电子行业存储板块2025Q3总结：业绩拐点已现展望2026年供需紧张存储超级大周期拉开帷幕

内容目录一、大陆：受益涨价大周期，Q3设计和模组公司业绩出现拐点 5存储行业供不应求，价格持续超预期 5营收：受益涨价，25Q3设计与模组公司普遍收入环增 5毛利率&净利率：受益涨价，25Q3盈利能力显著提升 9净利润：25Q3模组公司出现利润拐点，设计公司表现分化 存货：设计公司存货平稳增加，模组公司加大备货 12二、海外：原厂与模组厂盈利提升，展望26年存储供需紧张 13标的筛选：重点跟踪12家公司，10家存储IDM25Q3业绩超预期 13营收：25Q3存储IDM、模组厂收入均实现环增 15毛利率&净利率：受益涨价，25Q3盈利能力明显提升 16净利润：25Q3三大原厂及模组厂环比高增，利基IDM环比明显改善 17价格&出货量：25Q3DRAM和NANDASP整体环增，出货量趋势分化 17展望：AI推理驱动存储需求爆发，展望26年供需紧张 19三、投资建议 22四、风险提示 22图表目录图表1：TrendforceNAND、DRAM合约价预期长图 5图表2：DRAM合约价 5图表3：NAND合约价 5图表4：存储分为利基和主流 6图表5：存储板块成分股 6图表6：存储板块成分股营收占比（各公司营收/总营收） 7图表7：存储设计板块成分股营收占比（各公司营收/总营收） 7图表8：存储模组成分股营收占比（各公司营收/总营收） 7图表9：设计营收（百万元）、yoy&qoq（右轴） 8图表10：模组营收（百万元）、yoy&qoq（右轴） 8图表各公司营收yoy&qoq 9图表12：设计和模组板块平均毛利率 9图表13：设计和模组板块平均净利率 9图表14：各公司毛利率及同环比 10图表15：各公司净利率及同环比 图表16：设计净利润（百万元） 图表17：模组净利润（百万元） 图表18：各公司净利润（百万元） 12图表19：设计和模组存货（亿元） 12图表20：设计和模组存货周转天数 12图表21：各公司存货、存货环比趋势和存货周转天数 13图表22：2024年DRAM、NAND、2022年NORFlash全球竞争格局 13图表23：海外存储板块成分股 14图表24：8家海外存储公司25Q3业绩是否超预期（彭博一致预期） 15图表25：各公司季度营收yoy与qoq 16图表26：各公司季度毛利率、yoy&qoq 16图表27：各公司季度净利率、yoy&qoq 17图表28：各公司季度净利润（单位：百万美金）与净利润yoy&qoq 17图表29：各家原厂ASP环比变化 18图表30：各家原厂出货量环比变化 18图表31：各家公司的展望 19图表32：DRAM原厂的HBM进展 21图表33：四大原厂资本开支情况 22一、大陆：受益涨价大周期，Q3设计和模组公司业绩出现拐点存储行业供不应求，价格持续超预期存储超级大周期拉开帷幕，价格持续超预期。本轮存储价格自25Q2开始上涨，25Q3涨幅扩大，25Q4涨价幅度开始超DRAM、NANDDRAM、2DSLCMLCNAND）NORFlash25Q326年全年处于供不应求的状态。NANDDRAMTrendforce价 价DRAMexchange, DRAMexchange,exchange营收：受益涨价，25Q3半导体存储器分为主流存储和利基存储，主流存储主要对应手机、和服务器三大下游，20241500IDMIDM和大陆厂商，利基存储占半导体存储市场约10，

2024年市场规模约150亿美金。IDM厂商长鑫和长存分别布局主流DRAM和主流NAN，模156421图表5：存储板块成分股细分板块代码简称2025H1营收构成设计603986.SH兆易创新存储芯片69%，微控制器23%，传感器5%设计300223.SZ北京君正存储芯片62%，计算芯片27%，模拟与互联芯片11%，其他1%设计688110.SH东芯股份NAND57%，NOR6%，DRAM10%，MCP26%设计688766.SH普冉股份存储芯片90%，微控制器及其他10%设计688123.SH聚辰股份非易失性存储芯片78%，音圈马达驱动芯片14%，智能卡芯片7%，其他1%设计688416.SH恒烁股份NORFlash84%，MCU16%模组301308.SZ江波龙嵌入式存储48%，移动存储18%，固态硬盘24%，内存条9%模组688525.SH佰维存储存储式产品95%，其他业务3%，先进封装及测试2%模组001309.SZ德明利嵌入式存储41%，固态硬盘37%，移动存储13%，内存条类产品8%模组300042.SZ朗科科技闪存应用产品73%，闪存控制芯片及其他24%，其他业务3%代理300475.SZ香农芯创电子元器件分销业务97%，电子元器件制造业务2%，减速业务1%代理001287.SZ中电港处理器40.78%，存储器30.53%，模拟器件8.74%，射频与无线连接3.85%，其他16.09%封测000021.SZ深科技高端制造51%，存储半导体业务27%，计量智能终端22%，其他1%主控688449.SH联芸科技芯片产品97%，其他3%其他688008.SH澜起科技互连类芯片94%，津逮服务器平台6%各公司公告 （备注：江波龙选取2024年营收构成）存储板块中中电港/香农芯创/江波龙收入占比35/19/13从35，香农芯创25Q3占比提升到19。）分板块看设计板块中兆易创新和北京君正分别占比5223，模组板块中，江波龙和佰维存储分别占比54、22，对板块趋势影响计块25Q3易新北君营占块例别为52、23为第一大第二大存储设计公司合计占比75对板块营收趋势10/7/4/3。2）模组板块：25Q3江波龙占板块营收比例54，为第一大模组厂，佰维存储占比22，德明利占比21，朗科科技占比3。））营收：25Q3设计和模组板块营收均环增。1）设计：25Q351亿元，同比+24，环比+13，营收自25Q1以来持续环增，25Q2环增幅度扩大至18，25Q3继续环增13模组：25Q3收入合计121亿元，同比+63，环比+6，模组板块季度收入自Q2以来持续创新高，25Q1收入基本与24Q4持平，25Q2收入环增幅度大幅提升至57，25Q3由于高基数叠加因存储涨价控制出货收入环增幅度收窄至6设计VS模组：25Q3） ）因存储涨价，家公司中11家公司营收环比增长，设计公司、模组公司大部分实现营收环增。设计从营收同比看设计公司同比增速在+9～+53不等从5～33不等，其中恒烁股份环比+33，主要系存储市场行情向好、下游客户增加备货公司产品出货量持续增长兆易创新环比+20一方DRAM一方面公司自身持续深化产品布局聚辰股份环比+14主要系公司持续完善在高附加值产品布局，DDR5SPDEEPROMEEPROMNORFlash以及光学防抖式（OIS）音圈马达驱动芯片加快导入客户并逐步实现商用。模组：从营收同比看，25Q34家公司均实现营收同比高速增长增速均在+50以上从营收环比看朗科科技佰维存储江波龙环比均良好增长增速在+10～+29不等，德明利25Q3收入环比-11，主要系控制出货所致。其他板块：25Q3香农芯创营收yoy+7qoq+1主要受益于存储涨价+服务器需求爆发+DDR5渗透率提升；中电港营收yoy+29、qoq+6。25Q3澜起科技营收yoy+57qoq+1主要由互连类芯片驱（Q3收入yoy+62、qoq+4），主要增量来源于DDR5内存接口芯片的快速放量，Q3DD5第三子代RCDDD5第四子代RDDDR5106MRCD/MDB1.4VS整体上，设计公司、模组公司大部分实现营收环增。图表11：各公司营收yoy&qoq毛利率&净利率：受益涨价，25Q3设计公司毛利率、净利率小幅改善，模组公司盈利能力提升更为显著。1）设计：25Q1-Q3毛利率维持36-37水平，Q3毛利率为37，同比环比+1pcts25Q1-Q3净利率不断提升由9提升至12，Q3+1pcts25Q1毛利率为8、12，Q3毛利率为17，同比+1pcts，比+5ct25QQ2利为-6125Q3利为9比+10ct，环比+8pcts。率 率毛利率和净利率：分公司看，25Q3设计公司毛利率、净利率环比表现涨价持续，后续盈利能力有望继续提升。1）设计：25Q3设计公司毛利率16-59，毛利率差异较大，聚辰股份毛利率最高为59其次是兆易创新北京君正毛利率分别为41、32普冉股份东芯股份毛利率分别为2827从变化看，25Q3设+4pcts+3pcts图表14：各公司毛利率及同环比

-1pts-3ct-3ptQ3yo+11ctqo+5pt，DRAM25Q3分别达到3119普冉股份北京君正净利率均为3从变化看恒烁股份东芯股份兆易创新净利率环比+26pcts、+13pcts、+4pcts，其余下降1～7pcts不等。模组：25Q3佰维存储江波龙毛利率大幅提升至2119德明利朗科科技毛利率11、9，佰维存储毛利率较高除了存储涨价因素外，还因为AIQ34-7pcts，仅朗科科技持平。净利率方面，Q3净利率分别是119德明利朗科科技分别是4、-3。从变化看，Q3除了朗科科技净利率环比-1pcts，其余模组公司净5-11pcts14pcts25Q32pcts；联芸科技毛利率环比-1pcts，净利率环比-11pcts，主要系研发费用率环比+9pcts。图表15：各公司净利率及同环比净利润：25Q325Q325Q3利润环比大增设计净利润6.22亿元同比+22，环比+24模组净利润10.34亿元同比+1178环比+1127，Q3Q3） 注：本报告中各行业相关业绩增速测算未剔除负值影响1512股份归母净利润环增499北京君正和普冉股份归母净利润环比-68、-18普冉股份净利润受资产减值损失影响较大若加回减值则Q3Q2归母净利润为0.49亿元0.50亿元归母净利润qoq-2模组：25Q3江波龙归母净利润环比+319，佰维存储、德明利环比扭亏。3）其他：25Q3澜起科技归母净利润环比-25，主要系25Q3股价大涨带来当期股）

份支付费用大增剔除股份支付费用后归母净利润环比+1125Q3香农芯创归母净利润环比+43利润提升幅度高于收入环增幅（收入环比+125Q3深科技归母净利润环比+11主要受益于毛利率环比提升。存货：设计公司存货平稳增加，模组公司加大备货存货：分板块看，25Q3设计公司存货平稳增加，而模组公司存货大幅增加，考虑后续存储大周期，模组公司加大备货。1）设计：25Q3亿元环比+5存货周转天数241天模组存货206亿元，环比+18，连续5个季度存货增加；存货周转天数192天。） 数15124设计公司存货环比-6～+7不货环比分别提升7、5、5、5，聚辰股份、恒烁股份存货环比-3、-6从存货周转天数看东芯股（573天北京君（334天恒烁股份（299）>普冉股份（195）>聚辰股份（186）>兆易创新（158天模组：25Q3模组公司存货环比+5～+45不等存货环+45+30+285从存货周转天数看德明（227天佰维存储（220天）>江波龙（156天）>朗科科技（88天）。图表21：各公司存货、存货环比趋势和存货周转天数二、海外：原厂与模组厂盈利提升，展望26年存储供需紧张1210IDM25Q3122NAND）、铠侠，中国IDMIDM，3IDMIDM，2NAND2022NORFlashCFM闪存市场图表23：海外存储板块成分股细分板块产品类型代码简称25Q3营收构成存储IDM厂商DRAM+NAND005930.KS三星DX（终端：移动通讯、网络、影像显示、数位家电、健康医疗）56，存储31，其他半导体7，SDC（显示面板）9，Harman（汽车电子、音响、物联网）5000660.KSSK海力士NAND20，DRAM78，其他2MU美光NAND20，DRAM79，其他1（FY25Q4）HDDWDC西部数据云业务89，客户端5，消费类6STX希捷数据中心80，EdgeIoT20NANDSNDK闪迪云业务12，客户端60，消费类28285A铠侠SSD及存储63，智能设备23，其他14利基存储2344华邦DRAM30，Flash35，逻辑33，其他22337旺宏NAND16，NOR52，ROM26，FBG62408南亚DRAM100模组厂模组3260威刚DRAMModule60，UFD&MemoryCard5，SSD26，HHD2，其他78299群联闪存&模组产品63，控制芯片30，其他7各公司公告1210家存储IDM厂商25Q325Q4（HBMDDR5eSSD等DDR4DDR450+，DDR5交货占比10+。DRAMNANDASP旺宏三季度收入超过市场预期，但净利润低于市场预期，主要系工厂稼动率低、库存压力、产品开发延迟导致。铠侠与苹果NAND30-40wccftech，铠侠获得苹果NAND35份额，对应收入11-14亿美金，约占铠侠收入的12-15左右。b）铠侠与闪迪收入结构有差异、不同产品涨价有先后铠侠25Q3收入手机平板占比35（qoq+9922（环比持平），数据中心33（qoq+23），零售10（环比持平），Q3升，拉低了整体ASP；闪迪25Q3收入，数据中心12（qoq+26），手机&PC60（qoq+26消费者终端零售28（qoq+11各块业务占比整体稳定。从涨价情况看，SSD（PC）主要是季度合约价为主，Q49SSDQ3SSD9NAND25Q3）25Q3是否单位 25Q3实际 25Q3市场预期 25Q4指引 25Q4市场预期超预期收入净利润收入净利润收入EPS收入EPS三星是86.1012.2084.079.2785.261.76海力士是24.4512.6024.518.6127.8915.47美光亿美金是113.1534.69111.5431.84125.003.75126.293.79西部数据亿美金是28.180.0727.340.0629.001.8828.721.86旺宏亿台币否82.14-0.0979.79-0.0480.40-0.05希捷亿美金是26.290.0625.490.0527.002.7527.322.78闪迪亿美金是23.081.8121.531.2426.003.226.033.09铠侠亿日元否4483.46406.624608.00431.365250.00138.965300.55168.49南亚亿台币是187.7915.63163.5310.12239.861.36华邦亿台币是217.7129.43221.6413.31241.140.463威刚亿台币是145.1117.6140.8111.05143.144.60群联亿台币是181.3722.25181.9820.68187.899.76彭博一致预期营收：25Q3IDM、模组厂收入均实现环增营收：25Q3存储IDM和模组厂收入均实现环增。IDM：25Q37IDM涨价周期以及高端存储产品销售旺盛，三大原厂营收快速环增，25Q3美光收入环增22高价值数据中心产品放量与DRAM产品强势上涨是主要驱动因素；三星收入环增16，HBM3E及服务器SSD增长势头强劲；海力士收入环增11，主要得益于12层HBM3E及服务器用DDR5等高附加值产品销售提升NAND厂商中铠侠收入环增28闪迪收入环增21。HDD厂商中，西部数据、希捷收入均环增8。利基存储IDM：25Q3南亚收入环增84旺宏收入环增24华邦收入环增7。南亚营收大幅上涨主要系DDR4供应紧张，公司加大DDR4和LPDDR4的销售，25Q3公司DRAMASP环比+40，出货量环比+25。3）存储模组厂：25Q3威刚收入环增16，群联收入环增4。yoyqoq彭博毛利率&净利率：受益涨价，25Q3毛利率：25Q3主流存储IDM及模组厂毛利率均环增，利基IDM毛利率分化。流储IDM从25Q3利排看力57>45>西部数据（44）>三星、希捷（39）>铠侠（32）>闪迪（30），其IDMHBM利基存储IDM：25Q3南亚毛利率18华邦净利率47旺宏毛利率14。从环比变化看，南亚毛利率环增39，主要系DRAM大幅涨价，预252，主要系产能利用率较低、库存具备压力，Q3销售库存产品产生近10.7的存货跌价损失，此外汇率波动也产生一定影响。华邦毛利率环增24其中存储业务环增39主要系库存重估收益和DRAMFlash出货量及ASP上涨。存储模组厂：25Q3群联毛利率32，环增3pcts；威刚毛利率23，4pcts。yoy&qoq彭博净利率：25Q3主流存储、利基存储IDM、模组厂净利率环比提升。流储IDM从25Q3利排看力52>29>希捷、西部数据（21）>三星（14）>铠侠（9）>闪迪（6）。从环比变化看，海力士净利率环比+21pcts，三星、美光、闪迪、铠侠的净利率环比+4～+8pcts，西部数据净利率环比-2pcts，希捷净利率环比yoy&qoq

+1pcts。利基存储IDM：25Q3南亚净利率8，旺宏净利率-11，华邦净利率15。从环比变化看，25Q3南亚净利率环比+47pcts，旺宏净利率环比+8pcts，华邦净利率环比+25pcts。存储模组厂：25Q3群联净利率11，环增7pcts。威刚净利率12，5pcts。彭博净利润：25Q3IDM净利润：25Q3三大原厂、闪迪、模组厂净利润环比大幅增长，利基存储厂环比显著改善。IDM：IDM环比+65～+147闪迪铠侠净利润环增3691、118，希捷、西部数据净利润环增13、1。IDM：25Q3存储模组厂：25Q3群联净利润环增205，威刚净利润环增88。图表28：各公司季度净利润（单位：百万美金）与净利润yoy&qoq彭博价格&出货量：25Q3DRAMNANDASP价格：25Q3DRAM和NANDFlash各家厂商ASP普遍实现环增。DRAM：25Q3海力士ASP环比提升4～6，美光环比提升20～23，南亚ASP环比提升40，华邦ASP环比提升13～17，整体DRAMASP环增幅度继续保持强劲。NANDFlash：25Q3海力士ASP环比提升10～13、美光ASP环比提升7～10，闪迪ASP环比提升4～6，铠侠ASP环比略下滑0～3，Q3ASP等业务占比提升的影响。SLCNAND+Nor华邦ASP环比提升4～6公司预计NORSLCNANDFlash图表29：各家原厂ASP环比变化24Q425Q125Q225Q3DRAM海力士10持平+0～+3～+6美光～+6-0～-3～+23华邦-0～-3～-23持平～+17南亚～+6+40 NAND 海力士-20～-10～+13美光-0～-3～-20～-10～+10闪迪～+10～+6～+6铠侠-0～-3-20～+10-0～-3SLCNAND+NOR 华邦 -4～-6 -10～-13 -0～-3 +4～6各公司官网

出货量：25Q3DRAMNANDDRAM：25Q3DRAM7～10并预计25Q4出货量环增0～3主要因AI推理带动存储需求大幅提升；美光环增10～13；南亚环增24～26，华邦环增4～6华邦预计25Q4出货量将进一步上涨主要因DDR4需求强劲，DDR4NANDFlash：25Q3海力士和美光出货量均环比下降4～6，海力士预计25Q4出货量环比提升0～3闪迪铠侠NAND出货量分别环比上涨14～16，37～40。SLCNAND+NORFlash：25Q3华邦出货量环增0～3，其中SLCNAND出货量环增24-26。24Q425Q125Q225Q325Q4EDRAM美光华邦～+6～+23～-20～-10～-10～-10～+53～-10～+26上～+26+70～+10～+13～+26+0～+3 NAND 海力士～-6上+0～+3美光-0～-3温和上涨闪迪+0～+3+4～+6+14～+16铠侠-0～-3-10持平+37～+40 NAND+NOR 华邦 -4～-6 持平 +20 +0～+3各公司官网展望：AI26图表31：各家公司的展望

主流存储：25Q4服务器相关需求强劲，PC涨，供给将持续紧张；大厂普遍认为在服务器需求爆发+产能紧缺的状态下，DRAM、NAND供应将持续紧张至26年。2）利基存储：主要供应商的退出导致供给收紧，预计利基存储在Q4至明年价格持续上涨。下游需求：25Q4AIPCAIPC、AI存储价格继续上涨趋势：25Q4DRAMNANDSLCNANDNOR25H2同时由于DRAMDRAMDDR3DDR425Q3存储供需关系：主流存储方面，三星、海力士、美光、西部数据及希捷都预计DRAMHBMDDR5NANDAINAND产品供不应求状态将贯穿2026年全年，铠侠已启动与客户2026-2028HDDHBM，导致DDR3DDR42026SLCNAND25Q4展望手机PC服务器存储供需关系预计受产业优先满足AI服预计HBM3E、高密度eSSD在AI和传统服务器领域需求依旧强劲，高附加值服务器存储产品销量将继续上升；2026年将扩大HBM产品销量，并用HBM4产品响应AI需求由于产业优先满足AI服务器需求，存储市场将出现供应紧张，包括手机、PC领域务器需求影响，存储价格会三星上涨，同时产业库存预计较--低，DRAM和NAND在所有应用领域中将继续涨价海士 25Q4计DRAM和位需求低个数增长

受宏观经济不确定性，智能手机出货量将温和增长，随着AI在终端设备普及，单机搭载内存容量将持续上升

长，随着AI20252025年计智手 AI在PC端的 预计2025年务器货量上 致FY26Q1指入122-128 机货量持低个 广应用动 升10，过公此前个位 DRAM市供应张，亿元中环增10；毛 位增长，AI手机 PC需增长， 数长的期其传统务 ，美光利率50.5-52.5，值环 占提升推动移 2025年计 器长前从持上升中 制迁移限预计2026增6。 动备DRAM容量 PC出量中个 个数增服器增非 年DRAM供将进步增长出的 位增长超 常劲驱动DRAM产需求 张

AIAI服务器对高带宽HBM度DRAM、eSSD

AI驱动存储需求远超预期，公司已经锁定2026年客户需求与订单增长增长过公司预期。旗舰机型已有三分之一配备12GB或更高容量内存，预计未来这一比例会进一步上升。西部数据

FY26Q2指引：收入28-30亿元中环增3毛利 - -率44-45，中值环增0.6

AI25Q38926H120262027年

预计2026年全行业仍然供不应求。将通过自动化与人工智能工具，并加强测试环节，以提升整体制造效率与产出能力。公司高容量近线公司高容量近线HDD产AI推理驱动客户是要高容量能以售完至2026年，并近线HDD，云客户需求旺盛，于主要数据中心客户签订HAMR产品出货超100万台，至2027年的长期供货协已通过5家全球最大CSP认议，行业呈现供不应求格证，预计26H2将占近线出货局，将通过技术迁移的方量一半式提升出货Exabyte总量--FY26Q2指引：收入26-283利润率30，环增1希捷FY25Q3指引：收入5000-5500亿日元，中值环铠侠 - -增17%，每股收益预计中值为139日元。

AI/要受益于AI

铠侠已启动与客户关于2026年、甚至2027-2028年的订单谈判，订单交付周期延长，行业供需紧张持续。25Q4南亚需求，增加DDR4/LPDDR4销售

新机带动DDR5/LPDDR5搭载容量升级与更多AI应用

新机带动DDR5/LPDDR5搭载容量升级与更多AI应用

AI与DDR5AI及一般云端服务器DRAM

主要供应商降低DDR4及LPDDR4产出，产能持续转移至HBM及DDR5/LPDDR5，制造段库存维持在健康水位，DRAM资本支出主要在先进制程与高端产品NAND产品需求仍然超全球数据中心NAND产品需求仍然超全球数据中心AI投资加速，PC换周期给 司供，预供不应数中心及AI基建设资边终端场 求态将续至2026年FY26Q2指收入25.5-26.5 预计2023年过1万司预未来能手机 提动能预 全，客正在求持续亿元中环增毛 Stargate产线需增目前闪迪 单容量高个位 计2025-2026年 至2027年长期货目利率40.8%-42.8%，值环 正两家大规云服商数长。 PC单容量呈 前司晶厂已满载，增12%。 展产品证预计2026年与中位数增 未希望不增晶圆数主要存储OEM及另一家超大长。 量情况，通技术