CN120221414A 一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片

(19)国家知识产权局地址310024浙江省杭州市西湖区转塘街黄爱彬李冉冉公司44202在衬底上形成氧化钨薄膜；在所述氧化钨薄膜上形成具有目标图形的在衬底上形成氧化钨薄膜；在所述氧化钨薄膜上形成具有目标图形的掩膜层的所述氧化钨薄膜进行刻蚀，以形成与所述目标图形匹配的氧化钨刻蚀结包括三氟甲烷和氩气，所述三氟甲烷在所述混合气体中的占比范围为22.5%至74.1%,所述混合气体的流量为135-1551.53:1至3.3:1,所述氧化钨刻蚀结构的深宽比范围为10:1至23:1,所述氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为40-90度。刻蚀设备中的混合气体对具备掩膜层的氧化钨范围为22.5%至74.1%,混合气体的流量为135-155sccm,ICP功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1,氧化钨刻蚀结构的深宽比范围2在衬底上形成氧化钨薄膜；在所述氧化钨薄膜上形成具有目标图形的掩膜层；采用ICP刻蚀设备中的混合气体对具备所述掩膜层的所述氧化钨薄膜进行刻蚀，以形成与所述目标图形匹配的氧化钨刻蚀结构；在所述ICP刻蚀设备中，所述混合气体包括三氟甲烷和氩气，所述三氟甲烷在所述混合气体中的占比范围为22.5%至74.1%,所述混合气体的流量为135-155sccm,ICP功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1,所述氧化钨刻蚀结构的深宽比范围为10:1至23:1,所述氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为40-90度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三氟甲烷的流量为35-100sccm,所述氩气的流量为35-120sccm。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述三氟甲烷的流量为35sccm,所述氩气的流量为90sccm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用ICP刻蚀设备中的混合气体进行所述衬底的温度设为室温；所述ICP功率设为300-1000W;所述偏置功率设为100-500W;腔压设为0.6-3Pa。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ICP功率与所述偏置功率的比值为6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ICP功率设为660W,所述偏置功率设7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化钨刻蚀结构的刻蚀速率为1.55-8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上形成氧化钨薄膜的方法包括磁控溅射、气相沉积、原子层沉积以及湿法合成中的至少一种。9.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括如权利要求1-8中任一项所述的氧化钨刻蚀方法形成的氧化钨刻蚀结构。10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求9所述的半导体结构。3技术领域[0001]本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片。背景技术[0002]氧化钨薄膜因其优异的物理化学性质，在诸多高科技领域展现出极为重要的应用价值。在氧化钨薄膜上进行高深宽比、纳米级线宽的刻蚀，以构筑三维立体亚微米器件，此物医学以及柔性电子器件等多个领域具有广泛的应用前景。然而，目前针对制备此类具有纳米级线宽和高深宽比的氧化钨刻蚀结构的研究相对较少。发明内容[0003]本申请提供一种氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片，其解决了相关技术中难以实现纳米级线宽高深宽比的氧化钨刻蚀结构的技术问题，达到了提高器件性能和可靠性的技术效果。[0004]为了达到上述目的，本申请采用的主要技术方案包括：第一方面，本申请实施例提供一种氧化钨刻蚀方法，所述方法包括：在衬底上形成氧化钨薄膜；在所述氧化钨薄膜上形成具有目标图形的掩膜层；采用ICP刻蚀设备中的混合气体对具备所述掩膜层的所述氧化钨薄膜进行刻蚀，以形成与所述目标图形匹配的氧化钨刻蚀结构；在所述ICP刻蚀设备中，所述混合气体包括三氟甲烷和氩气，所述三氟甲烷在所述混合气体中的占比范围为22.5%至74.1%,所述混合气体的流量为135-155sccm,ICP功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1,所述氧化钨刻蚀结构的深宽比范围为10:1至23:1,所述氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为40-90度。[0005]本实施例提供的氧化钨刻蚀方法，包括：在衬底上形成氧化钨薄膜；在所述氧化钨薄膜上形成具有目标图形的掩膜层；采用ICP刻蚀设备中的混合气体对具备所述掩膜层的所述氧化钨薄膜进行刻蚀，以形成与所述目标图形匹配的氧化钨刻蚀结构；在所述ICP刻蚀设备中，所述混合气体包括三氟甲烷和氩气，所述三氟甲烷在所述混合气体中的占比范围为22.5%至74.1%,所述混合气体的流量为135-155sccm,ICP功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1,所述氧化钨刻蚀结构的深宽比范围为10:1至23:1,所述氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为40-90度，解决了相关技术中难以实现纳米级线宽高深宽比的氧化钨刻蚀结构的技术问题，提高了器件性能和可靠性。[0007]可选地，所述三氟甲烷的流量为35sccm,所述氩气的流量为90sccm。[0008]可选地，所述采用ICP刻蚀设备中的混合气体进行刻蚀，在以下条件下进行：所述衬底的温度设为室温；所述ICP功率设为300-1000W;所述偏置功率设为100-500W;腔压设为0.6-3Pa。4[0009]可选地，所述ICP功率与所述偏置功率的比值为1.53:1。[0010]可选地，所述ICP功率设为660W,所述偏置功率设为430W。[0011]可选地，所述氧化钨刻蚀结构的刻蚀速率为1.55-5.58nm/s。[0013]可选地，在衬底上形成氧化钨薄膜的方法包括磁控溅射、化学气相沉积、原子层沉积以及湿法合成中的至少一种。[0014]第二方面，本申请实施例提供一种半导体结构，所述半导体结构包括上述的氧化钨刻蚀方法形成的氧化钨刻蚀结构。[0015]第三方面，本申请实施例提供一种芯片，所述[0016]第四方面，本申请实施例提供一种电路，所述附图说明[0017]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。[0018]图1为本申请实施例提供的氧化钨刻蚀方法的流程图；图2为本申请实施例一提供的的氧化钨刻蚀结构的SEM图；图3为本申请实施例二提供的氧化钨刻蚀结构的SEM图；图4为本申请实施例三提供的氧化钨刻蚀结构的SEM图；图5为本申请对比例一提供的氧化钨刻蚀结构的SEM图；图6为本申请对比例二提供的氧化钨刻蚀结构的SEM图；图7为本申请对比例三提供的氧化钨刻蚀结构的SEM图。具体实施方式[0019]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。[0020]氧化钨薄膜因其优异的物理化学性质，在多个高科技领域具有重要的应用价值。通过在氧化钨薄膜上刻蚀具有纳米级线宽高深宽比的微纳结构，制作三维立体亚微米器件，可被广泛应用于各类器件领域包括电致变色器件、太阳能电池、光电探测器、高灵敏度气体传感器、能源存储器件、生物医学和柔性电子器件等等。目前，关于氧化钨纳米级线宽高深宽比刻蚀的研究较少。针对图案化氧化钨的刻蚀工艺，传统湿法刻蚀因其无方向性易导致横向刻蚀，严重影响刻蚀侧壁的形状和刻蚀精度。常规刻蚀采用的刻蚀气体为SF₆和CF₄,其与光刻胶的选择比低，且常规干法刻蚀中等离子体均匀性不足，难以在氧化钨薄膜中形成纳米级线宽的高深宽比结构。另外，常规刻蚀采用的Bosch工艺容易导致刻蚀侧壁粗糙度较大。由于技术瓶颈的限制，传统的刻蚀工艺难以兼容大尺寸晶圆(如12寸)的工业化生产需求。5[0021]其中，选择比是指目标材料与掩膜材料的刻蚀速率之比，选择比越高，刻蚀工艺对目标材料的针对性越强，掩膜材料的损耗越小，刻蚀工艺控制越精确。深宽比是指刻蚀结构的垂直深度与横向宽度的比值，高深宽比是指比值大于5。在MEMS(微机电系统)中，高深宽比结构可用于构建微型通道、储能单元或光学组件。[0022]本申请实施例提供了一种氧化钨刻蚀方法，通过优化刻蚀条件参数，包括刻蚀气体的选择、刻蚀气体的配比、功率耦合的协同调控，解决了相关技术中氧化钨材料在纳米尺度刻蚀过程中存在的各向异性不足、侧壁粗糙度超标等技术瓶颈，有利于提升半导体器件的集成密度及稳定性。[0023]需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。[0024]请参考图1,图1是本申请实施例提供的氧化钨刻蚀方法的流程图，如图1所示，该流程包括如下步骤：步骤S1,在衬底上形成氧化钨薄膜。[0025]其中，衬底可以是硅晶圆，玻璃或ITO等刚性衬底，也可以是柔性衬底(如PET,PI法合成的方式，在衬底上形成氧化钨薄膜。[0026]步骤S3,在所述氧化钨薄膜上形成具有目标图形的掩膜层。上设有目标图形。例如，在氧化钨薄膜上形成具有目标图形的光刻胶，包括：将光刻胶溶液滴在氧化钨薄膜表面，通过高速旋转使光刻胶均匀分布并形成光刻胶薄膜；通过曝光和显氧化钨薄膜表面沉积硬掩膜材料；在硬掩膜上涂覆一层光刻胶，通过曝光和显影在光刻胶上形成目标图形；通过刻蚀工艺，将光刻胶上的目标图形转移到硬掩膜上，然后将光刻胶去除，得到具有目标图形的硬掩膜。作为掩膜层，光刻胶和硬掩膜都能够实现高精度的图案转移，光刻胶相比硬掩膜能够更容易地被去除，且无需硬掩膜所需的沉积步骤。[0028]步骤S5,采用ICP刻蚀设备中的混合气体对具备所述掩膜层的所述氧化钨薄膜进行刻蚀，以形成与所述目标图形匹配的氧化钨刻蚀结构；在所述ICP刻蚀设备中，所述混合气体包括三氟甲烷和氩气，所述三氟甲烷在所述混合气体中的占比范围为22.5%至74.1%,所述混合气体的流量为135-155sccm,ICP功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1,所述氧化钨刻蚀结构的深宽比范围为10:1至23:1,所述氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为40-90度。[0029]其中，ICP设备是指电感耦合等离子体设备。通过具有目标图形的掩膜层对氧化钨薄膜进行刻蚀，形成与目标图形匹配的高深宽比的氧化钨刻蚀结构。这里的匹配是指，氧化钨刻蚀结构在薄膜表面上的形状与目标图形相似。氧化钨刻蚀结构的刻蚀线宽可达20nm,深宽比可达23:1。[0030]氧化钨可与卤素气体(F,Cl,Br基气体)反应生成相应挥发性的卤素化合物(WF₆、由于氟化钨的沸腾温度低于其它卤素化合物，故一般采用F基气体进行干法刻蚀氧化钨。在本申请实施例中，ICP刻蚀设备中采用三氟甲烷和氩6气的混合气体，通过三氟甲烷的化学反应和氩气的物理轰击，两者协同刻蚀氧化钨。具体的，利用三氟甲烷中的氟离子与氧化钨反应，生成挥发性产物，推动刻蚀；三氟甲烷中的碳元素可形成含氟碳聚合物(如CF₂),钝化侧壁，抑制横向刻蚀，增强各向异性；利用高能的氩离子轰击氧化钨材料，通过物理溅射增强刻蚀方向性，打破表面化学键。[0031]混合气体中的三氟甲烷和氩气的流量比例对形成的深沟槽的结构有显著影响。三氟甲烷和氩气的流量比例影响刻蚀气体在硅片表面的分布均匀性。若比例不当，可能导致某些区域刻蚀气体浓度高、刻蚀速率快，而另一些区域浓度低、刻蚀速率慢，造成沟槽深度和形状的不均匀。通过调整三氟甲烷与所述氩气的比值，可以优化等离子的特性，提高刻蚀效率和刻蚀质量。[0032]ICP功率用于改变等离子体的密度，IPC功率增加时，等离子体的密度和离子通量也随之增加，从而提高刻蚀速率。偏置功率用于调节等离子体的轰击能力，偏置功率增加时，离子的轰击能量增大，刻蚀速率明显提高，但较高的偏置功率可能导致掩膜的快速消匀性以及ICP设备的限制等因素。通过调控ICP功率和偏置功率的比值，可实现对刻蚀过程的有效调控，优化刻蚀侧壁的形貌和均匀性。[0033]通过改变刻蚀条件，可改变氧化钨刻蚀结构的深宽比以及刻蚀侧壁的倾斜角，以适应不同的工艺需求。优选的，刻蚀侧壁的倾斜角可达到垂直侧壁的技术效果。通过上述刻蚀条件，在氧化钨薄膜上实现了纳米级线宽高深宽比沟槽的刻蚀，有利于增加器件存储密[0034]在一些实施例中，在所述混合气体中，所述三氟甲烷的流量为35-100sccm,所述氩气的流量为35-120sccm。[0035]其中，当三氟甲烷的流量增加时，三氟甲烷在混合气体中的占比随之增加，率加快。三氟甲烷在进行刻蚀时，会产生一些副产物沉积在沟槽侧壁，形成保护层，防止过度刻蚀。若三氟甲烷流量过高，三氟甲烷在混合气体中的占比过高，则产生的副产物过多，保护层过厚，会使侧壁刻蚀不足，沟槽侧壁出现倾斜或不平整，这些副产物如果不能及时被清除，反而会降低刻蚀速率，导致深宽比受限；当三氟甲烷流量过低，三氟甲烷在混合气体中的占比过低，则产生的副产物不足，对侧壁的保护也不足，侧壁易被过度刻蚀，导致侧壁粗糙或出现凹陷。当氩气流量增加时，刻蚀速率虽有所提升，但对沟槽侧壁的轰击也会加剧，导致侧壁损伤，甚至出现不规则形状。氩气的轰击有助于清理侧壁副产物，但流量过高会破坏保护层，使侧壁失去保护而被过度刻蚀，导致侧壁倾斜或不规则。氩气的离子轰击均匀性也受流量影响。氩气流量过高，离子轰击能量和方向性变化大，导致不同区域的刻蚀效过控制三氟甲烷和氩气的流量范围，以及三氟甲烷在混合气体中的占比，以实现较高的刻[0036]在一些实施例中，所述三氟甲烷的流量为35sccm,所述氩气的流量为90sccm。[0037]其中，三氟甲烷的流量为35sccm,氩气的流量为90sccm,为优选参数，可用于实现较高的选择比和更高的深宽比。[0038]在一些实施例中，所述采用ICP刻蚀设备中的混合气体进行刻蚀，在以下条件下进行：所述衬底的温度设为室温；所述ICP功率设为300-1000W;所述偏置功率设为100-5007W;腔压设为0.6-3Pa。[0039]其中，ICP功率是指ICP射频源功率，偏置功率是指偏置射频功率，腔压是指工艺腔室压力。衬底温度会影响化学反应速率，从而影响刻蚀速率。对于以光刻胶为掩膜的低温工艺，衬底温度过高可能导致光刻胶软化变形或碳化，影响刻蚀图形的精度。ICP功率主要影响等离子体密度和离子通量，从而影响刻蚀速率和深度。较高的ICP功率能加快刻蚀速率，一定阈值后，侧壁下部可能出现弯曲，反而破坏侧壁的垂直度。偏置功率的大小能够影响刻蚀的方向性和形貌，较高的偏置功率有助于实现更垂直的刻蚀形貌，但过高的偏置功率会导致侧壁的过度刻蚀或损伤，影响刻蚀均匀性。腔压的大小会影响等离子体的密度和粒子的平均自由程。较低的腔压通常会提高粒子的方向性和刻蚀的各向异性，从而改善刻蚀速率和形貌。[0040]在一些实施例中，所述ICP功率与所述偏置功率的比值为1.53:1。[0041]其中，ICP功率和偏置功率的比值可用于调节沟槽侧壁的倾斜角，实现等离子体密度与离子轰击能量的动态平衡。当ICP功率和偏置功率的比值降低时，侧壁的倾斜角度增加。当ICP功率和偏置功率的比值为1.53时，氧化钨刻蚀结构侧壁的倾斜角达到90度，实现了垂直侧壁的技术效果。而具有垂直侧壁的氧化钨刻蚀结构，直接关系到器件性能和可靠性，满足先进半导体和微系统器件的苛刻要求。[0042]请参考图2,图2为本申请实施例一提供的的氧化钨刻蚀结构的SEM图，其中，ICP功率是偏置功率的2倍。请参考图3,图3为本申请实施例二提供的氧化钨刻蚀结构的SEM图，其中，ICP功率是偏置功率的1.53倍。在ICP功率和偏置功率的比值下降时，侧壁倾斜角会增随着ICP功率与偏置功率的比值的升高，会有更多的聚合物沉积在沟槽中，偏置功率的降低减弱了离子轰击能力，沟槽侧壁上留下更多的副产物，从而不可避免地形成锥形侧壁，侧壁倾斜角降低。通过调控ICP功率和偏置功率的比值，控制或调节刻蚀侧壁的倾斜角，可适用于不同的微纳结构加工需求。[0043]在一些实施例中，所述氧化钨刻蚀结构的刻蚀速率为1.55-5.58nm/s。[0044]其中，氧化钨刻蚀速率的选择需根据器件类型、结构复杂度及工艺目标动态调整。较高的刻蚀速率有利于缩短工艺时间，降低单位成本，但控制精度下降；较低的刻蚀速率更适合高精度或复杂结构的加工。在刻蚀氧化钨刻蚀结构的过程中，刻蚀用时为氧化钨薄膜的厚度与刻蚀速率的比值。[0046]其中，光刻胶相比硬掩膜能够更容易地被去除，且无需硬掩膜所需的沉积步骤。硬掩膜相比光刻胶具有更高的物理硬度和化学稳定性，可承受高能离子轰击，减少掩膜损耗。在掩膜层为硬掩膜的情况下，三氟甲烷的流量可提高至100sccm,以增强选择比，偏置功率可扩展至430W,以适应不同刻蚀速率需求。[0047]本实施例提供的氧化钨刻蚀方法，包括：在衬底上形成氧化钨薄膜；在所述氧化钨薄膜上形成具有目标图形的掩膜层；采用ICP刻蚀设备中的混合气体对具备所述掩膜层的所述氧化钨薄膜进行刻蚀，以形成与所述目标图形匹配的氧化钨刻蚀结构；在所述ICP刻蚀8设备中，所述混合气体包括三氟甲烷和氩气，所述三氟甲烷在所述混合气体中的占比范围为22.5%至74.1%,所述混合气体的流量为135-155sccm,ICP功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1,所述氧化钨刻蚀结构的深宽比范围为10:1至23:1,所述氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为40-90度，解决了相关技术中难以实现纳米级线宽高深宽比的氧化钨刻蚀结构的技术问题，提高了器件性能和可靠性，下面结合实施例和对比例具体说明。S110,采用磁控溅射的方式，在12寸的硅晶圆上沉积500nm厚度的氧化钨薄膜。[0049]S130,在氧化钨薄膜上旋涂400nm厚度的光刻胶(ZEP520A),经曝光显影后形成线[0050]S150,采用ICP刻蚀，刻蚀气体为三氟甲烷和氩气，其中，三氟甲烷的流量设为35660W,偏置功率为330W;腔压为0.9Pa;氧化钨刻蚀速率为3nm/s,刻蚀时间为2分钟38[0051]S170,去掉光刻胶掩膜。利用去胶机去除光刻胶，使用IPA(异丙醇)进行超声清洗，最后用氮气吹干。[0052]如图2所示，氧化钨刻蚀结构的刻蚀深度达472nm,线宽为40nm,深宽比为11:1,氧化钨与ZEP520A刻蚀选择比为1.65:1,侧壁倾斜角为86度。S210,采用磁控溅射的方式，在12寸的硅晶圆上沉积500nm厚度的氧化钨薄膜。[0054]S230,在氧化钨薄膜上旋涂400nm厚度的光刻胶(ZEP520A),经曝光显影后形成线[0055]S250,采用ICP刻蚀，刻蚀气体为三氟甲烷和氩气，其中，三氟甲烷的流量设为35率设为660W,偏置功率设为430W;腔压设为0.9Pa;氧化钨刻蚀速率为3.57nm/s,刻蚀时[0056]S270,去掉光刻胶掩膜。利用去胶机去除光刻胶，使用IPA(异丙醇)进行超声清洗，最后用氮气吹干。[0057]如图3所示，氧化钨刻蚀结构的刻蚀深度达400nm,刻蚀线宽为1微米，侧壁倾斜角为90度。由于氧化钨的刻蚀速率主要受ICP刻蚀条件的影响，深宽比由氧化钨薄膜的厚度和刻蚀线宽共同决定。为获得高深宽比的氧化钨刻蚀结构，可采用更小线宽图案的掩膜，也可采用更耐刻蚀的硬掩模和更厚的氧化钨进行刻蚀。下面将介绍采用更小线宽图案的光刻胶掩膜进行氧化钨刻蚀的实施过程：S310,采用磁控溅射的方式，在12寸的硅晶圆上沉积500nm厚度的氧化钨薄膜。[0059]S330,在氧化钨薄膜上旋涂400nm厚度的光刻胶(ZEP520A),经曝光显影后形成线[0060]S350,采用ICP刻蚀，刻蚀气体为三氟甲烷和氩气，其中，三氟甲烷的流量设为35sccm,氩气的流量设为90sccm。其中，ICP刻蚀条件包括；衬底温度为室温20℃;IC9660W,偏置功率为330W;腔压为0.9Pa;氧化钨刻蚀速率为3nm/s,刻蚀时间为2分钟38[0061]S370,去掉光刻胶掩膜。利用去胶机去除光刻胶，使用IPA(异丙醇)进行超声清洗，最后用氮气吹干。[0062]请参考图4,图4为本申请实施例三提供的氧化钨刻蚀结构的SEM图。如图4所示，氧化钨刻蚀结构的刻蚀深度达472nm,线宽为20nm,深宽比为23:1,氧化钨与ZEP520A刻蚀选择比为1.65:1,侧壁倾斜角为86度。[0063]对比例一S11,采用磁控溅射的方式，在12寸的硅晶圆上沉积500nm厚度的氧化钨薄膜。[0064]S13,在氧化钨薄膜上旋涂光刻胶(ZEP520A),经曝光显影后形成线宽为200nm的目标图形。的流量设为42sccm,氩气的流量设为15sccm。其中，ICP刻蚀条件包括：所述衬底的温度设为室温20℃;所述ICP功率设为450W,所述偏置功率设为80W;腔压设为2.4mTorr;刻蚀时间为1分钟5秒。[0066]请参考图5,图5为本申请对比例一提供的氧化钨刻蚀结构的SEM图。如图5所示，氧化钨刻蚀结构的刻蚀深度为153nm,深宽比为0.76,氧化钨与ZEP520A刻蚀选择比为0.44:[0067]对比例二S21,采用磁控溅射的方式，在12寸的硅晶圆上沉积500nm厚度的氧化钨薄膜。[0068]S23,在氧化钨薄膜上旋涂光刻胶(ZEP520A),经曝光显影后形成线宽为200nm的目标图形。[0069]S25,采用ICP刻蚀，刻蚀气体为四氟化碳(CF₄)和氩气的混合气体的流量设为35sccm,氩气的流量设为90sccm。其中，ICP刻蚀条件包括：所述衬底的温度设为室温20℃;所述ICP功率设为660W,所述偏置功率设为430W;腔压设为0.9Pa;刻蚀时间为1分钟35秒。[0070]请参考图6,图6为本申请对比例二提供的氧化钨刻蚀结构的SEM图。如图6所示，氧化钨刻蚀结构的刻蚀深度为186nm,深宽比为1:1,氧化钨与ZEP520A刻蚀选择比为1.21:1。[0071]对比例三S31,采用磁控溅射的方式，在12寸的硅晶圆上沉积500nm厚度的氧化钨薄膜。[0072]S33,在氧化钨薄膜上旋涂光刻胶(ZEP520A),经曝光显影后形成线宽为1um的目标图形。设为室温20℃;所述ICP功率设为660W,所述偏置功率设为430W;腔压设为0.9Pa;刻蚀时间为2分钟8秒。[0074]请参考图7,图7为本申请对比例三提供的氧化钨刻蚀结构的SEM图。如图7所示，氧化钨刻蚀结构的刻蚀宽度为1um,因聚合物堆积导致底部刻蚀不平整，出现锥体。[0075]综上，对比例一提供的六氟化硫和对比例二提供的四氟化碳是高氟含量气体，在刻蚀氧化钨时，氟和氧化钨反应生成氟化钨，刻蚀速率高，但副产物中聚合物生成量极少。由于缺乏聚合物沉积，光刻胶或硬掩膜直接暴露于氟自由基中，导致掩膜被快速刻蚀，氧化钨与掩膜的刻蚀速率比值低，掩膜过早失效，无法支撑高深宽比刻蚀。对比例三提供的二氟甲烷是高碳氢含量气体，因其重聚合物特性，等离子体分解后生成大量的碳氟聚合物，聚合物沉积在刻蚀表面和掩膜上，形成保护层。聚合物的沉积能显著减低掩膜的刻蚀