%珠海生产基地8英寸硅基氮化镓晶圆30,173.2444,70025,26256.5%24,00017,95374.8%总计--92,70066,55971.8%73,00053,14772.8%招股说明书，*产量指相关期间的等效晶圆产量。等效晶圆产量乃根据总工序、每片品圆平均工序及良率计算。除8封装技术在封装技术方面，TO252WLCSP可靠性方1000300095%。图表61 英诺赛科分电产品布局及研发进展电压研发战略研发进展及规划高压产品650V/700V/900V/1200V大功率器件与模组研发（1）900V产品逐步覆盖更大功率的应用。（2）1200V800VAI业电源领域，有助于实现数据中心电源高效高密度的转换以及工业电源的小型化和高效化。（3）新一代700V氮化镓器件平台已完成客户导入，预计2025年开发量产，基于该平台的产品将大幅降低器件的开通、关断及导通损耗。中压产品100V/150V/200V重点提升产品频率100V200V件。100V/电动汽车48V转换和机器人电机电源的100V半桥合封芯片。低压产品15V/30V/40V通过高频化实现产品小型化（1）30VV-GaNMOS开关等场景。（2）40V车规器件已投入量产，主要用于汽车驾驶舱手