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MOSFET例题讲解西南科技大学理学院2020.10.28（2）漏极电压对导电沟道的影响

（a）VDS<VGS-VT开启状态

（c）

VDS>VGS-VT预夹断后VDS↑，iD基本不变

（b）VDS=VGS-VT预夹断状态复习3.NMOSFET的输出特性和转移特性曲线(a)输出特性曲线

(b)转移特性曲线复习NMOS管NMOS管线性区漏极电流方程NMOS管饱和区漏极电流方程对以上公式进行求导化简化简得到饱和区与非饱和区偏置条件：非饱和区偏置条件饱和区偏置条件例题1假设Vtn=0.4V,判断下面三个电路的偏置状态2.5V1.9V0.5V2.2V0.5V0.9V-2.3V-2.5V(a)(b)(c)例题1假设Vtn=0.4V,判断下面三个电路的偏置状态2.5V1.9V0.5V2.2V0.5V0.9V-2.3V-2.5V(a)(b)(c)解答：（a），VDS=2.5V，Vtn=0.4V,则VGS=1.9V<2.5V+0.4V=2.9V,满足晶体管处于饱和状态（b）VGS=VG-VS=2.2V-（-2.3V）=4.5V，VDS=VD-VS

=0.5V-（-2.3V）=2.8V，因此，VGS=4.5V>2.8V+0.4V=3.2V,满足晶体管处于非饱和状态（c）VGS=VG-VS=0.9V-（-2.5V）=3.4V，VDS=VD-VS

=0.5V-（-2.5V）=3.0V，因此，VGS=3.4V>3.0V+0.4V=3.4V,满足晶体管处于非饱和区与饱和区的边界上例题2晶体管M1的Kn=100µA/V2,Vtn=0.6V,W/L=3,计算ID和VDS.3V1.2V5kΩ解答思路用电流方程作业:习题3.1;3.4PMOSFET输出特性与电路分析非饱和状态饱和状态PMOSFET非饱和区偏置条件饱和区偏置条件例题1假设Vtp=-0.4V,判断下面三个电路的偏置状态2.5V0V1.5V1.3V-1.1V-2.5V-2.3V(a)(b)(c)本章要求1,了解MOS管工作原理,输出特

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