标准解读

《GB/T 25074-2025 太阳能级硅多晶》相较于《GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅》,在内容上进行了多项更新与调整,以适应当前技术进步和市场需求的变化。具体来看,主要变化包括但不限于以下几个方面:

首先,在术语定义部分,新标准对“太阳能级硅多晶”的定义进行了更加明确的界定,并增加了若干新的术语及其定义,旨在使行业内外对于相关概念有一致的理解。

其次,关于分类与标记,新版标准细化了产品分类体系,增加了更多基于性能指标的产品类别划分,同时优化了产品的标识方法,使得用户能够更直观地了解所购产品的特性和适用范围。

再者,在技术要求章节中,《GB/T 25074-2025》提高了对杂质含量、晶体结构缺陷等方面的控制标准,反映了近年来光伏材料领域内对更高纯度、更好电学性质追求的趋势。此外,还新增了一些关键参数作为必检项目,比如少数载流子寿命等,这些都直接关系到最终制成太阳能电池片的转换效率。

最后,试验方法也得到了改进和完善。针对新增的技术要求,相应地引入了更为先进准确的检测手段和技术,确保测试结果能够真实反映样品的质量状况。同时,对于一些传统检测方法,则根据实际应用情况进行了修订或替代,以提高效率并减少成本。


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....

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  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  • 2025-06-30 颁布
  • 2026-01-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS29045

CCSH.82

中华人民共和国国家标准

GB/T25074—2025

代替GB/T25074—2017

太阳能级硅多晶

Solar-gradepolycrystallinesilicon

2025-06-30发布2026-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T25074—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件代替太阳能级多晶硅与相比除结构调整和编

GB/T25074—2017《》,GB/T25074—2017,

辑性改动外主要技术变化如下

,:

更改了适用范围见第章年版的第章

a)(1,20171);

更改了施主受主碳基体金属表面金属的技术指标删除了氧浓度少子寿命的技术要求

b)、、、、,、

见年版的

(5.1,20175.1);

删除了硅多晶混装比例的要求见年版的

c)(20175.2);

增加了按规定的测试方法删除了按规定的制样方法

d)GB/T35306、GB/T37049,GB/T4060

见第章年版的第章

(6,20176);

更改了组批的相关要求见年版的

e)(7.2,20177.2);

更改了检验项目见年版的

f)(7.3,20177.3);

更改取值为取样见年版的

g)“”“”(7.4,20177.4);

更改了检验结果的判定见年版的

h)(7.5,20177.5);

更改质量证明书为随行文件见年版的

i)“”“”(8.5,20178.5)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位洛阳中硅高科技有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司四川永祥股

:、、

份有限公司新特能源股份有限公司亚洲硅业青海股份有限公司新疆大全新能源股份有限公司

、、()、、

青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司新疆东方希望新能源有限公司青海南玻新能源科

、、

技有限公司青海丽豪清能股份有限公司隆基绿能科技股份有限公司中环新能源科技股份有限

、、、TCL

公司江苏中能硅业科技发展有限公司浙大宁波理工学院内蒙古兴洋科技股份有限公司

、、、。

本文件主要起草人万烨贺东江严大洲宁晓晓张园园李素青郭树虎徐顺波杨晓东宗冰

:、、、、、、、、、、

李豪杰秦榕张科梁波冉祎邓浩张雪囡王彬胡动力朱玉龙陶刚义

、、、、、、、、、、。

本文件于年首次发布年第一次修订本次为第二次修订

2010,2017,。

GB/T25074—2025

太阳能级硅多晶

1范围

本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类技术要求试验方法检验规则标志包装运输贮

、、、、、、、

存随行文件和订货单等内容

、。

本文件适用于以氯硅烷硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶以下简称硅多晶

、()。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T1551

硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法

GB/T1553

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1557

硅中代位碳含量的红外吸收测试方法

GB/T1558

硅多晶气氛区熔基磷检验方法

GB/T4059

半导体材料术语

GB/T14264

半导体材料牌号表示方法

GB/T14844

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GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

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用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

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