CN114333929B 存储器设备和操作存储器设备的方法（爱思开海力士有限公司）

(12)发明专利(10)授权公告号CN114333929B(65)同一申请的已公布的文献号(43)申请公布日2022.04.12(30)优先权数据(73)专利权人爱思开海力士有限公司(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所专利代理师黄倩US2018122489A1,2018.05.03US2018350441A1,2018.1US9711197B1,2017.07.18存储器设备和操作存储器设备的方法提供了一种存储器设备和一种操作存储器设备的方法。该存储器设备可以包括：外围电该外围电路被配置为执行多个编程循环并且对从多个页中选择的页进行编程，其中外围电路可以对被选择的页中包括的一部分存储器单元中的其阈值电压已经增加到第一目标电压的存储器单元的数目进行计数，并且可以执行确定在前一编程循环中执行的验证操作是否已经通过或失败的电流感测检查操作；以及控制逻辑电路，该控制逻辑电路被配置为控制外围电路，使得当其阈值电压已经增加到第一目标电压的存储器电压生成器控制逻辑电路控制器检测器检测器页缓冲器组行解码器输入/输出电路2多个页，所述多个页各自包括多个存储器单元；外围电路，所述外围电路执行多个编程循环，并且对从所述多个页中选择的页进行编程，其中所述外围电路对被选择的页中包括的一部分存储器单元中的其阈值电压已经增加到第一目标电压的存储器单元的数目进行计数，并且执行确定在前一编程循环中执行的验证操作是否已经通过或失败的电流感测检查操作；以及控制逻辑电路，所述控制逻辑电路控制所述外围电路以便：当其阈值电压已经增加到所述第一目标电压的存储器单元的数目小于存储器单元的当其阈值电压已经增加到所述第一目标电压的存储器单元的数目等于或大于存储器单元的所述参考数目时，执行所述电流感测检查操作。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路包括：验证检测器，所述验证检测器将其阈值电压已经增加到所述第一目标电压的存储器单元的数目与存储器单元的所述参考数目进行比较，并且基于所述比较的结果来输出检查开电流感测检查检测器，所述电流感测检查检测器对确定在所述前一编程循环中执行的所述验证操作是否已经通过或失败的所述电流感测检查操作进行延迟，直到检查使能信号从所述控制逻辑电路被输出为止，并且当所述检查使能信号被输出时，所述电流感测检查检测器执行所述电流感测检查操作。3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述验证检测器包括：第一位计数器，所述第一位计数器以组块为基础对被选择的页中的所述存储器单元进行验证，对其阈值电压已经增加到所述第一目标电压的存储器单元的数目进行计数，并且输出被计数的通过组块位的数目；以及第一比较器，所述第一比较器将通过组块位的数目与通过组块位的参考数目进行比较，当通过组块位的数目等于或大于通过组块位的所述参考数目时，所述第一比较器输出所述检查开始信号，并且当通过组块位的数目小于通过组块位的所述参考数目时，所述第一比较器输出所述检查延迟信号。4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中：所述第一位计数器从在被选择的页中包括的多个组块中选择的一个组块接收验证数据，并且输出在所述验证数据中包括的通过组块位的数目，以及当通过组块位的数目等于或大于通过组块位的所述参考数目时，所述第一比较器输出所述检查开始信号，并且当通过组块位的数目小于通过组块位的所述参考数目时，所述第一比较器输出所述检查延迟信号。5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中：所述第一位计数器从被选择的页中包括的多个组块顺序地接收验证数据片，并且顺序地输出所述验证数据片中包括的通过组块位的数目，以及所述第一比较器将被顺序地接收的通过组块位的数目与通过组块位的所述参考数目进行比较，并且基于所述比较的结果来输出所述检查开始信号或检查延迟信号。6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中：3所述第一比较器将分别与所述多个组块相对应的通过组块位的数目与通过组块位的所述参考数目进行比较，并且然后输出所述检查开始信号或所述检查延迟信号，以及当通过组块位的数目中的每个数目等于或大于通过组块位的所述参考数目时，所述第一比较器输出所述检查开始信号，并且随后停止将通过组块位的数目与通过组块位的所述参考数目进行比较的操作。7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述第一比较器将通过对所述多个组块的通过组块位的数目求和得到的值与通过组块位的所述参考数目进行比较，并且然后输出所述检查开始信号或所述检查延迟信号。8.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述电流感测检查检测器包括：第二位计数器，所述第二位计数器响应于所述检查使能信号而接收从被选择的页感测的数据，对所感测的数据中包括的失败位的数目进行计数，并且输出失败页位的数目；以及第二比较器，所述第二比较器将失败页位的数目与失败页位的可允许数目进行比较，并且基于所述比较的结果来输出检查通过信号或检查失败信号。9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中：当失败页位的数目小于或等于失败页位的所述可允许数目时，所述第二比较器输出所当失败页位的数目大于失败页位的所述可允许数目时，所述第二比较器输出所述检查失败信号。10.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，当被选择的页被包括在多个平面中的每个平面中时，当在所有所述平面中，被选择的页的失败页位的数目小于或等于失败页位的所述可允许数目时，所述第二比较器输出所述检查通过信号，并且当在所述平面中的至少一个平面中，被选择的页的失败页位的数目大于失败页位的所述可允许数目时，所述第二比较器输出所述检查失败信号。11.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑电路包括：电流感测检查控制器，取决于其阈值电压低于所述第一目标电压的存储器单元的数目，所述电流感测检查控制器选择性地输出用于执行所述电流感测检查操作的检查使能信号，并且取决于对被选择的页的所述验证操作或所述电流感测检查操作的结果，所述电流感测检查控制器控制被选择的页的编程循环。12.根据权利要求11所述的存储器设备，其中所述电流感测检查控制器包括：编程循环控制器，取决于对被选择的页执行的每个编程循环的所述验证操作或所述电流感测检查操作的所述结果，所述编程循环控制器输出验证信号或所述检查使能信号；以及检测器，当其阈值电压低于所述第一目标电压的存储器单元的数目小于或等于存储器单元的所述参考数目时，或者当所述验证操作已经通过时，所述检测器输出通过信号，并且当其阈值电压低于所述第一目标电压的存储器单元的数目大于存储器单元的所述参考数目时，或者当所述验证操作已经失败时，所述检测器输出失败信号。13.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述外围电路包括电流感测检查检测器，所述电流感测检查检测器将其阈值电压已经增加到所述第一目标电压的存储器单元4的数目与存储器单元的所述参考数目进行比较，并且基于所述比较的结果来输出检查开始所述电流感测检查检测器对确定在所述前一编程循环中执行的所述验证操作是否已经通过或失败的所述电流感测检查操作进行延迟，直到检查使能信号从所述控制逻辑电路被输出为止，并且当所述检查使能信号被输出时，所述电流感测检查检测器执行所述电流感测检查操作。14.一种操作存储器设备的方法，包括：执行将编程电压施加到被选择的页中包括的多个存储器单元的子编程操作；执行用于验证从所述多个存储器单元中选择的具有最低目标电压的被选择的存储器单元的阈值电压的验证操作；以及将在所述验证操作中检测到的通过位的数目与通过位的参考数目进行比较，当通过位的数目小于通过位的所述参考数目时，在下一编程循环中跳过确定所述验证操作是否已经通过或失败的电流感测检查操作，以及当通过位的数目等于或大于通过位的所述参考数目时，从所述下一编程循环起执行所述电流感测检查操作。15.根据权利要求14所述的方法，其中通过位的数目是具有所述最低目标电压的被选择的存储器单元中的其阈值电压已经增加到所述目标电压的存储器单元的数目。16.根据权利要求14所述的方法，其中，当通过位的数目小于通过位的所述参考数目时，使用比所述编程电压高的编程电压来执行所述下一编程循环。17.根据权利要求14所述的方法，其中在所述下一编程循环被执行之前或者在所述下一编程循环的子编程操作期间，执行将在所述验证操作中检测到的通过位的数目与通过位的所述参考数目进行比较。18.根据权利要求14所述的方法，其中，当所述电流感测检查操作被执行时，所述电流感测检查操作在所述子编程操作期间被执行。19.根据权利要求14所述的方法，其中，当所述电流感测检查操作被执行时，将在所述验证操作中检测到的通过位的数目与通过位的所述参考数目进行比较被跳过。执行多个编程循环，以增加被选择的页中的存储器单元的阈值电压，其中在所述多个编程循环中的每个编程循环中，当其阈值电压已经增加到目标电压的存储器单元的数目小于存储器单元的参考数目时，确定前一编程循环的验证操作的结果的电流感测检查操作被跳过，并且当其阈值电压已经增加到所述目标电压的存储器单元的数目等于或大于存储器单元的所述参考数目时，所述电流感测检查操作被执行。21.根据权利要求20所述的方法，其中，当其阈值电压已经增加到所述目标电压的存储器单元的数目小于存储器单元的所述参考数目时，对应的所述编程循环包括：将编程电压施加到被耦合到被选择的页的字线，以增加所述存储器单元的所述阈值电将其阈值电压已经增加到所述目标电压的存储器单元的数目与存储器单元的所述参考数目进行比较。CN114333929B522.根据权利要求20所述的方法，其中，当其阈值电压已经增加到所述目标电压的存储器单元的数目等于或大于存储器单元的所述参考数目时，对应的所述编程循环包括：将编程电压施加到被耦合到被选择的页的字线，以增加所述存储器单元的所述阈值电压，并且执行所述电流感测检查操作；以及执行感测所有所述存储器单元的所述阈值电压是否已经增加到所述目标电压的验证操作。6[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2020年9月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0126702号的优先权，上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。技术领域[0003]本公开的各个实施例涉及一种存储器设备和一种操作存储器设备的方法，并且更具体地涉及一种能够执行编程操作的存储器设备、以及一种操作该存储器设备的方法。背景技术[0004]存储器设备可以包括易失性存储器设备和非易失性存储器设备；在易失性存储器设备中，当电源被中断时，所存储的数据丢失；在非易失性存储器设备中，即使当电源被中断时，所存储的数据也被保持。[0005]易失性存储器设备的示例可以包括动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。非易失性存储器设备的示例可以包括只读存储器(ROM)、可编程只[0006]存储器设备可以包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑电路。[0007]存储器单元阵列可以包括多个存储器单元，这些存储器单元中的每个存储器单元可以存储数据。用于将一位数据存储在一个存储器单元中的方案被称为单级单元(SLC)方案，并且用于将两位或更多位数据存储在一个存储器单元中的方案被称为多级单元(MLC)方案。取决于每个存储器单元中存储的位数，MLC方案可以被分类为三级单元(TLC)方案和四级单元(QLC)方案。在TLC方案中，三位数据可以被存储在一个存储器单元中，并且在QLC方法中，四位数据可以被存储在一个存储器单元中。发明内容[0008]本公开的各个实施例涉及一种存储器设备以及一种操作存储器设备的方法，该存储器设备可以通过执行电流感测检查操作来缩短操作时间，因为在对被选择的页执行的编程操作期间，具有最低目标电压的存储器单元中的已经通过验证操作的存储器单元的数目已经达到存储器单元的参考数目。[0009]本公开的实施例可以提供一种存储器设备。该存储器设备可以包括多个页、外围电路和控制逻辑电路，这些页各自包括多个存储器单元。外围电路被配置为执行多个编程循环并且对从多个页中选择的页进行编程。外围电路对被选择的页中包括的一部分存储器单元中的其阈值电压已经增加到第一目标电压的存储器单元的数目进行计数。外围电路执行确定在前一编程循环中执行的验证操作是否已经通过或失败的电流感测检查操作。控制逻辑电路被配置为控制外围电路，使得当其阈值电压已经增加到第一目标电压的存储器单元的数目等于或大于存储器单元的参考数目时，电流感测检查操作被执行。[0010]本公开的实施例可以提供一种操作存储器设备的方法。该方法可以包括：执行将7编程电压施加到被选择的页中包括的多个存储器单元的子编程操作，执行用于验证从多个存储器单元中选择的具有最低目标电压的被选择的存储器单元的阈值电压的验证操作，以及将在验证操作中检测到的通过位的数目与通过位的参考数目进行比较，当通过位的数目小于通过位的参考数目时，在下一编程循环中跳过确定验证操作是否已经通过或失败的电流感测检查操作，并且当通过位的数目等于或大于通过位的参考数目时，从下一编程循环起执行电流感测检查操作。[0011]本公开的实施例可以提供一种操作存储器设备的方法。该方法可以包括：执行多个编程循环，以增加被选择的页中的存储器单元的阈值电压，其中在多个编程循环中的每个编程循环中，当其阈值电压已经增加到目标电压的存储器单元的数目小于存储器单元的参考数目时，确定前一编程循环的验证操作的结果的电流感测检查操作被跳过，并且当其阈值电压已经增加到目标电压的存储器单元的数目等于或大于存储器单元的参考数目时，电流感测检查操作被执行。附图说明[0012]图1是图示了根据本公开的实施例的存储器系统的框图。[0013]图2是图示了根据本公开的实施例的存储器设备的框图。[0014]图3是图示了根据本公开的实施例的存储器块的图。[0015]图4是图示了存储器块中包括的多个页的框图。[0016]图5是图示了存储器单元的阈值电压分布的图。[0017]图6是图示了根据本公开的实施例的验证检测器的框图。[0018]图7A和图7B是图示了其中验证检测器可以确定验证数据中的通过位的第一实施例的框图。[0019]图8是图示了其中验证检测器可以确定验证数据中的通过位的第二实施例的框[0020]图9A和图9B是图示了其中验证检测器可以确定验证数据中的通过位的第三实施例的框图。[0021]图10是图示了根据本公开的实施例的电流感测检查检测器的框图。[0022]图11A和图11B是图示了其中电流感测检查检测器可以取决于检查数据来确定验证操作中的通过或失败的方法的框图。[0023]图12是图示了根据本公开的实施例的电流感测检查控制器的框图。[0024]图13是图示了根据本公开的实施例的编程操作的流程图。[0025]图14A和图14B是图示了根据本公开的第一实施例的编程操作的图。[0026]图15是图示了根据本公开的第二实施例的编程操作的图。[0027]图16是图示了根据本公开的第三实施例的编程操作的图。[0028]图17是图示了根据本公开的第四实施例的编程操作的图。[0029]图18是图示了根据本公开的实施例的存储器设备的框图。[0030]图19是图示了根据本公开的实施例的编程操作的流程图。[0031]图20是图示了根据本公开的实施例的编程操作的流程图。[0032]图21是图示了根据本公开的第五实施例的编程操作的图。8[0033]图22是图示了根据本公开的第六实施例的编程操作的图。[0034]图23是图示了应用根据本公开的实施例的存储器设备的存储器卡系统的框图。[0035]图24是图示了应用根据本公开的存储器设备的固态驱动器(SSD)系统的框图。具体实施方式[0036]图1是图示了根据本公开的实施例的存储器系统的框图。[0037]参照图1,存储器系统1000可以包括存储设备1100和存储器控制器1200。存储设备1100可以包括多个存储器设备MD,这些存储器设备MD可以通过输入/输出线耦合到存储器控制器1200。[0038]存储器控制器1200可以在主机1500和存储器设备MD之间执行通信。存储器控制器1200可以响应于来自主机1500的请求RQ而生成用于控制存储器设备MD的命令CMD。另外，即使未从主机1500接收到请求RQ,存储器控制器1200也可以执行用于提高存储器系统1000的性能的后台操作。[0039]主机1500可以生成用于各种操作的请求RQ,并且可以将所生成的请求RQ输出到存储器系统1000。例如，请求RQ可以包括用于控制编程操作的编程请求、用于控制读取操作的读取请求、用于控制擦除的擦除请求等。[0040]主机1500可以通过各种接口与存储器系统1000通信，各种接口诸如是外围组件互非易失性存储器快速(NVMe)、通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、增强型小型磁盘接口(ESDI)或电子集成驱动器(IDE)。[0041]图2是图示了根据本公开的实施例的存储器设备的框图。[0042]参照图2,存储器设备MD可以包括：存储数据的存储器单元阵列110;执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路200;以及控制外围电路200的控制逻辑电路180。[0043]存储器单元阵列110可以包括多个平面PL1至PLk(其中k是正整数),并且平面PL1至PLk中的每个平面可以包括多个存储器块BLK1至BLKi。存储器块BLK1至BLKi中的每个存储器块可以包括多个存储器单元，这些存储器单元可以以其中存储器单元被水平地布置在基底上的二维(2D)结构来实现，或者可以以其中存储器单元被竖直地堆叠在基底上的三维(3D)结构来实现。[0044]外围电路200可以包括电压生成器120、行解码器130、页缓冲器组140、输入/输出电路150、验证检测器160和电流感测检查(CSC)检测器170。[0045]电压生成器120可以响应于电压代码VCD而生成并输出各种操作所需的操作电压电压等，每种电压具有各种电平。[0046]行解码器130可以响应于行地址RADD从存储器单元阵列110中包括的多个存储器块BLK1至BLKi中选择一个存储器块，并传递操作电压Vop,并且可以将操作电压Vop传送到被选择的存储器块。[0047]页缓冲器组140可以通过位线被耦合到存储器单元阵列110。例如，页缓冲器组140可以包括被耦合到相应位线的多个页缓冲器。多个页缓冲器可以响应于页缓冲器控制信号PBSIG而被同时操作，并且可以在编程操作或读取操作期间临时存储数据。在编程操作中执9行的验证操作和在擦除操作中执行的验证操作可以以类似于读取操作的方式被执行。例如，页缓冲器可以输出在编程操作期间从存储器单元感测到的验证数据V_DATA或检查数据检查数据C_DATA可以是在每个被选择的平面中的被选择的存储器块中包括的被选择的页[0048]输入/输出电路150可以通过输入/输出线被耦合到存储器控制器(例如，图1的1200)。输入/输出电路150可以通过输入/输出线接收/输出命令CMD、地址ADD和数据DATA。例如，输入/输出电路150可以通过输入/输出线接收命令CMD和地址ADD,并且将命令CMD和地址ADD传递到控制逻辑电路180。输入/输出电路150可以通过输入/输出线将从存储器控150可以通过输入/输出线将从页缓冲器组140接收的读取数据DATA输出到存储器控制器[0049]验证检测器160可以在编程操作期间取决于其阈值电压已经达到被选择的目标电压的存储器单元的数目来输出检查开始信号CSS或检查延迟信号CDS。例如，验证检测器160可以响应于验证信号VFS而从页缓冲器组140接收验证数据V_DATA,可以将验证数据V_DATA中的通过位的数目与通过位的参考数目进行比较，并且可以基于该比较的结果来输出检查开始信号CSS或检查延迟信号CDS。例如，验证检测器160可以从在被选择的平面中包括的被选择的存储器块接收验证数据V_DATA,并且可以对接收到的验证数据V_DATA中包括的通过位的数目进行计数。即，为了在编程操作的初始阶段中快速确定被选择的存储器单元的编程状态，验证检测器160可以从多个平面PL1至PLk中选择的任何一个平面接收验证数据V_DATA,并且可以对在验证数据V_DATA中包括的通过位的数目进行计数。验证数据V_DATA可以是从在被选择的平面中包括的被选择的存储器块中的被选择的页感测到的数据的一部语“组块”可以是小于页的单位。例如，假设一个页的容量是10量可以被设置为1KB。在这种情况下，验证检测器160可以从页缓冲器组140接收1KB验证数据V_DATA,并且可以对在接收到的验证数据V_DATA中包括的通过组块位的数目进行计数。当对通过组块位的数目进行计数时，验证检测器160可以将通过组块位的数目与通过组块位的参考数目进行比较，并且可以基于该比较的结果来输出检查开始信号CSS或检查延迟信号CDS。例如，当通过组块位的数目等于或大于通过组块位的参考数目时，验证检测器160可以输出检查开始信号CSS,而当通过组块位的数目小于通过组块位的参考数目时，验证检测器160可以输出检查延迟信号CDS。[0050]电流感测检查检测器170可以确定验证操作是否已经通过或失败。例如，电流感测检查检测器170可以响应于检查使能信号CHS而从页缓冲器组140接收检查数据C_DATA,可以将在检查数据C_DATA中包括的失败页位的数目与失败页位的可允许数目进行比较，并且可以基于该比较的结果来输出检查通过信号CPS或检查失败信号CFA。例如，当失败页位的数目小于失败页位的可允许数目时，电流感测检查检测器170可以输出检查通过信号CPS。当失败页位的数目等于或大于失败页位的可允许数目时，电流感测检查检测器170可以输出检查失败信号CFA。当多个平面PL1至PLk中的至少一个平面已经通过验证操作时，即使在剩余平面上的验证操作已经失败，电流感测检查检测器170也可以确定编程操作已经通过并输出检查通过信号CPS。例如，当所有平面PL1至PLk都已经通过验证操作时，电流感测检查检测器170可以输出检查通过信号CPS,并且即使平面PL1至PLk中的一个平面已经通过验证操作，电流感测检查检测器170也可以输出检查通过信号CPS。[0051]控制逻辑电路180可以响应于命令CMD和地址ADD而输出电压代码VCD、行地址可以包括响应于命令CMD执行算法的软件、以及取决于地址ADD和算法输出各种信号的硬件。而且，控制逻辑电路180可以包括电流感测检查(CSC)控制器190,该电流感测检查(CSC)控制器190能够在编程操作期间取决于存储器单元的编程状态来控制电流感测检查操作。[0052]电流感测检查(CSC)控制器190可以在编程操作期间输出用于激活验证检测器160的验证信号VFS。另外，电流感测检查(CSC)控制器190可以响应于检查开始信号CSS或检查延迟信号CDS而输出用于激活电流感测检查(CSC)检测器170的检查使能信号CHS。而且，电流感测检查控制器190可以响应于检查通过信号CPS或检查失败信号CFA而确定对被选择的页执行的编程操作是否已经完成。[0053]图3是图示了根据本公开的实施例的存储器块的图，其中以示例的方式图示了图2[0054]参照图3,第i存储器块BLKi可以包括多个串ST1至STj(其中j是正整数)。第一串至第j串ST1至STj可以被耦合在位线BL1至BLj与源极线SL之间。例如，第一串ST1可以被耦合且第j串STj可以被耦合在第j位线BLj和源极线SL之间。[0055]第一串至第j串ST1至STj中的每个串可以包括源极选择晶体管SST、多个存储器单元C1至Cn、以及漏极选择晶体管DST。尽管在图中未图示，但是第一串至第j串ST1至STj中的每个串还可以包括存储器单元C1至Cn与源极选择晶体管SST或漏极选择晶体管DST之间的虚设单元。下面以示例的方式详细描述第j串STj的配置。[0056]取决于被施加到源极选择线SSL的电压，第j串STj中包括的源极选择晶体管SST可以将源极线SL和第一存储器单元C1彼此电耦合或电解耦。第一存储器单元至第n存储器单元C1至Cn的栅极可以被分别耦合到第一字线至第n字线WL1至WLn。取决于被施加到漏极选择线DSL的电压，漏极选择晶体管DST可以将第j位线BLj和第n存储器单元Cn彼此电耦合或电解耦。不同串ST1至STj中包括的源极选择晶体管SST的栅极可以被共同耦合到源极选择线SSL,第一存储器单元至第n存储器单元C1至Cn的栅极可以被耦合到第一字线至第n字线WL1至WLn,并且漏极选择晶体管DST的栅极可以被共同耦合到漏极选择线DSL。被耦合到同一字线的一组存储器单元可以被称为页(PG),并且可以以页(PG)为基础执行编程操作和读取操作。[0057]根据本实施例的编程操作可以按照逐步增加编程电压的增量步进脉冲编程(ISPP)方式来执行。在按照ISPP方式执行的编程操作期间，多个编程循环可以被执行，直到被选择的存储器单元的阈值电压增加到目标电压为止，并且每当每个编程循环被执行时，编程电压就可以被逐步增加。在每个编程循环中，增加被选择的存储器单元的阈值电压的子编程操作和确定被选择的存储器单元的阈值电压是否已经增加到目标电压的验证操作可以被执行。在子编程操作中，编程电压可以被施加到被选择的字线，并且在验证操作中，验证电压可以被施加到被选择的字线。取决于在验证操作期间从存储器单元感测到的数11据，对验证操作是否已经通过或失败的确定可以在下一编程循环的子编程操作期间被执行。在子编程操作期间，确定验证操作是否已经通过或失败的操作可以是电流感测检查操[0058]在本实施例中，当具有最低目标电压的存储器单元中的其阈值电压已经增加到目标电压的存储器单元的数目等于或大于存储器单元的特定数目时，电流感测检查操作可以被执行。即，由于对所有被选择的平面中包括的被选择的存储器块的被选择的页执行电流感测检查操作，因此可能会花费长时间。因此，在本实施例中，可以通过在一些编程循环中跳过电流感测检查操作来缩短编程操作所需的时间。[0059]图4是图示了存储器块中包括的多个页的框图。[0060]参照图4,存储器块可以包括多个页PG1至PGn(其中n是正整数)。由于多个页PG1至PGn中的每个页包括可以存储数据的多个存储器单元，因此可以取决于存储器单元的数目的存储器单元的数目已经增加，页存储容量CAPpg已经增加。[0061]如上所述，编程操作以页为基础来执行，其中随着页存储容量CAPpg的增加，组块单位可以被用来容易地处理数据。例如，每个页可以被划分为第一组块至第m组块CHK1至(例如，图1的140)可以以组块为基础接收/输出数据，或者可以与组块无关地接收/输出数的所有存储器单元中的数据可以被存储在页缓冲器中，使得页缓冲器可以以组块为基础输[0062]图5是图示了存储器单元的阈值电压分布的图。[0063]参照图5,取决于被存储在每个存储器单元中的位的数目，编程操作可以被分类为各种方案。例如，其中三位数据被存储在一个存储器单元中的方案被称为三级单元(TLC)方案，并且其中四位数据被存储在一个存储器单元中的方案被称为四级单元(QLC)方案。[0064]在TLC方案中，每个存储器单元的状态可以被标识为一个擦除状态ER或七个编程状态P1至P7中的任何一个编程状态。在QLC方案中，每个存储器单元的状态可以被标识为一个擦除状态ER或15个编程状态P1至P15中的任何一个编程状态。[0065]可以存储在一个存储器单元中的位的数目可以是5个或更多，并且本实施例不限制要被存储在每个存储器单元中的位的数目。[0066]图6是图示了根据本公开的实施例的验证检测器的框图。[0067]参照图6,验证检测器160可以包括通过位计数器160a和第一比较器160b。当验证信号VFS被输入时，通过位计数器160a可以从页缓冲器组(例如，图2的140)接收验证数据V_DATA,并且可以对在接收到的验证数据V_DATA中包括的通过组块位的数目P_BIT进行计数。例如，验证数据V_DATA可以是在被选择的平面的被选择的存储器块中包括的被选择的页中的被选择的组块的数据。当已经对所有通过组块位的数目P_BIT进行了计数时，通过位计数器160a可以将通过组块位的数目P_BIT传送到第一比较器160b。[0068]第一比较器160b可以存储通过组块位的预设的参考数目NBref,并且可以将通过组块位的数目P_BIT与通过组块位的参考数目NBref进行比较。然后，第一比较器160b可以基于该比较的结果来输出检查开始信号CSS或检查延迟信号CDS。例如，当通过组块位的数目P_BIT等于或大于通过组块位的参考数目NBref时，第一比较器160b可以输出检查开始信号CSS。当通过组块位的数目P_BIT小于通过组块位的参考数目NBref时，第一比较器160b可以输出检查延迟信号CDS。此外，即使当被选择的页中的所有组块的组块位的数目P_BIT等于或大于通过组块位的参考数目NBref时，第一比较器160b也可以输出检查开始信号CSS。[0069]下面将描述验证检测器160的基于通过组块位的数目P_BIT的操作。[0070]图7A和图7B是图示了其中验证检测器确定验证数据中的通过位的第一实施例的[0071]参照图6、图7A和图7B,在第一实施例中，验证检测器160可以仅接收一个被选择的与通过组块位的参考数目NBref之间的比较结果，验证检测器160可以输出检查开始信号[0072]参照图6和图7A,为了更好地理解本实施例，假设通过组块位的参考数目NBref是63,并且可以取决于存储器设备而被设置为不同的值。当通过组块位的数目P_BIT是40时，第一比较器160b可以输出检查延迟信号CDS,因为通过组块位的数目P_BIT小于通过组块位的参考数目NBref。[0073]参照图6和图7B,当通过组块位的数目P_BIT是65时，第一比较器160b可以输出检查开始信号CSS,因为通过组块位的数目P_BIT等于或大于通过组块位的参考数目NBref。[0074]图8是图示了其中验证检测器确定验证数据中的通过位的第二实施例的框图。[0075]参照图6和图8,在第二实施例中，验证检测器160可以以组块为基础顺序地接收验证数据片V_DATA,并且可以将在接收到的每个组块的验证数据V_DATA中包括的组块位的数目P_BIT与通过组块位的参考数目NBref进行比较。即，验证检测器160可以确定在被选择的页中包括的多个组块中是否已经检测到其中通过组块位的数目P_BIT等于或大于通过组块位的参考数目NBref的组块，并且当已经检测到其中通过组块位的数目P_BIT等于或大于通过组块位的参考数目NBref的组块时，验证检测器160可以停止接收验证数据V_DATA。[0076]例如，验证检测器160可以从第一组块CHK1接收验证数据V_DATA,并且可以对在验证数据V_DATA中包括的通过组块位的数目P_BIT进行计数。当第一组块CHK1中的通过组块位的数目P_BIT被检测为50或50位时，通过组块位的数目P_BIT小于通过组块位的参考数目NBref,并且因此验证检测器160可以从第二组块CHK2接收验证数据V_DATA。当第二组块CHK2中的通过组块位的数目P_BIT被检测为45位时，通过组块位的数目P_BIT小于通过组块位的参考数目NBref,并且因此验证检测器160可以从第三组块CHK3接收验证数据V_DATA。当第三组块CHK3中的通过组块位的数目P_BIT被检测为63位时，通过组块位的数目P_BIT等于通过组块位的参考数目NBref,并且因此验证检测器160可以输出检查开始信号CSS,而不于或大于通过组块位的参考数目NBref时，验证检测器160可以输出检查开始信号CSS,并且可以停止将通过组块位的数目P_BIT与通过组块位的参考数目NBref进行比较的操作。[0077]图9A和图9B是图示了其中验证检测器确定验证数据中的通过位的第三实施例的框图。[0078]参照图6、图9A和图9B,在第三实施例中，验证检测器160可以顺序地从第一组块至位的数目P_BIT是2时，验证检测器160可以计算通过将'1'(其是第一组块CHK1中的通过组块位的数目P_BIT)和2'(其是第二组块CHK2中的通过组块位的数目P_BIT)求和而获得的[0082]参照图10,电流感测检查检测器170可以包括失败位计数器170a和第二比较器C_DATA,可以对检查数据C_DATA中包括的失败位的数目进行计数，并且可以输出失败页位[0084]第二比较器170b可以将失败页位的数目Pa_BIT与失败页位的预设的可允许数目Nall进行比较，并且可以取决于该比较的结果来输出检查通过信号CPS或检查失败信号[0086]图11A和图11B是图示了其中电流感测检查检测器取决于检查数据来确定验证操[0087]参照图10和图11A,电流感测检查检测器170可以从对其执行编程操作的所有平面接收检查数据C_DATA,并且可以将在检查数据C_DATA中包括的失败页位的数目Pa_BIT与失败页位的可允许数目Nall进行比较。例如，电流感测检查检测器170可以顺序地接收在第一平面PL1的被选择的存储器块中包括的被选择的页的验证数据片V_DATA,并且可以对在所有接收到的验证数据片V_DATA中的失败页位的数目Pa_BIT进行计数。在此，从被选择的平面的被选择的页接收的所有验证数据片V_DATA可以是检查数据C_DATA。当在从第一平面PL1接收的检查数据C_DATA中包括的失败页位的数目Pa_BIT小于或等于失败页位的可允许数目Nall时，电流感测检查检测器170可以确定对第一平面PL1的电流感测检查操作通过。以这种方式，电流感测检查检测器170可以分别从第一平面至第k平面PL1至PLk接收检查数据片C_DATA,并且可以确定对每个平面的电流感测检查操作是否已经通过或失败。如图11A中所示，当对第一平面至第k平面PL1至PLk中的至少一个平面执行的电流感测检查操作被确定为已经失败时，电流感测检查检测器170可以输出检查失败信号CFA。[0088]参照图10和图11B,当对第一平面至第k平面PL1至PLk的所有电流感测检查操作被确定为已经通过时，电流感测检查检测器170可以输出检查通过信号CPS。[0089]图12是图示了根据本公开的实施例的电流感测检查控制器的框图。[0090]参照图12,电流感测检查控制器190可以包括编程循环控制器190a和检测器190b。[0091]取决于对被选择的页执行的编程循环的验证操作或电流感测检查操作的结果，编程循环控制器190a可以输出验证信号VFS或检查使能信号CHS。例如，响应于在验证操作或电流感测检查操作期间被输入的通过信号PS或失败信号FA,编程循环控制器190a可以输出[0092]响应于可以在确定处于第一编程状态中的存储器单元的数目的操作期间被输入的检查开始信号CSS或检查延迟信号CDS,检测器190b可以输出通过信号PS或失败信号FA。然后，响应于可以在针对每个编程状态的验证操作期间被输入的检查通过信号CPS或检查失败信号CFA,检测器190b可以输出通过信号PS或失败信号FA。[0093]图13是图示了根据本公开的实施例的编程操作的流程图。[0094]参照图13,在根据本实施例的编程操作期间，确定验证操作是否已经通过或失败的电流感测检查操作可以被跳过，直到在具有最低目标电压的被选择的存储器单元中其阈值电压已经增加到目标电压的存储器单元的数目达到存储器单元的预设数目为止。因为在具有最低目标电压的存储器单元中其阈值电压已经增加到目标电压的存储器单元的数目已经达到存储器单元的预设数目，所以可以执行电流感测检查操作。下面将详细描述根据本实施例的编程操作。[0095]在步骤S131中，指示目标电压的次序的值n可以被设置为1。例如，在其中三位数据被存储在一个存储器单元中的三级单元(TLC)方案中，为了区分编程状态，可能存在七个不同的目标电压。在其中四位数据被存储在一个存储器单元中的四级单元(QLC)方案中，可能存在15个不同的目标电压(参见图5的TLC或QLC)。在TLC或QLC方案中，最低目标电压可以是可以从1变为15。[0096]在步骤S132中，可以对被选择的存储器单元执行子编程操作。子编程操作可以是向被选择的字线施加编程电压以增加被选择的存储器单元的阈值电压的操作。当子编程操作首先被执行时，起始编程电压可以被施加到被选择的字线。在被施加到被选择的字线的编程电压中，起始编程电压可以是最低电压。[0097]在已经在预定时间段内施加了编程电压之后，可以在步骤S133中执行针对第n目标电压PVn的验证操作。验证操作可以通过向被选择的字线施加第n验证电压来执行。[0098]在已经在预定时间段内执行了步骤S133中的验证操作之后，可以在步骤S134步骤中执行确定是否已经检测到其阈值电压已经增加到第n目标电压的存储器单元的位的操作。由于n为1,因此可以在步骤S134中对其阈值电压已经增加到多个目标电压中的具有最低电平的第一目标电压的存储器单元的数目进行计数，并且可以通过将计数得到的数目与存储器单元的参考数目进行比较来确定通过或失败。例如，图6中所示的验证检测器160可以通过将在验证数据V_DATA中包括的通过组块位的数目P_BIT与通过组块位的参考数目NBref进行比较来确定通过或失败。当通过组块位的数目P_BIT小于通过组块位的参考数目NBref时，可以增加编程电压，并且可以使用经增加的编程电压来执行步骤S132中的子编程操作。即，当步骤S134失败时，下一编程循环可以被执行。可以在逐步增加编程电压的同时重复步骤S132至S134,直到步骤S134通过为止。当通过组块位的数目P_BIT等于或大于通过组块位的参考数目NBref时，步骤S134可以通过。[0099]当步骤S134已经通过时，下一编程循环可以被执行，并且然后电流感测检查(CSC)操作可以在步骤S136中被执行。例如，当步骤S135中的子编程操作被执行时，步骤S136中的电流感测检查操作可以被执行。下面将详细描述子编程操作和电流感测检查操作S136。[0100]当步骤S134已经通过时，子编程操作可以在步骤S135中被执行。子编程操作可以是向被选择的字线施加编程电压以增加被选择的存储器单元的阈值电压的操作，并且可以以与步骤S132类似的方式被执行。在步骤S135中，可以使用比在步骤S132中使用的编程电压高的编程电压。[0101]在执行步骤S135中的子编程操作的同时，可以执行与前一编程循环的验证操作相对应的电流感测检查操作S136。例如，当在前一编程循环的验证操作中检测到的错误位的数目大于错误位的可允许数目时，步骤S136中的电流感测检查操作可以失败。备选地，当错误位的数目小于或等于错误位的可允许数目时，电流感测检查操作S136可以通过。[0102]当电流感测检查(CSC)操作失败时(在“失败”的情况下),可以在步骤S137中执行针对第n目标电压PVn的验证操作。可以通过向被选择的字线施加第n验证电压来执行验证[0103]在已经在步骤S137中执行了验证操作之后，与下一编程循环相对应的子编程操作S135和电流感测检查操作S136可以被执行。可以使用比前一编程循环中的编程电压高的编程电压来执行子编程操作S135.然后，电流感测检查操作S136可以确定在步骤S137中执行的验证操作是否已经通过或失败。[0104]当在电流感测检查操作S136中验证操作被确定为已经通过时(在“通过”的情况下),在步骤S138中确定第n目标电压PVn是否是编程操作的最后目标电压。最后目标电压可以是编程操作中的最高目标电压。例如，当TLC方案中的编程操作被执行时，被选择的存储器单元中的每个存储器单元可以被编程为第一目标电压至第七目标电压。当第一目标电压PV1是最低电压并且第七目标电压PV7是最高电压时，第七目标电压PV7可以是最后目标电[0105]当第n目标电压PVn是最后目标电压时(在“是”的情况下),对被选择的页执行的编程操作可以被终止。[0106]当第n目标电压PVn不是最后目标电压时(在“否”的情况下),可以在步骤S139中跳过针对第n目标电压PVn的验证操作，并且可以在步骤S140中选择下一目标电压。例如，可以在步骤S140中将n变为n+1,并且可以执行针对改变后的第n目标电压PVn的验证操作S137。[0107]步骤S135至S140可以被重复，直到在步骤S138中针对一直到最后目标电压的目标电压的所有电流感测检查操作通过为止。[0108]图14A和图14B是图示了根据本公开的第一实施例的编程操作的图，并且示出了基于图13的流程图的实施例。[0109]参照图14A,在第一编程循环LP1中，可以执行使用第一编程电压1Vpgm的子编程操作和使用第一验证电压V1的第一验证操作。在使用第一验证电压V1的第一验证操作期间，可以确定其阈值电压已经增加到第一验证电压V1的存储器单元的数目是否已经被检测为等于或大于存储器单元的参考数目。当在第一编程循环LP1中确定其阈值电压已经增加到第一验证电压V1的存储器单元的数目小于存储器单元的参考数目时(X),第二编程循环LP2可以被执行，而不执行电流感测检查(CSC)操作。[0110]在第二编程循环LP2中，可以执行使用比第一编程电压1Vpgm高步进电压的第二编程电压2Vpgm的子编程操作、以及使用第一验证电压V1的第一验证操作。当在第二编程循环LP2中确定其阈值电压已经增加到第一验证电压V1的存储器单元的数目等于或大于存储器单元的参考数目时(0),可以从第三编程循环LP3起执行电流感测检查(CSC)操作。[0111]在第三编程循环LP3中，可以执行使用比第二编程电压2Vpgm高步进电压的第三编程电压3Vpgm的子编程操作、以及使用第一验证电压V1的第一验证操作和使用第二验证电压V2的第二验证操作。可以在第三编程循环LP3的子编程操作期间执行用于第二编程循环LP2的第一验证操作的电流感测检查(CSC)操作。当在电流感测检查(CSC)操作期间确定第二编程循环LP2的第一验证操作已经通过时，可以从第四编程循环LP4起跳过第一验证操作。按照上述方式，可以执行剩余的编程循环，即，第四编程循环至第n编程循环LP4至LPn,并且当在第n编程循环中执行的第七验证操作已经通过时，对被选择的页的编程操作可以被终止。[0112]图14B是图示了其中与图14A的实施例相比已经通过第一验证操作的存储器单元的数目逐渐增加的实施例的图。[0113]参照图14B,当已经通过第一编程循环至第三编程循环LP1至LP3的第一验证操作的存储器单元的数目被检测为小于存储器单元的参考数目(X)并且已经通过第四编程循环LP4的第一验证操作的存储器单元的数目被检测为等于或大于存储器单元的参考数目(0)时，可以从第五编程循环LP5起执行电流感测检查(CSC)操作。[0114]即，在参照图14A和图14B描述的第一实施例中，可以跳过电流感测检查(CSC)操作，直到已经通过使用第一验证电压V1的第一验证操作的存储器单元的数目被检测为等于或大于存储器单元的参考数目为止，并且还可以跳过使用比验证电压V1高的验证电压的验[0115]图15是图示了根据本公开的第二实施例的编程操作的图。[0116]参照图15,在第二实施例中，可以跳过电流感测检查(CSC)操作和使用下一验证电压的验证操作，直到已经通过使用第一验证电压V1的第一验证操作的存储器单元的数目被检测为等于大于存储器单元的参考数目为止。例如，当在第一编程循环LP1和第二编程循环LP2中，已经通过第一验证操作的存储器单元的数目被检测为小于存储器单元的参考数目，并且在第三编程循环LP3中，已经通过第一验证操作的存储器单元的数目被检测为等于或大于存储器单元的参考数目时，可以从第四编程循环LP4起执行电流感测检查(CSC)操作和使用第二验证电压V2的第二验证操作。例如，在第四编程循环LP4中，可以在使用第四编程电压4Vpgm的子编程操作期间执行用于第一验证操作的电流感测检查(CSC)操作。在已经执行子编程操作之后，可以执行使用第一验证电压至第三验证电压V1至V3的第一验证操作至第三验证操作。[0117]在第四编程循环LP4中执行的电流感测检查(CSC)操作期间，当第三编程循环LP3的第一验证操作被确定为已经通过时，可以从第五编程循环LP5起跳过第一验证操作。[0118]图16是图示了根据本公开的第三实施例的编程操作的图。[0119]参照图16,在第三实施例中，由于用于第一验证操作的电流感测检查(CSC)操作已经通过，所以可以执行使用比第一验证电压V1高的验证电压的验证操作。例如，当在第三编程循环LP3中，已经通过第一验证操作的存储器单元的数目被检测为等于或大于存储器单元的参考数目时，可以从第四编程循环LP4起执行电流感测检查(CSC)操作。当在第四编程循环LP4中执行的用于第一验证操作的CSC操作已经失败时，可以在第四编程循环LP4中执行子编程操作和第一验证操作。当在第五编程循环LP5中执行的用于第一验证操作的CSC操作已经通过时，可以在第五编程循环LP5中跳过第一验证操作。而且，可以执行使用第二验证电压V2的第二验证操作。因此，在第六编程循环LP6的电流检查感测(CSC)操作期间，可以确定第二验证操作是否已经通过或失败。[0120]图17是图示了根据本公开的第四实施例的编程操作的图。[0121]参照图17,在编程操作的初始阶段，可能难以使存储器单元的阈值电压充分增加到目标电压。因此，可以在编程操作的初始阶段执行的一些编程循环中跳过验证操作。例如，在第一编程循环LP1和第二编程循环LP2中，可以仅执行子编程操作，而不执行验证操作。以这种方式，其中跳过验证操作并且仅将编程电压施加到被选择的字线的间隔被称为盲间隔(BLD)。盲间隔BLD可以取决于存储器单元的编程速度来不同地设置。如图17中所示，当第一编程循环LP1和第二编程循环LP2被包括在盲间隔BLD中时，可以从第三编程循环LP3起执行使用第一验证电压V1的第一验证操作。在第三编程循环LP3中，当已经通过第一验证操作的存储器单元的数目被检测为小于存储器单元的参考数目时(X),即使在第四编程循环LP4中，也可以跳过电流感测检查(CSC)操作。[0122]当在第四编程循环LP4中确定已经通过第一验证操作的存储器单元的数目被检测为等于或大于存储器单元的参考数目时(0),可以从第五编程循环LP5起执行电流感测检查(CSC)操作。例如，在第五编程循环LP5中，可以执行使用第五编程电压5Vpgm的子编程操作、以及使用第一验证电压V1的第一验证操作和使用第二验证电压V2的第二验证操作。在子编程操作期间，可以执行用于在第四编程循环LP4中执行的第一验证操作的电流感测检查[0123]图18是图示了根据本公开的实施例的存储器设备的框图。[0124]参照图18,在根据本公开的实施例的存储器设备MD中，可以以与图2中所示的存储器设备MD相同的方式来配置除电流感测检查(CSC)检测器170以外的组件。因此，在对图18[0125]除了确定验证操作是否已经通过或失败的电流感测检查操作之外，图18中所示的电流感测检查检测器170还可以执行图2的验证检测器160的功能。例如，电流感测检查检测器170可以在编程操作期间对失败存储器单元的数目进行计数，并且可以取决于计数得到的结果来执行电流感测检查操作。[0126]下面将描述电流感测检查检测器170的功能。即，电流感测检查检测器170可以响应于检查使能信号CHS而从页缓冲器组140接收检查数据C_DATA,可以将在检查数据C_DATA中包括的失败位的数目与失败位的参考数目进行比较，并且可以基于该比较的结果来确定[0127]当失败组块位的数目小于或等于失败组块位的参考数目时，电流感测检查检测器170可以执行电流感测检查操作。当失败组块位的数目大于失败组块位的参考数目时，在当前编程循环中，电流感测检查检测器170可以跳过电流感测检查操作。[0128]当确定要执行电流感测检查操作时，电流感测检查检测器170可以执行确定验证操作是否已经通过或失败的电流感测检查操作。例如，电流感测检查检测器170可以响应于检查使能信号CHS而从页缓冲器组140接收检查数据C_DATA,并且可以将在检查数据C_DATA中包括的失败页位的数目与失败页位的可允许数目进行比较。然后，电流感测检查检测器170可以基于该比较的结果来输出检查通过信号CPS或检查失败信号CFA。例如，电流感测检查检测器170可以在失败页位的数目小于或等于失败页位的可允许数目时输出检查通过信号CPS,并且可以在失败页位的数目大于失败页位的可允许数目时输出检查失败信号CFA。当多个平面PL1至PLk中的至少一个平面已经通过验证操作时，即使对剩余平面的验证操作已经失败，电流感测检查检测器170也可以确定编程操作已经通过并输出检查通过信号CPS。例如，电流感测检查检测器170可以在所有平面PL1至PLk都已经通过验证操作时输出检查通过信号CPS,并且即使平面PL1至PLk中的一个平面已经通过验证操作，也可以输出检查通过信号CPS。[0129]下面将描述使用图18中所示的存储器设备MD的编程操作的各个实施例。[0130]图19是图示了根据本公开的实施例的编程操作的流程图。[0131]参照图19,在根据本实施例的编程操作期间，确定验证操作是否已经通过或失败的电流感测检查操作可以被跳过，直到在具有最低目标电压的被选择的存储器单元中的其阈值电压低于目标电压的存储器单元的数目变得小于或等于存储器单元的预设数目为止。因为在具有最低目标电压的存储器单元中的其阈值电压已经增加到目标电压的存储器单元的数目已经达到存储器单元的预设数目，所以可以执行电流感测检查操作。下面将详细描述根据本实施例的编程操作。[0132]在步骤S191中，指示目标电压的次序的值n可以被设置为1。例如，在其中三位数据被存储在一个存储器单元中的三级单元(TLC)方案中，为了区分编程状态，可能存在七个不同的目标电压。在其中四位数据被存储在一个存储器单元中的四级单元(QLC)方案中，可能存在15个不同的目标电压(参见图5的TLC或QLC)。在TLC或QLC方案中，最低目标电压可以是第一目标电压，并且编程操作可以从第一目标电压开始。因此，在步骤S191可以从1变为15。[0133]在步骤S192中，可以对被选择的存储器单元执行子编程操作。子编程操作可以是向被选择的字线施加编程电压以增加被选择的存储器单元的阈值电压的操作。当子编程操作首先被执行时，起始编程电压可以被施加到被选择的字线。在被施加到被选择的字线的编程电压中，起始编程电压可以是最低电压。[0134]在已经在预定时间段内施加了编程电压之后，可以在步骤S193中执行针对第n目标电压PVn的验证操作。验证操作可以通过向被选择的字线施加第n验证电压来执行。[0135]在已经在预定时间段内执行了步骤S193中的验证操作之后，可以在步骤S194步骤中执行确定是否已经检测到其阈值电压已经增加到第n目标电压的存储器单元的位的操作。例如，电流感测检查检测器(例如，图18的170)可以对其阈值电压低于第n目标电压的存储器单元的位的数目进行计数。由于n为1,因此在步骤S194中，可以检测其阈值电压已经增加到多个目标电压中的具有最低电平的第一目标电压的存储器单元，并且可以通过将检测到的存储器单元的数目与存储器单元的参考数目进行比较来确定通过或失败。例如，电流感测检查检测器170可以将检查数据C_DATA中包括的失败组块位的数目与失败组块位的参考数目进行比较，并且然后可以确定通过或失败。当失败组块位的数目大于失败组块位的参考数目时，可以增加编程电压，并且可以使用经增加的编程电压来执行子编程操作S192。即，当步骤S194失败时，下一编程循环可以被执行。可以在逐步增加编程电压的同时重复步骤S192至S194,直到步骤S194通过为止。当失败组块位的数目小于或等于失败组块位的参[0136]当步骤S194已经通过时，下一编程循环可以被执行，并且然后电流感测检查检测器170可以在步骤S196中执行电流感测检查(CSC)操作。例如，当子编程操作S195被执行时，电流感测检查操作S196可以被执行。下面将详细描述子编程操作S195和电流感测检查操作[0137]当步骤S194已经通过时，子编程操作可以在步骤S195中被执行。子编程操作可以是向被选择的字线施加编程电压以增加被选择的存储器单元的阈值电压的操作，并且可以以与步骤S192类似的方式被执行。在步骤S195中，可以使用比在步骤S192中使用的编程电压高的编程电压。[0138]在执行子编程操作S195的同时，可以执行与前一编程循环的验证操作相对应的电流感测检查操作S196。例如，当在前一编程循环的验证操作中检测到的错误位的数目大于错误位的可允许数目时，电流感测检查操作S196可以失败。否则，当错误位的数目小于或等于错误位的可允许数目时，电流感测检查操作S196可以通过。[0139]当电流感测检查(CSC)操作失败时(在“失败”的情况下),可以在步骤S197中执行针对第n目标电压PVn的验证操作。可以通过向被选择的字线施加第n验证电压来执行验证操作。[0140]在已经在步骤S197中执行了验证操作之后，与下一编程循环相对应的子编程操作S195和电流感测检查操作S196可以被执行。可以使用比前一编程循环中的编程电压高的编程电压来执行子编程操作S195,并且电流感测检查操作S196可以确定在步骤S197中执行的验证操作是否已经通过或失败。[0141]当在电流感测检查操作S196中验证操作被确定为已经通过时(在“通过”的情况下),可以在步骤S198中确定第n目标电压PVn是否是编程操作的最后目标电压。最后目标电压可以是编程操作中的最高目标电压。例如，当TLC方案中的编程操作被执行时，被选择的存储器单元中的每个存储器单元可以被编程为第一目标电压至第七目标电压。当第一目标电压PV1是最低电压并且第七目标电压PV7是最高电压时，第七目标电压PV7可以是最后目标电压。[0142]当第n目标电压PVn是最后目标电压时(在“是”的情况下),对被选择的页执行的编程操作可以被终止。[0143]当第n目标电压PVn不是最后目标电压时(在“否”的情况下),可以在步骤S199中跳过针对第n目标电压PVn的验证操作，并且可以在步骤S200中选择下一目标电压。例如，可以在步骤S200中将n变为n+1,并且可以执行针对改变后的第n目标电压PVn的验证操作S197。[0144]步骤S195至S200可以被重复，直到在步骤S198中针对一直到最后目标电压的目标电压的所有电流感测检查操作通过为止。[0145]图20是图示了根据本公开的实施例的编程操作的流程图。[0146]参照图20,在根据本实施例的编程操作期间，在执行子编程操作的同时，可以执行确定通过位的数目以确定要开始电流感测检查操作的时间点的操作。下面将详细描述根据本实施例的编程操作。[0147]在步骤S201中，指示目标电压的次序的值n可以被设置为1。例如，在其中三位数据被存储在一个存储器单元中的三级单元(TLC)方案中，为了区分编程状态，可能存在七个不同的目标电压。在其中四位数据被存储在一个存储器单元中的四级单元(QLC)方案中，可能存在15个不同的目标电压(参见图5的TLC或QLC)。在TLC或QLC方案中，最低目标电压可以是可以从1变为15。[0148]在步骤S202中，可以对被选择的存储器单元执行子编程操作。子编程操作可以是向被选择的字线施加编程电压以增加被选择的存储器单元的阈值电压的操作。当子编程操作首先被执行时，起始编程电压可以被施加到被选择的字线。在被施加到被选择的字线的编程电压中，起始编程电压可以是最低电压。[0149]在已经在步骤S202中在预定时间段内施加了编程电压之后，可以在步骤S203中执行针对第n目标电压PVn的验证操作。验证操作可以通过向被选择的字线施加第n验证电压来执行。[0150]在已经执行了验证操作S203之后，可以执行下一编程操作。然后，可以与子编程操作S204一起执行确定通过位的数目的操作S205,并且可以取决于步骤S205中的确定结果来选择性地执行电流感测检查(CSC)操作S207。例如，当在步骤S204中执行子编程操作时，可以执行确定失败位的数目的操作S205和电流感测检查操作S207。下面将详细描述子编程操作S204、确定失败位的数目的操作S205、以及电流感测检查操作S207。[0151]子编程操作S204可以是向被选择的字线施加编程电压以增加被选择的存储器单元的阈值电压的操作，并且可以以与步骤S202类似的方式被执行。在步骤S204中，可以使用比在步骤S202中使用的编程电压高的编程电压。[0152]在执行子编程操作S204的同时，可以执行将在前一编程循环的验证操作中检测到的失败位的数目与失败位的参考数目进行比较的操作S205。例如，在将失败位的数目与失败位的参考数目进行比较的操作S205中，可以在步骤S205中执行确定是否检测到具有比第n目标电压低的阈值电压的存储器单元的位的操作。由于n为1,因此在步骤S205中，可以对其阈值电压低于多个目标电压中的具有最低电平的第一目标电压的存储器单元的数目进行计数，并且可以通过将计数得到的数目与存储器单元的参考数目进行比较来确定通过或失败。例如，图18中所示的电流感测检查检测器170可以将在组块数据中包括的失败组块位的数目与失败组块位的参考数目进行比较，并且然后可以确定通过或失败。当失败组块位的数目大于失败组块位的参考数目时，可以增加编程电压。然后，可以使用经增加的编程电压来再次执行子编程操作S204.。即，当步骤S205失败时，可以跳过电流感测检查操作S207,并且可以执行下一编程循环。即使步骤S205失败，也可以在步骤S204中执行子编程操作。因此，可以执行针对子编程操作的验证操作S206。即，当验证操作，在步骤S206之后可以再次执行子编程操作S204。[0153]可以在逐步增加编程电压的同时重复步骤S204至S206,直到步骤S205通过为止。[0154]在步骤S205中，当确定失败组块位的数目小于或等于失败组块位的参考数目时(在“通过”的情况下),可以执行电流感测检查操作S207。例如，当在前一编程循环的验证操作中检测到的错误位的数目大于错误位的可允许数目时，电流感测检查操作S207可以失败。然而，当错误位的数目小于错误位的可允许数目[0155]当电流感测检查(CSC)操作失败时(在“失败”的情况下),可以在步骤S206中执行针对第n目标电压PVn的验证操作。可以通过向被选择的字线施加第n验证电压来执行验证操作。[0156]在已经在步骤S206中执行了验证操作之后，可以执行与下一编程循环相对应的子编程操作S204、确定失败位的数目的操作S205和电流感测检查操作S207。可以使用比前一编程循环中的编程电压高的编程电压来执行子编程操作S204.确定通过位的数目的步骤S205指示对应的操作在前一步骤中已经通过，并且因此可以在执行后续操作的同时持续地保持通过状态。[0157]电流感测检查操作S207可以确定在前一循环中在步骤S206中执行的验证操作是否已经通过或失败。[0158]当在电流感测检查操作S207中验证操作被确定为已经通过时(在“通过”的情况下),可以在步骤S208中确定第n目标电压PVn是否是编程操作的最后目标电压。最后目标电压可以是编程操作中的最高目标电压。例如，当TLC方案中的编程操作被执行时，被选择的存储器单元中的每个存储器单元可以被编程为第一目标电压至第七目标电压。当第一目标电压PV1是最低电压并且第七目标电压PV7是最高电压时，第七目标电压PV7可以是最后目标电压。[0159]当第n目标电压PVn是最后目标电压时(在“是”的情况下),对被选择的页执行的编程操作可以被终止。当第n目标电压PVn不是最后目标电压时(在“否”的情况下),可以在步骤S209中跳过针对第n目标电压PVn的验证操作，并且可以在步骤S210中选择下一目标电压。例如，可以在步骤S210中将n变为n+1,并且可以执行针对改变后的第n目标电压PVn的验[0160]步骤S204至S210可以被重复，直到在步骤S208中针对一直到最后目标电压的目标电压的所有电流感测检查操作通过为止。[0161]图21是图示了根据本公开的第五实施例的编程操作的图。[0162]参照图21,在第一编程循环LP1中，可以执行使用第一编程电压1Vpgm的子编程操作和使用第一验证电压V1的第一验证操作。第一验证操作可以包括使用第一验证电压V1感测被选择的存储器单元的阈值电压的操作。[0163]在第二编程循环LP2中，可以执行使用比第一编程电压1Vpgm高步进电压的第二编程电压2Vpgm的子编程操作、以及使用第一验证电压V1的第一验证操作。[0164]从第二编程循环LP2起，确定其阈值电压已经增加到第一验证电压V1的存储器单元的数目是否已经被检测为等于或大于存储器单元的参考数目的操作PV1可以被执行。例如，在第二编程循环LP2的子编程操作被执行的同时，确定其阈值电压低于第一验证电压V1的存储器单元的数目是否已经被检测为小于或等于存储器单元的参考数目的操作PV1可以被执