2025年半导体GaN外延片（Epitaxy）制备能力考核试卷

2025年半导体GaN外延片（Epitaxy）制备能力考核试卷一、单项选择题（每题1分，共30题）1.GaN外延片制备中，哪种衬底材料最为常用？A.SiCB.sapphireC.GaAsD.Si2.MOCVD法制备GaN外延片时，常用的金属有机源是？A.BCl3B.GaH3C.AlH3D.NH33.MBE法制备GaN外延片时，生长温度通常在？A.500-700°CB.800-900°CC.1000-1100°CD.1200-1300°C4.GaN外延片中的缺陷主要有哪些类型？A.位错、堆垛层错B.空位、填隙原子C.A和BD.A和B都不是5.蓝光LED主要利用GaN的哪种发光特性？A.宽带隙B.高电子迁移率C.高热导率D.高化学稳定性6.GaN外延片制备中，氨气（NH3）的作用是什么？A.提供氮源B.提供氢源C.缓冲气体D.A和B7.温度对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.生长速率B.缺陷密度C.晶体质量D.A、B和C8.压力对GaN外延片生长的影响主要体现在？A.生长速率B.晶体质量C.缺陷类型D.A、B和C9.GaN外延片制备中，常用的缓冲层材料是？A.AlNB.InNC.GaND.AlGaN10.MOCVD法制备GaN外延片时，哪种气体常用作载气？A.H2B.N2C.ArD.He11.MBE法制备GaN外延片时，哪种设备最为关键？A.真空系统B.源料蒸发器C.控制系统D.A和B12.GaN外延片中的微管结构主要出现在哪种生长条件下？A.高温度B.高压力C.高生长速率D.A、B和C13.蓝光LED的发光效率主要受哪些因素影响？A.外延片质量B.芯片结构C.封装技术D.A、B和C14.GaN外延片制备中，常用的刻蚀方法是什么？A.干法刻蚀B.湿法刻蚀C.A和BD.A和B都不是15.温度对GaN外延片刻蚀速率的影响主要体现在？A.刻蚀深度B.刻蚀均匀性C.刻蚀速率D.A、B和C16.刻蚀过程中，常用的刻蚀气体是？A.CF4B.H2SO4C.NH3D.H217.GaN外延片制备中，常用的生长速率是多少？A.0.1-0.5μm/hB.0.5-1.0μm/hC.1.0-2.0μm/hD.2.0-3.0μm/h18.生长速率对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.缺陷密度B.晶体质量C.发光效率D.A、B和C19.GaN外延片制备中，常用的生长气氛是？A.N2B.ArC.H2D.A、B和C20.生长气氛对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.生长速率B.缺陷密度C.晶体质量D.A、B和C21.GaN外延片制备中，常用的生长压力是多少？A.1-10TorrB.10-100TorrC.100-1000TorrD.1000-10000Torr22.生长压力对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.生长速率B.缺陷密度C.晶体质量D.A、B和C23.GaN外延片制备中，常用的生长温度是多少？A.600-800°CB.800-1000°CC.1000-1200°CD.1200-1400°C24.生长温度对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.生长速率B.缺陷密度C.晶体质量D.A、B和C25.GaN外延片制备中，常用的生长源是什么？A.Ga、N源B.Al、In源C.A和BD.A和B都不是26.生长源对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.生长速率B.缺陷密度C.晶体质量D.A、B和C27.GaN外延片制备中，常用的生长方法是什么？A.MOCVDB.MBEC.CVDD.A、B和C28.生长方法对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.生长速率B.缺陷密度C.晶体质量D.A、B和C29.GaN外延片制备中，常用的生长时间是多少？A.1-10小时B.10-20小时C.20-30小时D.30-40小时30.生长时间对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.生长速率B.缺陷密度C.晶体质量D.A、B和C二、多项选择题（每题2分，共20题）1.GaN外延片制备中，常用的衬底材料有哪些？A.SiCB.sapphireC.GaAsD.Si2.MOCVD法制备GaN外延片时，常用的金属有机源有哪些？A.BCl3B.GaH3C.AlH3D.NH33.MBE法制备GaN外延片时，常用的生长条件有哪些？A.高真空B.高温度C.高生长速率D.高压力4.GaN外延片中的缺陷有哪些类型？A.位错B.堆垛层错C.空位D.填隙原子5.蓝光LED主要利用GaN的哪些发光特性？A.宽带隙B.高电子迁移率C.高热导率D.高化学稳定性6.GaN外延片制备中，常用的缓冲层材料有哪些？A.AlNB.InNC.GaND.AlGaN7.MOCVD法制备GaN外延片时，常用的气体有哪些？A.H2B.N2C.ArD.He8.MBE法制备GaN外延片时，常用的设备有哪些？A.真空系统B.源料蒸发器C.控制系统D.刻蚀设备9.GaN外延片中的微管结构主要出现在哪种生长条件下？A.高温度B.高压力C.高生长速率D.高载流子密度10.蓝光LED的发光效率主要受哪些因素影响？A.外延片质量B.芯片结构C.封装技术D.材料纯度11.GaN外延片制备中，常用的刻蚀方法有哪些？A.干法刻蚀B.湿法刻蚀C.超声波刻蚀D.等离子体刻蚀12.温度对GaN外延片刻蚀速率的影响主要体现在？A.刻蚀深度B.刻蚀均匀性C.刻蚀速率D.刻蚀选择性13.刻蚀过程中，常用的刻蚀气体有哪些？A.CF4B.H2SO4C.NH3D.H214.GaN外延片制备中，常用的生长速率有哪些？A.0.1-0.5μm/hB.0.5-1.0μm/hC.1.0-2.0μm/hD.2.0-3.0μm/h15.生长速率对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.缺陷密度B.晶体质量C.发光效率D.生长时间16.GaN外延片制备中，常用的生长气氛有哪些？A.N2B.ArC.H2D.He17.生长气氛对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.生长速率B.缺陷密度C.晶体质量D.生长温度18.GaN外延片制备中，常用的生长压力有哪些？A.1-10TorrB.10-100TorrC.100-1000TorrD.1000-10000Torr19.生长压力对GaN外延片质量的影响主要体现在？A.生长速率B.缺陷密度C.晶体质量D.生长气氛20.GaN外延片制备中，常用的生长温度有哪些？A.600-800°CB.800-1000°CC.1000-1200°CD.1200-1400°C三、判断题（每题1分，共20题）1.GaN外延片制备中，SiC衬底最为常用。（对）2.MOCVD法制备GaN外延片时，常用的金属有机源是GaH3。（对）3.MBE法制备GaN外延片时，生长温度通常在800-900°C。（对）4.GaN外延片中的缺陷主要有位错和堆垛层错。（对）5.蓝光LED主要利用GaN的宽带隙特性。（对）6.GaN外延片制备中，氨气（NH3）的作用是提供氮源。（对）7.温度对GaN外延片质量的影响主要体现在生长速率、缺陷密度和晶体质量。（对）8.压力对GaN外延片生长的影响主要体现在生长速率、晶体质量和缺陷类型。（对）9.GaN外延片制备中，常用的缓冲层材料是AlN。（对）10.MOCVD法制备GaN外延片时，常用的载气是N2。（对）11.MBE法制备GaN外延片时，真空系统最为关键。（对）12.GaN外延片中的微管结构主要出现在高生长速率条件下。（对）13.蓝光LED的发光效率主要受外延片质量、芯片结构和封装技术影响。（对）14.GaN外延片制备中，常用的刻蚀方法是干法刻蚀。（对）15.温度对GaN外延片刻蚀速率的影响主要体现在刻蚀深度、刻蚀均匀性和刻蚀速率。（对）16.刻蚀过程中，常用的刻蚀气体是CF4。（对）17.GaN外延片制备中，常用的生长速率是0.5-1.0μm/h。（对）18.生长速率对GaN外延片质量的影响主要体现在缺陷密度、晶体质量和发光效率。（对）19.GaN外延片制备中，常用的生长气氛是N2。（对）20.生长气氛对GaN外延片质量的影响主要体现在生长速率、缺陷密度、晶体质量和生长温度。（对）四、简答题（每题5分，共2题）1.简述MOCVD法制备GaN外延片的原理和主要步骤。答：MOCVD（金属有机化学气