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文档简介
设计计算表,,,,,,,,,
序号,计算项目,符号表示,参数来源,计算公式,国际单位,计算结果,参数说明,规范依据,其他说明
一、基础参数,,,,,,,,,
2,设计处理水量,Q,设计值,,m³/h,1000,除盐系统的设计处理水量,设计任务书,锅炉补给水需求量
3,原水电导率,EC_in,设计值,,μS/cm,1000,原水的电导率,设计任务书,地表水典型值
4,出水电导率要求,EC_out,设计值,,μS/cm,0.15,除盐后水的电导率要求,GB/T12145-2022,≤0.15μS/cm
5,原水SiO₂浓度,SiO2_in,设计值,,mg/L,20,原水的SiO₂浓度,设计任务书,地表水典型值
6,出水SiO₂要求,SiO2_out,设计值,,μg/L,20,除盐后水的SiO₂要求,GB/T12145-2022,≤20μg/L
7,年运行时间,t_year,设计值,,h,8000,系统年运行时间,设计任务书,电厂年运行时间
8,日处理水量,Q_day,计算值,Q×24,m³/d,12,系统日处理水量,水量平衡,
二、离子交换器尺寸计算,,,,,,,,,
11,阳床空塔流速,v_cation,设计值,,m/h,20,阳床设计空塔流速,GB/T50109-2014,15~25m/h
12,阳床台数,N_cation,设计值,,,3,阳床设计台数,DL5068-2014,2用1备
13,单台阳床处理水量,Q_cation_single,计算值,Q×2/3,m³/h,0.333333333,单台阳床处理水量,DL5068-2014,2用1备
14,单台阳床截面积,F_cation_single,计算值,Q_cation_single/v_cation,m²,0.05,单台阳床截面积,GB/T50109-2014,F=Q/v
15,阳床直径,D_cation,计算值,(4×F_cation_single/π)^0.5,m,0.798086884,阳床直径,GB/T50109-2014,D=√(4F/π)
16,阳床树脂层高度,H_resin_cation,设计值,,m,2,阳床树脂层高度,GB/T50109-2014,1.5~2.5m
17,阳床下部排水高度,H_bottom_cation,设计值,,m,0.5,阳床下部排水高度,GB/T50109-2014,0.3~0.7m
18,阳床上部空间高度,H_top_cation,设计值,,m,1,阳床上部空间高度,GB/T50109-2014,0.8~1.2m
19,阳床总高度,H_total_cation,计算值,H_bottom_cation+H_resin_cation+H_top_cation,m,2.7,阳床总高度,GB/T50109-2014,H=Hp+Hr+Hs
21,阴床空塔流速,v_anion,设计值,,m/h,15,阴床设计空塔流速,GB/T50109-2014,10~20m/h
22,阴床台数,N_anion,设计值,,,3,阴床设计台数,DL5068-2014,2用1备
23,单台阴床处理水量,Q_anion_single,计算值,Q×2/3,m³/h,0.333333333,单台阴床处理水量,DL5068-2014,2用1备
24,单台阴床截面积,F_anion_single,计算值,Q_anion_single/v_anion,m²,#REF!,单台阴床截面积,GB/T50109-2014,F=Q/v
25,阴床直径,D_anion,计算值,(4×F_anion_single/π)^0.5,m,39.09811275,阴床直径,GB/T50109-2014,D=√(4F/π)
26,阴床树脂层高度,H_resin_anion,设计值,,m,2.5,阴床树脂层高度,GB/T50109-2014,2.0~3.0m
27,阴床下部排水高度,H_bottom_anion,设计值,,m,0.5,阴床下部排水高度,GB/T50109-2014,0.3~0.7m
28,阴床上部空间高度,H_top_anion,设计值,,m,1,阴床上部空间高度,GB/T50109-2014,0.8~1.2m
29,阴床总高度,H_total_anion,计算值,H_bottom_anion+H_resin_anion+H_top_anion,m,,阴床总高度,GB/T50109-2014,H=Hp+Hr+Hs
31,混床空塔流速,v_mixed,设计值,,m/h,40,混床设计空塔流速,GB/T50109-2014,30~50m/h
32,混床台数,N_mixed,设计值,,,2,混床设计台数,DL5068-2014,1用1备
33,单台混床处理水量,Q_mixed_single,计算值,Q,m³/h,0.5,单台混床处理水量,DL5068-2014,1用1备
34,单台混床截面积,F_mixed_single,计算值,Q_mixed_single/v_mixed,m²,0.933333333,单台混床截面积,GB/T50109-2014,F=Q/v
35,混床直径,D_mixed,计算值,(4×F_mixed_single/π)^0.5,m,#VALUE!,混床直径,GB/T50109-2014,D=√(4F/π)
36,混床树脂层高度,H_resin_mixed,设计值,,m,1.2,混床树脂层高度,GB/T50109-2014,1.0~1.5m
37,混床下部排水高度,H_bottom_mixed,设计值,,m,0.5,混床下部排水高度,GB/T50109-2014,0.3~0.7m
38,混床上部空间高度,H_top_mixed,设计值,,m,1,混床上部空间高度,GB/T50109-2014,0.8~1.2m
39,混床总高度,H_total_mixed,计算值,H_bottom_mixed+H_resin_mixed+H_top_mixed,m,#REF!,混床总高度,GB/T50109-2014,H=Hp+Hr+Hs
40,离子交换器尺寸判断,判断,判断值,"IF(AND(H_total_cation≥3.0,H_total_anion≥3.5,H_total_mixed≥2.5),""满足"",""不满足"")",,#REF!,离子交换器尺寸是否满足要求,GB/T50109-2014,总高度符合要求
三、树脂用量计算,,,,,,,,,
43,阳树脂工作交换容量,E_cation,设计值,,mol/m³,1200,阳树脂工作交换容量,厂家提供,1000~1500mol/m³
44,阴树脂工作交换容量,E_anion,设计值,,mol/m³,400,阴树脂工作交换容量,厂家提供,300~500mol/m³
45,原水阳离子总量,∑I_cation,设计值,,mmol/L,10,原水中阳离子总浓度,水质分析,根据水质确定
46,原水阴离子总量,∑I_anion,设计值,,mmol/L,10,原水中阴离子总浓度,水质分析,根据水质确定
47,单台阳床树脂体积,V_resin_cation_single,计算值,F_cation_single×H_resin_cation,m³,0.6,单台阳床树脂体积,GB/T50109-2014,V=F×H
48,阳树脂总用量,V_resin_cation_total,计算值,V_resin_cation_single×N_cation,m³,,阳树脂总用量,GB/T50109-2014,
49,单台阴床树脂体积,V_resin_anion_single,计算值,F_anion_single×H_resin_anion,m³,12000,单台阴床树脂体积,GB/T50109-2014,V=F×H
50,阴树脂总用量,V_resin_anion_total,计算值,V_resin_anion_single×N_anion,m³,0,阴树脂总用量,GB/T50109-2014,
51,阳树脂湿视密度,ρ_cation,设计值,,t/m³,0.75,阳树脂湿视密度,厂家提供,0.6~0.85t/m³
52,阴树脂湿视密度,ρ_anion,设计值,,t/m³,0.7,阴树脂湿视密度,厂家提供,0.6~0.85t/m³
53,阳树脂总质量,W_resin_cation_total,计算值,V_resin_cation_total×ρ_cation,t,#VALUE!,阳树脂总质量,GB/T50109-2014,W=V×ρ
54,阴树脂总质量,W_resin_anion_total,计算值,V_resin_anion_total×ρ_anion,t,8,阴树脂总质量,GB/T50109-2014,W=V×ρ
55,阳床运行周期,T_cation,计算值,(V_resin_cation_single×E_cation×1000)/(Q_cation_single×∑I_cation),h,,阳床运行周期,DL5068-2014,T=(V×E×1000)/(Q×∑I)
56,阴床运行周期,T_anion,计算值,(V_resin_anion_single×E_anion×1000)/(Q_anion_single×∑I_anion),h,#VALUE!,阴床运行周期,DL5068-2014,T=(V×E×1000)/(Q×∑I)
57,树脂用量判断,判断,判断值,"IF(AND(T_cation≥24,T_anion≥24),""满足"",""不满足"")",,#REF!,树脂用量是否满足要求,DL5068-2014,运行周期≥24h
四、再生系统设计计算,,,,,,,,,
60,阳树脂再生剂类型,reg_cation,设计值,,,盐酸,阳树脂再生剂类型,GB/T50109-2014,HCl、H2SO4等
61,阳树脂再生剂纯度,ε_cation,设计值,,%,31,阳树脂再生剂纯度,厂家提供,工业盐酸纯度
62,阳树脂再生剂比耗,Bz_cation,设计值,,mol/mol,1.5,阳树脂再生剂比耗,GB/T50109-2014,1.2~2.0mol/mol
63,单台阳床再生剂用量,Gz_cation_single,计算值,V_resin_cation_single×E_cation×Bz_cation/(1000×ε_cation/100),kg/次,,单台阳床再生剂用量,GB/T50109-2014,Gz=V×E×Bz/(1000×ε)
64,阴树脂再生剂类型,reg_anion,设计值,,,氢氧化钠,阴树脂再生剂类型,GB/T50109-2014,NaOH等
65,阴树脂再生剂纯度,ε_anion,设计值,,%,32,阴树脂再生剂纯度,厂家提供,工业液碱纯度
66,阴树脂再生剂比耗,Bz_anion,设计值,,mol/mol,2,阴树脂再生剂比耗,GB/T50109-2014,1.5~2.5mol/mol
67,单台阴床再生剂用量,Gz_anion_single,计算值,V_resin_anion_single×E_anion×Bz_anion/(1000×ε_anion/100),kg/次,#VALUE!,单台阴床再生剂用量,GB/T50109-2014,Gz=V×E×Bz/(1000×ε)
68,再生液浓度,C_reg,设计值,,%,4,再生液浓度,GB/T50109-2014,3~5%
69,再生液流速,v_reg,设计值,,m/h,5,再生液流速,GB/T50109-2014,4~6m/h
70,单台阳床再生液用量,Q_reg_cation_single,计算值,F_cation_single×v_reg×0.5,m³/次,#VALUE!,单台阳床再生液用量,GB/T50109-2014,再生时间30min
71,单台阴床再生液用量,Q_reg_anion_single,计算值,F_anion_single×v_reg×0.5,m³/次,#VALUE!,单台阴床再生液用量,GB/T50109-2014,再生时间30min
72,再生系统判断,判断,判断值,"IF(AND(Gz_cation_single>0,Gz_anion_single>0),""满足"",""不满足"")",,#REF!,再生系统是否满足要求,GB/T50109-2014,再生剂用量合理
五、清洗系统设计计算,,,,,,,,,
75,清洗水水质要求,quality_wash,设计值,,,除盐水,清洗水水质要求,GB/T50109-2014,电导率≤0.15μS/cm
76,清洗水温度,T_wash,设计值,,℃,40,清洗水温度,GB/T50109-2014,35~45℃
77,清洗流速,v_wash,设计值,,m/h,10,清洗流速,GB/T50109-2014,8~12m/h
78,阳床清洗时间,T_wash_cation,计算值,45×H_resin_cation,min,54,阳床清洗时间,经验公式,T=45×Hr
79,阴床清洗时间,T_wash_anion,计算值,45×H_resin_anion,min,450,阴床清洗时间,经验公式,T=45×Hr
80,单台阳床清洗水量,Q_wash_cation_single,计算值,F_cation_single×v_wash×T_wash_cation/60,m³/次,0,单台阳床清洗水量,GB/T50109-2014,Q=F×v×T/60
81,单台阴床清洗水量,Q_wash_anion_single,计算值,F_anion_single×v_wash×T_wash_anion/60,m³/次,0,单台阴床清洗水量,GB/T50109-2014,Q=F×v×T/60
82,清洗系统判断,判断,判断值,"IF(AND(T_wash_cation≤120,T_wash_anion≤120),""满足"",""不满足"")",,满足,清洗系统是否满足要
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