半导体存储行业深度研究报告：企业级需求高增驱动新一轮存储超级周期

目 录一、企业级需求高，储价格全面上涨 5（一）DRAM：务置动回，25Q4DRAM价涨预上修 5（二）NANDFlash：给优化企级求，价强上涨 6二、AI服务器大幅提存储要求，驱动新轮新大周期 8（一）厂资开增，器NAND和DRAM应占持增长 8（二）DRAM:功存需日旺，26统DRAM新产有限 101GraceCPU率先应用LPDDR5X102、HBM位收贡远超统DRAM，26统DRAM新产有限 （三）受121、高量eSSD占比幅升低迟动PCIe5.0渗率升 122、KVCache量长出HBM承上，卸至DRAM和SSD 133、HDD应短严北美CSP步用SSD齐HDD需缺口 15三、相关标的 161、波：业业实现量长合Zilia构建外长极 162、明：级SSD部分品始样消级内已现产货 163、农创“品”驱展子司普存发企级储 174、易新国存器IC设龙，极定制新赛道 185、维储建AI侧存综竞力智穿戴储入比增 186DDR5SPDEEPROM197、芸技产SSD主控片先商全布局臻善 198、京正车存领先业积局3DDRAM199、冉份：NORFlash后之，力规阔市场 2010、东股：土SLCNAND领企，“存算联技生态 21四、风险提示 211、储品格动响 212、游求及期 21图表目录图表1 DDR5粒型号货趋（元） 5图表2 DDR4粒型号货趋（元） 6图表3 25Q3~25Q4DRAM模合价涨预测 6图表4 TLC存wafer现货（元） 7图表5 业场SSD价（元） 7图表6 2021-2026E全八大CSP本出总额 8图表7 2023-2026年AI服务出增及比 8图表8 AI行段需求 9图表9 NANDFlash分布 10图表10 DRAM用布 10图表Llama370B化推吞量 图表12 Llama370B准化迟能 图表13 HBM/统DRAM位出占比 图表14 HBM/统DRAM营占比 图表15 2025年DRAM产能况千片月） 12图表16 2026EDRAM能情（片/12图表17 消级SSD企级SSD的要比况 12图表18 服器eSSD量占变化 13图表19 服器PCIe5.0eSSD透变化 13图表20 KVCache机示意图 14图表21 华为UMC存架构 15图表22 HDD温的核介层 15图表23 NearlineHDD与QLCSSD比较 16一、企业级需求高增，存储价格全面上涨（一）DRAM：服务器建置动能回暖，25Q4DRAM价格涨幅预期上修服务器建置动能回暖，需求拉动DDR5价格稳健上扬。DDR5方面，海外原厂退出DDR4致DDR4与DDR5价差大幅收窄，甚至部分料号已出现倒挂情况。例如七月PCDDR48GB模组价格已超越同容量的DDR5模组，出现罕见的价格倒挂。许多PCOEM因争取不到供给，只能下修DDR4机种的产销规划，并扩大DDR5机种比例。而服务器领域受到CSP建置动能回温，DDR5产品需求持续增强，预计未来各类DDR5需求均将进一步走强。据inSpectrumTech数据，截至2025年10月17日，DDR516Gb2Gx8/DDR516Gb1Gx16周度现货价格分别为8.33/8.48美元，较本轮底部涨幅分别达94.2%（25.2.14）94.9（52.图表1 DDR5颗粒主型号现货价趋势（元）121086422023/10/132023/11/32023/10/132023/11/32023/11/242023/12/152024/1/52024/1/262024/3/82024/3/292024/4/192024/5/102024/5/312024/6/212024/7/122024/8/22024/8/232024/9/132024/10/42024/10/252024/12/62024/12/272025/1/172025/2/142025/3/72025/3/282025/4/182025/5/92025/5/302025/6/202025/7/112025/8/12025/8/222025/9/122025/10/3DDR55600/640024Gb3Gx8 DDR5-4800/560016Gb2Gx8DDR5-4800/560016Gb1Gx16nSpectrumTech转引自彭原厂持续推进减产转产DDR4DDR415功耗//DDR5HBMDDR5LPDDR5(X)DDR5SKDDR5和LPDDR5高端产品，旧制程DDR424Q4/DDR4至DDRDDR4inSpectrum数20251017日，DDR48Gb1Gx8/16Gb2048Mx85.4310.996.（251.1）98.2（253.1图表2 DDR4颗粒主型号现货价趋势（元）121086422022/7/82022/8/122022/9/162022/7/82022/8/122022/9/162022/10/212022/11/252022/12/302023/2/102023/3/172023/4/212023/5/262023/6/302023/8/42023/9/82023/10/132023/11/172024/1/262024/3/12024/4/52024/5/102024/6/142024/7/192024/8/232024/9/272024/11/12024/12/62025/1/102025/2/212025/3/282025/5/22025/6/62025/7/112025/8/152025/9/19DDR4-16Gb-2048Mx8 DDR4-8Gb-1Gx83200DDR4-8Gb-1Gx8白牌 DDR4-16Gb-2048Mx8白牌nSpectrumTech转引自彭25Q4DRAM涨幅预期可观，供应商收到CSP加单提高调升报价意愿。TrendForce，DRAMServerDRAMHBM，排挤PC、MobileConsumerTrendforce9整体一般型DAM813BM131825年10月，CSP25Q4DRAMDRAM8-13%18-23%图表325Q3~25Q4DRAM模组合约价季涨幅预测25Q3（E）25Q4（E）第一版25Q4（E）第二版传统DRAMup10%~15%up8%~13%up18%~23%传统DRAM+HBMup15%~20%up13%~18%up23%~28%rendforc26年服务器出货量DDR5根据Trendforce，2026Server4%CSP单机DRAMDRAMTrendforceServerDDR52026（二）NANDFlash：供给优化&企业级需求攀升，价格强势上涨闪迪率先宣布上调闪存产品价格，现货Flash价格强势上涨。2594日，Sandisk10%Sandisk10%259+Flash225年10月29TC闪存26Gb5Gb1Tb价格分别为3.55.07.4259216.7%/61.3%/27.0%NAND资源价格几乎已与24年高位持平。图表4TLC闪存wafer现货价（美元）9876543210闪存256Gb 闪存512Gb 闪存1Tb存市成品920251029PCIe3.0/PCIe4.0SSD报价分别为43/4625年9月2日价格涨幅38.71%/38.55%；1TBPCIe3.0/PCIe4.0SSD报价分别为71/75美金，相比25年9月2日价格涨幅29.09%/29.31%；2TBPCIe4.0SSD报价145美金，较9月2日涨幅33.03%。图表5 行业市场SSD报价（美元）1601401201008060402002025/5/6 2025/6/6 2025/7/6 2025/8/6 2025/9/6 2025/10/6SSD512GBPCIe3.0 SSD1TBPCIe3.0 SSD512GBPCIe4.0SSD1TBPCIe4.0 SSD2TBPCIe4.0存市供给优化&企业级SSD需求攀升，预计25Q4NAND合约价有望全面上涨。供给角度来FlashServerOEMCSPBlackwell2H25HDDEnterpriseSSDTrendforceNAND25Q45-10%10%PC5-10%25Q4eSSDeSSD。MobileNANDASP5%~10%PC市场：由于PCcSSDPCcSSDcSSDNANDNAND价NANDFlashPCcSSDCFMcSSD10%。二、AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期（一）云厂商资本开支高增，服务器NAND和DRAM应用占比持续增长AI全球大型云厂商正扩大采购英伟达GPU加速自研AIASIC2025MetaP200Y61.0203年202426GPU、ASICAITrendforceAIServer20%Server17%。图表6 2021-2026E全八大CSP资本支出总额 图表7 2023-2026年AI服务器出货增速及比6000500040003000200010000

2021 2022 2023 2024 2025E 资本开支（亿美金） YoY（%）

70%60%50%40%30%20%10%0%-10%

50%40%35%30%25%20%15%10%

2023 2024 2025E 2026E AI服务器出货增速 AI服务器出货占比rendforc rendforcAIAI图表8 AI运行阶段存储需求阶段I/O特性存储需求影响数据输入海量顺序写入高顺序写入吞吐量优化存储意味着数据输入过程更加快速数据准备随机读取数据，按顺序写入预处理项小规模随机读取低延迟，高顺序写入吞吐量优化存储意味着在模型训练过程中能提供更多的数据，使模型准确性提升模型训练随机数据读取多任务性能和容量可扩展性；优化随机读取；适用于检查点写入的高顺序写入性能优化存储可以提升昂贵训练资源（GPU,TPU,CPU）利用率模型部署混合随机读取和写入处理组件故障的自修复能力；不中断的扩展和升级；如果模型持续微调，则应具备与训练过程相同的特征端侧需要高可用性、良好的服务能力和可靠性存档顺序及随机写入高写入性能为了合规和审计的目的，需要更好的数据保留FM闪存市场《2024-2025年全球存储市场趋势白皮书NAND和DRAM应用占比持续增长。云服务商适度超前投资AI基础设施，为未来长期发展提前部署存算力资源。服务器NAND和DRAMNAND202316%2025，服务器DRAM2023年的32%36%。NANDeSSD以提升性能并降低能耗，25务器NAND应用占比有望达30%2024-20252025年互联网企业对PCIe5.0eSSD需求持续增加，32TB及以上QLCeSSDCFMPC的NAND应用占比分别为30%、31%和14%，而服务器NAND应用202316%202530%。DRAM方面服务器DDR5及HBM需求攀升年服务器DRAM应用占比有望达36%随支持DDR5的IntelEMR与AMDBergamo理平渗提升，叠加搭载NvidiaHopper/Blackwell及AMDMI300等加速芯片的AI服务器出货量显增务器DDR5及HBM 需实快攀升据CFM闪市据，2024PCDRAM34%32%和14%，DRAM202332%2025年的36%。在64GB及以上DDR5与HBM3e12hi。图表9 NANDFlash应用分布 图表10 DRAM应用分布100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%

2023 2024 2025E

100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%

2023 2024 2025E手机 服务器 PC 其他 手机 服务器 PC HBM 其他

存市场《2024-2025

存市场《2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，DDR5及HBM2024-2025NAND和DRAM12%15%。（二）DRAM:低功耗内存需求日益旺盛，26年传统DRAM新增产能有限1、能耗限制推升低功耗内存重要性，英伟达GraceCPU率先应用LPDDR5X数据中心建设面临能耗问题，低功耗内存架构至关重要。随着AI2028AI加两倍，从而推动美国能源需求极速增长。为应对全球数据中心基础设施日益增长的能源需求，先进的节能型硬件技术至关重要。通过开发和采用创新型低功耗内存架构，数据中心可以获得显著的性能提升，同时比传统DDR5内存消耗更少的能源。GraceCPU已采用LPDDR5X。与DDR5LPDDR5XDDR5MetaLlama370BLD5X相比于DR548、73%一代GraceCPU(ECC)的LPDDR5X时将能效提高5倍，非常适合云、企业和高性能计算(HPC)工作负载。图表Llama370B标准化推理吞吐量 图表12 Llama370B准化延迟性能光官网 光官网针对AIDRAM10SOCAMM2253月发布的LPDRAMSOCAMM50%token显著缩80%RDIMM2、HBM单位元收入贡献远超传统DRAM，26年传统DRAM新增产能有限HBMDRAMHBMDRAMDRAMHBM20245%DRAM19%2026HBM9%DRAM41%的营收。图表13 HBM/传统DRAM位元出货占比 图表14 HBM/传统DRAM营收占比

5%

HBM

8%2025E传统DRAM

9%2026E

19%33%19%33%41%HBM 传统DRAMrendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook

rendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook主要原厂26年均聚焦HBMDRAM2026领域主要扩产集中于HBM，整个行业的HBMHBMHBM2026之一的总产能用于HBMHBM年规划HBM近翻倍。从传统DRAM1.5万片5000片/1万片7000片图表15 2025年DRAM产能情况（千片月） 图表16 2026EDRAM产能情况（千片月）0

1501501505550510395285270三星 海力士 美光 长鑫存储 南亚传统DRAM HBM

0

15020010040026020280520三星 海力士 美光 长鑫存储 南亚传统DRAM HBMrendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook 注：HBMTSV行衡量，TSVHBM）

rendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook 注：HBMTSV行衡量，TSVHBM）（三）NAND:受KVCache卸载&HDD挤占影响，NAND出货或将出现爆发式增长1、中高容量eSSD应用占比大幅提升，低延迟驱动PCIe5.0渗透率提升企业级SSD主要应用于互联网、云服务、金融和电信等客户的数据中心。在数字经济时代，企业越来越将数据视为一项自身核心资产，对数据安全的重视程度越来越高。大量企业将内部信息系统和业务系统实现了数字化升级，底层数据对内关乎着企业日常经营的稳定，对外决定着信息化业务的正常运营。固态硬盘作为数据的载体，除了高性能和图表17 消费级SSD及企业级SSD的主要对比况恒创源招股说明书中高容量eSSD应用占比大幅提升，预计25年8TB及以上应用占比超40%。在数据量方面，为确保模型训练的准确度，所需的数据量不断增长，并且数据来源已经扩展到文8TB/16TBeSSDCFM20248TBeSSD21%，16TB20258TBeSSD8TB占比8Y7pc，6B4Y4pcPCIe5.0SSDAICheckpointCheckpointCheckpoint，大量的数据需要快速地从存储设备传输到内存或计算单元中，以尽快恢复程序或任务的PCIe5.0SSD能够更快地训练多个模型，从而加速AI部署。因此在AIPCle5.0esSD应用得到青睐。据CFM数据，2024PCe5.0SSD10%202530%。图表18 服务器eSSD容量占比变化 图表19 服务器PCIe5.0eSSD渗透率变化100%90%80%70%60%50%30%20%10%

2022 2023 2024 2025E

100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%

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2025E4TB 16TB及以上 8TB

PCIe5.0 其他FM闪存市场《2024-2025年全球存储市场趋势白皮书 书

FM闪存市场《2024-2025年全球存储市场趋势白皮2、KVCache容量增长超出HBM承载上限，或将卸载至DRAM和SSD历史tokenCachetokentokenCacheGPU图表20 KVCache机示意图伟达开发者官网KVCache容量增长超出HBMCPU和SSDLLMHBM的消耗主要来自模型权重和KVCache，其中KVCacheLlama27B4096token序列的单次请求，其KVCache将消耗约2GB的HBM，给GPU内存带来显著压力。KVCache容量的增长已超过HBM承载上限，频繁的内存溢出可能导致推理过程出现记忆断片，迫使GPU执行重复计算，从而引发延迟和卡顿。然而，并非所有KV缓存数据都需要始终保留在GPU内存中，在许多实际应用中用户可能不会与LLM持续交互。将KVCache卸载（offloading）到成本更低、容量更充裕的内存层级（如CPUDRAM、SSD）成为业界核心策略。华为UMC将KVCache缓存进行卸载，降低每Token推理成本。华为推出以KVCache为中心的推理加速套件推理记忆数据管理器（UnifiedCacheManager，简称UMC）。融合了多类型缓存加速算法工具，可以分级管理推理过程中产生的KVCache记忆数据，扩大推理上下文窗口，以实现高吞吐、低时延的推理体验，降低每Token推理成本。其将实时对话的极热数据存在HBM中（约十GB~百GB级容量），将短期记忆的热数据存在DRAM中（约百GB~TB级容量），将长期记忆数据与外部知识等热温数据存在SSD中（TB级~PB级容量），通过多级缓存解决AI推理体验与成本问题。图表21 华为UMC存架构察者网3、HDD供应短缺严重，北美CSP逐步采用SSD补齐HDD需求缺口HDD是数据中心冷数据的首选，承载近80%存储容量。现代数据中心根据不同工作负载对性能和成本（TCO）的需求，采用分层存储策略，组合使用SSD、HDD和磁带等不同存储技术来平衡不同工作负载的需求。其中SSD性能最强但成本也最高，磁带提供最低成本但性能最差；HDD则在二者之间取得了平衡。在目前数据中心建设中，HDD是冷数据的首选，承载了近80%的存储容量。图表22HDD是温存储的核心介质层部数据《HDDsarestillheretostay》推理需求导致Nearline预计26年SSD出货有望趁势爆发。AIAINearlineHDD（）TrendforceHDDNLHDD52CSPCSPHDDQLCSSD出货可能于2026图表23 Nearline与SSD比较产品交付周期每GB平均售价最大容量性能能效NearlineHDD52周0.01532TB弱较低QLCSSD8周0.05-0.06122TB强较高rendforc三、相关标的1Zilia构建海外增长极聚焦存储业务，提供多下游存储解决方案。类存储品牌FORESEE、海外行业类存储品牌Zilia和国际高端消费类存储品牌Lexar（PC等、已与多个国产CPU256.93+38.6公司已经推出多款高速eSSD产品，覆盖480GB至7.68TB的主流容量范围，支持1DWPD（每日整盘写入次数）和3DWPD2.5英寸到M.2PCIeSSD与SSD两大CPU25ZiliaZiliaZia3.88Y+.0ZiaZilia拓展了UFSDDR52、德明利：企业级SSD部分产品开始送样，消费级内存已实现量产出货深耕聚焦存储战略，构筑多样化产品线并推行差异化策略。在聚焦存储战略指导下，德明利不断完善存储产品矩阵，拓展产品应用领域与应用场景，目前已经形成了包括固态硬盘、嵌入式存储、内存条和移动存储在内多条存储产品线。在消费级市场，公AISSDAIQLCNAND应用与企业级SSD两大方向。针对QLCQLCNAND介QLCNANDSSD2024消费级内存已实现量产出货，加快送样及验证工作。DDR3DDR4及DDR5LPCAMM2、CAMM2RDIMMSODIMM和UDIMMRDIMM25Q2LPCAMM2（QoS）3、香农芯创：分销+产品共驱发展，子公司海普存储发力企业级存储芯片分销+自研产品互为表里，一体两翼共驱发展。香农芯创前身聚隆科技成立于1998年，早期专注于洗衣机减速离合器等家电核心零部件，2019年基石资本完成对聚隆科技的要约收购，后公司于2020年开展一系列针对半导体行业的股权投资业务。2021年，公司完成对联合创泰100%股权的重大资产收购事项，主营业务由洗衣机减速离合器的生产、研发、销售变更为电子元器件分销，同年更名为香农芯创。2023年，香农芯创联合SK海力士、大普微电子等合作方设立控股子公司深圳海普存储，定位企业级存储。自此，香农芯创形成分销+产品一体两翼的发展格局。兼具授权品牌优势&客户资源优势，分销业务竞争优势显著。原厂的授权是代理商在市SKMTKAMD（数ODM分销+产品协同驱动发展，海普存储企业级模组产品进展顺利。香农芯创在高端存储领域历经多年耕耘，现已形成分销+产品一体两翼的发展格局。分销业务端，公司已具备数据存储器、控制芯片、模组等电子元器件产品提供能力，产品广泛应用于云计算存储（数据中心服务器）等领域。在存储产品以外，香农芯创全资子公司联合创泰于24年5月公告收到AMD签署的《AMD经销商确认函》，扩大分销业务经营范围。产品业SSDRDIMMDDR4DDR5Gen4eSSD（数据中心服务器）等领域。目前已完成部分国内主要的服务器平台的认证和适配工作并正式进入产品量产阶段。25年8月，香农芯创公告拟与无锡灵境云共同发起设立无锡新威智算科技有限公司。合资公司设立完成后，将有利于公司充分发挥分销+产品优势，参与产业链深度合作，拓宽产品销售渠道并提升综合竞争力。4、兆易创新：国产存储器IC设计龙头，积极布局定制化新兴赛道2005MCUMCU2024年NORFlashSLCNANDFlash、DRAMMCUICNORFlash全球SLCNANDFlash全球第六、中国内地第一；利基型DRAM全球MCU大厂减产带来利基型DRAMDRAM产品DRAMDRAM从而在利基型DRAMAIAIPC户拓展进展顺利。公司在定制化存储领域拥有显著先发优势，同时与战略供应商拥有长期良好稳定的合作关系，带来产能保障和制程优势。5、佰维存储：构建AI端侧存储综合竞争力，智能穿戴存储收入同比高增深耕存储主业，积极拓展国内外一线客户。OPPOHMDZTETCLPCSSDAcerHPPCPCSSDMetaRokidAI/AR20余家CPUOEMTier1积极布局AI端侧，构建AIAI覆盖AIAIPCAIAI出UFS、LPDDR5/5X、uMCP等嵌入式存储产品，并已量产12GB、16GB等大容量LPDDR5XPCAIPC已推出高端DDR5PCIe5.0SSDePOPGoogle、Meta、Rokid备上，其中，公司为Ray-BanMeta提供ROM+RAM82025AIMeta6、聚辰股份：DDR5加速渗透驱动SPD增长，汽车EEPROM打开成长空间DDR5SPDDDR2DDR2/3/4SPDSPD产DDR5套新一代DDR5SPDDDR5DDR5SPD国内唯一成熟&系列化汽车EEPROM供应商，汽车EEPROM+Nor组合优势显著。聚辰股份是国内唯一可以提供成熟、系列化汽车级EEPROM芯片的供应商，25年汽车级EEPROM成功导入多家全球领先的汽车电子Tier1供应商，市场份额快速提升，产品的销量和收入较上年同期实现高速增长。此外，公司基于在汽车电子市场的客户资源优势，顺应下游客户同时提出的汽车级EEPROM芯片和汽车级NORFlash芯片需求，通过提供组合产品及解决方案等方式，汽车级NORFlash芯片亦成功搭载在多款主流品牌汽车中导入市场，汽车电子业务自主开发空间广阔。7、联芸科技：国产SSD主控芯片领先厂商，全系布局日臻完善全球领先的独立主控芯片厂商，业绩稳步增长。、PCIe接口固态硬盘主控芯片及关键核心技术的突破，产品覆盖消费级、工业级及企业级固态20249.2025.42%，SSDNAND尚未打入外，全球大部分SSD品牌均有采用公司SSD主控芯片及解决方案；在PC-OEM前装SSDSSD牌PCSSDSSD合作NANDUFS/eMMCAIoT8、北京君正：车规存储领先企业，积极布局3DDRAM领域车规存储领先企业，产品矩阵丰富&客户资源优质。北京君正成立于2005年，起家于MPU2020ISSIADASDelphi、AI3DDRAMPCAIDRAMDRAM等新型存储芯片可有效满足AIDRAM3DDRAM在内的AID