GB/T 30856-2025LED外延芯片用砷化镓衬底

ICS29045

CCSH.83

中华人民共和国国家标准

GB/T30856—2025

代替GB/T30856—2014

LED外延芯片用砷化镓衬底

GaAssubstratesforLEDepitaxialchips

2025-08-01发布2026-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T30856—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替外延芯片用砷化镓衬底与相比除结

GB/T30856—2014《LED》,GB/T30856—2014,

构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,:

更改了规格见年版的

a)(4.1.2,20144.3);

更改了电学性能的要求见年版的

b)(5.1,20144.4);

更改了参考面及切口的要求见年版的

c)(5.2,20144.4);

更改了表面晶向及晶向偏离的要求见年版的

d)(5.3,20144.5);

更改了位错密度的要求见年版的

e)(5.4,20144.6);

更改了几何尺寸的要求见年版的

f)(5.5,20144.9);

更改了表面质量的要求见年版的

g)(5.6,20144.7);

更改了电学性能的检验方法见年版的

h)(5.2,20144.8);

更改了切口的检验方法见年版的

i)(6.2.3,20145.5.2);

更改了检验规则见第章年版的第章

j)(7,20146);

更改了标志见年版的

k)(8.1,20147.1);

更改了包装见年版的

l)(8.2,20147.2);

删除了使用方块电阻测量仪测量衬底电阻率的方法和衬底室温载流子浓度与迁移率的测量方

m)

法见年版的附录和附录

(2014AB)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位南京集溢半导体科技有限公司中山德华芯片技术有限公司广东先导微电子科

:、、

技有限公司全磊光电股份有限公司山东浪潮华光光电子股份有限公司云南鑫耀半导体材料有限公

、、、

司北京大学东莞光电研究院中国科学院半导体研究所大庆溢泰半导体材料有限公司易事达光电

、、、、

广东股份有限公司深圳市冠科科技有限公司广东中阳光电科技有限公司

()、、。

本文件主要起草人赵中阳郑红军冯佳峰于会永刘建庆孙雪峰张双翔闫宝华林作亮

:、、、、、、、、、

刘强马金峰赵有文赵春锋彭璐徐宝洲兰庆陈皇

、、、、、、、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订

2014,。

Ⅰ

GB/T30856—2025

LED外延芯片用砷化镓衬底

1范围

本文件规定了外延芯片用砷化镓单晶衬底以下简称砷化镓衬底的技术要求试验方法

LED(“”)、、

检验规则标志包装运输贮存及随行文件和订货单内容

、、、、。

本文件适用于外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产检测及质量评价

LED、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

包装储运图示标志

GB/T191

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T4326

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6620

硅片表面平整度测试方法

GB/T6621

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T8760

液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T11093

硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13387

硅片参考面结晶学取向射线测试方法

GB/T13388X