屹唐股份前道设备隐形冠军平台化布局去胶、RTP、刻蚀设备

内容目录屹唐股份：前道设备隐形冠军，平台化布局去胶、、刻蚀设备 5公司平台化布局去胶、轮驱动 5去胶与快速热处理设备全球领先，平台化ICP技术布局刻蚀设备 6国资控股+产业资本协同，核心团队国际化背景深厚 8业绩稳步增长，核心研发体系持续强化 9布局三大前道核心设备，先进技术引领国产替代进程 12去胶设备需求稳定，公司全球市占率第二 13激光退火工艺适配先进制程，公司设备全球市占率第二 17与传统炉退火工艺相比有效解决了离子过度扩散问题 17可分为浸式退火、尖峰退火和激光退火三大类 19设备核心垒在于温度均匀性控制与动态响应能力 20公司产品术先进，市场份额位居全球第二 21延伸布局刻蚀&表面处理设备，有望受益于先进制程刻蚀需求提升 23盈利预测与估值评级 29核心假设 29估值评级 29风险提示 30图表目录图1：公司发展路径与核心产品演进示意图 5图2：公司设备覆盖的集成电路前道关键工艺环节 6图3：屹唐股份核心产品系列展示及2024年经营表现 7图4：屹唐股份股权结构（截至2025年6月30日） 8图5：屹唐股份核心技术人员背景 9图6：营收规模持续扩张，2018-2024年CAGR达20% 10图7：归母净利润持续增长，2018-2024CAGR达69% 10图8：公司刻设备占比稳步提升 10图9：公司核心产品毛利率稳步提升 10图10：2018–2025H1公司盈利能力持续提升 图期间费用率持续优化，研发投入保持高位 图12：公司持续保持较高的研发投入，研发费用率长期维持在15%左右 12图13：截至2025H1末，公司拥有358名研发人员，占公司总人数28.7% 12图14：全球半导体设备市场规模稳步增长，2026年有望逼近1400亿美元 13图15：中国大陆市场规模占比大幅攀升，2024年突破40%（十亿美元） 13图16：去胶设备主要用于去除光刻胶 13图17：干法去胶工艺原理示意图：等离子体氧化分解光刻胶，利用氧自由基与光刻胶反应生成CO₂和H₂O并被真空抽离 图18：干法去胶设备市场规模长期趋势向上，2025年市场规模有望突破8.5亿美元 14图19：公司量产ICP等离子体源、双晶圆反应腔国际领先，可分别用于去胶&刻蚀设备 15图20：公司干法去胶设备产品优势及下游应用 16图21：公司去胶设备市占率稳居全球第二，2023年全球市占率达34.6% 17图22：退火工艺用于掺杂原子扩散及修复晶格损伤 18图23：与传统管退火工艺关键参数对比 18图24：浸入式退火、尖峰退火和激光退火对比 19图25：全球激光退火设备市场规模高速增长，2030年规模或突破16亿美元 20图26：设备反室的基本结构示意图。 20图27：设备反腔室内灯组阵列排列图 20图28：快速热处理设备需求激增，2025年市场规模预计将达到12.4亿美元 21图29：Helios®系列快速热处理设备 22图30：全球快速热处理设备市场集中度较高，2023年屹唐半导体以13%市占率位居全球第二..................................................................................................................................................................22图31：刻蚀工艺主要用于精准去除晶圆表面不需要的材料 23图32：湿法刻蚀与干法刻蚀技术演进及工艺差异对比 24图33：ICP电感耦合等离子体刻蚀反应腔 24图34：ICP等离子刻蚀机设备结构示意图 24图35：CCP电容性离子体刻蚀反应腔 25图36：全球干法刻蚀设备市场中ICP与CCP技术应用占比接近持平（2022年） 25图37：5nm先进制程逻辑器件大约需要160次刻蚀 2638：2032300亿美元，2024-2032CAGR5%26图39：刻蚀设备反应腔需要在ICP的基础上加入偏置电极实现离子偏压 27图40：公司IPO募集资金主要用途 27图41：2023年公司全球干法刻蚀设备市占率约为0.21% 28图42：公司分业务收入预测 29图43：可比公司估值（截至2025年月25日收盘价） 30屹唐股份：前道设备隐形冠军，平台化布局去胶、、刻蚀设备公司平台化布局去胶、RTP、干法刻蚀和等离子体表面处理设备，自主开发与国际化双轮驱动北京屹唐半导体科技股份有限公司（简称屹唐股份）成立于2015年，是一家专注于集成电路前道核心装备的高端制造企业。公司致力于干法去胶（DryStrip）、干法刻蚀（DryEtch）及快速热处理（RTP）等关键设备的研发与制造，产品广泛应用于先进晶圆制造工艺，客户涵盖中芯国际、台积电、三星、英特尔等全球领先的集成电路制造企业。2016年公司通过并购美国MattsonTechnology,Inc.(MTI)，快速获得干法去胶、快速热处理和干法刻蚀设备的核心技术和全球客户资源，并整合形成覆盖中国、美国、德国的国际化研发制造体系，实现核心技术自主可控与本土化量产落地。在中国半导体设备自主开发趋势下，公司凭借技术积累与平台化布局，已成长为全球前道设备领域具有代表性的中国企业。公司以去胶+热处理+刻蚀三大核心设备平台为发展主线：起步阶段通过Aspen系列去胶和Helios快速热处理设备进入主流晶圆制造客户体系；2010年paradigmE刻蚀平台推出，实现去胶+退火+刻蚀全工艺覆盖；2018年北京亦庄制造中心建成投产，形成本土交付与规模化生产能力；2020年以来，公司完成多轮融资，加快Hydrilis等新一代平台设备产业化；2025年成功登陆科创板，标志着进入资本助力下的高质量增长阶段。图1：公司发展路径与核心产品演进示意图屹唐股份去胶与快速热处理设备全球领先，平台化ICP技术布局刻蚀设备公司专注于集成电路前道制造设备，通过干法去胶（Dyp、快速热处理（RTP）及干法刻蚀和等离子体表面处理（DryEtchandPlasmaSurfaceTreatment）三类核心设备，覆盖晶圆制造流程中的热处理/氧化/扩散、刻蚀、去胶等关键工艺段，形成清晰的产品矩阵。图2：公司设备覆盖的集成电路前道关键工艺环节屹唐股份、公司干法去胶设备技术积累深厚、应用广泛：公司干法去胶产品历经三Suprema®Hydrilis®HMROptima®（RemoteDRAM、3DNANDHeo®（T与o®DRAM和10nmDRAM3DNAND等.利用ICPparadigmE®Novyka®RENA-E®Hydrilis®XTEscala®备成功进入多家国内外头部客户供应链，具备强适配能力与自主开发潜力。图3：屹唐股份核心产品系列展示及2024年经营表现产品系列产品特点营业收入（亿元）毛利率干法去胶设备Suprema®干法去胶设备具备30余年技术积累，采用远程电感耦合等离子体等核心技术，具备工艺范围广、颗粒污染小、成本低等优势，综合性能行业领先。18.6827.41%Hydrilis®HMR去胶设备针对掺杂无定形碳硬掩模材料清除，具备高选择性、高效率优势，能够避免对底层材料及器件结构损伤。产品性能稳定，已实现规模量产应用。Optima®系列干法去胶设备Optima快速热处理设备Helios®快速热处理设备DRAM11.1541.25%Millios®毫秒级退火设备基于自主研发的氩气水壁电弧灯，具备毫秒级升温控制与晶圆顶/背面温度精准测量系统，支持交错点灯操作。可灵活调节升温曲线，有效控制热应力，保障器件电性并降低晶圆破片风险。干法刻蚀和等离子体表面处理paradigmE®干法刻蚀设备/ICPCCP5.7720.11%RENA-E®等离子体刻蚀设备广泛应用于存储、逻辑半导体制造中叠层（氮化硅，氧化硅）刻蚀、栓塞回刻（PEB）、钝化层刻蚀、对准标记刻蚀、刻蚀后表面处理、引线孔刻蚀、金属-介质-金属复合钝化层刻蚀等多种干法刻蚀工艺。Novyka®干法刻蚀设备采用业界领先的远程电感耦合等离子体发生器与接地法拉第屏蔽技术，具备高等离子体密度、低电势与电子温度，工艺窗口广、污染低、耗材成本低，反应器无需置换。具备离子过滤、晶圆温度与偏压调节等能力，产品已实现量产应用。Escala®等离子体表面处理和材料改性设备屹唐股份国资控股产业资本协同，核心团队国际化背景深厚公司股权结构清晰，国资背景突出并形成产业协同。截至2025年6月30日，屹唐股份的主要股东为北京屹唐盛龙半导体产业投资中心，持股比例为40.55%。屹唐盛龙的核心出资方为北京亦庄国投，亦庄国投通过旗下的北京亦庄国际新兴产业投资中心（有限合伙）持有屹唐盛龙99.9996%的份额。除屹唐盛龙外，公司其他股东还包括最佳第一持股有限公司（8.88%）、海松非凡有限公司（6.49%）、天津环旭创芯管理咨询有限公司（4.48%）、南京招银现代产业壹号股权投资基金（3.42%）、鸿道致鑫投资管理合伙企业（2.82%）、共青城渐升投资合伙企业（2.37%）及其他投资者（30.99%）。国资+产业资本的股权结构不仅保障了公司治理稳定，也通过产业协同与政策资源为屹唐股份的研发投入、产能扩张及客户拓展提供了长期支撑。图4：屹唐股份股权结构（截至2025年6月30日）屹唐股份、公司团队国际化程度高，研发体系完善且核心人员稳定。公司以国际先进的研发理念为导向，经过多年的人才培养与外部引进，已形成一支具备跨国背景的核心2024CEOHaoAllen设备研发及全球业务管理；公司助理副总裁范强曾任泛林半导体设备技术（上海LeeFookHong（李图5：屹唐股份核心技术人员背景管理团队核心技术人员HaoAllenLu（陆郝安）董事、总裁兼首席执行官美国弗吉尼亚大学博士，曾任应用材料高级工程师及项目主管、英特尔制造部主任工程师及掩膜刻蚀部门负责人，SEMI全球副总裁及中国区总裁，MTI执行董事及总裁，半导体设备行业经验超过30年。范强副总裁国家发展研究院北大国际MBA，西安建筑科技大学无机非金属材料专业学士、材料学硕士，历任泛林半导体设备技术（上海）高级工艺工程师、主任工艺工程师及高级工艺经理等职务，具有丰富的先进制程研发和量产经验。2021年至今担任公司中国产品研发事业部助理副总裁，负责核心工艺设备的本地化研发与推广。LeeFookHong（李福洪）中国产品助理副总裁超过20年晶圆厂设备工程与管理经验，曾任东南亚大型晶圆制造企业高级设备工程师及部门负责人，熟悉快速热处理与退火技术的量产落地及中国本地化运营。屹唐股份业绩稳步增长，核心研发体系持续强化201815.18亿46.33CAGR20.4%0.245.41CAGR68.5%。202446.3317.8%；归母净5.412025Q1-Q3公司营37.9614.0%5.1622.7%，延图6：营收规模持续扩张，2018-2024年CAGR达20% 图7：归母净利润持续增长，2018-2024CAGR达69%营业总入（元） 47.6346.3347.6346.3339.3137.9632.4123.1315.1815.745040302010

60%50%40%30%20%10%0%

6归母净利润（亿元）yoy%5归母净利润（亿元）yoy%4321 0

0.25

1.81

3.83

3.09

5.415.16

800%600%400%200%0%-200%020182019202020212022202320242025Q1-Q3

-30%

-1 20182019202020212022202320242025Q1-Q3-2 -0.88

-400%-600%去胶设备营收稳步增长，RTP与刻蚀设备逐步成熟放量。202418.68+21.20%，2020-2024年CAGR达11.152024CAGR18%24.1%5.77+15.3720202024年R达3720205%202412.5%。设备毛利率稳步提升，助推公司盈利能力上行。公司早期刻蚀设备处于配合客202420.1%+10.8pct；RTP左图8：公司刻蚀设备占比稳步提升 图9：公司核心产品毛利率稳步提升干法去设备亿元） 快速热理设（亿干法刻设备亿元）12.415.4111.6721.218.4313.9512.415.4111.6721.218.4313.954.9210.8

50%

43.3%38.5%41.6%44.0%41.3%27.4%16.3%19.7%14.4% 15.0%43.3%38.5%41.6%44.0%41.3%27.4%16.3%19.7%14.4% 15.0%16.9%20.1%9.9%9.6%9.3%

1.212020

2.062021

5.022022

2.242023

18.6811.155.772024

2020 2021 2022 2023 20242018–2024203204年升至7.4。-5.9%2020202410.5%+3.6pct。2025Q1-Q310.9%，同比-0.5pct2018–202436.8%26.1%6.8%5.1%2025Q1-Q3-1.1pct2024图10：2018–2025H1公司盈利能力持续提升 图11：期间费用率持续优化，研发投入保持高位50%

40.1%

毛利率(%) 扣非净利(%)

40%

期间费率 销售费率管理费率 财务费研发费率

33.7%32.8%

35.0%37.4%37.36%30.2%28.5%10.5%10.9%

36.8%

37.8%

31.1%

23.1%19.6%

27.6%26.1%26.4%10%

1.2%

0.7%-5.9%

5.2%7.5%6.9%

10%5%-10%

2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025Q1-Q3

20182019202020212022202320242025Q1-Q32018–2025Q1-Q315%2022-2025H124728834935825.5%26.6%29.3%28.7%2025630721474图12维持在15%左右

图13：截至2025H1末，公司拥有358名研发人员，占公司总人数28.7%研发费（亿） yoy（%） 研发费用8 40%7 35%6 30%5 25%4 20%3 15%2 10%1 5%0 0%20182019202020212022202320242025Q1-Q3

0

研发人数量 研发人员比29.3%29.3%28.7%25.5%24726.6%2883493582022 2023 2024 2025H1

30%29%28%27%26%25%24%23%布局三大前道核心设备，先进技术引领自主开发进程20231,0621.3%20241,17120251,25520261,381中国大陆市场份额连续多年稳居全球第一，已成为全球半导体设备增量核心。受益于本土晶圆厂扩产及国产设备渗透率提升，中国大陆市场份额自2020年的26.3%跃升至2024年的42.3%，提升逾16个百分点。2024年销售额约495.5亿美元，显著领先中国台湾、北美、韩国等主要地区。未来，随着先进产能建设加码和自主开发进程加快，中国大陆市场份额仍具提升空间，有望继续成为推动全球半导体设备行业增长的核心驱动力。图14026逼近1400亿美元

图15：中国大陆市场规模占比大幅攀升，2024年突破40%（十亿美元）1600

半导体设备市场规模（亿美元）

200%

中国大陆 中国台湾 北美日本 欧洲 韩国1400120010008006004002000

1,381.20150%100%50%0%-50%20052006200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025E2026E

1401201000

其他 中国大陆占比

45%40%35%30%25%20%15%10%5%2005200620052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024SEMI SEMI去胶设备需求稳定，公司全球市占率第二清除过程被称为去胶，是保证后续工艺质量和良率的关键步骤之一。图16：去胶设备主要用于去除光刻胶中微公司基与光刻胶中的碳氢成分发生氧化反应，将其转化为挥发性气体CO₂和H₂O，并图17：干法去胶工艺原理示意图：等离子体氧化分解光刻胶，利用氧自由基与光刻胶反应生成CO₂和H₂O并被真空抽离Pie-scientificCMOSGartner统计，20229.502023-20248.478.162025年有望回升至8.56亿美元，未来在先进工艺渗透率提升带动下仍具长期增长潜力。图18：干法去胶设备市场规模长期趋势向上，2025年市场规模有望突破8.5亿美元9.58.479.58.478.168.567.545.64.598765432102019 2020 2021 2022 2023 2024 2025E干法去胶设备（亿美元）SEMI屹唐2016年收购的子公司MTI自1990MTI5nmDRAM1215%100%MTI65nm公司掌握RemoteICP等离ICP（2）图19：公司量产ICP等离子体源、双晶圆反应腔国际领先，可分别用于去胶&刻蚀设备屹唐股份招股说明书SUPREMA®系列平台全球广泛装机，产品长期量产表现和稳定性持续获得客CIS2025H1公司推出Optima®图20：公司干法去胶设备产品优势及下游应用屹唐股份招股说明书2023年公司干法去胶设备以34.60%致全球市场呈现高度集中格局。目前主要厂商包括比思科、屹唐及泛林等，行业已初步形成双寡头+追随者的竞争结构。我们认为主要系公司去胶设备采用真空传输系统，更加适配高性能、低颗粒要求的先进逻辑客户；但2023年为存储扩产大年，故PSK升。韩国友商比思科于1994Foundry与SKHynix和Micron稳定性方面持续强化竞争力，稳固其在全球干法去胶设备市场的领先地位。公司通过收购12图21：公司去胶设备市占率稳居全球第二，2023年全球市占率达34.6%泰仕半导体北方华创3%5%

日立高新1%

国际电气1%爱发科6%泛林半导体9%

比思科40%屹唐半导体35%屹唐股份招股说明书激光退火工艺适配先进制程，公司设备全球市占率第二退火主要用来激活离子电性能，RTPPN900℃30离子注入时，会破坏硅衬底的晶格。但传统的炉管退火工艺由于加热时间过长，容易导快速热处理工艺RTP应运而生。此外，薄膜沉积以后的金属硅化物烧结、晶圆表面改性等都需要用到RTP工艺。图22：退火工艺用于掺杂原子扩散及修复晶格损伤应用材料RTP是应用于离子注入与掺杂离子激活的秒/毫秒级高温处理工艺，其核心工艺原理是用高能光照射加热取代炉管加热，实现秒/毫秒级的瞬时升温。RTP的瞬杂质离子的过度扩散。可以20~250℃/秒的升温速率对晶圆表面快速加热至1200°C/图23：RTP与传统炉管退火工艺关键参数对比性能参数传统炉管退火RTP加热方式对流加热（电阻丝加热炉内气体，间接传热）辐射加热（红外灯管或激光直接辐射晶圆表面）升温速率1–20°C/min20~250℃/秒工艺时间30-60分钟数秒热预算高（长时间高温）极低（短时高温）温度均匀性±0.5%（炉膛热平衡佳）±1–2%（多区控温补偿边缘效应）冷却方式自然缓冷或低速气冷（1–20°C/min）强制气冷（N₂/Ar）或水冷（10–200°C/s）优点温度均匀性高，适合大尺寸晶圆；设备成本低、维护简单适应3nm以下先进制程的浅结要求；减少离子过度扩散和晶格缺陷缺点杂质过度扩散导致浅结失效、不兼容28nm以下先进制程温度均匀性控制难、设备成本高、单片处理产能较低电子工程专辑7nmIBM7nmTSMC图24：浸入式退火、尖峰退火和激光退火对比屹唐股份浸入式退火（SoakAnnealing）0.13CMOS尖峰退火（SpikeAnnealing）02℃激光退火（LaserAnnealing）（100根据QYR203016.88图25：全球激光退火设备市场规模高速增长，2030年规模或突破16亿美元

201920202021202220232024E2025F2026F2027F2028F2029F2030FQYR

20%收入(收入(亿美元)增长率16.915.09.98.05.86.57.29.18.610.912.113.716%14%12%10%8%6%4%2%0%（（灯组数（（（图26：RTP设备反应室的基本结构示意图。 图27：RTP设备反应腔室内灯组阵列排列图电子工程专辑 电子工程专辑设备的核心壁垒在于对温度均匀性及动态响应的要求极高+反射腔）1–5800150℃/s±2℃。Gartner202126.4212.13202512.36图28：快速热处理设备需求激增，2025年市场规模预计将达到12.4亿美元氧化/扩炉（美元） 快速热理设（亿元）10.048.8310.048.839.158.618.885.155.5212.1313.8512.4112.0012.366.317.24201002019

2020

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2024

2025E屹唐股份招股说明书公司HeliosHeliosXP130nm5nm1300°CHeliosXPCMOS图29：Helios®系列快速热处理设备屹唐股份（Applied年市场份额达偿算法等均为业界领先，率先突破了300mm大尺寸晶圆处理技术。此外应材拥有从热源设计到温度测量算法等在内的22000+项专利，技术壁垒深厚；（2）生态绑定：自2011年与台积电等合作开发Vulcan系统起，应材已经连续服务台积电和三星等头部厂商多年，为其定制化开发设备。同时作为全球顶尖的平台化设备公司，应材打造离子注入+热处理+薄膜沉积一体化解决方案，大大提升了客户粘性。2023年屹唐半导体以13.05%的市场份额位列全球第二，是唯一一家跻身行业前列的中国企业，展现出强劲的技术实力与市场竞争力。随着半导体制造工艺持续向更先进制程演进，对RTP设备的工艺精度和热效率要求不断提升。同时，在中美科技博弈背景下，国内半导体产业链自主化进程明显提速，自主开发需求持续释放。凭借产品性能优势及本土化服务能力，公司有望在全球市场实现份额的持续突破。图30：全球快速热处理设备市场集中度较高，2023年屹唐半导体以13%市占率位居全球第二3%维易科3%维易科10%屹唐半导体13%应用材料70%斯库林4%Gartner延伸布局刻蚀&表面处理设备，有望受益于先进制程刻蚀需求提升刻蚀是半导体图案化过程中的核心环节之一，与光刻、沉积并列为晶圆制造三大关键工艺。其原理是通过物理或化学作用精确去除晶圆表面不需要的材料，只保留被光刻掩模保护的部分。这样就能把掩模上的图形一层层转印到晶圆衬底或功能薄膜上，形成所需的三维微结构。刻蚀完成后，晶圆表面会继续进行薄膜沉积、多重曝光或下一轮刻蚀，逐层构建并连通不同功能层，最终形成完整集成电路结构。图31：刻蚀工艺主要用于精准去除晶圆表面不需要的材料中微公司90%。图32：湿法刻蚀与干法刻蚀技术演进及工艺差异对比SKHynix）CCP（ICP刻蚀ICP图33：ICP电感耦合等离子体刻蚀反应腔 图34：ICP等离子刻蚀机设备结构示意图电子工程专辑 电子工程专辑CCP刻蚀则是在带有两块电极板的腔室中引入高频交流电，通过周期性电压变化使正负离子高速振荡并轰击工艺气体粒子来产生等离子体。CCP离子能量较图35：CCP电容性等离子体刻蚀反应腔电子工程专辑根据Gartner年ICP占比为47.5%和CCP3DNAND图36：全球干法刻蚀设备市场中ICP与CCP技术应用占比接近持平（2022年）CCP高能等CCP高能等离子体刻蚀,47.50%ICP子体刻蚀,47.90%晶圆边清除,除胶机,

3.50%Gartner刻蚀工序需求量随着芯片制程提升而大幅增加。随着国际上先进芯片线向7nm5nm3DNAND制程所14016010nm增加艺复杂度和精度要求持续提升，直接推动刻蚀设备需求快速增长。另一方面，3DNAND架构堆叠层数多、深宽比大，对刻蚀精度和均匀性要求极高。根据Electron2DNAND结构时的20%3DNAND的50%图37：5nm先进制程逻辑器件大约需要160次刻蚀18016014011514011565554014012010080604020028nm 20nm 14nm 10nm 7nm 5nm中微公司、TEL、Gartner全球半导体刻蚀设备市场保持稳步扩张。2023年市场规模约196亿美元，未来数年市场规模呈现出稳定上升的趋势，到2032年将增长至304亿美元，2024-2032年CAGR达5.0%，市场前景十分可观。图38：2032年全球干法刻蚀设备市场规模有望突破300亿美元，2024-2032年CAGR达5%干法刻蚀设备（亿美元）2903042903042632762382501962062162273002502001501005002023 2024 2025E 2026E 2027E 2028E 2029E 2028E 2031E 2032ESemiconductor-insight公司依托去胶设备ICP等离子体技术切入刻蚀设备赛道。刻蚀设备腔体本质上由ICP等离子体源与偏压系统构成，与去胶设备共享等离子体源、气体输送及EE图39：刻蚀设备反应腔需要在ICP的基础上加入偏置电极实现离子偏压Semi-Insight公司IPO募集资金25亿元，将分别用于集成电路装备研发制造服务中心项目高端集成电路装备研发项目及发展和科技储备资金。其中，高端集成电路装备研发项目将围绕原子层级表面处理及高选择比刻蚀设备、先进干法去胶设备等核心方向开展技术攻关和产品迭代，满足先进制程节点和多样化工艺的需求，公司未来有望充分受益于高端刻蚀设备自主开发进程。图40：公司IPO募集资金主要用途屹唐股份截至2024paradigmE®ICPMemory、LogicCIS2025H1公司新推出RENA-E®干法刻蚀设备。该设备可以对离子能量和离子密2023年，公司以0.21%’ICPCIS土晶圆厂扩产及高端设备自主开发加速推进，公司市占率有望进一步提升，成长空间广阔。图41：2023年公司全球干法刻蚀设备市占率约为0.21%泛林半导体泛林半导体44.09%18.35%21.51%屹唐半导体0.21%科磊半导体1.45%细美事日立高新1.61%2.95%北方华创5.42%爱发科0.09%中微公司4.33%屹唐股份招股说明书在主流刻蚀设备之外，公司前瞻性布局了原子层级表面处理和材料改性设备Escala®，进一步拓展刻蚀产品平台的技术边界。Escala主要用于金属回流裂缝修Escala3DEscala盈利预测与估值评级核心假设AI&2025-202715%、22%、28%28%29%、29%。WFE2025-202717%、22%、29%44%、45%、45%。ICP2025-202712%、40%2025-202726%、30%、37%。基于主要业务营收测算，我们预计2025-2027年营业总收入分别为52.8/64.0/81.3亿元，同比+14%/+21%/+27%，综合毛利率分别为38%/39%/39%。图42：公司分业务收入预测、估值评级122025-20276.5/8.5/12.22025-2027PE109/84/5866/48/37快速&望加速放量，因此给予一定估值溢价，首次覆盖给予增持评级。图43：可比公司估值（截至2025年11月25日收盘价）、标的均为 盈利预测风险提示1、产品进展不及预期风险：2、下游需求不及预期风险：晶圆厂扩产是半导体设备需求的主要来源。若全3、市场竞争加剧风险：当前半导体设备行业市场竞争激烈，国内外众多厂商纷纷布局该赛道；公司产品或面临降价风险，进而影响公司盈利能力。屹唐股份三大财务预测表资产负债表（百万元）2024A2025E2026E2027E利润表（百万元）2024A2025E2026E2027E流动资产7,2128,1849,64211,744营业总收入4,6335,2816,4008,133货币资金及交易性金融资产3,0773,5924,05