电子行业AI系列专题报告-存储：主流存储迎来全面涨价企业级产品需求持续向好

投资要点2AI高景气叠加终端更新迭代，存储市场规模有望稳步增长。当前AI发展如火如荼，尤其是基础设施/服务器端，推动企业级存储等高端产品需求持续向好。其中，除HBM需求延续高景气之外，DDR5等高端产品渗透率也在逐步提升，另外，eSSD产品也得益于HDD供应紧缺以及QLC颗粒推广带来成本优化而迎来渗透率加速。从终端来看，传统电子产品如手机、PC等随着更新迭代，DRAM和NAND

Flash单机容量持续增加，产品规格也在同步提升，考虑到未来AI推理带来的巨大数据存储需求以及AI终端产品逐步成熟和放量，存储市场规模有望保持稳定提升态势。需求回暖叠加产能重心偏移，存储产品迎来全面涨价。一方面，当前AI延续高景气，企业级存储产品需求向好，另一方面，传统存储市场库存逐步去化叠加原厂控产，推动行业供需格局改善，自25Q2起主流存储产品合约价开始回暖，根据TrendForce预测，在25Q3合约价环比上涨基础上，25Q4

DRAM/NAND

Flash合约价有望分别环比+13%-18%/+5%-10%。展望后续，DRAM除去HBM需求高景气外，其他类型产品的市场供需有望在存储原厂产能向高端产品倾斜而持续，改涨善价态势有望进一步延续，而NAND方面，由于NAND未有HBM等高盈利性产品，因此NAND原厂盈利压力相对更大，对于涨价需求更为迫切，考虑到当前市场供需情况良好，产品涨价有望持续。投资建议：当前存储全面涨价已成为行业和市场共识，考虑到当前存储原厂业绩盈利需求，我们认为主流存储产品涨价有望持续，另外，近几年国内相关存储厂商不论是在产品技术亦或是市场客户方面均取得有效突破，有望逐步弥补国内中高端市场供应缺口，相关存储厂商经营业绩有望迎来持续改善，建议关注江波龙、兆易创新、澜起科技、德明利、香农芯创、佰维存储、开普云。风险提示：下游需求恢复不及预期风险；国内厂商对先进技术的研发进程不及预期风险；新品研发进度受到阻碍风险。存储芯片产业链3江波龙招股书，目录CO

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S存储行业：主流存储迎来全面涨价，高端产品需求持续向好DRAM：HBM延续高景气，DDR5逐步成为主流NAND

Flash：QLC迎来推广，eSSD渗透加速投资建议和风险提示1

DRAM和NAND

Flash共同主导存储芯片市场半导体存储也称为存储芯片，根据数据存储原理的不同，半导体存储器可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。RAM是与CPU直接交换数据的内部存储器，可随时进行数据读写且速度较快，断电后保存数据会丢失，是易失性存储器，通常用作操作系统或者其他运行中程序的临时数据存储介R质O；M是一种只能读取事先所存数据的存储器，断电后也能保存数据，是非易失性存储器，常用于存储各种固定程序和数据。根据中商产业研究院数据，当前存储芯片市场主要以DRAM和NAND

Flash两大类产品为主。存储芯片常见分类 全球存储芯片产品细分市场占比情况5中商产业研究院《2023年中国存储芯片行业市场前景及投资研究报告，2023年6月20日》，2

AI驱动HBM需求高增，DRAM市场表现更优受益于HBM强劲需求，DRAM市场表现相较NAND

Flash更优。根据CFM闪存市场数据，2024年全球DRAM市场规模达973.7亿美元，同比+91%，主要得益于AI持续拉动HBM等高价值产品的需求增长，2024年NAND

Flash全球市场规模则同比+75%至696亿美元。分季度来看，DRAM自23Q1起实现了连续八个季度的环比增长，24Q4

DRAM市场规模达293.5亿美元，NANDFlash整体市场表现逐步回暖。全球DRAM/NANDFlash市场收入季度变化（亿美元）6CFM闪存市场，3

CSP加码AI基础设施投入，服务器存储需求增幅领先DRAM应用分布（按位元需求）服务器位元需求增幅领先其他应用领域。根据CFM闪存市场数据，整体来看，由于大型CSP将投资重心转移至AI基础设施，存储原厂相继将产能及资本开支向高端产品倾斜，推动近几年服务器存储位元需求稳定增长，需求增幅领先于其他应用领域。其中，DRAM方面，2024年占比最大的应用下游由手机转向服务器，预计到2025年服务器在DRAM占比将由2023年的32%增加至36%，而HBM占比将增加至9%。NAND

Flash方面，预计2025年手机依旧是NAND

Flash最大应用占比，但服务器需求占比由2023年的16%提升至2025年的30%。NAND

Flash应用分布（按位元需求）7《2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》CFM闪存市场，4

SK海力士稳居DRAM首位，NAND

Flash市占率同步提升根据TrendForce数据，

在HBM和一般型DRAM合约价上涨及出货量增长共同推动下，

25Q2

DRAM整体营收环比+17.1%至316.3亿美元，其中，SK海力士以38.7%位列全球市场首位，对应营收达122.29亿美元，其次是三星和美光，市场份额分别达32.7%和22%。NAND

Flash方面，预计25Q2产业营收将环比+22%至146.7亿美元，其中，三星以32.9%市场份额位列全球首位，其次是SK集团（SK海力士+Solidigm）

，市占率达2 1%，而铠侠得益于AI服务器需求旺盛以及PC、智能手机客户库存去化顺利，市场份额超越美光提升至全球第三。25Q2全球DRAM厂自有品牌内存营收排名 25Q2全球NAND

Flash厂商营收排名8TrendForce，5

主流存储价格逐季上涨，HBM持续支撑DRAM价格主流存储价格逐季上涨，DRAM涨幅更为突出。根据TrendForce数据，整体来看，主流存储产品价格自25Q2起开始迎来全面涨价，且呈现逐季环比增加的态势。具体而言，由于HBM需求强劲且价值量较高，持续支撑DRAM整体价格，预计25Q4

DRAM整体合约价将环比上涨13%-18%。而NAND

Flash价格在原厂控产及库存去化背景下迎来回暖，且eSSD需求向好，共同推动合约价格上涨。24Q2-25Q4存储产品合约价环比涨跌幅9TrendForce，24Q224Q324Q425Q125Q225Q3E25Q4EDRAM（包含HBM）上涨13-18%上涨10-15%上涨0-8%下降0-5%上涨3-8%上涨15-20%上涨13-18%NAND

Flash上涨15-20%上涨5-10%下降3-8%下降15-20%上涨3-8%上涨3-8%上涨5-10%6

原厂产能转向高端，旧世代DRAM供应偏紧持续涨价三大DRAM原厂产能向高端倾斜，旧时代DRAM产品供不应求推动价格持续上涨。根据TrendForce数据，由于HBM等高端产品需求持续上扬，海外DRAM存储原厂陆续将产能转向高端产品，并相继宣布PC/服务器/手机等领域的DDR4/LPDDR4X将进入产品生命周期末端，推动市场积极备货，预计2025年下半年DDR4/LPDDR4仍将供不应求，导致相关存储产品价格持续走高。其中，在25Q2合约价上涨的基础上，预计25Q3PC/Server/ConsumerDDR4合约价将分别环比+38-43%/+28-33%/+85-90%，另外，25Q3合约价预计将环比+38-43%。2025年三季度DDR4/LPDDR4X合约价涨幅预测10TrendForce，7

HDD供应紧缺，eSSD渗透加速Nearline

HDD与QLC

SSD比较AI快速发展催生海量存储需求，

HDD供应不足驱动SSD渗透加速。在传统数据中心，HDD凭借极低的成本优势稳居冷数据主流存储方案，但由于全球核心HDD制造商近年未扩大产能，无法及时满足AI带来的爆发性巨量存储需求，导致NL

HDD交期由原有数周延长至52周。北美CSP此前已将SSD用于温数据存储，由于HDD供应缺口过大，CSP开始考虑将SSD应用至冷数据存储，推动SSD应用渗透加速。基于此，NAND

Flash原厂出于业绩盈利需求，且高容量SSD产品产能有限，预计将推动25Q4企业级SSD合约价环比+5-10%。24Q425Q125Q225Q3E25Q4E企业级SSD上涨0-5下降18-23持平上涨5-10上涨5-10产品交付周期每GB

ASP（美元）最大容量性能能效Nearline

HDD52周0.01532TB弱较低QLC

SSD8周0.05-0.06122TB强较高24Q4-25Q4企业级SSD合约价环比涨跌幅11TrendForce，8

AI高景气叠加行业供需改善，原厂业绩有望进入增长新阶段AI存储需求强劲，海外原厂业绩有望进入新一轮增长阶段。从原厂业绩角度来看，一方面，AI高景气持续推动HBM、eSSD等企业级存储产品需求增长，另一方面，原厂逐步将产能转移至高端领域，且出于业绩盈利需求，对传统存储产品进行控产，原厂营业利润率自23H2起逐步修复。结合未来AI算力对配套存储需求的积极推动作用，在25Q2主流存储产品开始新一轮涨价后，25Q3起海外原厂业绩有望进入新一轮增长阶段。SK海力士和美光业绩指标变化情况12，平安证券研究（由于美光财季时间不同，将美光数据前置一个季度用于同业比较）3目录CO

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SDRAM：HBM延续高景气，DDR5逐步成为主流存储行业：主流存储迎来全面涨价，高端产品需求持续向好NAND

Flash：QLC迎来推广，eSSD渗透加速投资建议和风险提示2.1

内存带宽成为限制AI加速器提升算力性能的关键瓶颈之一14SK海力士官网，三星官网，当前诸如GPT-3等AI大模型所要求的算力日益提升，伴随着的是参数数量呈现指数级增长，为了计算及处理如此庞大规模的数据量，数据中心和边缘设备需要配套持续提升计算性能和降低功耗，随着对GPU/CPU

高负载工作频率需求不断增长，传统的内存带宽限制了硬件以及系统的最大性能，为了释放AI加速器最佳的硬件性能，市场急需更高带宽的内存解决方案。从DRAM主流细分产品的带宽发展来看，HBM（High

Bandwidth

Memory，高带宽内存）自身的内存带宽以及带宽提升速度均大幅领先于其他DRAM产品，有望成为AI时代中最重要的内存技术之一。训练Transformer模型的计算要求 内存带宽发展历程2.2

HBM是当前高性能计算首选的内存技术15SK海力士官网，英伟达官网，AI时代下高性能存储需求激增，HBM技术正步入快速发展阶段。HBM（High

Bandwidth

Memory，高带宽内存）采用硅通孔（TSV）技术将多个DRAM芯片进行堆叠，并与GPU一同进行封装，形成大容量、高位宽的DDR组合，阵从列而克服单一封装内的带宽限制。相较于传统DDR内存，HBM具有高带宽、低功耗、低延时等优势，已成为当前高性能计算、人工智能等领域的首选内存技术。以英伟达H100

SXM5为例，其集成了6颗HBM3，总容量达到80GB，内存带宽超3TB/s。常规HBM产品内部结构英伟达H100配置了6颗HBMHBM内存GPU核心HBM内存2.3

当前HBM产品已发展至第五代HBM3e当前HBM产品已经发展至第五代，HBM4最早有望于2026年提前发布。第一代HBM产品由SK海力士于2014年发布，此后每一代HBM的升级更迭，在内存带宽、I/O速率等方面都迎来明显提升，当前HBM已发展至第五代（HBM3e），容量最高可达36GB，内存带宽已提升至

2TB/s。SK海力士作为HBM行业领先者，于2014年率先推出第一代HBM，并于2025年率先送样HBM3E

16Hi样品，技术和市场份额均处于行业领先位置。HBM产品发展历程HBMHBM2HBM2EHBM3HBM3EHBM4核心供应商SK海力士SK海力士、三星SK海力士、三星、美光SK海力士、三星SK海力士、三星、美光SK海力士、三星、美光首款产品发布年份2014年2018年2020年2022-2023年2024年2026年芯片密度2Gb8-16Gb16Gb16Gb24Gb24-32Gb工艺制程2x2y/2z1y/1z1z1a/1b/1β1b/1β/1c/1γ内存带宽128GB/s205-307GB/s460GB/s819GB/s2TB/s≥2TB/s堆叠高度4层4-8层4-8层8-12层8-12层12-16层主要封装技术TSV&MicrobumpsTSV&MicrobumpsTSV&MicrobumpsTSV&MicrobumpsTSV&MicrobumpsTSV&Microbumps容量1GB4-8GB8-16GB16-24GB24-36GB36-48GB每堆栈最大带宽128GB/s205-307GB/s460GB/s819GB/s2TB/s≥2TB/s16《Next-GenerationDRAM2025》Yole，2.4

HBM3E为当前HBM主流世代产品HBM3E为当前主流，

2026年有望升级至HBM4。根据Yole预测数据，

2025年市场主要以HBM3E为主，

市场占比由2024年的21%提升至66%，预计2026年HBM4将成为HBM主流产品类型，市场占比预计将达53%HBM产品世代结构占比17《Next-GenerationDRAM2025》Yole，2.5

HBM高景气且盈利性高，三大原厂持续扩充HBM产能，由于AI的高景气，叠加HBM的高价值和高盈利性，三大存储原厂纷纷加大HBM投入。从产能规划上看，2025年三大原厂DRAM总产能同比略微增长，但TSV产能却实现明显提升，预计到2025年底，三星/SK海力士/美光TSV产能将分别同比+42%/+25%/+80%，占各家DRAM总产能比例将分别提升至24%/28%/13%2024-2025年存储原厂TSV产能预测18TrendForce，2.6

Micro

Bump仍是主流堆叠技术，HBM5确定采用Hybrid

Bonding根据TrendForce数据，三大存储原厂已确定将继续在HBM3E

12hi和HBM4

12hi世代延续此前的AdvancedMR-MUF（SK海力士）及TC-NCF（三星和美光）堆叠架构。相较于主流的Micro

Bump堆叠技术，Hybrid

Bonding可容纳更多的堆叠层数和更厚的晶粒厚度，能够较好的改善翘曲问题，三大原厂决定将在HBM5世代中全面采用，但是在HBM416hi和HBM4E

16hi世代中，由于Hybrid

Bonding的优势并非特别突出，因此原厂仍在研发观察中。各世代HBM堆叠高度及供应商堆叠技术19TrendForce，2.7

2025年全球HBM产值有望增长至340亿美元生成式AI的快速发展，不断加速提升数据中心对HBM技术的需求。当前AI高工作负载不断驱动对更高带宽内存的需求，以提升硬件设备和处理单元之间的数据传输速率，HBM作为当前AI领域首选的高带宽内存技术，近几年的市场需求呈现快速增长态势。根据Yole数据，2025年全球HBM市场规模将同比+100%至340亿美元，预计到2029年将进一步增长至830亿美元。市场份额方面，以营收作为统计口径，2024年SK海力士以54%位列全球市场首位，其次是三星和美光，市场份额分别达39%和7%。全球HBM市场规模预测 2024年全球HBM市场份额（按营收）20《Next-GenerationDRAM2025》Yole，2.8

服务器景气向好，DDR5渗透率持续提升服务器内存出货稳定增加，

DDR5渗透率持续提升。内存模组作为服务器核心部件，正由DDR4世代向DDR5世代升级转变，当前全球服务器出货量稳步增长，单台服务器内存配置容量持续增加，叠加AI服务器兴起，共同推动了DDR5内存需求提升，根据弗若斯特沙利文预测数据，2024年全球服务器DDR5内存模组出货量达8540万根，预计到2025年将同比+84%至15700万根，占比由2024年的50.1%提升至85.4%，预计到2028年服务器内存市场有望完全由DDR5主导。全球服务器内存模组出货量21弗若斯特沙利文，澜起科技2025年半年报，2.9

CUBE有望成为未来AI终端重要的高带宽内存技术CUBE用于边缘计算且具备可扩展性算力持续下沉至端侧，CUBE应用潜力巨大。AI算力从基础设施侧向端侧延伸是必然结果，随着未来生成式AI持续迭代，其复杂的架构和庞大的模型尺寸对AI终端计算和资源系统提出了较高要求，仅靠传统的终端存储技术已无法满足，而CUBE凭借其高带宽、低功耗、紧凑尺寸以及高性价比，有望成为便携式设备的理想高带宽内存解决方案，帮助未来AI终端无缝高效部署AI模型，应用潜力巨大。CUBE

3D堆叠结构22华邦电子官网，3目录CO

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S存储行业：主流存储迎来全面涨价，高端产品需求持续向好DRAM：HBM延续高景气，DDR5逐步成为主流NAND

Flash：QLC迎来推广，eSSD渗透加速投资建议和风险提示243.1

2029年全球NAND位元需求有望达2236EB《SandiskInvestorDay2025》闪迪，预计到2029年全球NAND位元需求将达2236EB。在2005-2022年期间，NAND

Flash主要由智能手机、PC等消费电子产品所驱动，期间诞生了如eSSD、3D

NAND等产品技术，NAND位元需求持续增长。随后大模型的面市开启了AI时代，从AI训练到AI推理，持续拉升NAND需求，根据闪迪数据，预计2029年NAND

Flash位元需求将在AI推动下增长至2236EB，2025-2029年CAGR达2

5%。AI持续推动NAND需求增长（单位：EB）253.2

AI兴起拉升NAND需求，影响全面覆盖核心下游《KioxiaCorporateStrategyMeeting》铠侠，AI推动NAND需求增长，影响全面覆盖主流下游。当前NAND

Flash最主要的下游主要包括手机、PC和服务器，AI兴起叠加产品迭代不断提升下游终端单机NAND

Flash需求，

预计2025

年手机/PC的单机NAND

Flash容量分别为265GB/657GB，预计到2029年将分别增长至474GB/1083GB，而服务器作为当前最核心的增量下游，预计NAND需求将由253EB增长至668EB，25-29年CAGR达27%。服务器成为NAND需求增长核心驱动下游3.3

HDD可替代空间广阔，eSSD长期发展潜力大26西部数据官网，《KioxiaCorporateStrategyMeeting》铠侠，在传统通用服务器中，大容量数据存储主要以HDD为主，AI生成的巨大数据持续推动HDD出货增长，根据西部数据预测，2024年全球Nearline

HDD位元出货量达1052EB，预计到2028年将增长至2385EB。而对于AI服务器来说，考虑到需要运行超过上万亿参数大模型，对存储的要求不局限于数据存储的作用，还需要考虑到读写速度、电力消耗等，且由于HDD厂商近几年未扩张产能，导致HDD供应无法及时满足因为AI而激增的存储需求，相较HDD，eSSD具有性能、功耗等优势，且随着容量提升和QLC的应用，两者成本差距逐步缩小，未来eSSD有望逐步替代HDD成为AI服务器中的主流存储技术。2024至2028年HDD位元出货量预测（单位：EB） HDD/SSD是服务器重要的存储技术3.4

eSSD渗透加速，市场规模持续提升27TrendForce，2023至2026年AISSD需求位元占比25Q2企业级SSD前五大品牌厂商营收排名eSSD迎来替代良机，市场规模持续提升。AI推理等应用的快速发展持续拉升数据存储和处理需求，当前HDD市场供应缺口巨大，且eSSD在大型数据中的应用所节省的电费、冷却成本以及机柜空间，长期足以抵消其相较HDD更贵的购置成本，大容量eSSD迎来替代HDD良机。根据TrendForce数据，AI

SSD需求在整个NAND

Flash的市场占比有望由2023年的0.2%提升至2026年的12%。厂商份额方面，25Q2三星以34.6%市占率位列全球首位，其次是SK集团（SK海力士+Solidigm）和美光，市场份额分别达26.7%和14.3%，从营收角度来看，25Q2全球SSD前五大品牌厂商营收环比+12.7%至51亿美元。3.5

NAND

Flash容量提升的主要途径当前NAND提升容量主要通过四种技术途径。为了满足AI带来的海量数据存储和处理需求，NAND厂商不断提升提升NAND单位面积容量，当前行业主要有四种技术途径：1）逻辑扩展：让每个存储单元存储更多的位元；2）垂直扩展：垂直堆叠NAND单元数量；3）横向扩展：在二维平面范围内提升可容纳存储单元的尺寸大小或数量；4）架构扩展：通过多种技术手段提升芯片密度，并降低来自存储单元及外围电路的额外消耗。提升NAND容量的四种主流方法28SemiAnalysis，3.6

3D

NAND为市场主流，堆叠层数突破300层在早期，NAND闪存主要以2D平面形式存在，其扩展容量的原理主要通过在一个平面上将多个存储单元进行拼接，存储单元的数量越多，存储容量就越大，随着存储芯片厂商将2D

NAND的单元尺寸从120nm微缩至14nm时，2D结构在容量扩展方面的局限性开始显现，其可靠性会随着制程微缩进一步下降。为了克服2D

NAND技术的自身缺陷，2007年东芝（现在的铠侠）提出了3D

NAND结构的技术理念，3D

NAND主要通过在垂直堆栈中将多组存储单元进行相互层叠，以实现存储容量增加的目的，堆叠层数越高则意味着容量就越高，当前3D

NAND堆叠层数已突破300层。3D

NAND技术发展路径29SemiAnalysis，3.7

QLC兼具性能和能耗优势，下游渗透率稳步提升QLC兼具性能和能耗优势，渗透率迎来持续提升。根据存储方式的不同，NAND

Flash又可分为SLC、MLC、TLC和QLC，对应存储单元分别可存放1、2、3和4bit的数据，存储密度越大，其寿命越短且速度越慢，但容量越大成本越低。QLC除了具有NAND性能外，兼具能耗优势，根据Solidgim数据，当基础设施存储配置由1PB扩展至10PB时，QLC能效优势逐级放大，尤其是跟HDD相比提升更为明显，优势幅度由1PB配置的33%提升至10PB配置的79.5%。当前北美CSP厂商已开始在AI推理服务器中大量采用QLC

eSSD，根据TrendForce预测，2024年QLC将贡献NANDFlash位元出货量20%，2025年占比将进一步提升，叠加手机端逐步采用QLC

UFS方案，QLC渗透率有望保持稳定提升态势。按多层单元划分的单元状态 不同容量存储基础设施功耗情况（单位：W）30SK海力士官网，Solidigm官网，3.8

NAND持续探索AI训练端应用，HBF等新技术应运而生NAND原厂积极探索AI训练端的应用，推出HBF等新技术。除了在AI推理方面的广泛应用，NAND

Flash供应商正积极探索在AI训练端的应用，推出了HBF（高带宽闪存）产品，HBF与HBM产品结构类似，通过将NAND

Die替换DRAM

Die实现单产品容量的大幅提升，但是也存在读写运行速度不足的缺陷。当前HBF的应用已形成两种不同的技术路线，一方面，闪迪提倡采用HBM与HBF结合的混合式设计，兼顾容量与性能，满足AI模型训练中对数据吞吐量和容量的双重需求。另一方面，三星和铠侠则倾向采用SCM（储存级存储器）XL-Flash和Z-NAND等技术，试图提高产品性价比以吸引更广泛的客户群。HBF产品结构 HBF解决方案可提供4096GB存储容量31《SandiskInvestorDay2025》闪迪，2目录CO

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S存储行业：主流存储迎来全面涨价，高端产品需求持续向好DRAM：HBM延续高景气，DDR5逐步成为主流NAND

Flash：QLC迎来推广，eSSD渗透加速投资建议和风险提示4.1

投资建议33AI高景气叠加终端更新迭代，存储市场规模有望稳步增长。当前AI发展如火如荼，尤其是基础设施/服务器端，推动企业级存储等高端产品需求持续向好。其中，除HBM需求延续高景气之外，DDR5等高端产品渗透率也在逐步提升，另外，eSSD产品也得益于HDD供应紧缺以及QLC颗粒推广带来成本优化而迎来渗透率加速。从终端来看，传统电子产品如手机、PC等随着更新迭代，DRAM和NAND

Flash单机容量持续增加，产品规格也在同步提升，考虑到未来AI推理带来的巨大数据存储需求以及AI终端产品逐步成熟和放量，存储市场规模有望保持稳定提升态势。需求回暖叠加产能重心偏移，存储产品迎来全面涨价。一方面，当前AI延续高景气，企业级存储产品需求向好，另一方面，传统存储市场库存逐步去化叠加原厂控产，推动行业供需格局改善，自25Q2起主流存储产品合约价开始回暖，根据TrendForce预测，在25Q3合约价环比上涨基础上，25Q4

DRAM/NAND

Flash合约价有望分别环比+13%-18%/+5%-10%。展望后续，DRAM除去HBM需求高景气外，其他类型产品的市场供需有望在存储原厂产能向高端产品倾斜而持续改善，涨价态势有望进一步延续，而NAND方面，由于NAND未有HBM等高盈利