2026年半导体设备行业策略报告：AI驱动新成长自主可控大时代

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S42025年行业复盘0102032026年行业展望推荐四大景气方向04投资建议及风险提示52025年行业复盘011年初至今半导体设备跑赢大盘：25年初至12月8日，半导体设备（申万）指数累计上涨62.3%，跑赢上证指数42.0%。半导体设备估值处于低分位：复盘十年估值，截至12月8日，半导体设备行业PE(TTM)为72x，处于28%分位点，处于历史较低估值水平。同期半导体PE(TTM)为98x，处于76%分位点，机械设备PE(TTM）为38x，处于75%分位点，与半导体及机械设备指数分位点相比，半导体设备估值处于低分位点。图：半导体设备（申万）涨跌幅图：半导体设备、半导体、机械设备PE（TTM）-10%10%20%30%40%50%60%70%80%0%2025/1/22025/2/22025/3/22025/4/22025/5/22025/6/22025/7/22025/8/22025/9/22025/10/2

2025/11/2半导体设备(申万)上证指数0204060801001201402024-06-202024-11-042025-03-192025-07-30半导体设备(申万）半导体(申万）机械设备(申万）6，浙商证券研究所2◼

营收：2025第三季度整体营收同比增长36%。龙头公司华创、中微、盛美依然实现高增速，拓荆营收同比大增124%。◼

利润：2025第三季度整体归母同比增长22%。龙头公司华创、中微增速放缓，盛美、拓荆利润加速释放。1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.公司简称2024营业收入（亿元）2025营业收入（亿元）2024营业收入增速（%）2025营业收入增速（%）Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3前三季度Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3前三季度北方华创58.664.880.294.982.179.4116273.05142302740233934中微公司16.118.420.635.62727.93080.63141366035515146盛美上海9.214.815.716.413.119.618.8555049384442322029拓荆科技4.78.010.118.37.112.522.742.217324582505712485华海清科6.88.29.69.59.110.412.4391032584334273030至纯科技8.17.2119.77.38.87.623.733551-1023-32-10精测电子4.27.07.17.36.96.98.922.7-313863-1765-22524微导纳米76.27.6165.15.46.717.21251011876199-12-1111中科飞测2.42.33.55.72.94.15.012.04612578725794348先导基电0012.795.13.710.7-20-62-713594397247247芯源微2.44.54.16.52.84.32.89.9-1510-202713-3-32-10合计115.2142.3170.6218.1160.0184.2232575.431363136393036341.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.0.171.1.1.1.公司简称2024归母净利润（亿元）2025归母净利润（亿元）2024归母净利润增速（%）2025归母净利润增速（%）Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3前三季Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3前三季度北方华创1316.516.81615.816.319.2539037551440-21415中微公司2.52.74.07.03.13.95.112.1-10-631531226472833盛美上海0.83.63.24.02.54.55.712.7-39183566207248167拓荆科技0.1244.2-52.44.65.6-8167-36亏损103225105华海清科2.02.32.93.02.32.72.97.942852891518-110至纯科技0.60.12-70.20.20.50.81-7836亏损-70100-62-56精测电子-0.20.70.3-80.4-0.10.70亏损30024扭亏亏损扭亏亏损12322微导纳米0.040.410.80.810.62.5扭亏-4425-342254176-4865中科飞测0.3-00.20.4-0.1-0.030.04-0.19亏损-51-34亏损减亏-77亏损先导基电--0.50.44-0.200.6-0.20.2亏损亏损-13扭亏亏损扭亏亏损亏损芯源微0.20.60.300.050.1-0.3-0.1-76-14-63213-71-81亏损亏损7.526.53729.823.43738.893.817-3490.3332022247，浙商证券研究所28◼

行业整体盈利能力下滑：2025年前三季度行业整体毛利率40.4%，同比下滑2.8pct，行业净利率 4%，同比下滑0.6pct。◼4

0%42.6%44.5%45.7%4

6%40.4%15.3%14.9%15.8%18.4%1

3%1

4%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%202020212022202320242025前三季度整体毛利率整体净利率0%10%20%30%40%60%50%北方华创中微公司拓荆科技微导纳米至纯科技精测电子中科飞测盛美上海 芯源微 华海清科2020 2021 2022 2023 2024 2025前三季度35%30%25%20%15%10%5%0%-5%-10%-15%北方华创中微公司拓荆科技微导纳米盛美上海芯源微华海清科至纯科技电子精测中科飞测2020

2021

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2024

2025前三季度多数公司毛利率下滑：2025年前三季度，北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米、芯源微、华海清科、至纯科技毛利率均下滑，同比分别-2.8、-3.1、-10.3、-6.0、-7.9、- 7、-3.7pct。盛美上海、精测电子、中科飞测毛利率提升，同比分别+ 1、+2.4、+4.3pct。图：各公司毛利率图：行业整体盈利能力图：各公司净利率，浙商证券研究所3营收：2025第三季度营收同比增长61%。后道设备2023年的业绩大幅下滑，2024年实现修复后2025年继续实现高速增长。龙头公司华峰测控、长川科技连续三个季度营收同比持续增长。利润：2025第三季度归母同比增长161%。金海通、长川科技、华峰测控归母净利润分别同比+833%、+208%、+90%，联动科技归母净利润同比下滑81%。1.1.公司简称Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3前三季度Q1Q2Q3Q4华峰测控42.42.42.82.03.44.09.4-3234长川科技5.69.710.11

18.213.516.1联动科技0.60.80.90.90.6金海通0.90.90合计2024营业收入（亿元）2025营

收入（亿2024营业收入增速（%）2025营业收入增速（%1.1.1.1.1.1.1.1.公司简称2024归母净利润（ ）2025归 利润（ ）2024归母净利润增速（%）2025归母净利润增速（%）Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3前三季度Q1Q2Q3Q4Q1Q2Q3前三季度华峰测控0.20.9020.6393.9-693181121164509082长川科技0.042.14013.24.48.7扭亏171扭亏130262450208142联动科技-0.030.060.120.05-0.030.150.020.1亏损-65扭亏-51减亏142-81-5金海通0.10.20.10.30.30.50.52-5390-32572103833178合计0.43.32.62.62.05.16.813.9-2370121785401561611219，浙商证券研究所36pct，行业净利率23.8%，同比增长5.6pct。◼

净利率显著提升：2025年前三季度行业整体毛利率59.2%，同比下滑◼毛利率下滑、净利率向上：2025年前三季度，华峰测控、长川科技、联动科技、金海通毛利率同比分别-2.3、-

6、-3.7、+ 2pct，净利率分别+6.9、+7.9、-0.7、+8.4pct。龙头公司盈利能力继续向上。63.5%64.1%64.1%60.2%58.0%59.2%30.3%34.6%35.0%18.7%18.7%23.8%0%10%20%30%40%50%60%70%202020212022202320242025前三季度整体毛利率整体净利率0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%金海通华峰测控 长川科技 联动科技2020

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2025前三季度0%10%20%30%40%50%60%金海通华峰测控 长川科技 联动科技2020

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2025前三季度图：行业整体盈利能力图：各公司毛利率图：各公司净利率10，浙商证券研究所112026年行业展望02AI2.12025年全球半导体市场创历史新高。半导体行业受技术驱动和宏观周期影响，市场规模呈波动上升趋势，2004-2024年复合增速5.6%。2023年周期底部以来，行业逐步实现复苏与扩张，根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的数据，预计2025年全球半导体销售同比增长11%至7009亿美元创历史新高，预计2026年全球半导体销售额将同比增长9%至7607亿美元。AI

是半导体行业增长的核心引擎。根据SEMI预测，2020-2030年，AI相关半导体收入占比将从不足10%增长至48%，非AI

半导体收入增速放缓。全球八大CSP资本开支持续增长，根据TrendForce预测，2026年全球八大CSP（谷歌、亚马逊、微软、甲骨文、腾讯、阿里、字节、百度）资本开支将同比增长40%至6000亿美元。图：2020-2030

年，SEMI预计AI相关半导体占比将从10%提升至48%图：2025年全球半导体市场创历史新高(2025、2026为预测数据）图：TrendForce预计2026年全球八大CSP资本开支同比增长40%-30%-20%-10%0%10%20%30%40%01,0002,0003,0004,0005,0006,0007,0008,0002002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202420252026全球半导体销售额（亿美元）同比12，SEMI，TrendForce，浙商证券研究所13◼

全球半导体设备市场规模超千亿美元，AI驱动市场规模再创新高。2024年全球半导体设备销售额达1171亿美元，同比增长10%，主要受先进制程投资、HBM产能军备竞赛以及中国半导体自主化浪潮驱动。根据SEMI预测，2025年全球半导体设备预计同比增长13.7%至1330亿美元，主要由人工智能相关投资拉动，包括先进逻辑、存储和先进封装领域的增长。SEMI预计2026年全球半导体设备市场同比增长9%。晶圆制造设备（WFE）2025

年增长

11%

至

1157

亿美元，主要系DRAM和HBM投资强于预期，预计2026

年继续增长9%

；测试设备2025

年同比增长48%至112亿美元，预计2026年继续增长12%；封装设备2025

年同比增长19.6%至64亿美元，预计2026年增长9.2%。中国大陆市场近500亿美元，2024年中国大陆占据全球42%的市场。从区域来看，中国大陆市场同比增长35%达496亿美元，全球占比高达42%，主要系积极的产能扩张和政府支持。6%

7%

6%

6%9%

8%11%12%7%13%16%15%26%23%20%29%26%34%0%5%10%15%20%25%30%35%40%42%

45%0100200300400500600中国大陆半导体设备销售额（亿美元）中国大陆占比图：预计2026年全球半导体设备销售额同比+10% 图：

2024年中国在全球设备市场占比达42%，SEMI，锐芯闻，浙商证券研究所2.2图：

全球半导体设备各环节市场预测-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%120%02004006008001,0001,2001,4001,6002004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025E2026E全球半导体设备销售额（亿美元）同比2.314◼

逻辑端：龙头晶圆厂产能利用率持续回升，预计2026年国内先进逻辑扩产提速。中芯国际3Q2025产能利用率95.8%，同比+5.4pct，环比+3.3pct，月产能从第二季度99.13万片提升至102.28万片（折合8英寸逻辑），产能规模持续扩张；华虹同期产能利用率高达109.5%，环比+ 2pcts。根据中芯国际业绩交流会，逻辑代工领域国产替代带动产能扩充加速，我们预计2026年先进逻辑产线扩产有望加速。◼

存储端：AI驱动存储超级周期到来，两存扩产驱动不断。AI服务器需求增长的推动下，NAND及DRAM价格近月来大幅增长，根据TrendForce预测，2026年DRAM、NAND市场需求预计继续同比增长26%、21%，产能仍处于供不应求状态。海外大厂新增产能重点聚焦于高端HBM领域，DRAM及NAND产能释放有限；国内方面，长江存储（三期）公司已成立，长鑫存储发布最新DDR5产品且已完成IPO辅导，预计2026年国内存储扩产迎来加速。图：中芯国际3Q2025产能利用率95.8%，浙商证券研究所图：2025Q3华虹公司产能利用率高达109.5%0%20%40%60%80%100%120%02004006008001,0001,2002018-032018-072018-112019-032019-072019-112020-032020-072020-112021-032021-072021-112022-032022-072022-112023-032023-072023-112024-032024-072024-112025-032025-07中芯国际:产能:8英寸晶圆:当月值（千片）中芯国际:利用率:8英寸晶圆0%20%40%60%80%100%120%5004504003503002502001501005002020-032020-062020-092020-122021-032021-062021-092021-122022-032022-062022-092022-122023-032023-062023-092023-122024-032024-062024-092024-122025-032025-062025-09华虹半导体:折合8吋产能（千片）华虹半导体:总体产能利用率012345672022-01-282022-03-282022-05-282022-07-282022-09-282022-11-282023-01-282023-03-282023-05-282023-07-282023-09-282023-11-282024-01-282024-03-282024-05-282024-07-282024-09-282024-11-282025-01-282025-03-282025-05-282025-07-282025-09-28

合约平均价:DRAM:DDR4(8Gb(1Gx8),2133Mbps(基于8G存储))合约平均价:NAND

Flash(128Gb

16Gx8

MLC)图：DRAM及NAND价格快速上涨（单位：美元）2.415IC设备分类全球领先公司NAURA北方华创AMEC中微公司ACMR盛美上海Hwatsing华海清科Piotech沈阳拓荆LeadMicro微导纳米SMEE上海微电子PNC至纯科技Kingsemi

Wanye Mattson芯源微 先导基电 屹唐（凯世通）Jingce精测电子AccoTest华峰测控Changchuan长川科技Raintree上海睿励热处理氧化TEL

AMATASMHitachi√扩散√退火√光刻机DUV/EUVASML√刻蚀硅刻蚀LAM

TELAMAT√√介质刻蚀√√√金属刻蚀√√涂胶去胶涂胶显影TEL√（芯源微）√√去胶Mattson√（芯源微）√√CVDLPCVDAMAT

TELLAM√√√√PECVD√√√√√ALDASMI√√√√√MOCVDAMEC√√PVDAI-padAMATEvatec√Hard

mask√CuBS√离子注入机AMATAxcelis√√CMPAMATEbara√清洗单一晶圆SCREENLAM√√√BatchTEL√√√√检测AnalogTeradyneAdvantestCohu√√SoCMemory√量测KLA/AMAT√√√公开信息整理，浙商证券研究所表：国内半导体设备公司布局16公司名称设备类型当前制程及先进制程研发进展北方华创刻蚀先进制程刻蚀机已在客户端通过多道制程工艺验证，并实现量产应用薄膜沉积先进制程薄膜沉积设备（14nm）已在客户端通过多道制程工艺验证，并实现量产应用。中微公司CCP1、逻辑：12英寸设备已应用于65nm到5nm及更先进生产线上。应用于28nm及以下的一体化大马士革刻蚀进展良好。2、存储：设备已在64层和128层3D

NAND量产先上应用，已通过动态存储器工艺验证并取得订单，60:1极高深宽比刻蚀进展良好。ICP可满足55nm到28nm逻辑芯片ICP刻蚀工艺，在DRAM、3D

NAND和存储器件刻蚀应用范围不断拓展。薄膜沉积首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，已通过客户现场验证，满足金属互联钨制程各项性能指标，并获得客户重复量产订单。CVD

W设备基础上，进一步开发出新型号HAR（高深宽比）W钨设备及ALD

W钨设备，这两项设备均为高端存储器件的关键设备，目前已通过客户现场验证，满足存储器件中的高深宽比金属互联应用中各项性能指标。应用于高端存储和逻辑的ALD氮化钛设备已进入实验室测试阶段。拓荆科技PECVD覆盖全系列

PECVD

薄膜材料，包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG

等通用介质薄膜材料，以及

LoKⅠ、LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、HTN、a-Si等先进介质薄膜材料。1、逻辑：完成28nm量产应用，14nm/10nm验证中。2、存储：SiN、SiON、TEOS、ACHM材料已在64层

3D

NAND应用，128层3D

NAND19/17nmDRAM产业化验证中。SACVDALDPEALD

SiO2、SiN产业化应用中，TALD

已在获得客户验证。HDPCVD可以同时进行薄膜沉积和溅射，薄膜致密度更高，可以沉积SiO2、FSG、PSG

等介质薄膜材料。通过客户端验证，实现首台的产业化应用，并获得批量重复订单。微导纳米薄膜沉积已开发工艺包括了HKMG技术、柱状电容器、金属化薄膜沉积技术及高深宽比3D

DRAM、TSV技术等，并还在持续开发客户需求的IGZO、Nb2O5等新工艺。ALD：获得逻辑、存储、化合物、新型显示批量订单，12寸

28nm逻辑high-k设备获得量产验证。CVD设备已获得客户订单。华海清科CMP1、逻辑：实现28nm及以上成熟制程的产业化应用，高端工艺技术水平

14nm制程仍处于客户验证阶段。2、存储：128层

3DNAND、1X/1Y

DRAM实现量产。芯源微Track28nm及以上制程全覆盖，offline、I-line、KrF机台实现批量销售，浸没式已完成验证。盛美上海清洗已应用于逻辑28nm技术节点及

DRAM

19nm技术节点，并可拓展至逻辑芯片

14nm、DRAM

17/16nm技术节点、32/64/128层

3D

NAND。至纯科技清洗已能满足

28nm

全部湿法工艺需求。万业企业离子注入28nm低能大束流、低能大束流重金属、低能大束流超低温和高能离子注入机已实现商业化。精测电子量检测膜厚设备、OCD

设备、电子束设备均已取得多家客户批量性订单，半导体硅片应力测量设备取得客户订单并完成交付，明场光学缺陷检测设备已取得突破性订单，且完成首台套交付。1、光学膜厚测量设备：可用于28nm

FEOL和14nm

BEOL节点制程。2、OCD设备适用于28nm节点及以上制程。3.电子束检测设备：1xnm正在验证。中科飞测量检测已量产多款28nm及以上量检测设备，2x

nm套刻精度量测设备正在验证，已取得客户订单，1x

nm无图形晶圆检测设备处于研发中。、来源：各公司公告，浙商证券研究所整理先进制程突破加速。国内半导体设备厂商持续加大研发，重点环节均实现28nm制程突破，去胶、部分刻蚀和清洗已经达到先进制程节点。外部制裁下国内晶圆厂给予国产设备验证机会增多，我国半导体设备从成熟迈向先进制程的节奏提速。2.4◼

关注国产化率较低的卡脖子环节。2024年我国ALD、光刻、量测检测、离子注入、涂胶显影等环节国产化率极低，在10%左右。刻蚀、CVD、CMP、热处理等环节国产化率较低，位于10%至30%之间。图：2024年各环节市场空间及国产化率测算2.420%5%16%10%30%34%7%10%28%29%5%69%0%10%20%30%40%50%60%70%80%0100200300400500600700800900刻蚀光刻机CVD量测检测清洗PVD涂胶显影ALDCMP热处理离子注入干法去胶中国大陆市场空间（亿元）国产化率17各公司公告，，浙商证券研究所18推荐四大景气方向033.1【核心驱动】存储超级周期+自主可控驱动。

AI算力需求引爆存储芯片的“超级周期”，存储价格进入上行通道，产能供不应求；预计2026年两存扩产加速，存储敞口高的设备公司充分受益。长鑫存储：DRAM龙头上市加速。长鑫存储是国内DRAM龙头，是国内规模最大、技术最先进、唯一实现大规模量产通用型DRAM的IDM公司。根据TrendForce，长鑫存储2025年底产能将达到30万片/月，同比增长近50%。2025年10月，长鑫存储已完成IPO辅导工作，有望通过上市融资实现业务扩张，利好产业链上下游。长江存储：快速追赶的NAND新星。长江存储是国内NAND龙头。通过技术创新和产能扩张，正在快速改变全球NAND市场格局，公司自主研发的Xtacking架构实现了技术突破，位密度达到15.03

Gb/mm²，超越国际巨头。产能方面，长江存储计划2026年底达到30万片/月的总产能，目标占据全球15%的市场份额。设备需求：

存储芯片，尤其是3D

NAND的堆叠层数持续增加，对刻蚀（极高深宽比）和薄膜沉积（均匀性、保形性）设备的依赖度和技术要求呈指数级提升。推荐在刻蚀、CVD、ALD等领域技术领先且存储业务收入占比高的设备公司，其订单能见度与业绩弹性最为突出。19TrendForce，科创板日报，浙商证券研究所3.2【核心驱动】光刻机是当前国产化率最低、技术壁垒最高的环节，光刻技术自主可控势在必行。光刻机是芯片制造中最复杂、最昂贵的设备。在集成电路先进制程中，光刻工艺（含光刻胶、掩膜、设备使用等）的成本可占整个芯片制造成本的30%-40%，其相关工序所耗费的时间也约占整体前道工艺周期的40%-50%，是芯片制造中最复杂、最关键的环节之一。光刻机系统极为复杂,

由十几个甚至几十个分系统组成。包括光源系统、光学系统、工件台/掩模台系统、自动对准系统、调焦调平测量系统、硅片/掩模传输系统、框架/减振/环境控制系统、整机控制系统等

,

包含几万个甚至十几万个零部件。图：EUV光刻机结构图：芯片制造流程20ASML，深企投，意克赛激光，浙商证券研究所3.221公司公告，，南方财富，浙商证券研究所◼

光刻机是国产半导体设备国产化率最低的环节，2026年28nm光刻机有望实现突破。在02专项支持和政策引导下，国内光刻机及零部件企业不断取得进展。2016

年，上海微电子90nm光刻机SSA600系列实现出货，成为国产光刻机商业化的重要标志；2020年，华卓精科自主研发的双工件台实现量产应用，打破

ASML

在工件台上的长期垄断；2025年11月，芯上微装自主研发的首台350nm步进光刻机付运客户，该设备主要应用于化合物半导体，实现了我国高端半导体光刻领域突破。众多成果标志着国产光刻机在整机与核心零部件环节的迭代正在加速，未来在政策支持与市场应用拉动下，国产产业链整体能力有望持续提升。表：光刻机产业链重点标的公司光刻机相关茂莱光学精密光学器件可应用于光刻机福晶科技晶体制造商波长光电先进制程光刻设备光源里的光学镜片苏大维格光刻机用定位光栅尺炬光科技光刻机光场匀化器核心供应商新莱应材国内高纯/超高纯应用材料龙头富创精密国内领先的半导体设备精密零部件制造商3.3【核心驱动】半导体工艺推进使原子层沉积技术从“可选”变为“必选”。◼

半导体技术正于多维度迈向下一代前沿，旨在突破物理极限与效能瓶颈。技术的突破与产业化，将驱动资本开支向先进工艺设备、新型材料及集成方案集中，为相关领域的领先公司带来结构性增长机遇。存储领域，传统2D

DRAM微缩濒临极限，3D

DRAM通过立体堆叠成为革新方向，将开启新一轮设备与材料竞赛；3DNAND

持续堆高，是提升密度与降低成本的核心路径，对刻蚀、薄膜沉积工艺提出极致要求。铁电存储（FeRAM/FRAM）

凭借纳秒级速度、高耐用性与低功耗，在嵌入式与存算一体等新兴场景潜力巨大。逻辑领域，先进制程向2nm以下演进，GAA晶体管、背面供电、CFET等新技术将定义未来性能与能效。图：各类芯片结构变化22ASMI，浙商证券研究所图：DRAM技术路线图图：逻辑技术路线图3.3◼

随着AI与先进制程发展对半导体需求的日益增高，ALD成为半导体晶圆设备中增长最快的领域之一。1）3D

DRAM的发展需要进一步依赖ALD和EPI工艺，以支持更复杂的堆叠结构。这些工艺能够确保在高纵横比的结构中实现均匀沉积，并优化接触电阻，从而提升存储密度和性能。2）3D

NAND的叠层结构对ALD设备功能要求更高，多层次沉积使得ALD设备价量比重上升。3）逻辑芯片已迎来GAA时代，新增ALD设备需求。图：GAA技术引入了ALD钼金属沉积图：转向3D

DRAM，增加对ALD设备的需求图：3D

NAND层数增加带来ALD设备增量需求图：下一代GAA技术对ALD设备需求高23ASMI，浙商证券研究所3.4【核心驱动】AI芯片对高带宽、低功耗的渴求，使得CoWoS、HBM等先进封装技术成为刚需。随着半导体工艺制程的发展，芯片设计成本急剧增长，每百万晶体管制造成本不降反升。摩尔定律由于接近物理极限而放缓，先进封装技术的发展助力摩尔定律延续。先进封装行业市场需求强劲。全球先进封装市场预计将从2024年443亿美元增长至2028年的786亿美元。这一增长主要受AI芯片与高带宽内存（HBM）的强劲需求驱动。AI服务器对2.5D/3D封装和HBM的需求激增，预计2024至2030年间，用于AI数据中心芯片的先进封装市场年复合增长率将高达45.5%。目前，2.5D

CoWoS

类型的解决方案是市场主流，但其产能紧张，特别是台积电的CoWoS产能已成为全球AI

GPU出货的核心瓶颈，推动了全行业加速扩产。图：先进封装&先进制程制程节点图24Yole，浙商证券研究所图：先进封装助力厂商技术迭代3.425各公司，每日经济新闻，首席访谈，华经情报网，semi，立鼎产业研究网，浙商证券研究所设备类型主要国产厂商简介主要垄断外企划片机光力科技通过国际并购跃居成为全球前三、国内第一的半导体切割划片装备企业，产品覆盖切片机、核心零部件（空气主轴）与刀片耗材，高端切片设备和耗材可用于先进封装的切割工艺DISCO、TSK减薄机华海清科研发了Versatile-GP300

减薄抛光一体机，主要适用于前道晶圆制造的背面减薄工艺，并开发了针对封装领域的

12

英寸超精密减薄机，2023年发往客户验证DISCO固晶机华封科技对先进封装贴片工艺实现了全面覆盖，包括FOWLP(Face

Up/Down)、POP、MCM、EMCP、Stack

Die、SIP、2.5D/3D、FCCSP、FCBGA等ASMPT、BESI新益昌半导体固晶设备客户导入顺利，受到业内认可，并收购开玖自动化，积极研发半导体焊线设备，实现固晶与焊线设备的协同销售键合机苏州芯睿自主研发生产的12英寸临时键合设备可应用于Fan-out、2.5D、3D

interposer等先进封装相关工艺K&S、ASMPT模塑机文一科技研发了注塑自动封装系统、扇出型晶圆级液体封装压机产品TOWA、YAMADA、BESI电镀设备盛美上海先进封装电镀设备可应用于多通道先进封装的关键电镀步骤，包括pillar,

bump和

RDL，也可运用于fan-out,

TSV

和TMV

(Through

Molding

Via)工艺LAM、AMAT清洗设备盛美上海全球首创的

SAPS/TEBO

兆声波清洗技术和

Tahoe

单片槽式组合清洗技术，应用于

28nm及以下技术节点的晶圆清洗领域，国内市占率达23%DNS、TEL、LAM北方华创拥有单片清洗（覆盖

Al/Cu

制程全部工艺）、槽式清洗（覆盖

RCA、Gate、PR

strip、磷酸、Recycle

等工艺）两大技术平台，主要应用于12寸集成电路领域芯源微前道物理清洗机Spin

Scrubber设备较为成熟，已成为国内晶圆厂baseline产品光刻机上海微电子目前中国第一且唯一光刻机巨头，具备

90nm

及以下的芯片制造能力，交付了国内首台2.5D/3D先进封装光刻机ASML、尼康、佳能芯碁微装从事以微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备的研发和生产，主要产品包括PCB直接成像设备及自动线系统、泛半导体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备涂胶显影设备芯源微前道涂胶显影设备已完成在晶圆加工环节28nm及以上工艺节点全覆盖，并向更高工艺等级迭代TEL薄膜沉积设备北方华创突破了物理气相沉积、化学气相沉积和原子层沉积等多项核心关键技术，铜互联薄膜沉积、铝薄膜沉积、钨薄膜沉积、硬掩膜沉积、介质膜沉积、TSV

薄膜沉积、背面金属沉积等二十余款产品成为国内主流芯片厂的优选机台AMAT、ASMI、LAM、TEL拓荆科技薄膜系列产品在客户产线实现量产的设备性能指标已达到国际同类设备先进水平，是国内唯一一家产业化应用的集成电路

PECVD

、SACVD

、HDPCVD

厂商，也是国内领先的集成电路

ALD

厂商微导纳米成功研制的

High-k

原子层沉积所应用的高介电常数（High-k）栅氧薄膜工艺，是国内首家将其成功量产合并应用于

28nm

节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司刻蚀设备中微开发了CCP

单台机和双台机，ICP

单台机和双台机

可覆盖90%刻蚀应用AMAT、LAM、TEL北方华创面向

12

寸逻辑、存储、功率、先进封装等客户，已完成数百道工艺的量产验证，实现了在硅刻蚀、金属刻蚀、介质刻蚀工艺的全覆盖图：先进封装相关设备公司26投资建议与风险提示044.1表：半导体设备公司估值表◼

四条主线，布局龙头。1）平台型龙头：北方华创。2）细分领域核心：中微公司（刻蚀）、拓荆科技（薄膜沉积）、微导纳米（ALD）。3）高弹性与突破标的：关注芯源微（涂胶显影）、华海清科（CMP）、华峰测控/长川科技（测试机），光刻机产业链。归母净利润（亿元）营收（亿元）PEPS2024A2025E2026E

2027E2024A2025E2026E

2027E2024A2025E2026E

2027E2024A2025E2026E

2027E27，浙商证券研究所（数据来自一致预期，数据截至2025/12/24）代码公司市值（亿元）002371688012688082688072688120603690300567688147688361600641688037688200300604603061北方华创中微公司盛美上海拓荆科技华海清科至纯科技精测电子微导纳米中科飞测先导基电芯源微华峰测控长川科技金海通3,4851,7088699935521192393235491623032556278756.216.21

56.910.20.2-

02.3-0.112.03.34.60.872.32

916.010.412.842.13.1682.05.110.3995.632.619.716.616.42.63.54.34.12.63.76.413.62.7120.944.023.023.720.33.45.65.86.33.66.08.117.43.72989156413436262714618936439212170624633332821142013507493160858358384131301927166596052029810672435136422535198211621067514454506-24