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文档简介

目的:了解硅片制造工艺流程的基本概念半导体制造工艺流程简介

2004,8,14

一.图例:电路,版图,硅片截面

CMOSNPNBipolar

二.工艺制造流程基本概念1.Wafers&Chips(dies)

2.IC(集成电路)=器件+隔离+互连器件是IC的核心如:Activedevice:BJT,CMOS,DMOS,EEPROM,IGBT,CCD,HBT,……etc.Passivedevices:resistors,capacitors,inductors,…

半导体器件主要有67种,还有110个相关变种.

隔离(isolation):使器件之间电绝缘常见隔离:BJT---pnjunction;planarSiO2;trench;CMOS---LOCOS,STI;互连(interconnect):有序连接实现功能!多层布线是趋势

a0.80um

BiCMOSinABQ

3.半导体制造工艺=

图形转移(litho+etch)+薄膜(Oxidation+PVD+CVD+Anneal:SiO2,epi,poly,SiN,metal,etc)+扩散,掺杂(diffusion+implantation:B,P,As,Sb,N,O,etc)4.一个标准的双极工艺简介

5.MOS工艺简介

ItisaCMOSworld!

5.1基本趋势:ICisacostdrivenindustry!----集成度更高;(G.Moore’slaw)----工艺制造特征线宽更小;(scalingdown)----硅片尺寸更大(8“mainstreamnow,12”coming)----价值对当器件(valuetransistors)

选择合理恰当的器件和工艺去完成某种电路的功能或应用!

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