科技电子行业2026年投资策略分析报告：AI硬件云端共振自主可控

证券研究报告

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2025年12月02日科

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报

告2026年度策略：AI硬件云端共振，自主可控开花结果报告摘要海内外AI算力投资加码，产业链配套景气持续高增。从投资侧看，目前海内外巨头对于AI算力的投资仍持续加码，且计算集群已迈入百万卡规模阶段，算力景气度持续。同时各核心环节正处于AI开始盈利的关键拐点，算力闭环逻辑进一步强化。2025年第三季度，谷歌、Meta、亚马逊、微软四大巨头合计CAPEX接近1200亿美元，同比增速普遍超过50%。计算集群关键配套将持续受益于AI带来的边际变化：功率密度提升驱动液冷与服务器电源持续升级，市场空间持续打开；架构创新下HDI、多层板等用量及规格再提升，PCB呈结构性增长；网络重要性凸显，高性能服务器、光模块、交换机等硬件设备需求持续高增等。半导体自主可控趋势明确。中国大陆成熟制程产能快速增长，同时本土先进节点晶圆产能正加速扩张以满足高速增长的算力所需。在半导体全产业链国产化的趋势下，围绕中游制造（制程迭代和产能扩张），上游设备/材料和下游先进封装加速发展。从不同领域来看：1）模拟方面，消费类等中低端产品市场逐步进入有序竞争，汽车模拟芯片等高端产品进入替代黄金窗口期，领先的模拟芯片企业在保持产品竞争力的前提下将实现稳定的规模及利润的增长。2）功率方面，市场已进入企稳向好的新阶段，AI大幅刺激高效率、高密度的功率器件需求。3）存储行业方面，行业上行涨价持续超预期，海外大厂资本开支主要用于转产及制程升级，AI点燃下游需求，CSP厂商资本开支大增，存储模组厂有望在上行周期中充分受益。AI终端生态加速升级，产业链迎高增机遇。1）手机、PC等传统消费电子在AI赋能下，设备硬件面临更高性能需求，散热方案、存储、电池等零组件性能迎来新需求，同时折叠屏手机为代表的传统消费电子创新也将带来产业链新增长机遇。2）智能眼镜为重要AI硬件落地形式，各厂商积极开发AI智能眼镜新品，AI眼镜有望复刻TWS发展轨迹迎来销量高增期，SOC、存储、摄像头等产业链环节有望充分受益。3）车企“智驾平权”持续推进，高阶智驾车渗透率持续提升，据NE时代新能源数据，2025年国内L2++智驾车渗透率从1月的13%提升至9月的33%，高阶智驾在传感器用量及性能要求上均有显著提升，车载摄像头、激光、高频高速连接器、智驾芯片等均迎来量价齐升机遇。2报告摘要投资建议：算力：服务器：工业富联、浪潮信息等；电源：欧陆通、麦格米特等；PCB：胜宏科技、沪电股份、东山精密、生益电子、隆扬电子等；液冷：英维克、鸿富瀚等。半导体：制造：、华虹公司、晶合集成等；设备&零部件：北方华创、华海清科、芯源微、中微公司、拓荆科技、富创精密、中科飞测等；材料：江丰电子、雅克科技、华海诚科、艾森股份、鼎龙股份、安集科技等；算力：寒武纪、海光信息等；封测：通富微电、甬矽电子、长电科技、汇成股份等；模拟：南芯科技、纳芯微、圣邦股份等；功率：扬杰科技，芯联集成，华润微等；存储：佰维存储、德明利、江波龙、兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份等。端侧：1）传统消费电子产业链：立讯精密、歌尔股份、珠海冠宇、东山精密、蓝思科技、领益智造、统联精密、中石科技、春秋电子等。2）AI/AR智能眼镜及新型终端产业链：歌尔股份、龙旗科技、水晶光电、蓝特光学、恒玄科技、佰维存储、福立旺等。3）智驾产业链：宇瞳光学、舜宇光学、欧菲光、豪威集团、思特威、电连技术，立讯精密、炬光科技等。风险提示：AI技术进展不及预期风险，下游需求复苏不及预期风险，存储周期上行持续性不及预期风险。3目录➢

1

AI算力高景气度持续➢

2

半导体自主可控趋势明确➢

3

AI终端生态加速升级，产业链迎高增机遇➢

4

建议关注➢

5

风险提示4目录➢

1

AI算力高景气度持续•

1.1AI算力高景气持续：投资、AI变现与数据飞轮•

1.2服务器电源：功率密度迁跃驱动配电系统革新•

1.3PCB：架构创新下HDI用量及规格再提升•

1.4光模块：“光进”下的多场景并存趋势•

1.5液冷：机柜功率提升，刚需推动液冷正式进入放量期➢

2

半导体自主可控趋势明确➢

3

AI终端生态加速升级，产业链迎高增机遇➢

4

建议关注➢

5

风险提示51.1

AI算力高景气持续——投资侧持续加码从算力基础设施建设看，全球头部厂商开始着手布局百万卡集群，算力建设持续超预期：图表：25年Q3四大CSP厂商Capex（单位：亿美元）

OpenAI：2025年7月21日，OpenAICEO山姆

奥特曼公开表示，OpenAI到年底前将上线超过100万张GPU。

xAI：xAI官网确认，Colossus2计划部署

100万英伟达

GPU，该集群建设成本约

350-400亿美元，较当前

20万

GPU的

Colossus（800EFLOPS）实现五倍跃升。公司微软Capex349YoY75%全年Capex指引主要投向预计FY26增速高于

AI数据中心、GPU/CPU采购FY25（FY25oY+28%

（约50%）服务器/芯片（60%）、数据中心和网络设备（40%）谷歌24083%910-930亚马逊34219461%50%约1250AWS基础设备、定制芯片

Meta：宣布普罗米修斯（Prometheus）和亥伯龙（Hyperion）项目，两个集群都将超过1GW，亥伯龙将在未来几年扩展到5GW。根据Semianalysis报告，普罗米修斯数据中心项目若采用GB200/300混搭，其GPU总量将达到50万张。Meta700-720AI数据中心、研究基础设施

Oracle：与OpenAI计划在美国密歇根州萨林镇（Saline）建设一个发电量超1GW的超大型数据中心园区。该项目是OpenAI与甲骨文此前宣布的合作计划的一部分，旨在新增4.5GW“星际之门”算力容量，预计将于2026年初动工。图表：MetaHyperion项目从Capex看，海内外投资持续加码，且均向AI算力倾斜：

2025年第三季度，谷歌、Meta、亚马逊、微软四大巨头第三季度合计CAPEX接近1200亿美元，同比增速普遍超过50%。

根据英伟达FY26Q3业绩会，AI基础建设需求持续超预期，云芯片全面售罄。

阿里巴巴集团CEO吴泳铭宣布，未来三年，阿里将投入超过3800亿元，用于建设云和AI硬件基础设施，总额超过去十年总和（约3000亿元）。6资料：界面新闻，华尔街见闻，方正证券研究所1.1

AI算力高景气持续——投资、AI变现与数据飞轮图表：ChatGPT周活用户数从头部厂商看，AI正处于盈利拐点，同时token激增反哺CSP厂商进一步提升模型性能：

OpenAI官网发布的公告显示，已有超过100万家企业正在使用ChatGPTEnterprise、ChatGPTTeam和API等工具来提升工作效率。这一数字标志着OpenAI在商业化层面迈入新阶段，也凸显出生成式AI在企业级市场的快速渗透。

谷歌在25Q3业绩说明会上表示，目前每月处理的token量从7月的980万亿激增至超过1300万亿，一年内增长超过20倍。Gemini应用程序月活跃用户突破6.5亿，查询量比第二季度激增3倍。谷歌云业务在第三季度营收达152亿美元，同比增长34%，其中AI相关收入已达到“每季度数十亿美元”规模。另外截至25年4月，谷歌月度推理量已升至480T，较一年前的9.7T激增50倍。图表：谷歌token量激增

Meta在25年Q2业绩说明会上表示，AI帮助其更有效地定位广告，并因此收取更高的费用。其每条广告的价格同比增长了9%，而广告投放量则增加11%。我们认为，AI应用出现盈利拐点意味着算力投资正实现闭环。一方面，各大CSP厂商正处于“算力投资→AI优势变现→token激增反哺模型能力→再投资”的正向循环中；另一方面，“算力集群优势→模型优势→份额优势”强调算力军备竞赛紧迫性，两条逻辑链条交叉印证算力需求持续高增。7资料：36氪，华尔街见闻，方正证券研究所1.2

服务器：AI驱动下增长迅速，异构化趋势显著

根据TrendForce10月30日发布的AI服务器产业洞察预测，2026年AI服务器出货量同比增幅将增长20.9%，在整体服务器的出货占比达到17.2%；而按产值计算，AI服务器出货将同比增长30%以上，营收占比达到74%。AI内存部分，2025年的HBM需求量同比增幅将达到130%，HBM3E单价一年间上升5-10%；而2026年的HBM需求将在较高基数上进一步成长70%以上。

从架构上看，目前各厂商更倾向于解耦方案，服务器异构已成为趋势，如谷歌通过OCS+TPU架构实现效率大幅提升，并开发出如Gemini3等杀手级应用。我们认为，未来的竞争不再是单一硬件的竞争，而是顶层架构设计能力和全栈整合能力的竞争。

同时，ODM在AI服务器制造中承担将关键部件组装成服务器或机柜的重要职责。在主板设计、供应链整合及制造代工等环节凭借专业能力为产品赋予额外价值。基于建设大规模数据中心时对低成本及快速部署服务器需求考量，CSP厂商与ODM厂商间合作愈发紧密。图表：2023-2026年全球服务器出货量增速预测图表：OCS显著降低成本与功耗8资料：

IT之家，集邦咨询，菲魅通信，方正证券研究所1.2

服务器电源：功率密度迁跃驱动配电系统革新AI算力需求推动下，计算集群密度持续提升，传统配电系统成为行业亟需突破的瓶颈。在此背景下，计算集群配电系统革新有望大幅驱动高压功率器件放量：

HVDC：HVDC架构主要凭借三大核心优势逐步替代交流方案：1、高压直流无需逆变环节，电能转换效率可提升2%-5%；2、通过减少电流幅值，HVDC显著降低铜线损耗与散热需求；3、在同等功率场景下，HVDC系统占地面积比UPS缩小10%-30%，建设成本节约约15%。随着英伟达等头部企业的技术路线明确，预计到2026年，800VDC将成为AI数据中心的标配方案。

SST：以台达、美团、秦淮数据和东阳光联合发布的SST方案为例，其主要优势有：1、转换效率高达98.5%。2、占地面积仅1平方米，较传统方案节省超过50%的空间，有助于释放更多IT机柜空间，提升数据中心整体能效。3、将电源设备就近部署于IT机柜侧，减少电能传输过程中的损耗。而SST高度依赖关键的宽禁带半导体器件（SiC、GaN）和特种磁性材料，其产业链规模化生产能力将直接影响SST经济性，预计未来随着SST架构持续推广，SiC等器件市场将持续扩容。图表：台达SST智能直流供电系统图表：HVDC架构9资料：

Allumiax，美通社，方正证券研究所1.3

PCB：行业呈现结构性增长

在人工智能、数据中心、智能汽车等PCB下游应用领域持续推动下，全球PCB需求总体呈增长态势。根据Prismark数据显示，2024年全球PCB产值为735.65亿美元，同比增长5.8%；2029年全球PCB市场规模预计将达946.61亿美元，2024—2029年年均复合增长率预计为5.2%。

从地域分布看，近二十年来，凭借亚洲尤其是中国大陆、东南亚在劳动力、资源、政策、产业聚集等方面的优势，PCB行业呈现以亚洲为制造中心的新格局。自2006年开始，中国超越日本成为全球第一大PCB生产国。2024年中国大陆PCB产值为412.13亿美元，2029年PCB市场规模预计将达497.04亿美元，2024—2029年年均复合增长率预计为3.8%。图表：2024-2029年PCB产值复合增长率预测（按地区，单位：百万美元）

图表：2024-2029年全球PCB产值及GAGR（单位：百万美元）类型

/年份美洲200010,8526,70211,9243,3682,1616,56320243,4931,6385,84041,2136,08115,3002029F4,0752024-2029FCAGR2024-2029EGARG类型

/年份20242029E2024/20233.1%2.6%6.1%3.8%12.4%5.8%单双面多层板7,9479,1492.40%5.50%2.90%4.50%欧洲1,86327,99434,873日本7,855其中：18层以上2,4215,02040.30%15.70%中国大陆东南亚地区其他地区49,70410,89820,266HDI封装基板柔性板合计12,51812,60212,50473,56517,03717,98515,61794,66118.80%0.80%2.60%5.80%6.40%7.40%4.50%5.20%10资料：胜宏科技2024年度向特定对象发行股票募集说明书（修订稿），

方正证券研究所1.3

PCB：架构创新下HDI用量及规格再提升过去GPU与Switch间的高速传输依赖线缆，如今改由Switchtray、Midplane与CX9/CPX等多层PCB板直接承接，使讯号完整性(SignalIntegrity,SI)与传输稳定性成为设计的核心指标：

以英伟达最新发布的Rubin架构为例，为达成低损耗与低延迟，该架构全面升级使用材料，包括SwitchTray采用M8U等级(Low-Dk2+HVLP4)和24层HDI板设计，Midplane与CX9/CPX则导入M9(Q-glass+HVLP4)，层数最高达104层。这让单台服务器的PCB价值比上一代提升逾两倍，并使设计重点从板面布线转向整机互连与散热协同。

对于更高密度的

NVIDIARubinNVL576系列显卡，NVIDIA计划放弃线缆盒设计，转而采用中板式设计。

Rubin的设计逻辑已成为产业共同语言，包括GoogleTPUV7、AWSTrainium3等ASICAI服务器同样导入高层HDI、低Dk材料与极低粗糙度铜箔。图表：NVL576架构图表：NVL576采用中板式设计11资料：servethehome，Semianalysis，方正证券研究所1.4

光模块：上游光器件供需紧张，技术演进方向明确图表：1.6T光模块只需四年出货量达1000万技术迭代持续加速，演进方向明确。无论是从25年初的OFC大会上还是10月的OCP峰会上看，光模块的演进方向已较为明确：技术向高速率、低功耗、高带宽、高密度等方向升级以适配目前算力集群需求，且迭代速度明显加快。根据LightCounting报告，预计1.6T光模块只需四年即可达到出货量1000万只，而800G光模块需要五年；同时英伟达Quantum-XInfiniBandCPO交换机预计2026年初上市，Spectrum-X网CPO交换机将于2026年下半年推出，博通等其他厂商也相继推出CPO产品。我们认为，技术迭代加速背景下，头部厂商将凭借技术优势以及与客户紧密合作双重壁垒持续提升份额。上游光器件供给短缺，相关稀缺标的享受卡位优势。从供给侧看，目前部分上游光器件处于供需失衡状态，如中际旭创、天孚通信等在业绩交流会中明确表示EML等上游光器件供给紧张；Coherent在业绩说明会上表示受到InP激光器供应限制的制约，未能充分满足市场需求等。同时根据IntelMarketResearch报告，EML等组件在某些情况下交货周期超过六个月。而高速率光芯片的设计和研发均存在极高壁垒，在此情景下，国内布局相关领域企业有望凭借稀缺性享受卡位优势。图表：博通硅光方案硅光正式放量，加速渗透成为明确方向。在磷化铟EML激光器出现产能瓶颈背景下，硅光技术在高速率光模块中有望渗透率持续提升，中际旭创、新易盛等明确表示26年硅光比例将显著提高。硅光方案核心在于用激光束取代传统的电信号进行数据传输，将光通信的高带宽和低功耗优势与成熟的硅基半导体制造生态系统相结合，其技术优势不仅体现在更稳定的交付能力，更在于显著降低的功耗和更少的激光器用量。预计未来具备硅光技术研发制造能力的厂商将更具优势。12资料：讯石光通讯网，LightCounting，博通，方正证券研究所1.4

光模块：“光进”下的多场景并存趋势AI驱动下，服务器通过高速互联进行大规模运算，而传统信号传输限制日益显现，在此背景下，网络重要性凸显，集群架构中协同运行的GPU数量及跨集群通信成本成为各厂商AI竞赛中能否获胜的决定性因素之一。而光子具有极低传输损耗、超高频率、抗干扰等物理特性，使得光互连技术在带宽、距离、抗扰、功耗、密度等方面具有压倒性优势。我们认为，目前各技术相比于其他方案并未展现完全压倒性优势，且应用侧重点略有不同，未来光模块各方案更趋近多场景并存：图表：光电集成技术分类关键参数与进展集成方案技术特点典型应用场景核心优势主要局限性传输距离：10km-80km；速率上限400G光电分离设计，模块独立可替换，通过金手指连接主板维护灵活、兼容

信号损耗大、性强、产业链成

功耗高（400G通用场景（1G-400G）传统可插拔熟模块约

12W）去除光模块中的

DSP（数字信号处理）芯片，采用线性模拟驱动技术，直接调制光器件

LPO：延续现有的可插拔光模组形式，但省略传统模组内部的DSP，改采线性驱动设计，直接由SerDes提供驱动能力。主要优势有易导入、成本低、部署弹性高、可替换维护便利等。其作为当前最具现实意义的过渡性选择，主要适用于AI数据中心集群内、对功耗和延迟敏感的中短距互联场景。

CPO：将光收发器直接封装于交换晶片或GPU/ASIC周边，透过最短的距离完成光电转换。设计有效避免高速SerDes长距离传输所带来的能耗与延迟问题。主要优势为低功耗、高频宽、更具讯号完整性等。但门槛极高，目前生态未成熟。其代表光向柜内渗透，对标场景是对功耗和性能有极端要求的HPC核心交换节点。

OIO:核心是将光信号直接用于芯片间的通信，取代传统的电信号，从而突破铜线传输的物理限制，被视为是CPO技术经过演变之后，光电集成技术的最终形态。旨在用光信号彻底取代芯片间的电互联，从根本上突破“内存墙”和带宽瓶颈，其愿景是应用于芯片级、板级的光学互连，为下一代计算架构奠定基础。功耗相较可插拔

传输距离

<

800G多模功方案降低、延迟

2km（商用）、

耗

<4W；数据中心短距互联（800GAI集群）LPO皮秒级误码率高2024年量产光引擎焊接在主板（OBO）或高性能基

中小型数据中心接

信号衰减降低至板靠近

ASIC（NPO），缩短电链路至

15cm

数据中心骨干网络内维修成本高、散热挑战大（局部热密度300W/cm²）NPO支持64×800G端口OBO/NPO入层；13dB内、带宽密度提升光引擎与

ASIC共封装于同一基板，通过硅中介层/TSV互联，电信号传输距离

<5mm带宽高（50-200Gbps/mm）、功耗低（15pJ/bit）、延迟纳秒级散热难（热密度

500W/cm²）、51.2T交换机HPC、AI超算交换CPOOIO机封装良率低（TSV工艺）功耗降

40%光子芯片与电子芯片单片集成（如硅光技术），光引擎直接封装至

GPU/CPU制造复杂、协议适配难、高集成度导致可维护性低未来片上光互联带宽密度达（GPU集群片间通

5Tbps/mm、能效信)，AI集群

低至

3pJ/bit预计

2027年将应用于

AI算力集群13资料：融中咨询，方正证券研究所1.5

液冷：机柜功率提升，刚需推动液冷正式进入放量期图表：NVL72采用全液冷架构AI驱动架构迭代下的机柜功耗显著提升，带动液冷从“可选”变成“必选”：

技术侧看，计算集群建设中散热已成为主要瓶颈之一，英伟达业绩说明会上重点提到AI基础建设中的散热问题也证明高性能散热产品的需求紧迫性，头部厂商产品需要配合液冷方案适配单机架功率密度迅速提升的现状。

需求侧看，目前头部厂商逐步从风冷转变为液冷架构，如GB200NVL72采用液冷架构，单机柜功耗已达到120kW，传统风冷已无法满足其散热需求；阿里发布的磐久128超节点AI服务器后续也将采用液冷方式散热等。

政策维度看，PUE考核指标趋于严格，液冷技术可以将PUE指标降至1.2以下，满足当前国家政策对绿色数据中心的要求。我们认为，在目前国内外算力密度逐步提升背景下，液冷将会变得更复杂，技术门槛提升已成为必然趋势：图表：机柜功率密度跃升

门槛一：系统设计与集成能力。液冷需要将冷却系统与服务器芯片、电源等热源进行精密的结构匹配和热力学设计。随着算力部署密度提高，如何确保液体分配均匀、无流动死区、避免泄漏等将成为挑战之一。

门槛二：与客户的深度绑定。液冷导入需要与下游客户保持较长周期的共同合作验证，以确保其与最新服务器的完美适配，该优势新进入者难以快速建立。14资料：HansenFluid，半导体产业纵横，方正证券研究所1.5

液冷：机柜功率提升，刚需推动液冷正式进入放量期图表：各液冷方案对比

根据第三方研究机构GMI，2024年全球液冷系统市场规模价值为65亿美元,预计到2034年将达到130亿美元,2025年至2034年CAGR增长率为7.3%。

根据TrendForce研究，预估液冷技术在AI数据中心的渗透率将从2024年14%，大幅提升至2025年33%，并于未来数年持续成长。按服务器内部器件是否直接接触冷却液，液冷可分为间接接触式和直接接触式，目前液冷技术有喷淋式、浸没式、冷板式等主流方案：

冷板式液冷：属于间接式液冷，通过将装有冷却液的冷板贴附在发热器件上进行热量交换。其散热效果较风冷明显提升，但存在温度分布不均的问题，通常需要与风冷结合使用。

喷淋式液冷：属于直接接触式液冷，将冷却液直接喷淋到器件上，散热较为均匀，效果优于风冷但弱于浸没式液冷。图表：液冷用于AI数据中心渗透率预测

浸没式液冷：属于直接接触式液冷，将IT设备完全浸没在不导电的冷却液中，通过液体流动或相变带走热量，是目前散热性能最优的方式。然而，浸没式技术难度最高，面临着冷却液选择、设备长期可靠性以及后期运维等诸多挑战。目前液冷技术主要以冷板式液冷，未来浸没式液冷将成为液冷最终方案，并逐渐向两相转变。15资料：半导体产业纵横，澎湃新闻，集邦咨询，方正证券研究所目录➢

1

AI算力高景气度持续➢

2

半导体自主可控趋势明确•

2.1ChinaforChina供应链正在成形，中国大陆成熟制程产能快速增长•

2.2

算力：国产算力芯转向中芯7nm工艺，积极采用Chiplet技术•

2.3

设备：25Q3前道制造设备进口额创新高，先进工艺加速扩产•

2.4

材料：新建产能落地叠加产品结构优化，材料厂商营收规模和盈利能力高速增长•

2.5

先进封装：国产算力芯片厂商积极布局先进封装，并向CoWoS-L拓展•

2.6

模拟：“深水区”加速进行，车规模拟IC迎黄金三年•

2.7

功率：功率器件市场企稳向好，AI注入强劲增长动能•

2.8

存储：存储周期上行超预期，看好模组环节核心受益➢

3

AI终端生态加速升级，产业链迎高增机遇➢

4

建议关注➢

5

风险提示162.1

Chinafor

China供应链正在成形，中国大陆成熟制程产能快速增长➢

为了顺应供应链本土化需求，英飞凌、NXP、意法半导体等海外IDM大厂相继宣布“ChinaforChina”战略，将部分产品交由中国大陆晶圆代工厂代工，以解决中国大陆客户在供应安全方面的担忧。➢表示，China

forChina供应链正在成形（尤其是汽车产业），未来将配合国际客户建立SiC和GaN等第三代半导体产能。图表：2021年和2030年全球成熟制程产能分布（%）图表：海外IDM厂积极寻求中国大陆合作伙伴202152%2030FIDM中国大陆合作伙伴相关合作60%50%40%30%20%10%0%54%1、格罗方德拟授权40nmeFlash技术给广州增芯2、在华虹公司启动新的8/12存功率器件项目英飞凌台积电、联电、、华虹公司NXPTI台积电、联电、TI成都厂讨论40nmMCU由生产26%-22%与华虹公司共同开发40nmMCU，有望在2025年底前实现量产。意法半导体安森美瑞萨台积电、华虹公司华虹公司14%10%8%评估新的中国大陆制造合作伙伴，以支持中国大陆的需求。4%3%3%

3%1%讨论40nmMCU由生产中国台湾

中国大陆

美国韩国日本其他17资料：TrendForce，半导体产业纵横，方正证券研究所2.2

算力：国产算力芯转向中芯7nm工艺，积极采用Chiplet技术图表：国产芯片与英伟达芯片对比（单卡）➢

国产算力芯片以实现自主可控为核心目标，积极转向并通过采用Chiplet技术以增强性能、降低成本。➢

根据IDC数据，2024年中国AI芯片出货量结构，英伟达以190万张占据70%的市场份额。随着国产算力芯性能持续升级以及产业链配套日渐成熟，国产算力芯片份额有望加速提升。7nm工艺，领域型号英伟达A80080G平头哥壁仞H20910BPPU104P显存容量96G64G96G32G显存类型

HBM2EHBM3HBM2HBM2E

HBM2E700

256片间带宽（GB/s）PCIe400900392图表：国产AI芯片(部分)智算集群规格比较4.0*16

5.0*16

4.0*16

5.0*16

5.0*16400

550

350

400

300公司代表产品/集群

集群规模

GPU/加速卡数目核心特点与现状基于CloudMatrix384超节点，通过将432个每个超节点384颗

超节点级联成最高16万卡的超大集群。万功耗最高可拓昇腾AI云服务

展至16万图表：2024年中国AI芯片出货量分布（%）昇腾NPU10240张卡集群的训练可用度达到了98%，线性度超过95%。卡1.0%

0.9%已落地。全栈自研，支持LLM训练，兼容CUDA。2025年上半年AI智算业务收入预计实现增长，正在洽谈大型集群项目。已落地并规模化应用。与百度飞桨深度集成，支撑文心大模型训练。支持3万卡扩展，MFU达58%，已部署于政府、金融等领域。1.4%0.5%2.5%摩尔线程

KUAE(夸娥)集群

万卡级英伟达昆仑芯寒武纪燧原科技昇腾天数智芯沐曦昆仑芯壁仞科技燧原科技百舸集群万卡级10000张23.0%多元国产架构共万卡级

同提供支持，具体数量未披露中国移动智算中心（呼和浩特）BR100系列卡间互连性能领先。发布了基于光互连(OCS)技术的超节点解决方案。已落地，提供软硬一体解决方案。庆阳有万卡级推理集群。2025年7月发布训推一体芯片L600，目标支撑十万卡级集群。70.0%庆阳万卡推理集群10016张燧原S60推理卡万卡级支持可靠稳定的大模型训练及推理，具备良好的线性度，确保训练的效率和扩展性。沐曦股份

曦源一号SADA

万卡级10000张18资料：IDC，《2025年度国产AI芯片产业白皮书》，半导体综研，方正证券研究所2.3设备：25Q3前道制造设备进口额创新高，先进工艺加速扩产➢

根据海关总署数据，25Q3前道设备进口总额为101.87亿美元，同比增长15.28%，环比增长33.15%，创历史新高。➢

我们认为，中国大陆晶圆厂正积极扩产且向更先进的节点迈进。图表：20Q1-25Q3各季度前道制造设备进口总额（亿美元）图表：中国大陆主要晶圆厂近期扩产情况及未来扩产计划公司近期扩产情况及未来扩产计划1、25H1新增近2万片12英寸标准逻辑月产能；至2025年10月，公司订单仍大于产能，产能利用率超90%，仍有较大扩产需求；3、2025年公司投资额约70-80亿美元，预计会持续维持此速度发展；4、中芯南方（SN2）工厂建设目前正在规划中，计划新增3.5万片/月、中芯北方（B2）工厂目前正在扩建中，现有产能6.2万片/月，扩建后10万片/月、中芯东方工厂目前正在建设中，三阶段产能规划共10万片/月。1201008060402001、公司继续推进无锡十二英寸产线建设，华虹制造项目完成首批产能建设；2、公司于2025年上半年，第二阶段扩产至83K产能已完成所需的设备选型和商务华虹公司

流程，预计将比原计划提前完成项目整体建设；3、公司拟通过发行股份及支付现金的方式购买上海华力微电子有限公司股权并募集配套资金，该交易有助于上市公司进一步扩充产能。1、Counterpoint预计，长鑫存储2025年产能同比增长近50%。TrendForce数据显示，到2025年底其月产能有望达30万片，届时将占据全球DRAM总产能的约15%；2、目前长鑫存储已启动IPO工作，并于2025年10月已完成IPO辅导验收工作，预计公司将持续扩产。1、根据微电子制造，长江存储已正式启动第三工厂建设，第三工厂规划月产能达10万片，预计2026年建成投产。工厂建成后，长江存储总产能将达30万片/月。长鑫存储长江存储

2、Counterpoint数据显示，长江存储25Q2全球NAND市占率达9%，同比提升3个百分点，环比提升1个百分点；同时长江存储计划25Q3起进入企业级固态硬盘（eSSD）市场，加速进军高端市场。19资料：海关总署，Counterpoint，恒运昌公告，微电子制造，方正证券研究所2.3设备：25Q3前道制造设备进口额创新高，先进工艺加速扩产➢

当前本土先进节点晶圆产能难以满足高速增长的算力所需，先进节点产能扩产需求旺盛。半导体设备国产化率仍处于较低水平，替代空间广阔。➢

摩尔定律放缓同时光刻技术受限，需通过多维度创新实现性能提升。相比海外厂商，国产设备公司具备有效服务、定制能力和紧密围绕客户需求三大独特优势，有望通过与下游客户的紧密合作，以新结构等创新为契机，加速先进节点。图表：不同制程每万片晶圆设备投资额（亿美元）图表：2023年和2025年主要半导体设备国产化率（%）5045403530252015105项目20232.5%2025E3-4%光刻机刻蚀设备清洗设备CMP设备＜20%约30%20-30%20%25-30%约50%约40%30%薄膜设备量检测设备05-10%15%20资料：IBS，华海清科，方正证券研究所2.4

材料：新建产能落地叠加产品结构优化，材料厂商营收规模和盈利能力高速增长图表：2024年全球靶材市场竞争格局（%）➢

随着新建晶圆产能落地，上游半导体材料需求空间持续拓宽。➢

国产半导体材料厂商持续优化产品结构，先进制程用材料逐步放量，营收规模和盈利能力有望进一步提升。出货量占比（%）出货金额占比（%）60%50%40%30%20%10%0%图表：2022-202年全球各类半导体材料市场规模（亿美元）2022202320242025F2026F18016014012010080图表：2021-2025H1部分半导体材料公司毛利率（%）安集科技鼎龙股份艾森股份江丰电子（靶材）上海新阳天承科技65%60%55%50%45%40%35%30%25%20%604020020212022202320242025H121资料：SEMI，WIND，江丰电子公告，日本富士经济，方正证券研究所2.5

先进封装：国产算力芯片厂商正积极布局先进封装，并向CoWoS-L等方向拓展图表：昇腾芯片路线图•

CoWoS-L将逐步取代CoWoS-S成为主流。国产算力芯片厂商正积极布局先进封装技术，并向CoWoS-L等方向拓展。•

CoWoS产能成为英伟达AI芯片供应瓶颈。台积电引入其他代工厂和封测厂以扩大产能。国内龙头封装公司将受益于这一产业趋势，与国内AI芯片供应链合作以突破先进封装。图表：国产算力芯片厂商积极布局先进封装技术公司封装技术布局公司拟投资29亿元开展面向大模型的芯片平台项目，项目建设内容包括开展面向大模型需求的先进封装实现关键技术研究，建设先进封装技术平台，灵活高效地支撑不同场景下差异化产品的封装。寒武纪图表：先进封装所需的主要材料（以CoWoS为例）公司掌握行业内先进的MCM、2.5DCoWoS-S封装设计能力。公司芯粒架构有较强的通用性和可重构性，可采用单芯粒、多芯粒同构或异构沐曦股份

封装等多种封装形式。公司已完成或正在进行国内外多家知名封装厂先进封装的导入和量产验证，并引入对2.5DCoWoS-L和SiliconBridge等先进封装形态的应用扩展。公司新一代AI芯片采用Chiplet技术，通过先进封装与小芯粒设计，实现了多芯片模块（MCM）架构，有效整合高效算力。公司联合国内封装测试厂商，完成Chiplet与2.5D封装（国产硅中介层）量产和测摩尔线程试，提升互连密度、性能，降低功耗，实现先进封装测试国产化。22资料：寒武纪公告，摩尔线程公告，沐曦股份公告，Semivision，腾讯网，方正证券研究所2.5

先进封装：先进封装所需的主要装备分类相关说明光刻机国产主要厂商相关应用实例RDLBumping作用说明在芯片表面或中介层上定义金属布线的图案，实现信号的重新分布定义微凸点或铜柱图案，用于芯片与基板的电气连接通过光刻定义TSV孔的开口位置芯碁微装、上海微电子、芯上微装等TSV对准与图案化光刻工艺配套TSV/凸点工艺TSV刻蚀新增中前道设备在光刻前涂覆光刻胶，显影后形成图案在TSV或凸点制作中，光刻胶用于定义刻蚀或电镀区在硅中介层或芯片中刻蚀高深宽比的TSV孔刻蚀金属层以形成精细的金属线路沉积铜、铝等金属层，形成电路连接填充TSV孔以实现垂直互连涂胶显影设备刻蚀设备芯源微、盛美上海等北方华创、中微公司、盛美上海等RDL图形化RDL沉积薄膜沉积设备

北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米等TSV金属填充介质层沉积薄芯片切割WLP沉积绝缘层(如Si0z、SiN)，隔离金属线路切割超薄芯片切割晶圆级封装后的芯片划片机减薄/抛光机固晶机华海清科、光力科技、迈为股份等华海清科、盛美上海、晶盛机电、光力科技、迈为股份等芯片薄化将芯片减薄中介层处理高精度贴装多芯片堆叠混合键合减薄硅中介层将芯片以纳米级精度贴装到中介层或基板实现多层芯片的垂直堆叠新益昌、华封科技等拓荆科技、迈为股份、青禾晶元、艾科瑞思迈为股份、快克智能、普莱信芯源微、迈为股份、青禾晶元实现Cu-Cu或Si0z-Si0z共价键合用于TSV凸点或微凸点的回流焊接将芯片键合到载片以实现薄化或堆叠将芯片嵌入环氧树脂并形成RDL原有后道设备键合机模塑机热压键合临时键合扇出型封装多芯片模塑TSV填充耐科装备、文一科技封装多芯片异构集成(如Chiplet)电镀铜或钨填充深孔沉积铜或铝作为重布线层电镀设备北方华创、盛美上海等RDL金属化Bump制作形成微凸点(如铜柱或金凸点)TSV/混合键合前清洗电镀后清洗去除表面颗粒和有机物(如等离子清洗)清除金属残留和溶液污染fineRDL、microbump、以及混合键合等诸多工艺清洗设备北方华创、芯源微、盛美上海量检测设备中科飞测、精测电子、拓荆科技、长川科技等23资料：光学与半导体综研，上海点莘技术，方正证券研究所2.6

模拟：“深水区”加速进行，车规模拟IC迎黄金三年➢

汽车模拟芯片等高端产品进入替代黄金窗口期。复盘国内模拟芯片自2019年开始快速发展的过程，手机品牌厂商的导入开启消费类国产模拟芯片的黄金三年增长期。背靠新能源车企的验证与导入有望拉动汽车模拟芯片的黄金三年。➢

消费类等中低端产品市场逐步进入有序竞争，终端品牌厂商不断优化供应链，各产品领域引入2-3家核心供应商，我们预判领先的模拟芯片企业在保持产品竞争力的前提下将实现稳定的规模及利润的增长。图表：2020~2029年中国模拟芯片不同应用领域市场规模（亿元）图表：中国主要模拟公司25Q3营收同比（%）泛能源

通讯

消费电子

汽车

其他（医疗设备、航空、人形机器人、e-VOTL等）140%120%100%80%4,0003,5003,0002,5002,0001,5001,00050060%40%20%0%020202021202220232024

2025E

2026E

2027E

2028E

2029E-20%24资料：纳芯微公告，WIND，方正证券研究所2.6

模拟：“深水区”加速进行，车规模拟IC迎黄金三年➢

整体：2024年中国模拟IC市场规模为1953亿元，其中TI和ADI在中国区域的收入分别为165亿元和121亿元，合计占比约14.6%，而相对规模较大的中国模拟IC销售规模合计为134亿元，合计占比约6.9%。目前A股上市公司中尚未出现10亿美元收入体量的模拟IC企业。➢

车规：2024年中国车规模拟IC市场规模371亿元，其中TI和ADI在中国区域的收入分别为74亿元和61亿元，合计占比36.4%，显著高于两家公司在中国区域的整体占比；国内车规模拟IC龙头公司2024年营收为7亿元，占比仅为1.8%。图表：

2024年中国模拟IC市场前十名公司情况（亿元，%）图表：2024年中国车规模拟IC市场前十名公司情况（亿元，%）排名1公司TI业务模式IDM地区美国美国德国美国瑞士荷兰中国中国美国中国美国日本中国中国日本-收入（亿元）市场份额（%）8.4%排名公司TI业务模式IDM地区美国美国德国美国荷兰瑞士美国日本日本中国-收入（亿元）

市场份额（%）16512110387174614641342913820.0%16.4%12.5%11.0%9.1%2ADIIDM6.2%3公司C公司D公司E公司F公司G公司H公司I公司J公司K公司L公司M纳芯微公司N-IDM5.3%2ADIIDM4FablessIDM4.4%34公司C公司D公司F公司E公司I公司L公司N纳芯微-IDM5763.9%FablessIDM6IDM653.3%7FablessFablessIDM412.1%58331.7%6IDM7.8%9291.5%7IDM3.4%101112131415其他合计FablessIDM261.3%231.2%8IDM2.1%IDM221.1%9IDM82.0%FablessFablessIDM170.9%170.9%10其他合计Fabless-71.8%150.8%5037113.9%100.0%-1113195357.0%100.0%------25资料：纳芯微公告，方正证券研究所2.7

功率：功率器件市场企稳向好，AI注入强劲增长动能➢

华润微表示功率器件市场经历近两年的价格下行周期后，已进入企稳向好的新阶段；公司已对部分IGBT产品实施价格上调。➢

AI算力将大幅刺激高效率、高密度的功率器件需求。TechInsights数据显示，服务器机架功率正攀升至100kW以上，推动功率密度需求突破100W/立方英寸。此外，5.5kW至12kW高功率电源和电池备份单元需求高增，催生对氮化镓和碳化硅等宽禁带半导体材料的迫切需求。扬杰科技、士兰微、斯达半导等国产功率厂商正积极布局AI领域。图表：中国主要功率公司25Q3营收同比（%）图表：服务器内部电力转换演进趋势40%20%0%-20%-40%-60%-80%-100%26资料：TechInsights，华润微，WIND，有芯电子，方正证券研究所2.8

存储价格指数触底反弹，已超过21年水平➢

存储价格指数触底反弹，已超过21年水平。DRAM&NAND价格指数自2023年9月触底后进入上行通道，受到下游需求不振、旺季不旺影响，指数于2024年4月下旬开始震荡下行，2024年第四季度以来海外大厂陆续减产控产，于25年3月中旬开始触底反弹。25年9月起大厂停止报价，9月起美光通知客户，DDR4、DDR5等存储产品全部停止报价，价格或将调涨20%-30%。闪迪于11月第三次调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%，三星也于11月宣布内存芯片的价格较9月上调了30%-60%。涨价有望持续超预期！图：DRAM&NAND价格指数1,800.001,600.001,400.001,200.001,000.00800.00600.00400.00200.000.00DRAM指数NAND指数27资料：iFind，方正证券研究所2.8

海外大厂资本支出保守，重点投向HBM等领域，AI资本开支大增➢

海外大厂资本支出保守，更多重点在于升级。DRAM和NANDFlash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。过去数年产业经历多次景气循环，使部分厂商在资本支出与扩产策略上趋于保守。随着2026年资本支出重心放在制程升级和导入hybrid-bonding而非扩产，将导致供应位元增幅有限。其中，DRAM产业的资本支出在2025年预计将达到537亿美元，预计在2026年进一步成长至613亿美元，年增率达14%。NANDFlash部分，资本支出在2025年预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，年增约5%。➢

AI点燃下游需求，CSP厂商资本开支大增。与以往主要依赖于消费端需求的3至4年周期性波动不同，当前的存储市场增长主要由企业级人工智能相关的资本支出所驱动。TrendForce将2025年全球八大主要CSPs资本支出(CapEx)总额年增率从原本的61%上修至65%，合计资本支出超出4300亿美元，约为2023年与2024年资本支出相加的水平，预期2026年CSPs仍将维持积极的投资节奏，合计资本支出将进一步推升至6,000亿美元以上，年增长40%。图：2021-2026年全球八大CSP资本支出总额更新图：2022-2026年DRAM和NAND产业资本支出28资料：Trendforce，方正证券研究所2.8

国内存储模组库存铸造业绩底，内生外延模组厂商打造穿越周期的内功➢

存储模组库存铸造业绩底，持续缺货看保供能力。存储模组环节在周期上行时具备囤低价库存持续释放利润的商业模式特点，使得模组环节释放出超预期利润，以德明利为例24Q1单季度毛利率/净利率高达37.3%/24.1%。本轮周期自3月见底，模组厂佰维存储、德明利、江波龙持续加大库存，截至25Q3，存货分别为57/59/85亿元，随着周期上行存储价格持续上涨有望铸造业绩底。持续缺货行情下，具备原厂保供能力厂商有望脱颖而出，江波龙、佰维存储均表示公司与主要存储晶圆原厂签订LTA（长期供应合约），德明利已与包括长江存储、长鑫存储在内的多家核心原厂建立深度合作。➢

周期上行，内生外延模组厂商打造穿越周期的内功。佰维存储布局松山湖晶圆级封装厂、存储测试设备产品，并投资GPU公司北京行云，江波龙品牌全球化布局，德明利高度重视企业级存储业务发展，已与多家头部互联网及服务器厂商达成深度合作，模组厂有望持续内生外延深化内功穿越周期。图：模组公司收入、业绩及估值情况（亿元）【更新时间25年11月】总市值（亿元）

2023

2024

2025E

2026E

2023

2024

2025E

2026E

2024收入（亿元）归母净利润（亿元）PE存货2025E

2026E

（亿元）代码名称301308.SZ688525.SH001309.SZ300857.SZ688449.SH300475.SZ000016.SZ002654.SZ300302.SZ300042.SZ002213.SZ603316.SH江波龙佰维存储德明利1,00248048647621662012311492101

175231889011614348-28811212117117436--8-60.235247131242182012981396986124894215698-4863572612169-855759306361847106748741259协创数据联芸科技香农芯创深康佳A万润科技同有科技朗科科技大为股份诚邦股份1111921183235-4113

243178

11146918254-22

-33--424494--01--181-33-55-131-39-----20-3-10----1541178------363103---1-1----1394---1----129资料：Wind，预测数据均来自wind一致预期，方正证券研究所目录➢

1

AI算力高景气度持续➢

2

半导体自主可控趋势明确➢

3

AI终端生态加速升级，产业链迎高增机遇•

3.1AI赋能传统智能终端，产业链迎技术配套革新机遇•

3.2AI智能眼镜有望成为端侧AI落地最佳载体之一•

3.3AI加速“智驾平权”进程，产业链公司迎业绩高增➢

4

建议关注➢

5

风险提示303.1

AI赋能传统智能终端，产业链迎技术配套革新机遇-电池➢

端侧AI设备的交互属性对电池续航性能提出更高需求：以AI可穿戴设备为例，其强交互属性要求麦克风、摄像头等传感器设备保持全时性主动感知，相较于传统设备的基础功耗提升，同时端侧AI运算及数据存储同样拉升功耗，这对终端设备的电池容量提出更高需求。目前推出的AI眼镜依旧无法支持全天连续日常使用，电池容量仍需进一步提升。据统计，中国消费者在购买智能眼镜时最关注的因素是续航能力(占比61.25%)，其次是舒适度(56.00%)和适配性(48.00%)。➢

消费类锂电池后续发展趋势：1）更高的能量密度满足长续航和设备轻薄化需求。2）安全性能提升。3）消费类电池小型化满足设备轻薄需求。4）充电更快使用寿命更长。图：2025年中国消费者购买终端产品的主要关注因素图：消费类锂电池后续发展方向及技术路径70%61%56%60%50%40%30%20%10%0%48%41%41%续航能力舒适度适配性硬件性能时尚美观31资料：雷科技，艾媒智库，

LARGEPOWER，方正证券研究所3.1

AI赋能传统智能终端，产业链迎技术配套革新机遇-电池➢

硅碳负极电池容量更高，满足长续航和设备轻薄化提出的更高能量密度需求：电池能量密度的提升需要：更高容量的电极材料+更紧凑的结构设计+更安全的电解质体系，传统消费电子锂电池主要采用石墨作为负极材料，因为其具备稳定、安全、成本低等优势，但是石墨材料的理论容量最高只有370mAh/g，目前锂电池对石墨材料的应用已经接近其理论天花板，要想从电极材料的角度去提升锂电池能量密度，目前可行性较高的方式就是更换为硅基负极材料，硅基负极材料的容量可达4000mAh/g，是石墨材料的十倍以上，硅碳负极把纳米级硅颗粒包裹在碳基骨架里，形成高容量、又有弹性的结构。➢

钢壳电池用不锈钢材质取代传统铝制或软包电池外壳，有望带来三大核心优势：提升电池容量、优化充电效率、增强长期耐用性，同时解决困扰行业多年的电池鼓包问题。图：硅碳负极与其他电池材料性能对比图：钢壳电池结构示意图32资料：贝特瑞，OFweek，雷科技，方正证券研究所3.1

AI赋能传统智能终端，产业链迎技术配套革新机遇-散热➢

手机散热方案从单一石墨导热片到最新的石墨/VC均热板综合运用，价值量不断提升。石墨片方案最早用于手机散热，通过将热源的热量发散到更大面积达到散热效果，随着

SoC性能提升，石墨片用量随之提高。由于手机厚度持续降低且内部零组件增多，内部空间更加紧凑导致手机内部空气流通空间减少，单纯的石墨片导热无法满足要求，金属背板散热应运而生，能够满足密闭空间的导热要求。导热凝胶直接覆盖于芯片上方，类似

PC端的散热硅脂，是散热方案的有效补充。热管散热虽然效果优异，但由于占用体积较大，在手机端应用较少。VC（均热板）散热方案是热管的改进，在提升散热效率的同时减少散热模组体积，一般和石墨材料配合使用。图：手机散热方案演变33资料：模切之家，文轩热能，亚橡化工，方正证券研究所3.1

AI赋能传统智能终端，产业链迎技术配套革新机遇-折叠屏➢

苹果入局折叠屏手机，有望加速折叠屏手机技术革新、提升消费者认知并且推动产业链升级，折叠屏产业链迎来高速成长机遇。2024年折叠屏手机市场增速放缓，同比增速仅2.9%，苹果为代表的头部手机厂商入局折叠屏手机，有望大幅改善传统折叠屏手机折痕明显、机身厚重等技术痛点，加速折叠屏幕、铰链等产业链技术升级。据中关村在线消息，苹果的首款折叠屏iPhone有望在2026年5月进入量产阶段，这款折叠屏iPhone将采用横折设计，展开后的屏幕尺寸将达到7英寸。苹果折叠屏手机推出量产后，有望推动折叠屏手机复刻潜望式摄像头的成长曲线，推动行业从从技术探索进入到规模化普及，带动折叠屏产业链进入高速成长期。图：苹果折叠屏手机概念图图：折叠屏手机出货量及增速预期34资料：中关村在线，CounterPointResearch，方正证券研究所3.2

AI智能眼镜有望成为端侧AI落地最佳载体之一➢

AI眼镜有望成为端侧AI落地最佳载体之一。AI智能眼镜集成摄像头、麦克风、耳机、传感器等组件并通过语音、视觉、手势、眼动等多种交互方式可与AI大模型协同实现实时翻译、导航、图像识别等功能，在端侧AI落地载体中具备多方面优势：1）方便快捷的语音交互：眼镜的形态综合了最佳的收音位置，离用户嘴和耳朵的相对距离是最近的，能同时很好的接收到用户发出的和听到的声音。2）

最直接的视觉感知渠道：只有摄像头和人眼感知到的画面和视角相同的时候，AI才可以完全和人的信息输入同步，达到个人AI-Agent的效果。3）用户习惯的always-on载体：一个和普通眼镜重量和佩戴体验近似的产品是绝大部分用户可以接受的always-on的可穿戴产品类型，全天候陪伴和助手的形态眼镜是最好的选择。4）产品可拓展性强：未来叠加显示模块提供更丰富的视觉信息是必经之路，眼镜是作为这个底座最好的形态。图：AI眼镜有望成为端侧AI落地最佳载体之一35资料：沙利文，方正证券研究所3.2

AI智能眼镜有望成为端侧AI落地最佳载体之一➢

智能眼镜2026年销量有望实现翻倍以上增长。根据维深信息wellsennXR的调研和跟踪统计，2024年全球AI智能眼镜销量155万台，销量主要来自于RayBanMeta智能眼镜。当前海内外互联网大厂均积极布局AI眼镜新品，2025年多家厂商AI眼镜发售，驱动AI眼镜进入销量高增期。2025年全球AI眼镜销量有望同比高增至700万台，明年有望延续销量高增趋势。根据WellsennXR的拆解及调研统计，OakleyMetaHSTNAI眼镜的BOM成本约为165.47美元，AI眼镜硬件产业链包含SOC芯片、电源管理芯片、摄像头、传感器、锂电池等，综合硬件成本按品类来看，芯片成本占比近五成。AI眼镜当前的销量高增以及远期的高成长天花板属性有望带动相关产业链公司业绩持续高增。图：全球AI眼镜销量预期（万副）图：OakleyMetaHSTNAI眼镜供应链10,0009,0008,0007,0006,0005,0004,0003,000900070005000300018002,0001,0000700155242023

2024

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2030E36资料：WellsennXR，方正证券研究所3.2

AI智能眼镜有望成为端侧AI落地最佳载体之一➢

AI眼镜有望复刻TWS发展轨迹迎来销量高增期。Meta、百度、小米等行业巨头密集发布AI眼镜芯片，推进AI眼镜技术加速迭代、产业链成熟。在Meta引领的热销AI眼镜迅速打开市场，众多品牌进入AI智能眼镜行业并发布多款新品的前提下，