CN112997590B 表面处理铜箔及铜箔基板（长春石油化学股份有限公司）

(12)发明专利62/800,2632019.02.01USPCT/CN2020/0723122020WO2020/156186ZH2020.08.06地址中国台湾台北市中山区松江路301号7楼(72)发明人赖建铭赖耀生周瑞昌限公司44223H05K3/38(2006.01)审查员迟昊88一种表面处理铜箔(100),包括一处理面(100A),其中所述处理面(100A)的实体体积小于设置于所述载板的至少一表面的表面处理铜箔(100);其中，所述表面处理铜箔(100)解铜箔(110)以及一表面处理层(112),所述表面处理层(112)设置在所述电解铜箔(110)和所述载板之间，所述表面处理层(112)包括面向所述载板的一处理面(100A),且该处理体体积小于1.90μm3/μm2。通过将表面处理铜箔(100)的处理面(100A)的实体体积控制为小于21.一种表面处理铜箔，其特征在于：包括一处理面，其中所述处理面的实体体积小于1.90μm³/μm²,且所述处理面的算术平均高度为0.1～2.02μm,以及其中，所述实体体积为依据标准方法ISO25178-2:2012而得且为负载率(mr)0%至80%区间所计算的值。2.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述处理面的实体体积为0.11~3.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述处理面的实体体积为0.25~4.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述处理面的算术平均高度为0.15.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述表面处理铜箔还包括一电解铜箔，且所述表面处理铜箔的含氧量小于469ppm。6.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述表面处理铜箔还包括一电解铜箔，且所述表面处理铜箔的含氢量小于40ppm。7.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述表面处理铜箔还包括一电解铜箔以及一表面处理层；所述表面处理层设置于所述电解铜箔的至少一表面，且所述表面处理层的外侧为所述处理面。8.如权利要求7所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述电解铜箔包括一辊筒面以及位于该辊筒面相反侧的一沉积面，所述表面处理层设置在所述辊筒面。9.如权利要求7所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述表面处理层包括一子层，该子层为粗化层。10.如权利要求9所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述粗化层包括复数个粗化粒子。11.如权利要求9所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述表面处理层还包括至少一个其他的子层，所述至少一个其他的子层选自由钝化层及耦合层所构成的群组。12.如权利要求11所述的表面处理铜箔，其特征在于：所述钝化层包含至少一金属，该13.一种铜箔基板，其特征在于：包括一载板以及设置于所述载板的至少一表面的表面处理铜箔；其中，所述表面处理铜箔包括一电解铜箔以及一表面处理层，所述表面处理层设置在所述电解铜箔和所述载板之间，所述表面处理层包括面向所述载板的一处理面，且该处理面的实体体积小于1.90μm³/μm²,且所述处理面的算术平均高度为0.1～2.02μm,以及其中，所述实体体积为依据标准方法ISO25178-2:2012而得且为负载率(mr)0%至80%区间所计算的值。14.如权利要求13所述的铜箔基板，其特征在于：所述表面处理层的所述处理面直接接触所述载板。15.如权利要求13所述的铜箔基板，其特征在于：所述处理面的实体体积为0.25～0.8516.如权利要求13所述的铜箔基板，其特征在于：所述处理面的算术平均高度为0.10~17.如权利要求13所述的铜箔基板，其特征在于：所述电解铜箔的含氧量小于469ppm。18.如权利要求13所述的铜箔基板，其特征在于：所述电解铜箔的含氢量小于40ppm。3表面处理铜箔及铜箔基板技术领域[0001]本发明涉及铜箔，具体涉及一种表面处理铜箔及铜箔基板。背景技术[0002]随着电子产品逐渐向轻薄以及传递高频信号的趋势发展，对于铜箔和铜箔基板的需求也日益提升。一般而言，铜箔基板的铜导电线路会被绝缘载板承载，且通过导电线路的布局设计，其可将电信号沿着预定路径传递至预定区域。此外，对于用于传递高频电信号(例如高于10GHz)的铜箔基板而言，其铜箔基板的导电线路亦必须进一步优化，以降低因集肤效应(skineffect)而产生的信号传递损失(signaltransmissionloss)。所谓的集肤效应，是指随着电信号的频率增加，电流的传递路径会更加集中于导线的表面，尤其是更加集中于紧邻于载板的导线表面。为了降低集肤效应而产生的信号传递损失，现有做法是尽可能将铜箔基板中紧邻于载板的导线表面予以平坦化。此外，为了同时维持导线表面和载板间的附着性，亦可采用反转处理铜箔(reversetreated转处理铜箔是指铜箔的辊筒面(drumside)会被施行粗化处理制程的一种铜箔。[0003]然而，即便上述做法确实可有效降低铜箔基板所产生的信号传递损失，其仍存在待克服的技术缺陷。举例而言，由于面向载板的导线表面会较平坦，因此导线和载板间的附着性通常会较低。在这样的情况下，即便采用了反转处理铜箔以制作导线，铜箔基板中的导线仍很容易从载板的表面剥离，致使电信号无法沿着预定路径传递至预定区域。因此，仍有必要提供一种表面处理铜箔及铜箔基板，以解决现有技术中所存在的这种缺陷。发明内容[0004]本发明的主要目的即在于提出一种表面处理铜箔及铜箔基板，以解决上述现有技术所存在的问题。[0005]根据本发明的一实施例，提供一种表面处理铜箔，该表面处理铜箔包括一处理面，[0006]可选择地，根据本发明的另一实施例，提供一种表面处理铜箔，表面处理铜箔包括电解铜箔以及设置于电解铜箔的辊筒面的表面处理层。其中，表面处理层包括粗化层，且表面处理层的外侧为表面处理铜箔的所述处理面。处理面的实体体积小于1.90μm³/μm²。[0007]根据本发明的又一实施例，提供一种铜箔基板，该铜箔基板包括载板以及设置于载板的至少一表面的表面处理铜箔；其中，所述表面处理铜箔包括一电解铜箔以及一表面处理层，所述表面处理层设置在所述电解铜箔和所述载板之间，所述表面处理层包括面向所述载板的一处理面，且该处理面的实体体积小于1.90μm³/[0008]根据上述实施例，通过将表面处理铜箔的处理面的实体体积(materialvolume,有的体积)控制为小于1.90μm³/μm²,当后续将表面处理铜箔压合至载号传递损失程度。CN112997590B4[0009]图1是根据本发明一实施例所绘示的表面处理铜箔的剖面示意图；[0010]图2是本发明一实施例的表面处理铜箔的表面高度和负载率的关系图；[0011]图3是根据本发明一实施例所绘示的带状线(strip-line)的示意图。[0012]附图标记说明：[0013]100表面处理铜箔[0015]110电解铜箔[0018]112表面处理层[0023]204实体体积[0024]204A波峰部实体体积[0025]204B核心部实体体积[0028]304树脂载板[0032]W宽度[0033]下面对照附图并结合优选的实施方式对本发明作进一步说明。[0034]下面为陈述表面处理铜箔、铜箔基板及印刷电路板的具体实施方式，以使本领域普通技术人员可据以实现本发明。这些具体实施方式可参考相对应的附图。虽然本发明的实施例公开如下，然而其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范畴内，当可作些许更动与润饰。其中，各实施例以及实验例所使用的方法，如无特别说明，则为常规方法。[0035]针对本发明中所提及的空间相关的叙述词汇，「在..上」及「在...上方」等用语在本发明中的含义应该以最宽泛方式来解释，使得「在...上」及「在...上方]等用语不仅指直接处于某物上，而且还可以包括在有中间特征或中间层位于二者之间的情况下而处于某物上，并且「在...上」或「在...上方」不仅指处于某物之上或上方，而且还可以包括在二者之间没有中间特征或中间层的情况下而处于在某物之上或上方(即直接处于某物上)之态样。[0036]此外，在下文中除非有相反的指示，本发明所阐述的数值参数为约略数，其可视需5要而变化，或至少应根据所公开的有意义的位数数字并且使用通常的进位方式，以解读各个数值参数。本发明中，范围可表示为从一端点至另一端点，或是在两个端点之间。除非特别声明，否则本发明中的所有范围皆包含端点。[0037]须知悉的是，在不脱离本发明的精神下，下文所描述的不同实施方式中的技术特[0038]图1是根据本发明一实施例所绘示的表面处理铜箔的剖面示意图。如图1所示，表面处理铜箔100至少包括电解铜箔110。电解铜箔110的厚度通常大于或等于6μm,例如介于7镀)方式制作。电解铜箔110具有两相对设置的第一面110A和第二面110B。根据本发明的一实施例，电解铜箔的辊筒面(drumside)可以对应至电解铜箔110的第一面110A,而电解铜箔的沉积面(depositedside)可以对应至电解铜箔110的第二面110B,但不限于此。[0039]根据本发明的一实施例，电解铜箔110的第一面110A和第二面110B上可分别设置有其他的层，例如可在第一面110A设置表面处理层112。根据本发明的其他实施例，电解铜箔110的第一面110A和第二面110B可以进一步设置有其他的单层或多层结构、或是第一面110A的表面处理层112可以被其他的单层或多层结构取代、或是第一面110A和第二面110B于处理面100A相反侧的表面可能会对应至其他单层或多层结构的外侧面，或可能会对应至电解铜箔110的第一面110A和第二面110B,但不限于此。[0040]前述表面处理层112可以是单层，或是包括多个子层的堆栈层。对于表面处理层112是堆栈层的情形，各子层可选自由粗化层114、钝化层116、防锈层118以及耦合层120所构成的群组。对于设置有表面处理层112的表面处理铜箔100而言，表面处理层112的外侧面可以被视为是表面处理铜箔100的处理面100A,经由后续将表面处理铜箔100压合至载板的制程，此处理面100A会接触载板。根据本发明的一实施例，表面处理层112设置于电解铜箔110的辊筒面，且包含粗化层114.根据本发明的一实施例，表面处理层112设置于电解铜箔110的辊筒面，且包含粗化层114及钝化层116.根据本发明的一实施例，表面处理层112设置于电解铜箔110的辊筒面，且包含粗化层114、钝化层116及防锈层118。[0041]粗化层包括粗化粒子(nodule)。其中，粗化粒子可用于增进电解铜箔的表面粗糙度，而粗化粒子可为铜粗化粒子或铜合金粗化粒子。根据本发明的一实施例，可额外设置覆盖层，以设置于粗化层上，且包含铜。覆盖层可[0042]钝化层可以是相同或不同组成，例如是金属层或金属合金层。其中，前述金属层可或铬层。此外，金属层及金属合金层可以是单层或多层结构，例如彼此堆栈的含锌及含镍的单层。当为多层结构时，各层间的堆栈顺序可以依据需要而调整，并无一定限制，例如含锌层叠于含镍层上，或含镍层叠于含锌层上。[0043]防锈层是施加至金属之外的包覆层，其可用于避免金属受到腐蚀等而劣化。防锈层包含金属或有机化合物。当防锈层包含金属时，前述金属可以是铬或铬合金，而铬合金可机化合物可以选自由三唑、噻唑、咪唑及其衍生物所组成的群组中的至少一者。[0044]耦合层可以是由硅烷制成，其可选自但不限于3-胺基丙基三乙氧基硅烷(3-6aminopropyltriethoxysilane,APTES)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基硅烷(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane)、缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷((3-glycidyloxypropyl)triethoxysilane)、8-缩水甘油氧基辛基三甲氧基硅烷((8-glycidyloxyoctyl)trimethoxysilane)、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷(methacryloylpropyltriethoxysilane)、8-甲基丙烯酰氧基辛基三甲氧基硅烷(methacryloyloctyltrimethoxysilane)、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(methacryloylpropyltrimethoxysilane)、3-巯基丙基三甲氧基硅烷((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane)、3-缩水甘油丙基三甲氧基硅烷((3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane),其系用于增进电解铜箔与其他材料(例如载板)间的附着性。[0045]根据本发明的实施例，由于表面处理层中的钝化层、防锈层和耦合层的总厚度远小于粗化层的厚度，因此表面处理铜箔的处理面的表面型态主要受粗化层的影响。[0046]通过控制表面处理铜箔的处理面的表面特性，可于高频下达到较低的传递损失。例如，可控制表面处理铜箔的处理面的实体体积(Vm),使所制备的铜箔基板具有良好的传输特性。[0047]上述实体体积(Vm)如图2所示，其依据标准方法ISO25178-2:2012而得。图2是本发明一实施例的表面处理铜箔的表面高度和负载率间的关系图。其中，实体体积(Vm)204的计算是将曲线下方及水平切割线上方所围住的实体的体积予以积分，其中水平切割线是该曲线在负载率(materialratio,mr)为P2时所对应的高度。亦即，实体体积(Vm)204为负载率(mr)为0%至负载率(mr)为P2(80%)的区间内，负载率(mr)为P2(80%)时所对应的高度的水平切割线上方及曲线下方所围绕的范围。此外，实体体积(Vm)204是由波峰部实体体积 的计算是将曲线下方及另一水平切割线上方所围住的实体的体积予以积分，其中该另一水平切割线的位置是该曲线在负载率(mr)为P1时所对应的高度；而核心部实体体积(Vmc)204B的计算是将曲线及两水平切割线所围住的实体的体积予以积分，其中两水平切割线的位置是该曲线分别在负载率(mr)为P1和P2时所对应的高度。需注意的是，如未特别声明，本发明所指的实体体积(Vm)为负载率(mr)0%至80%区间所计算的值。[0048]在本发明的一具体实施例中，表面处理铜箔的处理面的实体体积(Vm)小于1.90μ体积(Vm)在前述范围时，对于相应的铜箔基板和印刷电路板而言，可以减少在高频下的信号传递损失。[0049]在本发明的另一具体实施例中，表面处理铜箔的处理面的算术平均高度(Sa)可为围时，可以提高表面处理铜箔和相接触的载板的剥离强度。[0050]在本发明的另一具体实施例中，可以通过控制表面处理铜箔的化学组成来达到高信赖性，而信赖性测试用于评估该表面处理铜箔制备的铜箔基板和电路板承受高温、高压及高湿度条件的能力。此测试有助于评估如电路板的树脂密封装置于回流焊接期间的耐热性，并且能够将此测试作为加速测试，以预测在电路板制程的回流步骤期间是否会形成因加热所造成的树脂裂纹，同时能够评估所制造的铜箔基板或电路板在储存和运输中的预期表现。7[0051]在本发明的另一具体实施例中，表面处理铜箔的含氧量小于469ppm,较佳为小于349ppm,更佳为53至348ppm。在本发明的另一具体实施例中，表面处理铜箔的含氢量小于40ppm,较佳为小于30ppm,更佳为5至29ppm。当含氧量或含氢量在前述范围时，使用该表面处理铜箔制备的铜箔基板和电路板可以具有高信赖性。[0052]铜箔基板至少包括表面处理铜箔和载板。其中，表面处理铜箔包括电解铜箔以及表面处理层，该表面处理层设置在电解铜箔和载板之间。其中，表面处理铜箔的处理面为面向且直接接触载板。[0053]其中，上述载板可采用电木板、高分子板或玻璃纤维板，但并不限于此。所述高分树脂(formaldehyderesins)、双马来酰亚胺三嗪树脂(bismaleimidetriazineresins,又称BT树脂)、氰酸酯树脂(cyanateesterresin)、含氟聚合物(fluoropolymers)、聚醚砜(polyethersulfone)、纤维素热塑性塑料(cellul(polycarbonate)、聚烯烃(polyolefins)、聚丙烯(polypropylene)、聚硫化物(polysulfide)、聚氨酯(polyurethane)、聚酰亚胺树脂(polyimide)、液晶高分子(LiquidCrystalPolymer,LCP)、聚氧二甲苯(polyphenyleneoxide,PPO)。上述玻璃纤维板可以是玻璃纤维不织物料浸泡于前述高分子(如：环氧树脂)后所形成的预浸渍材料(prepreg)。[0054]在下文中，进一步针对表面处理铜箔以及铜箔基板的制作方法予以示例性地描述。[0055](1)步骤A、提供电解铜箔。可以采用制箔机，以电解沉积的方式形成电解铜箔。制箔机至少包括金属阴极辊筒、不溶性金属阳极板以及电解液入料管(feedingpipe)。其中，金属阴极辊筒是可转动的辊筒，金属阳极板可分离固设在金属阴极辊筒的下半部，以包围金属阴极辊筒的下半部。入料管可固设在金属阴极辊筒的正下方，且位于两金属阳极板之间。入料管的长度方向平行于金属阴极辊筒的轴向，并在入料管的长度方向上设置多个开口，使电解液可沿着阴极辊筒的长度大致均匀地分散。金属阴极辊筒和金属阳极板间的最短距离以及入料管中心和金属阳极板间的距离为可控制的。[0056]在电解沉积过程中，电解液入料管会持续提供电解液至金属阴极辊筒和金属阳极板之间。通过在金属阴极辊筒和金属阳极板之间施加电流，便可以使铜电解沉积在金属阴极辊筒上，而形成电解铜箔。此外，通过持续转动金属阴极辊筒，并使电解铜箔自金属阴极辊筒的某一侧被剥离，便可以制作连续不断的电解铜箔。其中，电解铜箔面向金属阴极辊筒的表面可称作是辊筒面，而电解铜箔远离金属阴极辊筒的表面可称作是沉积面。[0057]对于电解铜箔而言，其制造参数范围示例如下：[0058]<1.1硫酸铜电解液的组成及电解条件>8[0066]<1.2制箔机中部件间的距离>[0067]金属阴极辊筒和金属阳极板间的最短距离：6至12mm[0068]入料管中心和金属阳极板间的距离：15至25mm[0069](2)步骤B、本步骤B是对上述铜箔施行表面清洁过程，以确保铜箔的表面不具有污染物(例如油污、氧化物),其工艺参数范围示例如下：[0070]<2.1清洗液的组成及清洁条件>[0074]浸渍时间：30秒[0075](3)步骤C、本步骤C是于上述铜箔的辊筒面形成粗化层，其工艺参数范围示例如[0076]<31制作粗化层的参数>[0077]硫酸铜(CuSO₄·5H₂0):70g/L[0079]钼酸钠(Na₂MoO₄):50至400mg/L[0080]硫酸亚锡(SnSO₄):1000至5000mg/L[0081]糖精(1,1-二氧代-1,2-苯并噻唑-3-酮，saccharin,Sigma-AldrichCompany):[0085](4)步骤D、本步骤D是于上述粗化层上形成覆盖层，其工艺参数范围示例如下：[0086]<41制作覆盖层的参数>[0092](5)步骤E、本步骤E是于上述覆盖层上形成含镍层，其工艺参数范围示例如下：[0093]<5.1含镍层的电解液组成及电解条件>[0094]硫酸镍(NiSO₄):188g/L[0096]次磷酸(H₃PO₂):0至5g/L[0099]电流密度：0.5至0.9A/dm²9[0101](6)步骤F、本步骤F是于上述含镍层及上述铜箔的沉积面上形成含锌层，其工艺参数范围示例如下：[0102]<61含锌层的电解液组成及电解条件>[0103]硫酸锌(ZnSO₄):11g/L[0104]偏钒酸铵(NH₄VO₃):0.25g/L[0105]液温：15℃[0107]电流密度：0.3至0.7A/dm²[0109](7)步骤G、本步骤G是于上述两层含锌层上形成含铬层，其工艺参数范围示例如[0110]<7.1含铬层的电解液组成及电解条件>[0112]液温：35℃[0116](8)步骤H、本步骤H是于上述铜箔的辊筒面的含铬层上形成耦合层，其是将含有硅烷耦合剂的水溶液喷涂至铜箔的辊筒面的含铬层上，以形成耦合层。其工艺参数范围示例如下：[0117]<8.1耦合层的制备条件>[0118]硅烷耦合剂：(3-胺基丙基)三乙氧基硅烷[0119]水溶液中硅烷耦合剂浓度：0.25wt.%[0120]喷涂时间：10秒[0121](9)步骤I、本步骤I是将经由上述步骤而形成的表面处理铜箔压合至载板，以形成铜箔基板。根据本发明的一实施例，可通过将图1所示的表面处理铜箔100热压至载板，而形成铜箔基板.[0122]为了使本领域普通技术人员据以实现本发明，下文将进一步详细描述本发明的各具体实施例，以具体说明本发明的表面处理铜箔及铜箔基板。需注意的是，以下实施例仅为示例性的，不应以其限制性地解释本发明。亦即，在不逾越本发明保护范围的情况下，可适当地改变各实施例中所采用的材料、材料的用量及比率以及处理流程等。[0123]实施例1[0124]实施例1为表面处理铜箔，其制造工艺对应于上述制作方法中的步骤A至步骤H。实施例1与上述制作方法之间相异的制造参数，记载于后述表1中。[0125]实施例2-17[0126]实施例2-17的制造程序大致相同于实施例1的制造程序，其彼此间相异的制造参数记载于表1中。入料管中心至阳极板间的距离糖精实施例1实施例28实施例3实施例4实施例5实施例6实施例7实施例8实施例9实施例108实施例116实施例12实施例13实施例14实施例15实施例16实施例176[0129]以下进一步描述上述各实施例1-17的各项检测结果，例如：<含算术平均高度(Sa)>、<实体体积(Vm)>、<[0130]<含氢量>及<含氧量>[0131]利用氧/氢/氮分析仪(EMGA-930,HoribaLtd.)搭配非分散式红外线(non-dispersiveinfrared,NDIR)检测器，以检测表面处理铜箔的含氧量及含氢量。[0132]<算术平均高度(Sa)>[0133]根据标准ISO25178-2:2012,以雷射显微镜(LEXTOLS5000-SAF,01ympus)的表面纹理分析，测量表面处理铜箔的处理面的算术平均高度(Sa)。检测结果记载于后述表2中。具体量测条件如下：11[0138]分辨率：1024像素×1024像素[0139]条件：启用雷射显微镜的自动倾斜消除功能(Autotiltremoval)[0140]滤镜：无滤镜(unfiltered)[0141]空气温度：24±3℃[0142]相对湿度：63±3%[0143]<实体体积(Vm)>[0144]根据标准ISO25178-2:2012,以雷射显微镜(LEXTOLS5000-SAF,0lympus)的表面纹理分析，测量表面处理铜箔的处理面的实体体积(Vm)。其中，实体体积(Vm)是将负载率(mr)的P1值及P2值分别设定为10%及80%而获得。检测结果也记载于后述表2中。具体量测条件如下：[0146]物镜倍率：100倍物镜(MPLAPON-100xLEXT,0lympus)[0147]光学变焦：1.0倍[0149]分辨率：1024像素×1024像素[0150]条件：启用雷射显微镜的自动倾斜消除功能(Autotiltremoval)[0151]滤镜：无滤镜(unfiltered)[0152]空气温度：24±3℃[0153]相对湿度：63±3%[0154]<信赖性>[0155]将6片厚度各自为0.076mm的市售树脂片(S7439G,SyTechCorp.)堆栈一起，以形成树脂片堆栈层，并将上述任一实施例的表面处理铜箔设置于树脂片堆栈层上。接着，将表面处理铜箔压合至树脂片堆栈层，以形成积层板。压合条件如下：温度200℃、压力400psi及压合时间120分钟。[0156]之后，施行压力锅测试(pressurecookertest,PCT),将烘箱内的条件设定为温度121℃、压力2atm及湿度100%RH,并将上述积层板放置于烘箱30分钟。接着进行焊料浴测料浴10秒。[0157]可以对同一样品反覆施行焊料浴测试，并在每次焊料浴测试完成后，观察积层板是否有起泡(blister)、裂痕(crack)或分层(delamination)等异常的现象，若出现上述任何一种异常现象，即判定该积层板未能通过该次焊料浴测试。检测结果也记载于后述表2[0158]A:经过多于50次的焊料浴测试，积层板仍未产生异常现象[0159]B:经过10～50次的焊料浴测试，积层板即产生异常现象[0160]C:经过少于10次的焊料浴测试，积层板即产生异常现象[0161]<剥离强度>[0162]将6片厚度各自为0.076mm的市售树脂片(S7439G,SyTechCorporation.)堆栈一起，以形成树脂片堆栈层，并将上述任一实施例的表面处理铜箔设置于树脂片堆栈层上。接着，将表面处理铜箔压合至树脂片堆栈层，以形成积层板。压合条件如下：温度200℃、压力[0163]之后，根据标准JISC6471,使用万能试验机，以将表面处理铜箔以90°的角度自积层板剥离，检测结果记载于后述表2中。[0164]<信号传递损失>[0165]将上述任一实施例的表面处理铜箔制作成带状线(strip-line),并测量其相应的信号传递损失。其中，带状线的结构可示例如图3所示。带状线300于152.4μm的树脂(取自SyTechCorporation之S7439G)上先贴合上述任一实施例的表面处理铜箔，而后将表面处理铜箔制作成导线302,再使用另外两片树脂(S7439G,取自SyTechCorporation之S7439G)分别覆盖两侧表面，使导线302被设置于树脂载板(S7439G,SyTechCorp.)304之中。带状线300另可包括两接地电极306-1和接地电极306-2,分别设置于树脂载板304的相对两侧。接地电极306-1和接地电极306-2彼此间可以通过导电通孔而彼此电连接，而使得接地电极306-1和接地电极306-2具有等电位。35μm;树脂载板304的Dk为3.74、Df为0.006(依据IPC-TM