DB3411∕T 0054-2024 《数显热电阻温度变送器射频电磁场测试方法》

ICS33.100.20

CCSN11

3411

滁州市地方标准

DB3411/T0054—2024

数显热电阻温度变送器射频电磁场测试方

法

Testmethodforradiofrequencyelectromagneticfieldimmunityofdigitaldisplay

thermistortemperaturetransmitters

2024-12-10发布2024-12-26实施

滁州市市场监督管理局发布

DB3411/T0054—2024

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由安徽中认倍佳科技有限公司提出。

本文件由滁州市市场监督管理局归口。

本文件起草单位：安徽中认倍佳科技有限公司、滁州市技术监督检测中心、安徽星联智控技术有限

公司、中国合格评定国家认可中心、滁州学院、晶峰集团股份有限公司。

本文件主要起草人：李旸、刘杰、王忠、侯明、方立勇、白采玉、马健、庞军、肖云田、许鹏。

I

DB3411/T0054—2024

数显热电阻温度变送器射频电磁场测试方法

1范围

本文件规定了工业过程测量用数显热电阻温度变送器的射频电磁场的测试程序和测试方法。

本文件适用于工业过程测量用的将热电阻信号装换为标准电流和/或电压的数字显示的温度变送器。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T17626.1电磁兼容试验和测量技术抗扰度试验总论

GB/T17626.3电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验

GB/T28473.1工业过程和控制系统用温度变速器第1部分：通用技术条件

GB/T28473.2工业过程和控制系统用温度变速器第2部分：性能评定方法

3术语和定义

GB/T17626.1、GB/T17626.3、GB/T28473.1、GB/T28473.2界定的术语和定义适用于本文件。

4试验条件

4.1一般要求

参照GB/T28473.2、GB/T17626.3的测试要求，本文件对数显热电阻温度变送器规定的射频电磁场

测试频率为80MHz～1000MHz，测试场强为10V/m。

4.2环境条件要求

4.2.1气候条件

气候条件要求如下:

——环境温度:20℃士2℃；

——相对湿度:60%～70%；

——大气压力:86kPa～106kPa；

——周围空气中无对铬、镍镀层、有色金属及其合金起腐蚀作用的介质,无易燃、易爆的物质。

4.2.2电磁环境

测试的电磁环境要求具有足够空间的均匀场域，局部安装吸收材料以使室内的反射减弱，测试应在

在电波暗室或半电波暗室中进行。

4.2.3供电电源

1

DB3411/T0054—2024

电源电压直流24V±10%，纹波≤±1.0%。

4.3试验设备

射频电磁场的测试设备宜使用下列试验设备。

4.3.1射频信号发生器

能够产生至少覆盖80MHz～1000MHz测试频带的信号,并能被80%调制深度的1kHz正弦波幅度调制。

注：为了避免谐波导致的问题,必要时采用低通或带通滤波器。

4.3.2功率放大器

用于放大信号(未调制的和调制的)并提供驱动天线达到所需的场强水平的功率设备。在UFA中测得

的功率放大器产生的各次谐波场强应比基波场强至少低6dB。

4.3.3场强发射天线

能够满足频率特性要求的双锥、对数周期、喇叭或其他线性极化天线系统。

4.3.4辅助设备

用于监测被测样品在射频电磁场试验中的工作状态，辅助设备不应产生干扰试验的信号且耐受

80MHz～1000MHz的10V/m的磁场。

5试验方法

5.1接线

在被测样品接通符合4.2.3要求的电源激励前，应仔细检查被测样品的接线端口的接线方式是否正

确。

被测样品的接线端口接线应足够牢固，不应有松动。连接被测装置的电缆或信号线应使用制造商规

定的线缆类型。如果制造商对此没有规定，则使用非屏蔽平衡导线进行连接。

5.2预热

被测样品接通电源后,应进行充足的预热，使其工作温度达到稳定。如果制造商对此时间的长短未

提出任何建议,按照被测样品工作稳定准则来进行预热,但预热时间不能少于30min。

5.3试验布置

5.3.1应在电波暗室或半电波暗室中进行试验布置，由样品布置和场地布置两部分组成，其具体的布

置应符合5.3.2和5.3.3的要求。

5.3.2样品布置

被测样品的布置应在接近实际安装配置条件下，按制造商推荐的安装要求进行安装,安装上所有盖

板和接口面板，并将被测样品布置在一个0.8m高的绝缘试验台上。

注：若被测样品是被设计安装在支架上,应选用不导电的非金属材料，例如硬聚苯乙烯等低绝缘常数(低介电常数)

的材料制作。

5.3.3场地布置

2

DB3411/T0054—2024

测试场地布置应参照GB/T17626.3中的布置要求，测试布置图见图1。若在半电波暗室中进行，应

在校准后的均匀场域铺设吸波材料。

5.4试验实施

在试验过程中，应使被测样品充分运行，测试步骤按照如下进行：

a)在测试前，检查校准场强的强度，确认测试设备是否处于正常工作状态；

b)扫频过程中的信号应使用GB/T17626.3中5.1和5.2中定义的调制信号；

c)扫频过程中频率增加步长不超过前一频率的1%。每一频率点上，幅度调制载波的扫描驻留时

间应不短于被测样品动作及响应所需的时间，且不得短于0.5s；

d)发射天线应在两种极化状态下对被测样品的每一侧面进行试验，一次在天线垂直极化位置，

另一次在天线水平极化位置；

e)在对被测样品每一侧面面进行射频电磁场测试的过程中，应通过辅助设备持续观察被测样品

的运行状态是否有异常。

图1射频电磁场测试布置图

5.5试验结果判定

试验结果应根据被测样品在试验中的功能丧失或性能降低现象进行等级判定,对于数显热电阻温度

变送器的射频电磁场辐射抗扰测试的性能水平判定不应低于B。试验结果等级判定依据如下：

a)在制造商、委托方或购买方规定的限值内性能正常工作，无超过被测装置精度的显示异变,判

为A；

b)功能或性能暂时丧失或降低,但在骚扰停止后能自行恢复,不需要操作者干预,判为B；

c)功能或性能暂时丧失或降低,但需要操作者干预,判为