2025年泛半导体光刻胶供应链发展研究

2025年泛半导体光刻胶供应链发展研究亿欧智库/researchCopyrightreservedtoEOIntelligence,December2025目录CONTENTS01

光刻胶材料现状分析1.1光刻胶背景及定义1.2市场规模1.3驱动因素1.4行业壁垒1.5行业图谱

02

光刻胶材料分析2.1光刻胶分类2.2PCB光刻胶2.3LCD光刻胶2.4半导体光刻胶

03

未来趋势分析3.1市场发展趋势分析3.2技术发展趋势分析u光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模板转移到待加工基片上的图形转移介质。u光刻胶是泛半导体制造工艺中光刻技术的核心材料

，其品质直接影响成品的性能和良率。主要成分是由树脂、感光剂、溶剂和添加剂构成。

目前

，国产光刻胶集中以低端产品为主，技术水平与国外差距较大。但是伴随国内政策的积极推动

，已有少数企业崭露头角。所需光刻胶的场景大致分为PCB、

LCD以及半导体。亿欧智库：光刻胶成分组成原材料成本结构中

，树脂成本占比最大。

决定了光刻胶的基本性能。为光刻胶各组成部分提供溶液环境

，

十个部分溶解在一起

，同时也是后续光刻化学反应的介质。光敏引剂能够从光中吸收一定波长的能量从而经过反应。对于光刻胶的感光度和分辨率有着重要影响。控制光刻胶材料特殊方面的化学性质

，用来控制和改变光

刻材料的特定化学性质或光响应特性。亿欧智库：光刻胶添加剂•

专有化学品

，属于制造商保密开发成分•控制光刻胶的化学性质和光响应特性

，如为添加剂颜料减少

光反射等。成膜树脂类型环化橡胶树脂/酚醛树脂聚对羟基苯

乙烯类树脂聚甲基丙烯

酸酯类树脂聚对羟基苯乙烯类、

分子玻璃、

金属氧化物应用领域PCBLCD半导体光刻胶是光刻工艺关键材料，树脂是光刻胶成分占比最大材料作用•将光刻胶中的树脂和感光剂溶解

，均匀的涂布在硅片表面。•调整光刻胶的粘度

，适合涂覆过程

，同时还可以起到清洗、脱水等作用。国产化程度国产化低依赖进口国产化低依赖进口依赖进口高端买不到技术掌握在国外几家厂商手中机理在光作用下生成酸

，

改

变树脂的碱溶解性。光作用下生成活性碎片

，

引发预聚体聚合交联固化。下游应用8寸、

12寸晶圆制造、先进封装6寸、

8寸、

12寸晶圆制造、

先进封装、

分立器件、

LED、

PCB等国产化程度依赖进口

，世界头部企业掌握核心技术低端国产化30%

，

中高端依赖进口体系丙二醇甲醚醋酸酯丙二醇甲醚醋酸酯异丙醇树脂溶剂光敏引发剂添加剂胶体类型KrF、

ArF、

EUVG、

I10%-40%50%-90%1%-6%<1%体系G/IKrFArFEUV体系PAGPAC亿欧智库：光刻胶光敏材料亿欧智库：光刻胶树脂亿欧智库：光刻胶溶剂数据来源：公开资料

，亿欧智库3201720182019202020212022202320242025E2026E25%

PCB

显示面板

半导体

其他（光学器件）26%注：外圈是全球、内圈是中国u全球光刻胶市场规模来看

，2022年全球光刻胶市场规模突破百亿美元大关。

同年

，中国光刻胶市场规模近百亿元人民币；据预测

，2026年，全球光刻胶市场规模将达到126亿美元

，中国光刻胶市场规模将达到152亿元人民币；产品结构方面

，我国光刻胶生产能力集中在技术难度较低的PCB光刻胶。亿欧智库：2017-2026年全球光刻胶市场规模及同比（亿美元）市场规模

增速12%201720182019202020212022202320242025E2026E数据来源：中国电子材料行业协会

，公开资料

，亿欧智库亿欧智库：2017-2026年中国光刻胶市场规模及同比（亿元）市场规模

增速光刻胶市场规模稳步增长

，国产化生产能力集中低端产品亿欧智库：全球光刻胶下游应用及中国光刻胶生产结构应用占比（%）16.1%37.4%亿欧智库：

中国光刻胶下游各类应用细分占比（%）TFT正性胶黑色光刻胶彩色光刻胶PS光刻胶

OC光刻胶19.3%10.1%8%1521257.3%20.2%8%787%1018%943%70G/I线KrFArF显示面板光刻胶6%1078%1064%859%9824%

94%6%903%726%1148%115半导体光刻胶6%1214%1263%2%46.5%43.1%22%25%17%1%827087684国产化替代迫在眉睫•

光刻胶是集成电路领域微加工的关键性材料

，尤其在中美贸易冲突的影响下

，产业供应链安全和自主可控成为重中之重

，

国产替代迫在眉睫。•日本限制出口光刻胶给韩国

，

为我国敲响警钟。

光刻胶保质期通常在6个月以内

，无法囤货。晶圆厂扩建拉动需求•全球晶圆厂的扩产扩建驱动行业需求快速增长。

中国晶圆厂已建成44座、

在建22座、

计划10座到2024年底。•

晶圆厂扩建意味着更多的芯片生产

，而光刻胶是半导体制造中的关键材料用于将电路图形转移到晶圆上。AI行业大肆兴起•AI大模型的参数呈指数增长

，对算力芯片提出更高要求

，算力芯片则更需要先进制程和更高精度的光刻技术。

进而提升了对光刻胶的需求。•端侧AI设备的不断普及

，这要求芯片集成NPU等专用AI单元

，这也进一步推动光刻胶的市场需求。u政策端：

国产化替代迫在眉睫

，突破从能产到好用的演进历程

，聚焦高精尖难度技术突破；u技术端：AI发展推动光刻技术的进一步升级和需求增长。AI推动制程微缩与封装创新

，要求光刻胶更高精度与效率；u产业端：全球晶圆厂扩产周期叠加存储技术升级

，光刻胶作为半导体制造关键需求长期刚性。光刻胶行业的驱动因素从技术到政策到产业端呈现多维共振亿欧智库：光刻胶行业驱动因素数据来源：公开资料

，亿欧智库5亿欧智库：光刻胶行业有关政策时间部门政策内容类型2021-03工业和信息化部财政部《关于做好享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知》光刻胶生产企业入围“清单”可享受税收优惠政策。支持类2021-12工业和信息化部、科技部、自然资源部《“十四五”原材料工业发展规划》提出要促进产业供给高端化

，突破关键材料。围绕大飞机、航空发动机、集成电路、信息通信、生物产业和能源产业等重点应用领域

，攻克光刻胶在内的一批关键材料和重点晶种。规划类2021-12工信部《重点新材料首批应用示范指导目录（2021年版）》将集成电路用光刻胶及其关键原材料和配套试剂等列为重点新材料。支持类2022-03国家发改委《关于做好2022年享受税收优惠政策的集成电路企

业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知》生产包括光刻胶在内的集成电路产业关键原材料、零配件企业被纳入享受税收优惠政策的清单。支持类2023-03国务院《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策通知》包括生产光刻胶在内的集成电路是产业关键原材料

，零配件企业被纳入享受税收优惠政策的清单。支持类2023-12工信部《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024年版）》将电子化工新材料部分的超高纯化学试剂、集成电路用光刻胶及其关键原材料和配套试剂以及特种气体等列示其中

，对“关键战略材料”进行鼓励与支持。支持类2024-01工信部、科技部等七部门《关于推动未来产业创新发展的实施意见》明确提出发展先进半导体等关键战略材料

，实施国家科技重大项目和重大科技攻关工程

，突破关键核心技术。支持类2025-03国税局《关于做好2025年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作的通知》明确2025年集成电路企业（含光刻胶企业）增值税加计抵减政策延续实施。支持类2025-08工信部、市监局《电子信息制造业2025－

2026年稳增长行动方案》提出围绕电子元器件、新型电子材料、

电子专用设备等基础产业进行支持和保护，帮助企业开展核心产品、核心技术知识产权海外布局。支持类u政策整体趋势来看，聚焦于推动光刻胶国产化，减少对进口产品的依赖

，尤其是在高端光刻胶领域（KrF、ArF、

EUV）

。同时

，支持光刻胶关键原材料的自主研发与生产

，进一步完善我国光刻胶的全生态链。政策以支撑型为主，推动光刻胶国产化，减少对进口产品依赖数据来源：公开资料

，亿欧智库6u光刻胶行业的发展正面临认证、技术、供应链、设备四大核心壁垒的叠加制约。产品端需跨越超2年的严格客户验证周期

，技术端依赖难以复制的经验型专利配方

，供应链端受困于上游原材料的进口依赖

，生产端则受限于高端光刻机的进口垄断与供应限制

，多重挑战交织下

，行业国产化突破与规模化发展仍需攻克关键瓶颈。亿欧智库：光刻胶行业问题与挑战问题与挑战产品验证周期长•

下游客户的认证要求严格

，光刻胶产品的验证周期长。•

下游客户对光刻胶专用化学品供应商的选择非常谨慎

，通常采用认证采购的模式。

验证周期在2年以上。重依赖经验积累的专利技术•

光刻胶产品需要根据不同的应用需求定制

，产品品类多

，

配方中原材料比重的细微差异将直接影响光刻胶的性能

，且配方难以逆向解析

，严重依赖于经验积累所形成的技术专上游原材料国产化低•

原材料对光刻胶品质非常重要。目前我国原材料市场基本被外国厂商垄断

，

高度依赖进口

，

由此增加了国内光刻胶生产成本及供应链风险。•

光刻胶生产商需要购置光刻机用于内部配方测试

，根据验证结果调整配方。

光刻机设备昂贵

，数量有限且供应可能受国外限制

，尤其是EUV光刻机目前全球只有ASML能批量供应。利。光刻胶行业壁垒高筑

，国产化替代迫在眉睫数据来源：公开资料

，亿欧智库生产设备依赖进口7中游：光刻胶产品按化学机理分类PCB光刻胶湿膜光刻胶LCD光刻胶彩色光刻胶半导体光刻胶u光刻胶产业链的主要代表企业

，上游原材料包含：树脂、单体、感光剂、溶剂等头部企业；

中游光刻胶主要包含：

PCB、

LCD和半导体；下游应用场景主要分布在：印刷电路板、液晶显示屏和芯片制造。生产与检测设备不锈钢反应釜

衬氟反应釜光学进步机

涂胶显影剂光刻机缺陷分析设备下游：应用应用场景彩色滤光片晶圆制造触摸电极细微图形

加工应用领域消费电子家用电器航空航天正性光刻胶干膜光刻胶触控用光刻胶G光刻胶负性光刻胶光成像阻碍油墨TFT正性光刻胶ArF光刻胶中游：配方是光刻胶的核心技术

，需要足够的研发资源、经验积累；还需要相应的光刻设备进行测试和调整。上游：原材料是影响光刻胶品质的重要因素

，从成本上看

，树脂占比最大约50%

，其次是添加剂占比约35%

，剩余成本合计约15%下游：制程节点和良率是应用的重点影响因素

，需要同时满足技术性能达标和行业需求契合的同时

，保证成本平衡。上游：原材料与设备原材料溶剂添加助剂成膜树脂光引发剂光刻胶产业图谱亿欧智库：光刻胶产业图谱数据来源：公开资料

，亿欧智库KrF光刻胶I光刻胶8目录CONTENTS02

光刻胶材料分析2.1光刻胶分类2.2PCB光刻胶2.3LCD光刻胶2.4半导体光刻胶

01

光刻胶材料现状分析1.1光刻胶背景及定义1.2市场规模1.3驱动因素1.4行业壁垒1.5行业图谱

03

未来趋势分析3.1市场发展趋势分析3.2技术发展趋势分析应用领域细分种类化学反应（正/负）光线波长技术壁垒PCB光刻胶干性正负都有320-400nm低湿性436nm组焊油墨

LCD光刻胶彩色负性为主313/365/405nm中黑色负性为主触摸屏正性为主365/436nmTFT-LCD正性365/436nm半导体光刻胶G正负都有436nm高I正负都有365nmArF2um以下以正性为主193nmKrF248nmEUV13.5nm光刻胶•

光刻胶是半导体制造的核心材料

，行业壁垒较高。•

光刻胶是半导体制造工艺中冠科技树的核心材料

，其品质直接决定集成电路的性能和良率，也是驱动摩尔定律得以实现的

关键材料。•

光刻胶按照应用领域可以分为

PCB、

LCD、半导体用光刻胶

三大类。•

其中

，半导体黄刻胶的技术门槛最高

，专利技术、原材料、设备验证、客户认证使得行业

壁垒高筑。u光刻胶按照下游应用领域划分

，主要可分为PCB、面板、半导体三类

，每一类光刻胶又有各自细分品类。按照光源波长的从大到小

，可分为紫外宽谱(300-450nm)、G线(436nm)、

I线(365nm)、

KrF(248nm)、ArF(193nm)、

EUV(13.5nm)等主要品类。光刻胶分类：

主流为PCB、面板及半导体光刻胶亿欧智库：光刻胶分类数据来源：公开资料

，亿欧智库10u

PCB光刻胶可分为湿膜光刻胶、干膜光刻胶和组焊油墨三大类

，其中湿膜光刻胶分辨率高、材料成本低

，同时由于初期设备投资高

，更多集中在大型PCB工厂。u干膜是用特殊的薄膜贴在处理后的敷铜板上

，进行曝光显影；湿膜和光成像阻焊油墨则是涂布在敷铜板上

，待其干燥后进行曝光显影。干膜与湿膜各有优势

，总体来说湿膜光刻胶分辨率高于干膜，价格更低廉，正在对干膜光刻胶的部分市场进行替代。u组焊油墨与光刻胶在定义、用途和化学成分等方面存在显著差异。组焊油墨是在电子行业中

，特别是电路板等电子焊接过程中

，防止焊料（如锡）流动到不希望焊接的区域。主要功能是确保焊接的准确性和电子设备的稳定性

，具有耐热性、耐化学腐蚀性和电器绝缘性。亿欧智库：

PCB光刻胶技术路线区分湿膜光刻胶液态光刻胶均匀涂抹在覆铜

板上

，经过曝光、显影、刻

蚀等工序形成铜线路。材料成本低于干膜光刻胶

，

但加工设备成本较高。更进一步细分为内层感光线

路油墨和外层感光线路油墨。干膜光刻胶将液体光刻胶均匀涂抹在载

体PET薄膜上

，经过烘干、冷却后

，附上PE薄膜

，收卷而成。将干膜光刻胶压在覆铜板上，经过曝光、显影、刻蚀等工

序

，形成PCB上的铜线路。用于涂覆在印刷电路板表面

形成有选择性的、永久性的

聚合物保护层的油墨

，防止

在焊锡过程中造成的短路

，保证PCB在运输、存放、使

用时的安全性。进一步可以细分为UV固化组焊油墨和液态感光组焊油墨。231PCB光刻胶技术路线拆解数据来源：公开资料

，亿欧智库组焊油墨11成分概念主要由树脂（如环氧树脂、聚氨酯、丙烯

酸树脂）

、硬化剂及填料、染料和紫外线

反应物质构成。主要功能光成像阻焊油墨是在PCB的制造过程中起阻焊作用的油墨

，能够防止焊锡搭线造成

的短路

，可保证印刷电路板在制作、运输、贮存、使用时的安全性、

电性能不变性。产品定位•

UV固化阻焊油墨：

附着力较差

，用于

精度要求不高的PCB上•

感光阻油墨：精密度较高u湿膜和干膜的区别主要在于涂敷方式。湿膜光刻胶直接以液态的形式涂敷在待加工基材的表面；干膜光刻胶则是由预先配制好的液态光刻胶涂布在载体薄膜上

，经处理形成固态光刻胶薄膜后再被直接贴附到待加工基材上。u组焊油墨与光刻胶在定义、用途和化学成分等方面存在显著差异

，组焊油墨是在电子行业中

，特别是电路板等电子焊接过程中

，防止焊料（如锡）流动到不希望焊接的区域。主要功能是确保焊接的准确性和电子设备的稳定性

，具有耐热性、耐化学腐蚀性和电器绝缘性。加工难易更难导致电路缺陷的可能更小精度较高价格较低材料利用率高后处理成本无保护膜

，废弃物少污染性高优势正逐步取代干膜光刻胶市场加工难易更容易导致电路缺陷的可能更大精度较低价格较贵材料利用率较低后处理成本保护膜需回收处理污染性低优势处理密度较高的电路湿膜光刻胶主要功能：分辨率和线宽较大产品定位：制作较简单的结构干膜光刻胶主要功能：具有较高的分辨率和较小的线宽产品定位：制作微小结构不同技术路线对于制程工艺的影响亿欧智库：

PCB光刻胶类别区别亿欧智库：阻焊油墨概述数据来源：公开资料

，亿欧智库湿膜光刻胶干膜光刻胶12u

PCB光刻胶整体国产率较高

，但是在干膜光刻胶产品上仍然高度依赖进口。虽然我国拥有全球近一半的PCB产能

，但中国大陆干膜光刻胶市场主要由日本旭化成、

日立化成、

中国台湾长兴化学等企业垄断

，三大企业达到了全球市占率近80%。在光成像阻焊油墨方面

，仅日本一家企业太阳油墨就占据了60%的世界市场份额。u中国光刻胶企业主要生产技术水平较低的PCB用光刻胶

，

占本国自身光刻胶的整体生产结构的94%。

目前

，容大感光、广信材料、

东方材料、北京力拓达等内资企业已占据国内50%左右的湿膜光刻胶和光成像阻焊油墨市场份额。亿欧智库：

PCB光刻胶国产化情况主要类型细分类型国产化进程国内公司国外公司PCB光刻胶干膜光刻胶5%容大感光、北京科华、晶锐电材、能动科技旭化成、

日立化成、陶氏杜邦、科隆湿膜光刻胶50%容大感光、广信材料、东方材料、飞凯材料三井化学阻焊油墨50%容大感光、广信材料、东方材料、北京力拓达日立化成、太阳油墨、亨斯迈阻焊油墨技术壁垒：配方需同时满足耐高温、耐化学腐蚀、绝

缘性、

附着力、分辨率等多重核心性能，成分搭配（树脂、

固化剂、颜料、助剂等）的细微调整会直接影响最终效果。对生产设备的精度和工艺优化能力要求极高。需

精准控制分散均匀性、粘度稳定性、

固化

反应速率等关键参数。湿膜光刻胶技术壁垒：加工难度大

，污染性高。湿膜光刻胶对树脂

的“

窄分布、高纯度、光敏适配”要求

，使得合成工艺面临多重挑战。湿膜光刻胶需要使用大量有机溶剂溶解树脂和光引发剂

，这些溶剂在涂覆、曝光、剥离过程中会大量挥发产生高浓度挥发性有机化合物

，同时在显影、蚀刻、剥离等工艺会产生大量废液。干膜光刻胶技术壁垒：光引发剂对于干膜光刻胶、光成像阻焊油墨的感光度、深度固化、密着度等性能起着决定性作用。使用对曝光光能吸收效率更高、感光速度更快的高性能光引发剂或使用复配型的光引发剂便于吸收更大波长范围的光能提高感度是光引发剂的发展趋势。国产化进程情况：基本实现本土替代，逐步取代进口产品数据来源：公开资料

，亿欧智库13PCB光刻胶：湿膜光刻胶、阻焊光刻胶等显示用光刻胶：触摸屏sensor用光刻胶、TFT阵列（Array）用光刻胶等半导体光刻胶：G线光刻

胶、I线光刻胶等特种光刻胶：用于触摸屏、视窗玻璃、智能手机等产

品的精密加工领域核心竞争力技术优势：

拥有PCB光刻胶、

显示用光刻胶、

半导体光刻胶等产品的核心配方

，

以

及关键材料自主研发合成的核心技术；

截至报告期末

，公司及子公司拥有发明专利

51项

，

实用新型专利3项。

其中

，报告期内新增授权发明专利1项

，

申请受理的发明

专利3项。产品优势：

已具备了包括PCB感光线路油墨、

PCB感光阻焊油墨等产品的完整系列

，

是行业内生产PCB感光油墨产品品种最为齐全的企业之一

，

陆续推出了多种处于行

业领先地位的高端产品。客户优势：

在PCB行业拥有多家大中型从事线路板制造的忠实客户群

，并建立了长

期、

稳定的合作关系

，而且被多家企业评定为优秀供应商。地理优势：

子公司分布在广州、

惠州、

珠海、

苏州

，均位于下游客户主要集中的珠

三角和长三角地区

，

已在全国各地多处设立了办事处。产能布局海外：

在泰国设立子公司

，贴近客户海外生产基地的需求

，强化供应链响应能力

，

提升产品在全球市场的渗透率。与日本artience株式会社合资成立的深圳市容大翊彩科技有限公司

，

专注于液晶显

示器用彩色光刻胶的研发、

制造及销售。国内：

珠海生产基地一期项目的感光干膜生产线已经开始试生产。

平板显示及半

导体光刻胶生产线计划于2025年下半年启动试生产u容大感光成立于1996年

，是一家专业生产高端感光电子化学材料的国家级高新技术企业

，主要从事PCB感光油墨、光刻胶及配套化学品、特种油墨等电子化学品的研发、生产和销售。作为国内电子感光化学材料的领军企业之一

，是国内少数在电子电路、显示面板和半导体三大应用领域的光刻胶产品上均实现批量生产的企业。u容大感光在PCB光刻胶业务根基扎实

，显示和半导体光刻胶正在快速发展

，将成为新的增长点。3.5%93.9%2021

2022

2023

20242025H12024年营收结构总营收增长率18.8%9.5

8.95.1容大感光：

PCB光刻胶绝对主导

光刻胶收入8.7%8.0

7.6PCB光刻胶显示光刻胶及半导体光刻胶2.6%

总营收-6.4%7.4

7.0亿欧智库：容大感光市场经营情况数据来源：公开资料

，公司官网、亿欧智库2021-2025H1光刻胶收入

（亿元）44.5%7.9

7.4其他4.314u彩色滤光片是LCD实现彩色显示的关键器件

，

占面板成本的14%-16%；在彩色滤光片中

，彩色光刻胶和黑色光刻胶是核心材料

，

占其成本的27%；其中

，黑色光刻胶占彩色滤光片材料成本的6%-8%。u面板光刻胶主要分为TFT-LCD光刻胶、彩色光刻胶黑色光刻胶和触摸屏光刻胶。

四类面板光刻胶被应用在LCD制造过程的不同工序中。TFT-LCD光刻胶用于加工液晶面板前段Array制程中的微细图形电极；彩色光刻胶和黑色光刻胶用于制造LCD中的彩色滤光片；触摸屏光刻胶用于制作触摸电

极。•TFT光刻胶主要用于TFT-LCD

（薄膜晶体管液晶显示器）

的制造过程中

，特别是在TFT-LCD制程中的Array段。•在TFT制造过程中发挥着图形转移、蚀刻掩蔽、层间绝缘和平坦化等重要作用

，是实现TFT器件精确制造和高性能的关键材

料。TFT光刻胶•

黑色光刻胶在光刻工艺中，可用于光刻工艺中的光刻胶

层控制、准直模式生成、光

刻胶图案转移等步骤。

它通

过光敏反应

，将光阻胶层暴

露于紫外线下

，形成所需的

图案结构。•

彩色光刻胶是在光刻胶的主要组成部分的基础上

，增加

了颜料（5%-10%）及分散

剂（5%-10%）

，颜料主要

用于光刻胶的着色

，分散剂

主要用于将颜料均匀的分散

开。•LCD触摸屏光刻胶能够实现

微小图案的精确转移

，满足

LCD触摸屏高像素密度的要

求

，使屏幕显示更加清晰、

细腻。•它被涂在透明的基板上

，通

过光学曝光和化学反应将带

有压感传感器的电极印刷在

上面。彩色光刻胶LCD触摸屏用光刻胶黑色光刻胶显示面板技术路线拆解亿欧智库：显示面板光刻胶分类数据来源：公开资料

，亿欧智库15u

TFT-LCD光刻胶主导Array制程的图形精度与耐高温能力

，对制程的影响集中在前端关键环节：u彩色光刻胶RGB三色用于制备CF的像素单元

，核心需求是高透光率与色纯度

，对制程的影响聚焦于多色套刻、颜料控制；u黑色光刻胶用于CF的黑矩阵

，核心需求是高遮光性与柔性适配

，对制程的影响体现在遮光控制、机械性能匹配；u触摸屏光刻胶用于制作ITO/银纳米线触控电极

，核心需求是高透光率与低电阻

，对制程的影响集中在图形化精度、表面处理。亿欧智库：显示面板光刻胶制造流程触摸屏光刻胶主要用于玻璃基板上趁机ITO

制作触摸电极

，需兼顾高透光

性、与ITO/金属良好附着力和精细图形转移能力。TFT-LCD光刻胶主要应用于TFT-LCD或AMOLED制

造的阵列段

，包括TFT的图案化光

刻胶

，保护绝缘层光刻胶、

ITO图

案化光刻胶

，OLED阵列中的平坦

化光刻胶等。黑色光刻胶通过高浓度黑色颜料有效阻挡UV

和可见光

，用于形成黑色矩阵，防止漏光

，让色彩更纯粹、对比

度更高。彩色光刻胶色浆占比超过50%

，主要应用于彩

色滤光片制作

，分为红、绿、蓝三

原色光刻胶

，经过涂抹、曝光、显

影等工序组成了颜色层。将二者粘合中间填充液晶切割成面板与其他组件组装前段Array制程成膜

光刻

刻蚀

脱模不同技术路线对于制程工艺的影响后段模组组装中段CellTFT-LCD光刻胶彩色光刻胶触摸屏光刻胶黑色光刻胶玻璃基板TFT玻璃玻璃基板彩色滤光片数据来源：公开资料

，亿欧智库ITO导电膜黑色矩阵研磨RGB16主要类型细分类型国产化进程国内公司国外公司显示面板光刻胶彩色光刻胶5%容大感光、欣奕华、雅克科技JSR株式会社、信越化学、富士电子、默克黑色光刻胶5%博砚电子、雅克科技东京应化、富士电子、默克TFT光刻胶1%北旭电子、晶瑞电材、容大感光、飞凯材料、雅克科技东京应化、住友化学、陶氏、杜邦、东进世美肯触摸屏光刻胶30%-40%

JSR株式会社、信越化学、富士电子、默克u伴随显示产业转移

，国内面板光刻胶市场规模快速扩张。2009年开始

，面板产业链逐渐向中国转移。经过十年的快速扩张

，中国面板行业后来者居上。面板光刻胶作为其核心材料

，需求量也在不断增加。彩色和黑色光刻胶市场国产化率较低

，触控屏光刻胶逐步实现国产化替代。触控屏光刻胶国产化率在30%-40%左右；彩色和黑色光刻胶行业壁垒较高

，国产化率仅为5%左右。u

当前面板光刻胶的生产主要被日韩厂商垄断

，

以需求最多的彩色光刻胶为例

，东京应化、

LG化学、

东洋油墨、住友化学、三菱化学等日本、韩国

企业占据了约85%以上的市场份额

，我国大陆供应能力较弱。亿欧智库：显示面板光刻胶国产化情况TFT-LCD光刻胶TFT光刻胶核心原材料为线性酚醛树脂。线性酚醛树脂具有耐水性好、不易燃、耐酸等特点

，在光刻胶生产过程中应用

广泛。在行业发展初期

，受技术壁垒高、

生产成本高等因素限制

，我国线性酚醛

树脂高度依赖进口。LCD触摸屏光刻胶我国在面板光刻胶领域的国产化率同样不高

，产能主要集中在相对低端的触摸

屏光刻胶领域。用于在玻璃基板上沉积ITO

，从而制作图形化的触摸电极。彩色光刻胶通过精确控制色浆在光刻胶中的分布和浓度

，确保每个像素能够呈现出所需的颜色

，为显示面板提供高质量的显示效果。彩色光刻胶和黑色光刻胶所用的专用化学品如颜料、光引发剂、树脂等原料，性能要求特别

，品质要求苛刻

，

垄断程度更高

，如高性能光引发剂市场长期被巴斯夫公司垄断，LCD光刻胶树脂主要由两家日本公司供应。显示面板光刻胶国产替代：

国内市场起步较晚

，已形成一定的国产替代基础彩色/黑色光刻胶数据来源：公开资料

，亿欧智库17汽车轮胎用橡胶化学品：树脂类、助剂类、贸易产

品电子材料行业：半导体光

刻胶及配套试剂、显示光

刻胶、电子类树脂、CMP

抛光垫生物可降解材料：PBAT核心竞争力生产规模与产业布局：

国内深紫外KrF光刻胶最大量产供应商以及国内首家TFT-LCDArray光刻胶生产商、

国内最大的液晶正性光刻胶本土供应商。

公司在潜江拥有8000

吨平板用光刻胶产能

，

同时

，年产1.1万吨半导体、

平板显示用光刻胶及2万吨相关配套

试剂项目已部分建设完成，技术研发：

截至2025年6月30日

，公司累计专利申请630件

，其中发明专利430件；

累计

授权专利462件

，其中发明专利276件。产品多样化及定制服务：

能够提供从高纯优质原料树脂到半导体/显示光刻胶、

光刻胶配

套试剂等产业链多产品系列的配套服务

，覆盖不同应用领域和多样化客户群体的需求人才与技术引进：

管理层在酚醛树脂、

橡胶助剂、

光刻胶、

可降解材料、

电子类树脂等

领域拥有丰富的研究、

生产、

管理经验。

巴斯夫作为完全生物降解塑料生产国持续授权

公司使用其专有技术和指定相关设备

，且是国内唯一一家得到巴斯夫授权的企业。产能布局国外：

计划投资约5亿元人民币在泰国建设年产3万吨的橡胶助剂生产基地

，预计2027年

建成。国内：

珠海基地：

22万吨/年聚酯树脂项目2025年上半年投产

，未来可能延伸至光刻胶

用聚酯基材领域。上海基地二期：

规划建设高端光刻胶研发平台

，聚焦ArF浸没式光刻胶

（覆盖14nm）

及EUV封装胶研发

，预计2026年启动量产。u彤程新材通过收购北旭电子股权

，成为显示面板光刻胶国内第一大供应商

，在市场份额方面

，产品国内市占率约29%。其中

，公司显示光刻胶产品在国内最大面板厂B客户的市场占有率已达60%左右；在H客户部分工厂及E客户的OLED工厂中

，更是实现了100%的份额覆盖。整体来看

，将持续保持稳健增长态势。凭借在OLED面板用高分辨率光刻胶与低温光刻胶领域的技术突破

，成为国内首家实现该类产品国产化并成功量产的企业。u公司在半导体光刻胶领域也有巨大潜力

，2024上半年公司KrF光刻胶增长率超过60%

，国内市占率超40%；ArF光刻胶方面

，公司已经开始连续接单量产。2021-2025H1半导体光刻胶及显示面板光刻胶营收（亿元）总营收

显示面板光刻胶

半导体光刻胶

总营收增长率32.729.423.2

25.0

17.7%13.4%

11.1%16

57.7%

.1.2

2.41.8

2.6

2.0

3.3

3.0

1.8

2.02.5%22.8%74.7%2021

2022

2023

20242025H12025上半年营收结构彤程新材：显示面板光刻胶国内市占率稳居第一亿欧智库：彤程新材市场经营情况特种橡胶助剂行业

电子材料行业全生物降解材料行业数据来源：公开资料

，公司官网、亿欧智库18u半导体光刻胶不同分类对应不同波长。按曝光波长可分为G线、

I线、

KrF、ArF、

EUV

，分别对应波长436nm、365nm、248nm、

193nm、13.5nm

，在半导体光刻胶产品升级过程中的不同技术要求中

，G线与I线属于传统光刻胶

，基于酌醛树脂体系

，提供成膜性及抗刻蚀性能；

KrF感光能力与透光性提升

，解决248nm波长下透光性问题并对光信号进行放大；ArF作为无苯环化学放大型光刻胶

，采用化学放大机理

，提升无苯环材料抗刻蚀能力；

EUV属于新材料体系光刻胶

，利用金属氧化物提高感光速度、抗刻蚀能力。

随着光刻胶工艺分辨率逐步提升

，不断促进集成电路制程先进化。种类适配晶圆尺寸应用集成电路制程设备G线6寸/8寸0.5um以上接近式I线6寸/8寸/12寸0.25-0.5um以上接近式KrF8寸/12寸0.13-0.25um以上扫描投影式ArF

（干式）12寸65-130nm步进投影式ArF

（浸没式）12寸7-65nm浸没式EUV12寸7nm以下极紫外式亿欧智库：半导体光刻胶在产品升级过程中的不同技术要求

}

感光能力

248nm透光性I线传统光刻胶

，基于酚醛树脂体系。

酚醛树脂作为主体

，提供化学放大型光刻胶

，解决248nm波长下透光性问题并对光信号进行放大。无苯环化学放大型光刻胶

，

丙烯酸类树脂

，沿用化学放大机理提升无苯环材料抗刻蚀能力新材料体系光刻胶

，利用金属氧化物提高感光速度、

抗刻蚀能力;或在聚合物中加入吸色基团提升吸收能力;小分子光刻胶材料体系 沉积成底膜旋转涂胶软烘对准与曝光曝光后烘培不合格硅片显影检查竖膜烘培显影返工

↓

例子注入

合格硅片

刻蚀

克股苯环193nm吸收感光速度放气控制半导体光刻胶技术路线拆解KrFArFEUV成膜性及抗刻蚀性能；

重氮萘醌感光材料

，提供感光性能。亿欧智库：半导体光刻胶工艺流程示意图亿欧智库：半导体光刻技术关键参数数据来源：公开资料

，亿欧智库等离子体去胶清洗G线19u半导体光刻胶在半导体制造中的工艺环节发挥重要作用，不同技术路线意味着成熟度不同的制程工艺。

目前

，在半导体光刻工艺中

，曝光光源从

436nm的汞灯G线可见光发展到365nm的汞灯I线中的紫外光

，再到248nm的氧化氮(KrF)及193nm的氧化氬(ArF)准分子激光

，

目前发展到13.5nm的极紫外辐射(EUV)

，曝光光源波长不断缩短

，光刻技术分辨率不断提升。波长每缩短一个数量级

，光刻胶的分子设计、工艺参数和配套流程都需重新构建

，形成波长-材料-工艺的强耦合关系。EUV•

关键特征：

工作原理从光化学变为光物理

（等离子体）

；全新光刻胶体系：

金属氧簇、

分子玻璃等•

工艺：

真空环境操作

，对光源功率、掩模缺陷、

光刻胶灵敏度有极高要求；

面临随机效应、

光子噪声等物理极限挑战•

应用：

革命级技术

，单次曝光实现极细微图形成为可能ArF(浸没式）•

关键特征：

在镜头和硅片间加入水

，等效波长缩短至134nm，光刻胶需具备抗浸渍性

，

防止成分被水浸出•

工艺：

极大地增加了光刻和刻蚀步骤

，成本飙升

，对光刻胶的稳定性和纯度要求达到极致•

应用：

通过多重曝光技术延伸

193nm光刻寿命亿欧智库：半导体光刻工艺与曝光光源波长关系曝光光源波长不断缩短

，光刻技术分辨率不断提升KrF•

关键特征：

引入化学放大技术

（CAR）

，对抗等离子体刻蚀性要求高•

工艺：

工艺步骤增加

，需要集成抗反射涂层•

应用：

开启了深亚微

米时代G线•

关键特征：

分辨率低

，对比度一般•

工艺：

工艺相对简单

，成本低•

应用：

用于早期芯片、半导体器件•

关键特征：

光源需在惰性气体环境中激发

，开发了丙烯酸酯类树脂以提升透明度，•

工艺：

工艺窗口窄

，对环境和工艺控制要求苛刻

，对缺陷控制要求极高•

应用：

推动芯片进入纳米级•

关键特征：

分辨率稍

高

，但仍有限•

工艺：

光刻工艺简单

，产能高•

应用：

广泛应用于微

控制器、

电源管理等

成熟制程1995

2000

2005亿欧智库：半导体光刻胶核心差异不同技术路线对于制程工艺的影响100010010数据来源：阿斯麦官网、公开资料

，亿欧智库I线ArF(干式）193nm的氧化氬(ArF)准分子激光365nm的录灯I线中的紫外光436nm的汞灯G线可见光13.5nm的极紫外辐射(EUV)，248nm的氧化氮(KrF)193nm的氧化氬(ArF)浸没式分辨率/nm201020152020

20251985

199020主要类型细分类型国产化进程国内公司国外公司半导体光刻胶G/I线国内已量产（30%）晶瑞电材、彤程新材东京化学、陶氏、

日本橡胶、住友化学KrF部分量产（5%）彤程新材、晶瑞电材、上海新阳东京应化、信越、陶氏、杜邦ArF少量认证（不足1%）南大光电、彤程新材信越、

日本橡胶、东京应化、杜邦EUV国内尚未量产

日本JSRu半导体光刻胶技术壁垒较高

，整体国产化率不足10%

，尤其14nm以下先进制程几乎100%依赖进口。

中国多家企业实现了G/I线胶的国产化替代

，KrF胶已有部分成熟产品。

国产化PCB光刻胶整体国产率较高

，但是在干膜光刻胶产品上仍然高度依赖进口。u国产化方面

，不同技术节点的国产化进程明显阶梯式差异。

目前G/I线光刻胶国产化率较高

，可以达到30%

，KrF/ArF光刻胶进度稍稍落后

，极少数企业实现ArF光刻胶量产；更高端的EUV光刻胶还在研发阶段。亿欧智库：半导体光刻胶国产化情况KrF光刻胶KrF光刻胶是第一个采用化学放大技术的光刻胶

，

以聚对羟基苯乙烯及其衍生

物为成膜树脂

，

以磺盐或硫

盐为光

致产酸剂。

适用于248nm波长光源

，

主

要应用于逻辑电路和3DNAND堆叠架构

中。

随着堆叠层数的增加

，使用量将大

幅提升。ArF光刻胶ArF光刻胶适用于193nm波长光源

，

主要用于逻辑芯片和高端存储芯片的制造。ArF光刻胶可分为干式和浸没式

，ArF干式主要应用于130-65nm光刻工艺

，

而ArF浸没式主要应用于65-7nm光刻

工艺。

南大光电实现极少量出货。EUV光刻胶EUV是最新第五代技术

，被国外企业垄断。

应用于7nm以下集成电路

，先进逻

辑芯片和存储DRAM芯片制造要求光刻

胶具有极高的光敏感度和分辨率

，

同时

还要具备良好的抗刻蚀性能和低线宽粗

糙度。

国内处于研发阶段。G/I线光刻胶G/I线光刻胶属于第一和第二代光刻胶

技术

，

以酚醛树脂为成膜树脂

，重氮萘

醌化合物为感光材料。

G线光刻胶国产

化率超过60%

，I线光刻胶用于6英寸及

以下已完成国产化。

应用于汽车电子、MEMS、

平板等领域。半导体光刻胶国产化进程：

高端产品国产替代率较低

，国内主要集中中低端产品数据来源：公开资料

，亿欧智库21技术和产能规模：

产品技术指标一路领跑国内同行业

，不仅掌握高纯产品技术

，近百款半

导体光刻胶产品；

同时建成了上下游的全品类产能体系

，总规模近百万吨。

其中

，

高纯硫

酸、

高纯双氧水已布局四个生产基地

，近三十万吨产能位居本土首位。高效研发优势：

主持了国家、

省、

市科技项目二十余项

，参与起草了多项国家和行业标准。截至2025上半年

，公司及下属子公司共拥有专利181项

，其中发明专利78项。

TP用正性光刻胶技术、

负性光刻胶技术均为自主开发

，市场率分别为70%、

60%以上。客户资源：

核心客户包括半导体、

显示面板、

LED、

太阳能、

锂电池五个领域的主要头部

公司

，特别是在半导体领域

，产品批量供应国内超过二十家行业头部半导体芯片制造厂商产品种类：

在半导体和新能源两个领域产品线丰富

，

可有效发挥产品协同效应

，给客户提

供一揽子解决方案。地域优势：

在湖北、

四川、

江苏、

陕西四省拥有八家稀缺化工厂区。

产能重点布局华东、

华中地区产业集群

，

同时覆盖全国主要客户。产能布局•计划2026年将KrF光刻胶产能提升至5000吨

，ArF光刻胶产能扩至1000吨

，重点突破

14nm及以下先进制程用胶。•与中石化集团共建树脂-配胶一体化平台

，

实现ArF光刻胶用树脂国产化

，

降低材料成

本15%以上。•湖北潜江基地规划新增5万吨G5级高纯硫酸产能

（2026年投产）

，进一步巩固全球领

先地位。u晶瑞电子材料股份有限公司成立于2001年

，是一家集研发、生产和销售于一体的科技型新材料公司

，为国内外新兴科技领域提供关键材料和技术服务。主要产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池材料等

，广泛应用于半导体、面板显示、

LED等泛半导体领域及锂电池、太阳能光伏等新能源行业。u公司光刻胶产品主要用于半导体晶圆厂前道工序中光刻和显影等环节

，拥有紫外宽谱系列光刻胶、G线系列光刻胶、

I线系列光刻胶等近百种型号光刻胶量产供应市场。G线光刻胶市占率30%

，I线光刻胶市占率超70%

，紫外宽谱系列光刻胶稳居国内市占率第一

，在高端光刻胶方面

，已有多款KrF光刻胶量产；ArF光刻胶已小批量出货

，同时多款产品已向客户送样并开展验证。2025上半年营收结构 高纯化学品光刻胶锂电池材料工业化学品其他业务

4.2%9.6%13.7%58.7%13.8%高纯化学品：高纯双氧水、高纯氨水、高纯硫酸、高纯盐酸、高纯硝酸、高纯NMP等光刻胶：G线光刻胶、I线光刻胶、

KrF光刻胶、ArF光刻胶、蚀刻液、剥离液、显影液锂电池材料：

电池级NMP、锂电池粘结剂（SBR、CMCLi、PAA等）工业化学品：工业硫酸、工业双氧水等亿欧智库：

晶瑞电材市场经营情况核心竞争力总营收

光刻胶营收

总营收增长率18.3

17.5晶瑞电材：

国内极少数量产覆盖i线、

KrF、ArF全序列14.410.4%

7.72.0

1.179.3%-4.7%1.4

1.420212022202320242025H113.0-25.6%1.6数据来源：公开资料

，公司官网、亿欧智库2021-2025H1光刻胶收入

（亿元）22目录CONTENTS

01

光刻胶材料现状分析1.1光刻胶背景及定义1.2市场规模1.3驱动因素1.4行业壁垒1.5行业图谱

02

光刻胶材料分析2.1光刻胶分类2.2PCB光刻胶2.3LCD光刻胶2.4半导体光刻胶03

未来趋势分析3.1市场发展趋势分析3.2技术发展趋势分析u中国光刻胶产业已形成

“政策-技术-需求”

的正向循环：大基金三期明确将18%资金（约288亿元）

定向投入光刻胶等半导体材料领域

，EUV光刻胶国标《极紫外(EUV)光刻胶测试方法》公示

，税收优惠覆盖光刻胶企业

，《新材料产业发展指南》共同推动国产化率突破。

国内半导体制造领域持续不断地进行大规模投资

，中国晶圆厂建设加速

，驱动我国光刻胶需求进一步复苏

，需求快速增长；AI行业变革进一步拉动光刻胶行业市场规模增长

，5G、AI芯片需求激增

，HBM存储芯片拉动厚膜光刻胶市场增长32%。u我国光刻胶市场以日美企业为主

，高端产品仍需大量进口

，随着光刻胶企业生产能力的提高

，我国光刻胶生产结构有望进一步优化

，打破国外技术垄断

，积极推进研发

，加快国产化速度。预计到2027年

，EUV配套光刻胶国产化率提升至25%以上。2020202120222023全球及中国40/45nm产能中国大陆436

468

458

484111

141

145

16110%

13%21%19%政策、技术与需求三重驱动

，国产化进一步加强1%94%亿欧智库：芯片制程产能全球及中国28nm产能

（等效8寸

，

kwpm)2024E

2025E

2026E（等效8寸

，

kwpm)全球

中国台湾

中国大陆

韩国

日本

美国

欧盟

其他地区2025-2030年新增晶圆厂21 PCB光刻胶

面板光刻胶

半导体光刻胶

其他 PCB光刻胶

面板光刻胶

半导体光刻胶

其他亿欧智库：

晶圆代工厂分布24年晶圆代工厂产能份额亿欧智库：光刻胶产能中国光刻胶企业产能2027E92256092477383

121数据来源：中国产业信息网、YoleGroup、开源证券、816668459317新加坡-马来

…20202021202220232024E2025E2026E2027E25%26%25%24%中国台湾中国大陆全球光刻胶企业产能14371286全球1164568231韩国美国欧洲中国大陆日本3%2%1549105423%4783772982309581821858%6%241134467AI助力利用机器学习构建“材料-性能”关联模型

，筛选光刻胶配方（树脂、

感光剂、

溶剂组合）

，徐策其分辨率、蚀刻抗性等核心性能

，减少研发周期实时分析涂布、曝光、显影过程中的多维度数据（如温度、压力、能量密度）

，动态优化工艺参数

，实现光刻胶膜厚均匀性、

图形转移精度的极致控制

，同时降低能耗与废品率结合计算机视觉与AI图像识别

，对光刻胶图形的线宽、

间距、缺陷（如桥接、针孔）进行实时检测

，秒级分类缺陷类型并反馈至工艺端

，形成“检测-分析-调整”

的闭环，将良率提升利用AI模拟光刻过程中的光衍射、化学放大反应（如CAR光刻胶的酸扩散）

，优化光刻胶与光刻机的协同参数（如焦距、曝光剂量）

，提前预判工艺窗口

，减少实际生产中的试错成本案例明贤电子通过AI实现对光刻胶配方的智能筛选

，并发表专利

，加速研发进程

，降低半导体制造成本东方晶源PanGen良率平台实时分析光刻胶涂布、

曝光、显影全链路数据

，提供从"设计-掩模-光刻-刻蚀

"

的闭环控制

，缺陷率降低99%康耐德智能AOI系统基于机器学习的图像分析算法检测光刻胶涂布缺陷(不均匀、气泡、胶厚不一致)圣泉集团通过AI模拟聚合反应参数

，实现了PPB级（十亿分之一）

线性酚醛树脂的量产

，替代日本住友电木的同类产品u随着

AI大模型在材料科学领域的垂类应用深化，光刻胶产业将迎来

“设计即制造”

的智能时代。研发端加速光刻胶配方迭代；生产端动态优化工艺参数

，检测端进行缺陷智能识别与闭环控制

，工艺仿真减少实际生产中的试错成本。AI助力光刻胶全流程智能化变革亿欧智库：AI助力光刻胶全流程及相关案例工艺仿真研发端生产端检测端数据来源：公开资料

，亿欧智库25u光刻胶领域的材料突破升级是国产高端制造实现弯道超车的核心支撑

，助力国内半导体材料产业突破“卡脖子”

困境

，构建全球竞争力

，完成从跟跑到并跑、领跑的弯道超车。材料突破升级既可推动高端光刻胶国产化率快速提升

，逐步打破EUV光刻胶进口依赖

，实现从原材料到终端应用的全链条自主可控；

同时通过金属基、生物基、水基等新型材料体系创新

，突破传统光刻胶在先进制程中的分辨率、

吸收率、缺陷控制等性能瓶颈

，可以满足新兴场景、高性能芯片的定制化需求

，解决传统产品高VOCs、难降解的环保痛点。u光刻胶工艺是光刻胶从实验室配方走向产业化产品的核心支撑环节，是材料验证、性能落地、量产保障和市场竞争力构建的关键。工艺的优化可以加速技术落地

，实现规模化、高品质、低成本供应

，适配多元场景

，推动光刻胶产品快速铺向市场。亿欧智库：光