CN120116125B 一种半导体晶圆边缘抛光装置及其抛光方法 （艾庞半导体科技(四川)有限公司）

(19)国家知识产权局(12)发明专利(65)同一申请的已公布的文献号(73)专利权人艾庞半导体科技(四川)有限公司地址629000四川省遂宁市遂宁高新区云锦路8号1栋2楼202室(72)发明人周磊丁媛侯斌周富审查员廖柯伊(74)专利代理机构北京金硕果知识产权代理事务所(普通合伙)11259专利代理师徐海东一种半导体晶圆边缘抛光装置及其抛光方法本发明涉及半导体晶圆加工技术领域，具体为一种半导体晶圆边缘抛光装置及其抛光方法，明首先通过基准板的基准面作为放置过程中的放置基准，确保了晶圆位置的精准度，保证了加工精度，其次通过辅压部平衡晶圆在加工处抛光产生的作用力，避免晶圆受力不平衡导致其出现损坏的问题，以及通过控制升降板下移的距离，严格控制磨盘靠近磨盘的移动距离，避免在移动接触晶圆的过程中磨盘施加在晶圆上的应力过大，同时避免磨盘与晶圆过度接触导致晶圆过度2作业平台，所述作业平台上固定设置有三个平台板，作业平台上设置有抛光机构，抛光机构包括承托板，作业平台上转动设置有三个用于承托放置晶圆的承托板，作业平台上设置有用于将晶圆压在承托板上的下压板；所述平台板上设置有用于对晶圆边缘抛光的抛光部，抛光部包括用于抛光晶圆边缘的磨盘，作业平台上设置有用于承托并定位晶圆的定位单元；所述作业平台上设置有驱动部，驱动部驱使定位单元对晶圆进行定位锁紧并驱动磨盘移动指定距离对晶圆进行边缘抛光；所述定位单元包括基准板，作业平台上设置有上下滑动的基准板，基准板朝向三个平台板的端面从上至下依次为避让面和基准面，避让面和基准面的轴线与承托板轴线共线，基准面与晶圆相对时，以晶圆贴合基准面作为放置基准，避让面与晶圆相对时，对晶圆进行边缘抛光；所述基准板上设置有辅压部，通过辅压部维持晶圆上自磨盘与晶圆接触点至基准板之间的受力平衡。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆边缘抛光装置，其特征在于：所述平台板上沿作业平台径向滑动设置有框形架，框形架上转动设置有轴线竖直的打磨轴，磨盘固定套设于打磨轴上，驱动部包括自转电机，所述作业平台上端面固定设置有与承托板一一对应且用于驱动承托板转动的自转电机，作业平台下端面转动设置有齿圈，作业平台下端面通过传动轴转动设置有与齿圈啮合且与打磨轴一一对应的传动齿轮，传动轴与相邻打磨轴之间通过传动皮带连接配合，作业平台下侧通过驱动轴转动设置有与齿圈啮合的驱动齿轮，驱动轴与安装在作业平台上的驱动电机连接。3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆边缘抛光装置，其特征在于：所述作业平台上固定设置有与作业平台共轴线的固定杆，基准板上下滑动套设于固定杆上，作业平台上转动设置有套设于固定杆上的转动板，转动板与作业平台之间共同固定设置有涡卷弹簧，转动板上固定设置有三个周向分布的连接板，作业平台上滑动设置有与对应连接板固定连接的滑动块，滑动块上设置有用于使对应传动皮带紧绷的撑开轮，作业平台上设置有用于锁定传动皮带紧绷状态的锁定部。4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆边缘抛光装置，其特征在于：所述定位单元还包括升降板，固定杆上套设有上下滑动的升降板，升降板位于基准板的上方，升降板的三个分支上均上下滑动贯穿设置有下压柱，下压板转动设置于下压柱的下端面，下压板和升降板之间共同设置有套设在下压柱上的施压弹簧。5.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆边缘抛光装置，其特征在于：所述锁定部包括锁定槽，连接板上开设有锁定槽，升降板上通过连接架固定设置有与锁定槽配合的锁定柱，锁定柱插入锁定槽内锁定连接板和滑动块，维持传动皮带紧绷的传动状态。6.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆边缘抛光装置，其特征在于：所述升降板的下端面固定设置有套设于固定杆上且用于推动基准板下移的推动筒，固定杆上固定套设有位于基准板下方的安装圆板，安装圆板与基准板之间共同固定设置有套设于固定杆上的承托弹簧。7.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆边缘抛光装置，其特征在于：所述辅压部包括3下压块，避让面固定设置有下压块，下压块的下端面转动设置有多个以对应避让面弧面轴线为中心呈周向分布的辅压辊。8.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆边缘抛光装置，其特征在于：所述平台板上沿作业平台径向滑动设置有滑动框，滑动框与平台板之间共同固定设置有复位弹簧，滑动框内沿其滑动方向滑动设置有移动块，框形架固定设置于移动块上，移动块与滑动框之间共同固定设置有补位弹簧，通过补位弹簧适配补偿边缘磨损后损失的移动距离，驱动部还包括楔形块，滑动框上固定设置有楔形块，楔形块的斜面从平台板至作业平台方向向上倾斜，升降板的三个分支均固定设置与对应楔形块配合的配合板。9.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆边缘抛光装置，其特征在于：所述升降板的三个分支上均沿对应长度方向滑动设置有适配框，适配框与升降板之间也共同固定有复位弹簧，适配框内滑动设置有适配块，适配块与适配框之间也固定设置有补位弹簧，适配块的下端面通过水平板固定设置有两个位于升降板对应分支两侧且轴线竖直的插接杆，框形架的水平段开设有与插接杆对应的插接槽。10.一种半导体晶圆边缘抛光方法，由权利要求1至9中任意一项所述的一种半导体晶S1、放置晶圆：由机械手抓取晶圆并将晶圆放置在对应的承托板上，并使得晶圆周向面与基准板上对应的基准面紧贴，完成对晶圆的定位放置过程；S2、锁定晶圆：在晶圆被放置在承托板上后，定位单元带动下压板同步下移，并压住对应晶圆；S3、脱离避让：在下压板压住晶圆时，推动基准板下移，使得基准面脱离与晶圆周向面接触的状态，避让晶圆的抛光过程，其次驱动部使得磨盘均靠近晶圆，最终磨盘移动至指定S4、边缘抛光：驱动部工作使得磨盘和晶圆同步转动，且二者转动方向相反，磨盘对晶圆的周向边缘进行抛光打磨。4一种半导体晶圆边缘抛光装置及其抛光方法技术领域[0001]本发明涉及半导体晶圆加工技术领域，具体为一种半导体晶圆边缘抛光装置及其抛光方法。背景技术[0002]半导体晶圆是制造半导体器件的基础材料，通常由高纯度的单晶硅制成，因为晶圆边缘区域容易成为应力集中的地方，在后续工艺步骤中可能会导致裂纹的产生或扩展，在晶圆切割和处理过程中，边缘可能会产生一些微小损伤或缺陷，因此在半导体晶圆加工过程中，需要对晶圆的边缘进行打磨抛光。[0003]目前晶圆常见的边缘抛光方法包括机械抛光和化学机械抛光，其中机械抛光作业过程主要利用磨盘(磨料)对晶圆边缘处进行打磨抛光，目前机械抛光作业过程中首先将晶圆进行固定，之后移动磨盘对晶圆进行边缘打磨，使得晶圆边缘形成所需的圆弧状，参阅图[0004]上述作业过程中存在以下问题：对于晶圆和磨盘相互靠近的过程，没有对二者移动距离进行严格限定，因而磨盘会对晶圆产生较大的机械应力，同时该磨盘对晶圆产生的应力无法进行平衡，因此晶圆受力不平衡，故易导致晶圆出现损坏，影响最终产品器件的可靠性，其次易导致对晶圆抛光过度，影响后续半导体晶圆光刻过程中的对接精度。发明内容[0005]基于此，有必要提供一种半导体晶圆边缘抛光装置，旨在解决上述现有技术的问[0006]本申请提供一种半导体晶圆边缘抛光装置，包括：作业平台，所述作业平台上固定设置有三个平台板，作业平台上设置有抛光机构，抛光机构包括与平台板一一对应的承托板，作业平台上转动设置有三个承托板，作业平台上设置有用于将晶圆压在承托板上的下[0007]所述平台板上设置有用于对晶圆边缘抛光的抛光部，抛光部包括用于抛光晶圆边缘的磨盘，作业平台上设置有用于承托并定位晶圆的定位单元。[0008]所述作业平台上设置有驱动部，驱动部驱使定位单元对晶圆进行定位锁紧并驱动磨盘移动指定距离对晶圆进行边缘抛光作业。[0009]所述定位单元包括基准板，作业平台上设置有上下滑动的基准板，基准板朝向三个平台板的端面从上至下依次为弧形的避让面和弧形的基准面，避让面和基准面的轴线与承托板轴线共线。[0010]所述基准板上设置有辅压部，通过辅压部维持晶圆上自磨盘与晶圆接触点至基准板之间的受力平衡。[0011]根据有利的实施例，所述平台板上沿作业平台径向滑动设置有框形架，框形架上转动设置有轴线竖直的打磨轴，磨盘固定套设于打磨轴上，驱动部包括自转电机，所述作业5平台上端面固定设置有与承托板一一对应且用于驱动承托板转动的自转电机，作业平台下端面转动设置有齿圈，作业平台下端面通过传动轴转动设置有与齿圈啮合且与打磨轴一一对应的传动齿轮，传动轴与相邻打磨轴之间通过传动皮带连接配合，作业平台下侧通过驱动轴转动设置有与齿圈啮合的驱动齿轮，驱动轴与安装在作业平台上的驱动电机连接。[0012]根据有利的实施例，所述作业平台上固定设置有与作业平台共轴线的固定杆，基准板上下滑动套设于固定杆上，作业平台上转动设置有套设于固定杆上的转动板，转动板与作业平台之间共同固定设置有涡卷弹簧，转动板上固定设置有三个周向分布的连接板，作业平台上滑动设置有与对应连接板固定连接的滑动块，滑动块上设置有用于使对应传动皮带紧绷的撑开轮，作业平台上设置有用于锁定传动皮带紧绷状态的锁定部。[0013]根据有利的实施例，所述定位单元还包括升降板，固定杆上套设有上下滑动的升降板，升降板位于基准板的上方，升降板的三个分支上均上下滑动贯穿设置有下压柱，下压板转动设置于下压柱的下端面，下压板和升降板之间共同设置有套设在下压柱上的施压弹[0014]根据有利的实施例，所述锁定部包括锁定槽，连接板上开设有锁定槽，升降板上通过连接架固定设置有与锁定槽配合的锁定柱，锁定柱插入锁定槽内锁定连接板和滑动块，维持传动皮带紧绷的传动状态。[0015]根据有利的实施例，所述升降板的下端面固定设置有套设于固定杆上且用于推动基准板下移的推动筒，固定杆上固定套设有位于基准板下方的安装圆板，安装圆板与基准板之间共同固定设置有套设于固定杆上的承托弹簧。[0016]根据有利的实施例，所述辅压部包括下压块，避让面固定设置有下压块，下压块的下端面转动设置有多个以对应避让面弧面轴线为中心呈周向分布的辅压辊。[0017]根据有利的实施例，所述平台板上沿作业平台径向滑动设置有滑动框，滑动框与平台板之间共同固定设置有复位弹簧，滑动框内沿其滑动方向滑动设置有移动块，框形架固定设置于移动块上，移动块与滑动框之间共同固定设置有补位弹簧，通过补位弹簧适配补偿边缘磨损后损失的移动距离，驱动部还包括楔形块，滑动框上固定设置有楔形块，楔形块的斜面从平台板至作业平台方向向上倾斜，升降板的三个分支均固定设置与对应楔形块配合的配合板。[0018]根据有利的实施例，所述升降板的三个分支上均沿对应长度方向滑动设置有适配框，适配框与升降板之间也共同固定有复位弹簧，适配框内滑动设置有适配块，适配块与适配框之间也固定设置有补位弹簧，适配块的下端面通过水平板固定设置有两个位于升降板对应分支两侧且轴线竖直的插接杆，框形架的水平段开设有与插接杆对应的插接槽。[0019]综上所述，本发明包括以下至少一种有益效果：一、本发明首先通过基准板的基准面作为放置过程中的放置基准，确保了晶圆位置的精准度，保证了加工精度，其次通过辅压部平衡晶圆在加工处抛光产生的作用力，避免晶圆受力不平衡导致其出现损坏，以及通过控制升降板下移的距离，严格控制磨盘靠近磨盘的移动距离，避免在移动接触晶圆的过程中磨盘施加在晶圆上的应力过大，同时避免磨盘与晶圆过度接触导致晶圆过度抛光。[0020]二、本发明中的基准板上的基准面作为晶圆放置过程中的放置基准，提高晶圆放置位置的精准度，同时在其下移后基准板的避让面与晶圆相对，避让晶圆，避免晶圆在旋转抛光过程中与基准板接触而受到干扰影响抛光，提高了晶圆在抛光过程中的稳定性。6[0021]三、本发明中通过插接杆插入对应插接槽内，完成框形架上侧方向内的对接，使得框形架在移动的过程中的稳定性得到提高，最终使得升降板的分支与平台板形成上下两侧的维稳框架，故间接提高了磨盘打磨时的稳定性。附图说明[0022]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。[0023]图1示出了根据本发明实施例提供的一种半导体晶圆边缘抛光装置的立体结构示意图。[0024]图2示出了根据本发明实施例提供的作业平台、升降板和辅压部之间的立体结构示意图。[0025]图3示出了根据本发明实施例提供的下压板、升降板和配合板之间的局部剖视立体结构示意图。[0026]图4示出了根据本发明实施例提供的图3中A处的放大图。[0027]图5示出了根据本发明实施例提供的楔形块、推动筒和升降板之间的右视图。[0028]图6示出了根据本发明实施例提供的涡卷弹簧、升降板和连接板之间的局部剖视立体示意图。[0029]图7示出了根据本发明实施例提供的图6中B处的放大图。[0030]图8示出了根据本发明实施例提供的基准板、升降板和补位弹簧之间的局部剖视立体示意图。[0031]图9示出了根据本发明实施例提供的晶圆和磨盘之间的接触过程示意图。具体实施方式[0033]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。[0034]如图1、图2和图3所示，一种半导体晶圆边缘抛光装置，包括：作业平台1,所述作业平台1上固定设置有三个周向分布的平台板10,作业平台1上设置有抛光机构2,抛光机构2包括与平台板10一一对应的承托板20,作业平台1上通过L形架转动设置有三个周向分布且7用于承托放置晶圆的承托板20,作业平台1上设置有用于将晶圆压在承托板20上的下压板[0035]如图1、图2和图3所示，所述平台板10上设置有用于对晶圆边缘抛光的抛光部3,抛光部3包括磨盘30,作业平台1上设置有用于承托并定位晶圆的定位单元4。[0036]如图2和图3所示，所述作业平台1上设置有驱动部5,驱动部5驱使定位单元4对晶圆进行定位锁紧并驱动磨盘30对晶圆进行边缘抛光作业。[0037]如图3所示，所述定位单元4包括基准板40,作业平台1上固定设置有与作业平台1共轴线的固定杆，固定杆套设有上下滑动的基准板40,参阅图3和图8,基准板40朝向三个平台板10的端面从上至下依次为弧形的避让面41和弧形的基准面42,避让面41和基准面42的轴线与承托板20轴线共线，基准面42与晶圆相对时，以晶圆贴合基准面42作为放置基准，避让面41与晶圆相对时，对晶圆进行边缘抛光；为了减少基准板40下移过程中与晶圆之间产硅和硅等材料。[0038]如图2和图3所示，所述基准板40上设置有辅压部6,通过辅压部6维持晶圆上自磨盘30与晶圆接触点至基准板40之间的受力平衡。[0039]需要说明的是，由于半导体晶圆非常脆弱且容易受到微粒、化学物质和静电的影响，故在取放半导体晶圆的过程中由机械手(属于现有技术)进行作业，在边缘抛光作业前，由机械手抓取晶圆，并将晶圆放置在承托板20上，之后再进行定位以及边缘抛光，为了保护晶圆加工环境的无污染性，作业平台1上端面设置有能够进行上下滑动的保护罩，在放置晶圆和取出晶圆的过程中保护罩上移进行避让，保护罩下移后，通过保护罩在晶圆加工时保[0040]工作时，三块晶圆被放置在承托板20上，并由机械手控制晶圆位置，使得晶圆的边缘紧贴基准板40的基准面42,此时磨盘30的轴线与对应承托板20的轴线重合，完成承托板20的定位作业，之后驱动部5工作，首先使得下压板21下移压住部5使得三个抛光部3中的磨盘30均靠近相应晶圆，最终磨盘30移动至与晶圆接触，之后驱动部5使得磨盘30和晶圆同步转动，且二者转动方向相反，磨盘30对晶圆的周向边缘进行抛光打磨，其次在下压板21压住晶圆的过程中，基准板40下移，基准板40的基准面42随着基准板40的下移移动至晶圆的下方，最终基准板40的避让面41与晶圆相对，基准板40的基准面42与晶圆错开，避免基准板40对晶圆的旋转抛光过程产生摩擦影响，其次辅压部6压住晶[0041]如图2、图3、图5、图6和图7所示，所述平台板10上沿作业平台1径向滑动设置有框形架31,框形架31上转动设置有轴线竖直的打磨轴32,磨盘30固定套设于打磨轴32上，驱动部5包括自转电机，所述作业平台1上端面固定设置有与承托板20一一对应且用于驱动对应承托板20转动的自转电机，作业平台1下端面转动设置有齿圈51,作业平台1下端面通过传动轴转动设置有与齿圈51啮合且与打磨轴32一一对应的传动齿轮52,传动轴与相邻打磨轴32之间通过传动皮带53连接配合，作业平台1下侧通过驱动轴转动设置有与齿圈51啮合的驱动齿轮54,驱动轴与安装在作业平台1上的驱动电机连接。[0042]如图2、图6和图7所示，所述作业平台1上转动设置有套设于固定杆上的转动板，转动板与作业平台1之间共同固定设置有涡卷弹簧55,转动板上固定设置有三个周向分布的8连接板550,作业平台1上滑动设置有与对应连接板550固定连接的滑动块551,滑动块551上设置有用于使对应传动皮带53紧绷的撑开轮552,作业平台1上设置有用于锁定传动皮带53紧绷状态的锁定部56。[0043]如图1、图2和图6所示，所述定位单元4还包括升降板43,固定杆上套设有上下滑动且呈三叉状的升降板43,升降板43由外部电动导杆(图中未示出)驱动进行上下移动，锁定部56包括锁定槽560,连接板550上开设有锁定槽560,升降板43上通过连接架固定设置有与锁定槽560配合的锁定柱561,锁定柱561插入锁定槽560内锁定连接板550和滑动块551,维持传动皮带53紧绷的传动状态，为了配合后续磨盘30在抛光过程中的自适应移动过程，锁定槽560的孔径大于锁定柱561的直径。[0044]在晶圆被放置在承托板20上后，外部电动导杆工作，使得升降板43下移，升降板43下移，并使得三个磨盘30靠近晶圆，涡卷弹簧55在初始时处于形变状态，而在磨盘30靠近晶圆的过程中，打磨轴32同步靠近晶圆，通过涡卷弹簧55形变产生的弹力使得转动板通过连接板550带动滑动块551和撑开轮552自适应转动，并在该过程中使得传动皮带53初步维持紧绷状态，其次随着升降板43的持续下移，磨盘30接触晶圆并与对应的基准面42相互配合定位基准，同时下压板21压住晶圆，之后连接板550逐渐转动至对应锁定柱561的正下方，升降板43带动其上的锁定柱561插入对应锁定槽560内，最终锁定撑开轮552,维持传动皮带53的紧绷传动状态。[0045]在需要进行抛光作业时，驱动电机和自转电机同步作业，自转电机带动承托板20、晶圆和下压板21同步转动，驱动电机带动驱动齿轮54同步转动并通过驱动齿轮54与齿圈51之间的配合带动齿圈51同步转动，通过齿圈51与传动齿轮52之间的啮合，使得三个传动齿轮52带动传动轴同步转动，最终通过传动皮带53的传动作用使得三个打磨轴32均带动磨盘30同步转动，且磨盘30与晶圆转动方向相反，磨盘30对晶圆边缘进行抛光打磨。[0046]如图3所示，所述升降板43的三个分支均位于对应承托板20的正上方，升降板43位于基准板40的上方，升降板43的三个分支上均上下滑动贯穿设置有下压柱44,下压板21转动设置于下压柱44的下端面，为了避免对晶圆造成污染或损害，下压板21和承托板20接触晶圆的端面均由高纯度、低污染风险的材料制成，下压板21和升降板43之间共同设置有套设在下压柱44上的施压弹簧440,其中施压弹簧440可与下压板21转动连接或抵触在下压板21上，以免影响下压板21在抛光打磨过程中随晶圆进行转动的过程。[0047]如图5所示，所述升降板43的下端面固定设置有套设于固定杆上且用于推动基准板40下移的推动筒45,固定杆上固定套设有位于基准板40下方的安装圆板450,安装圆板450与基准板40之间共同固定设置有套设于固定杆上的承托弹簧451。[0048]如图2、图3和图4所示，所述辅压部6包括下压块60,避让面41固定设置有下压块60,下压块60的下端面转动设置有多个以对应避让面41弧面轴线为中心呈周向分布的辅压辊61,辅压辊61的材质与下压板21和承托板20的材质相同。[0049]如图3和图8所示，所述平台板10上沿作业平台1径向滑动设置有滑动框46,滑动框46与平台板10之间共同固定设置有复位弹簧460,滑动框46内沿其滑动方向滑动设置有移动块461,框形架31固定设置于移动块461上，移动块461与滑动框46之间共同固定设置有补位弹簧462,通过补位弹簧462适配补偿边缘磨损后损失的移动距离，驱动部5还包括楔形块57,滑动框46上固定设置有楔形块57,楔形块57的斜面从平台板10至作业平台1方向向上倾9斜，升降板43的三个分支均固定设置与对应楔形块57配合的配合板570。[0050]升降板43下移过程中，升降板43带动配合板570和下压板21同步下移，下压板21先于配合板570接触楔形块57过程接触晶圆，随着升降板43持续下移，施压弹簧440被压缩，通过施压弹簧440形变产生的弹力使得下压板21紧压晶圆，避免在后续基准板40下移避让过程中出现位置偏离的问题。[0051]随着升降板43持续下移，升降板43带动配合板570下移接触楔形块57,通过对楔形块57的斜面施压，使得楔形块57推动滑动框46移动，滑动块551带动移动块461、框形架31和磨盘30同步靠近基准板40,需要说明的是，升降板43下移的距离为设定值，即升降板43移动至最下侧位置处时，磨盘30与晶圆紧贴，且此时设置的补位弹簧462处于压缩状态，即磨盘30保持对晶圆有微小压紧力的状态(该压紧力的数值通过控制升降板43下移的距离进行控制，避免晶圆受力过大导致其出现损坏),至此完成晶圆抛光前的准备作业。[0052]额外需要说明的是，在下压板21紧压晶圆后，随着升降板43持续下移，升降板43带动其上的推动筒45逐渐接触基准板40,并逐渐推动基准板40下移，承托弹簧451被压缩，通过承托弹簧451被压缩产生的弹力便于后续基准板40上移复位，其次当升降板43下移至最下方的设定高度后，基准面42与晶圆错开、避让面41与晶圆相对，下压块60带动其上的辅压辊61压紧晶圆上端面，故此时仅有磨盘30与晶圆的周向面接触，辅压辊61、下压板21和承托板20与晶圆的上下面接触，避免晶圆在旋转抛光过程中受到外部干扰，通过辅压辊61的下压动作，与磨盘30打磨处形成两处相对的作用区域，维持晶圆在径向的受力平衡，综上提高了晶圆在抛光过程中的稳定性。[0053]如图8所示，所述升降板43的三个分支上均沿对应长度方向滑动设置有适配框47,适配框47与升降板43之间也共同固定有复位弹簧460,适配框47内滑动设置有适配块470,适配块470与适配框47之间也固定设置有补位弹簧462,适配块470的下端面通过水平板固定设置有两个位于升降板43对应分支两侧且轴线竖直的插接杆471,框形架31的水平段开设有与插接杆471对应的插接槽。[0054]在升降板43下移且配合板570还未与对应楔形块57接触时，升降板43带动其上的