《电子电路分析与应用》课件任务1简易广告彩灯的制作

27一月20261.1

半导体基础知识

与PN结主要要求：

1.了解半导体材料的基本知识2.理解关于半导体的基本概念3.理解PN结的形成4.掌握PN结的单向导电作用27一月2026

半导体是制造电子器件的主要原料，它的广泛应用不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是它的电阻率可以随温度、光照、杂质等因素的不同而呈现显著的区别。

自然界中的物质按导电性能可以分为

半导体导电特性独有的特点导体半导体热敏性光敏性1.1.1

半导体的特点绝缘体杂敏性

1.半导体的特点27一月2026

2.本征半导体

常用的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge），高纯度的硅和锗都是单晶结构，它们的原子整齐地按一定规律排列，原子间的距离不仅很小，而且是相等的。把这种纯净的、原子结构排列整齐的半导体称为本征半导体。

硅和锗的外层价电子都是4个，所以都是4价元素，右图是硅和锗的原子结构示意图。（a）锗原子结构（b）硅原子结构

这四个价电子不仅受自身原子核的束缚，还受到相邻原子核的吸引，从而形成了共价键结构，如下图所示：图1.1硅和锗的原子结构和共价键结构27一月2026价电子（热激发）自由电子-空穴对复合平衡本征半导体有两种载流子：1.自由电子2.空穴27一月2026注意：

半导体与导体不同，内部有两种载流子参与导电——自由电子与空穴。在外加电场的作用下，有：

I=In（电子电流）+Ip（空穴电流）空穴导电的实质是自由电子的定向移动！本证半导体的特点：（1）自由电子-空穴数目相等，对外不显电性；（2）温度越高，自由电子-空穴对数目越多。27一月20263.杂质半导体本征半导体实际使用价值不大，但如果在本征半导体中掺入微量某种杂质元素，就形成了广泛用来制造半导体元器件的N型和P型半导体。

根据掺入杂质的不同掺杂半导体可以分为N型半导体P型半导体27一月2026（1）N型半导体——杂质为少量5价元素，如磷（P）砷（As）；N型磷原子自由电子N型半导体特点：自由电子——多数载流子空穴——少数载流子P型硼原子空穴P型半导体特点：空穴——多子自由电子——少子（2）P型半导体——杂质为少量3价元素，如硼（B）。注意：

无论是N型还是P型半导体都是电中性，对外不显电性！！！27一月20261.1.2

PN结形成与特性什么是PN结？

PN结是P型与N型半导体区域交界处的特殊带电薄层，具有特殊的单向导电性，是半导体元器件制造的基础单元。27一月2026载流子浓度差复合内电场阻碍多子扩散帮助少子漂移

(耗尽层)扩散漂移动态平衡

注意：动态平衡的PN结交界面上无电流流过，即I=0。1.PN结的形成多子扩散空间电荷区平衡PN结27一月2026

2.PN结的特性

（1）PN结的正向导通特性——正偏导通（P区电位高于N区）内电场外电场

所以，正偏时扩散运动增强，漂移运动几乎减小为0，宏观上形成很大的正向电流IF。

外电场越强，正向电流越大，PN结的正向电阻越小。P区N区多子空穴多子自由电子正向电流IF+

-UR27一月2026

+UR

2.PN结的特性

（1）PN结的反向截止特性——反偏截止（P区电位低于N区）P区N区少子自由电子

少子空穴反向电流IR内电场外电场PN结的单向导电性27一月202627一月2026要记住：（1）外加正向电压时PN结的正向电阻很小，电流较大，是多子扩散形成的；（2）外加反向电压时PN结的反向电阻很大，电流极小，是少子漂移形成的。PN结电路中要串联限流电阻。要注意：27一月2026课堂小结半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间半导体的特性：杂敏性、热敏性、光敏性半导体的分类：1.本征半导体（硅或锗）特点：①空穴和自由电子成对出现，载流子少②导电能力弱2.杂质半导体①P型半导体（半导体中参入三价元素）特点：空穴数多于自由电子数②N型半导体（半导体中参入五价元素）特点：自由电子数多于空穴数PN结（二极管）的单向导电性：

正偏——加正向电压导通

反偏——加反向电压截止

27一月202627一月20261.2二极管主要要求：

1.了解半导体二极管的结构、类型、特性与参数2.掌握半导体二极管在电子技术中的应用3.掌握二极管的检测27一月2026认识二极管

27一月20261.2.1

二极管的结构与类型

一个PN结加上相应的外引线，然后用外壳封装就成为最简单的二极管了，其中，从P区引出的引线叫做阳极或正极、从N区引出的引线叫做阴极或负极。常用D（Diode）表示二极管。

图中的箭头表示正偏时的正向电流方向。27一月2026分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型点接触型金属触丝N型锗P型层阳极阴极

面接触型P型扩散层锡支架N型硅SiO2保护层阴极阳极27一月20261.2.2

二极管的特性与参数1.二极管的伏安特性加在二极管两端的电压U与流过二极管的电流I的关系曲线称为伏安特性曲线。实际的二极管伏安特性曲线如下图所示：u/Vi/mA正向特性

死区电压反向特性IS0μA击穿电压击穿特性反向电流硅管2CP12锗管2AP9当温度升高时，二极管的正向特性会左移，反向特性下移。27一月2026

一般小功率硅二极管与锗二极管几个典型参数的比较：死区电压硅管——0.5V锗管——0.1V正向导通压降UF硅管——0.7V锗管——0.3V反向电流IR硅管——几μA以下锗管——几十到几百μA例1—1二极管电路如下图所示，已知直流电源电压为6V，二极管为硅管，求流过二极管的直流电流；解：流过二极管的直流电流即为该回路电流，而二极管加的是正向电压，使二极管处于导通状态，两端电压降UD=0．7V，即27一月2026例1—2在下图电路中，试判断小灯泡是否会发亮？解：从图a可知，二极管两端加正向电压，处于导通状态，

灯泡亮。

27一月2026从图b可知，二极管处于截止状态，没有电流流过，

灯泡不亮。27一月2026

2.二极管的主要参数

（1）最大整流电流IFM——指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流值。（2）最高反向工作电压URM——指二极管不击穿时所允许加的最高反向电压，URM通常是反向击穿电压的一半，以确保二极管安全工作。（3）最大反向电流IRM——在常温下承受最高反向工作电压URM时的反向漏电流，一般很小，但受温度影响很大。（4）最高工作频率fM——指二极管保持单向导电性时外加电压的最高频率。27一月20261.2.3

二极管的应用电路举例

二极管是电子电路中常用的半导体器件，利用其单向导电性和正向压降很小的特点，可应用于整流、检波、钳位、限幅、开关以及元件保护等各项工作。

1.整流——整流就是利用二极管的单向导电特性将交流电变成单方向脉动的直流电的过程，这部分内容将在整流电路中作详细介绍。

27一月2026

2.钳位

——利用二极管正向导通时压降很小的特性，可以组成钳位电路，如下图所示。

图中若A点UA=0，二极管D正偏导通，压降很小，所以F点的电位也被钳制在0V左右，即UF近似为0。27一月2026

3.限幅

——利用二极管正向导通后两端电压很小且基本不变的特性可以构成各种限幅电路，使输出电压限制在某一电压值以内。下图为一正、负对称限幅电路:ui=10sinωt（V），US1=US2=5V。可见，如忽略二极管正向导通压降，输出被限制在大约±5V之间。OtuO/V55-10ui

/VOt105-527一月2026

4.元件保护

——在电子线路中，经常利用二极管来保护其他元器件免受过高电压的损害。下图所示电路是利用二极管来保护开关S的保护电路。

当开关S断开时，由于电流的突然中断，电感L将产生一个高于电源电压很多倍的自感电动势eL，eL与U叠加作用于开关S上，使开关S的寿命缩短。

二极管D的接入，使eL通过二极管产生放电电流以释放能量，从而保护了开关S。27一月2026

除以上用途外，还有许多特殊结构的二极管，例如发光二极管、热敏二极管等，随着半导体技术的发展，二极管的应用范围越来越广，其中发光二极管是应用较多的一种二极管。

不同用途、结构的二极管普通二极管整流二极管稳压二极管发光二极管光电二极管检波二极管等等……27一月20261.2.4

发光二极管及其应用

1.发光二极管的符号及特性

发光二极管是一种将电能直接转换成光能的固体器件，简称LED（LightEmittingDiode）。

和普通二极管相似，LED也是由一个PN结组成的，当正向导通时可以发出一定波长的可见光，常有红、绿、黄等颜色。也有可以发出红外光等不可见光的发光二极管。27一月2026

发光二极管具有驱动电压低、工作电流小、具有很强的抗振动和抗冲击能力、体积小、可靠性高、耗电省和寿命长等优点，广泛应用于信号指示等电路中。

一般LED的工作电流为几十mA，正向导通压降为（1―

3)V，安全使用电压应选择5V以下。27一月2026

（2）发光数码管。——发光数码管是电子技术中的主要显示器件，常用的七段显示数码管是用LED经过一定的排列组成的，如图所示。1427一月2026

2.发光二极管的应用

（1）做电源通断指示电路。但要保证LED的正向工作电流在规定的范围之内，具体型号LED的工作电流可查阅手册等资料。供电电源可以是直流也可以是交流27一月2026

七段显示数码管有共阳极和共阴极之分，如下图所示。共阳极LED分布共阴极LED分布共阴极数码管引脚图数码管实物图1.2.5稳压二极管的伏安特性

稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。符号工作条件：反向击穿曲线越陡，动态电阻越小，稳压管的稳压性能越好。I/mAUZ/VOUZIZIZM+正向+反向UZIZ∆∆1.2.6稳压二极管的主要参数1.稳定电压

UZ

流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。2.稳定电流

IZ

越大稳压效果越好，小于Imin时不稳压。3.最大工作电流

IZMPZM=UZ

IZM5.动态电阻

rZrZ=∆UZ/∆IZ

越小稳压效果越好。4.

最大耗散功率

PZM曲线越陡，动态电阻越小，稳压管的稳压性能越好。使用时要加限流电阻

3.二极管的选用①二极管工作时的电流、电压值及环境温度不允许超过其极限值；②连接二极管时极性不能接反；③一些大电流的二极管要求使用散热片；④高频小信号的检波电路一般选用点接触型的锗管，而在电源整流及电工设备中一般选用面接触型硅管。（1）根据管壳极性标志符号判别：

二极管的外壳上一般都印有极性标志符号，如二极管图形符号、色环、色点、或正负符号等。标有色环或色点的一段为负极；若是透明玻璃壳，则可以看到连接触丝的一端为正极。若管壳既无极性符号又不透明，则可用万用表判别管脚的极性。4.二极管的管脚极性的判别（2）用万用表判断二极管的极性：将转换开关拨到R×100或R×1K档，两表笔分别接触二极管两端，测出两个电阻值。其中阻值小（约几百欧姆）的一次，黑表笔所接的一端为正极。反之，阻值大（约几百千欧姆）的一次，黑表笔所接的一端为负极。27一月202627一月20261.3晶体三极管主要要求：

1.了解半导体三极管的结构、类型与参数3.掌握半导体三极管的电流分配关系4.掌握半导体三极管的特性曲线的含义2.理解三极管的放大作用5.掌握半导体三极管的管脚及管型的判别27一月202627一月2026认识三极管27一月202627一月202627一月2026

1.三极管的结构1.5.1

晶体管的结构和类型NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区NPN型ECB

三区三极两结集电区基区发射区集电极Collector基极Base发射极Emitter集电结发射结—集电区—发射区PPNPNP型BCE27一月202627一月2026

三极管的分类按材料分按频率特性分按功率分硅管锗管高频管低频管大功率管中功率管小功率管按结构分NPN管PNP管27一月202627一月2026

下面以NPN管为例讨论三极管的电流分配与放大作用，所得结论一样适用于PNP三极管。1.5.2晶体管电流分配和放大作用三极管放大的条件内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏集电结反偏27一月202627一月2026使发射结正偏使集电结反偏1.发射区向基区发射电子，形成发射极电流IE的主要成份。IE2.基区中电子的复合形成基极电流IB的主要成份。IB3.集电区收集电子形成集电极电流IC的主要成份。IC流过三极管的IE、IB、IC是怎样的关系？27一月2026IBUBE0UCE

≥

1VIB=f(UBE)UCE=常数一、三极管的输入特性：1.5.3三极管的特性曲线(输入特性、输出特性）输出回路输入回路VCCRCIC

UCEcebUBEVBBRbIBIE公共端死区电压硅管：0.5V锗管：0.1V导通电压硅管：0.7V锗管：0.3V27一月2026二、三极管的输出特性：IB=

常数IC

=f

(UCE)VCCRCIC

UCEcebUBEVBBRbIBIE公共端输出回路27一月2026二、三极管的输出特性：27一月2026IB

=40µAIB

=60µAUCE

0IC

IB增加IB

减小IB

=20µAIB=

常数IC

=f

(UCE)二、三极管的输出特性：27一月2026IC

/mAUCE

/V0放大区三极管输出特性上的三个工作区

IB=

0µA20µA40µA截止区饱和区60µA80µAUCE小IC小27一月2026共发射极接法放大电路（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。RbVBBVCcRCIC

UCEcebIBUBE1、放大区条件特征三极管在三个区的工作状态：IE对于NPN型三极管应满足:UC

>UB

>UE,或0.3V,且IC=

IB对于PNP型三极管应满足:UC

<UB

<UE,或-0.3V,且IC=

IB27一月20262、饱和区：（1）IB增加时，IC基本不变，且IC

UC/RC

（2）UCE

0

三极管管c、e之间相当于短路共发射极接法放大电路条件特征（1）发射结正向偏置；（2）集电结正向偏置。RbVBBVCCRCIC

UCEcebIBUBEIENPN型管:UB>UE,UB>UC

或0.3V

或0.1V

PNP型管:UB<UE,UB<UC

或-0.3V

或-0.1V

27一月2026集电结、发射结均反向偏置，对于NPN型管：UBE<0对于PNP型管：UBE>03、截止区：（1）

IB=0、IC

0（2）

UCE

VCC三极管c、e之间相当于开路条件特征RbVBBVCCRCIC

UCEcebIBUBEIE共发射极放大电路27一月2026例

根据下图所示三极管各电极的对地电位,判断管子是硅管还是锗管?处于哪种工作状态?

+0.3V+0.7V0V

-5V-0.3V0V

0V+0.6V-6V解：(a)图中,为NPN型。由于UBE=0.7V处于正偏,且是硅管,但是UB>UC(0.7>0.3)V,即UBC=0.4V>0处于正偏。所以管子处于饱和状态。

(b)图中,为PNP型。由于UBE=-0.3V处于正偏,且是锗管,又UB>UC(-0.3>-5)V,即UBC=4.7V处于反偏。所以管子处于放大状态。

(C)图中,为PNP型。UBE=0.6-0=0.6V处于反偏,管子处于截止状态,无法判断其为硅还是锗管。a)b)c)27一月20261.3.4三极管的主要参数及温度对特性的影响一、电流放大倍数：①共射直流电流放大倍数

②共射交流放大倍数27一月202660µA0

20µA1.52.3在输出特性曲线上求

,

=IC

IB

=1.5mA40µA=37.5

=IC

IB

=2.3–1.5(mA)60–40(µA)=40，设UCE=6V,IB由40µA增加为60µA

。IC

/mAUCE

/VIB

=40µA6

27一月2026使用时不允许超过!二、极间反向电流：（少数载流子形成）①集电极－基极反向电流ICBO

②集电极－发射极间的穿透电流ICEO

ICEO＝（1＋β）ICBO三、极限参数：①集电极最大允许电流ICM②反向击穿电压：U（BR）CEO，U（BR）CBO，U（BR）EBO③集电极最大允许耗散功率PCMPC＝IC×UCEPC<PCMPCM与散热条件及环境温度有关27一月2026安全工作区过损耗区PCM曲线0IB=

0µA20µA40µA60µA80µAIC

/mAUCE

/VICEOICMU(BR)CEO由三极管的极限参数确定安全工作区：

27一月2026三极管的管脚极性的判别（1）根据管脚排列方式判别三极管的排列方式不一，管脚排列各异，判断管脚极性时，可查半导体手册（2）用万用表判别（1）判别基极和类型：将万用表转换开关置于R×100或R×1K档。用黑表笔接触某一管脚，红表笔分别接触另两个管脚。当两次所测阻值都很小（约几千欧姆）时，则黑表笔接触的管脚是基极，且为NPN型；若用红表笔接触某一管脚，黑表笔分别接触另两个管脚，当两次阻值都很小（约几百欧姆）时，则红表笔接触的管脚是基极，且为PNP型。1.3.5三极管的测试27一月2026（2）判别集电极和发射极：以NPN为例，当基点确定后，假定基极以外的某一极为集电极，另一极为发射极。如图1-2所示，在假定的集电极和发射极之间接入一个100千欧的电阻（也可以接入人体电阻），黑表笔接在假定的集电极上，红表笔接在假定的发射极上，估测一个电阻；对调红，黑表笔，再测一个电阻。阻值较小的一次假定正确，即黑表笔所接管脚为集电极，另一管脚为发射极。对于PNP型，对调红、黑表笔，读数较小的一次红表笔所接管脚为集电极，另一管脚为发射极。模块六：二极管与简单直流电源1.简单直流电源的基本结构

简单直流电源一般由变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。（a）常用小功率直流电源外形图模块六：二极管与简单直流电源（b）小功率直流电源的结构框图1.4单相整流电路

to

2

3

u2

to

2

3

uO

to

2

3

iD=iO

to

2

3

uD1.5.单相半波整流电路DRL~220V+uｏ–u2iD=iO–uD+1.5.1单相半波整流电路+uo

RLio+u2

u1+uo

ioRLD4D3D2D1u2u1D4D1D2D3+u2

RL+uo

iou1D3D1D2D4+u2

RL+uo

iou1一、桥式整流电路（几种画法）1.5.2单相桥式全波整流电路二、桥式整流电路工作原理RLioD4D3D2D1+u2

+uo

承受反压截止+u1

u2正半周：D1和D3导通，D2和D4截止。RLD4D3D2ioD1+u2

+uo

u2负半周：+u1

承受反压截止D2和D4导通,D1和D3截止。1.波形输入负半周D3RLD4D2D1u1u2+uo

+

ioioRLD4D3D2D1+

u2u1+uo

输入正半周

to

to

to

to

2

3

2

3

2

2

3

3

uOu2uDiD=iOD2、4D1、3D1、3D2、42.参数估算1)

整流输出电压平均值2)

二极管平均电流3)

二极管最大反向压

to

to

to

to

2

3

2

3

2

2

3

3

uOu2uDiD=iO例1.5.1

已知负载电阻RL=50,负载电压UO=100V。今采用单相桥式整流电路，交流电源电压为220V。根据电路要求选择二极管。解：负载电流每个二极管通过的平均电流变压器二次侧电压的有效值为考虑到变压器二次侧绕组及管子上的压降，变压器二次侧电压一般要高出（5~10%）U2，即1111.1122V。可选用2CZ12D二极管，其最大整流电流为3A，反向工作峰值电压为300V。1.4.3

常用的整流组合元件1.半桥堆D2D1~内部接线RL+u2

+u2

与变压器、负载的接线~~+1/2QL1.5A200~~+2CQA外型型号:

1/2QL(额定正向整流电流)A(最高反向峰值电压)2.全桥堆内部接线型号:QA(额定正向整流电流)A(最高反向峰值电压)D4D1D2D3~+-+

~电路符号外型~~+-~~+QL0.5A200-QL0.1A1001.5滤波电路io

+

uo=uc

RLD1D4D3D2

+u2

+u1

1.电路和工作原理电容充电电容放电C

u2正半周D1和D3导通，给C充电,u2达到最大值时，C两端电压充到最大值。当u2从最大值开始下降时，D1和D3截止，C向RL

放电。经C

滤波后

uo

的波形变得平缓,平均值提高。1.5.1电容滤波电路2.波形及输出电压当RL=∞

时（C没有放电回路）:0tuO

2

当RL

为有限值时:此时

UO=1.2U2RC越大（C放电越慢）UO

越大。RL=∞为获得良好滤波效果,一般取:(T

为输入交流电压的周期)（半波整流

UO=U2）例1.5.1

单相桥式电容滤波整流,交流电源频率f=50Hz,负载电阻RL=40Ω,要求直流输出电压UO=20V,选择整流二极管及滤波电容。解：1.选二极管可选:

2CZ55C(IOM=1A，UDRM=100V)或1A、100V

整流桥。电流平均值:承受最高反压：2.选滤波电容可选：

1000

F,耐压50V的电解电容1.5.2电感滤波整流后的输出电压：直流分量被电感L

短路（

L=0）,交流分量主要降在L上。频率越高，电感越大，滤波效果越好。RLL~+u2

+uO

一般：UO=0.9U2滤波的类型：电容滤波、电感滤波、LC复合型滤波当电感线圈的电流发生变化时,要产生自感电动势阻碍电流的变化,使负载电流和电压的脉动减小。然后又经过电容再一次滤波，得到更为平直的输出电压。下一页返回1.5.3复式滤波1.6

稳压二极管稳压电路1.7.1稳压二极管稳压电路的工作原理1.7.2稳压二极管稳压电路元件的选择1.6.1稳压二极管稳压电路的工作原理RLCRIRIZDZ+UL

+UC

++u

IL+

UR稳压电路引起电压不稳定的原因交流电源电压的波动负载电流的变化交流电源电压增加—整流输出电压UC增加—负载电压增加—稳压管的电流IZ显著增加—限流电阻R上的压降增加—负载电压保持基本不变。1.负载电阻RL不变，交流电源电压波动时稳压过程RLCRIRIZDZ+UL

+UC

++u

IL+

URuUC

ULIZIRURUL2.电源电压不变，负载电流变化时稳压过程RLCRIRIZDZ+UL

+UC

++u

IL+

URRLILULIZIRUR电源电压保持不变，负载电流增大—电阻R上的压降增大—负载电压下降—稳压管电流显著减小—通过电阻R的电流和电阻上的压降保持近似不变—负载电压近似不变。1.8.3稳压二极管稳压电路元件的选择稳压管选择：一般取UZ=UL

IZmax=2ILmax整流滤波后的电压：UC=(2~3)UL限流电阻R的选择：限流电阻R的功率：选择稳压管2CW18（UZ=10~12V,IZ=5mA,IZmax=20mA）例1.6.1

某稳压管稳压电路，负载电阻RL

由开路变到2kΩ，交流经整流滤波后的电压UC=30V。设UC的变化范围为±10%，负载电压UL=10V，试选择稳压管和限流电阻R。解：

负载电流选择1.5kΩ选择1.5kΩ、1W的电阻1.6.4三端集成稳压器1.

三端固定输出正稳压器W78××系列三端:

电压输入端、电压输出断、公共接地端。输出正即输出正电压。2.

三端固定输出负稳压器W79××系列输出负即输出负电压。5V/6V/9V/12V/15V/18V/24V78、79系列的型号命名输出电流78L

××/79L××—输出电流100mA78M××/9M××—输出电流500mA78××/79××—输出电流1.5A输出电压例如:W7805输出5V，最大电流1.5AW78M05输出5V，最大电流0.5A封装W7805132UIUOGNDW7905132UIUOGND符号W7800++213W790013_2_塑料封装金属封装3123.W78××系列三端固定式集成稳压电路内部结构+UI

取样电路调整电路保护电路基准电压比较放大启动电路+UO

4、W78××、W79××系列三端集成稳压器的应用电路（1）输出固定电压的稳压电路Uo=12VW7812123Co++UiCi抵消输入长接线的电感效应，防止自激改善负载的暂态响应,消除高频噪声Ci:0.1~1FCo:1FUo

W78××123Co++UiCiUo

W79××321Co++UiCiW78××系列W79××系列27一月20261.7晶闸管的结构与工作原理主要要求：

1、理解晶闸管的基本结构和工作原理2、理解晶闸管的伏安特性3、掌握晶闸管的主要参数和型号4、掌握晶闸管的检测27一月20261.7.1

晶闸管的基本结构晶闸管的外型螺旋式平板式塑封式27一月2026晶闸管的内部结构和符号a.晶闸管的结构b.晶闸管的符号c.晶闸管的内部等效电路阳极阴极门极27一月20261.7.2

晶闸管的工作特性27一月20261.7.2

晶闸管的工作原理1.正向阻断：晶闸管加正向阳极电压（不超过额定电压），门极断开，晶闸管正向电流很小，晶闸管不导通。27一月20261.7.2

晶闸管的工作原理2.硬开通：不加控制极电压，晶闸管的阳极增加到一定程度，晶闸管也会导通。注意多次硬开通会造成晶闸管永久损坏27一月20261.7.2

晶闸管的工作原理3.触发导通：晶闸管同时在正向阳极电压与正向门极电压作用下，晶闸管导通。27一月20261.7.2

晶闸管的工作原理4.已导通的晶闸管在正向阳极电压作用下，门极失去控制作用。27一月20265.晶闸管关断：晶闸管在导通状态时，当流过晶闸管的阳极电流小于维持电流时，晶闸管恢复阻断状态。1.7.2

晶闸管的工作原理27一月20261.7.2

晶闸管的工作原理6.反向阻断：晶闸管在反向阳极电压作用下，不论门极有无电压，晶闸管都不会导通。1.晶闸管像二极管一样，具有单向导电性。晶闸管电流只能从阳极流向阴极。结论3.晶闸管与二极管不同，它还具有正向导通的可控特性。当仅加上正向阳极电压时，元件还不能导通，这是称为正向阻断状态。只有同时还加上一定的正向门极电压、形成足够的门极电流时，晶闸管才能正向导通。而且，一旦导通之后，撤掉门极电压，导通仍然维持。2.若加反向阳极电压，晶闸管处于反向阻断状态，只有极小的反向电流。27一月20261.7.3

晶闸管的阳极伏安特性/v27一月20261.7.4晶闸管的主要参数1.额定正向平均电流IF是指环境温度不高于40℃和标准散热及全导通的条件下，在电阻性负载电路中，晶闸管可以连续通过工频正弦半波电流在一个周期内的平均值。也称通态平均电流。2.维持电流IH在规定环境温度下，控制极开路后，维持晶闸管正继续导通的最小电流。27一月20263.正向重复峰值电压UFRM在晶闸管控制极开路且正向阻断情况下，可以重复加在晶闸管上的正向峰值电压UFRM，通常规定UFRM为正向转折电压UBO的80%。4.反向重复峰值电压URRM在晶闸管控制极开路时，可以重复加在晶闸管上的反向峰值电压URRM，通常规定UFRM为反向击穿电压URM的80%。1.3.4晶闸管的主要参数通常将UFRM和URRM中较小者作