JIS H 0614-1996 镜面硅片的外观检查_第1页
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文档简介

日本工業規格JISH0614-1996Visualinspectionforsiliconwaferswithspecularsurfaces備考この規格の引用規格を,次に示す。JISC7612照度測定方法2.用語の定義この規格で用いる主な用語の定義は,次による。参照)。3.試験環境試験環境は,JISC7612に規定の周囲照度1000lx以下の室内に置かれた,清浄なクリーン5.検查方法外観検査の検査方法は,次の二通りとし,それぞれの検査項目への適用は,表1による。(1)方法1蛍光灯を光源とし,ウェーハ表面の照度を1000~2000Ixとして,ウェーハを動かしながら,全面の検査を行う。(2)方法2集光灯を光源とし,ウェ一八表面の照度を20000~100000lxとして,ウェーハを動かしながら,全面の検査を行う。表1外観検查の項目及び方法検查项目方法1方法1一方法1方法1污れ方法1方法1一6.判定基準各検查項目の判定基準は,表2による。表2外観検查の判定基準検查項目果計長が.ngmm以下であること。一一。污れEどホール一3ウ工一八径mm個数個20以下25以下20030以下4JISH0614改正原案作成委員会構成表氏名所属有有田徳中倉加水宫河岩京河徊三桐佞大金鈴粉新平二松高伊村誠島j道夫社宇宙科学研究所丸洋三中央大学通商産業省機械情報産業局幸幸有英重山工業技術院標準部財団法人日本規格協会一郎一郎基守健英間崎合城住友シチックス株式会社良光二ッテツ電子株式会社コマツ電子金属株式会社克好健一博範佳謙木野栾石田木川井信越半導体株式会社冲電気工業株式会社松下電子工業株式会社富士通株式会社株式会社日立製作所三菱電機株式会社日本電気株式会社元八一元株式会社東芝ソ

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