华海清科公司报告：先进制程CMP设备加速发展“装备与服务”平台化布局亮眼

告附注中的风险提示和免责声明51、CMP设备国产龙头，“装备+服务”平台化布局加速告附注中的风险提示和免责声明6国内CMP设备领先制造商，“装备+服务”双轮驱动。2013年清华大学与天津市政府合资成立华海清科有限，2014年成功研制国内首台12英寸CMP设备，2015年承担“国家02科技重大专项”，2017年成功研制8英寸CMP设备，2020年研发出12英寸减薄抛光一体机，2022年登陆科创板，2024年首台12英寸封装减薄贴膜一体机发货，2025年实现面向先进制程芯片制造的大束流离子注入机各型号的全覆盖。公司是国内CMP设备领先制造商，近年持续完善设备品类，同时发力耗材服务、晶圆再生业务，现已形成“装备+服务”的平台化战略布局，助力长期稳健发展。图表1：公司发展历程公司官网，公司公众号，公司招股说明书，公司公告告附注中的风险提示和免责声明7CMP、离子注入、减薄等设备多元布局。公司主要产品及服务包括CMP设备、减薄设备、划切设备、边缘抛光设备、离子注入设备、湿法设备、晶圆再生、关键耗材与维保服务，下游涉及集成电路、先进封装、大硅片、第三代半导体、MEMS、MicroLED等领域。图表2：公司主要产品及服务公司公告告附注中的风险提示和免责声明8公司官网，公司公告，iFind四川国资委控股，背靠清华大学。2013年清华大学以科技成果转化的形式出资注入华海清科有限，2014年清华大学将所持股权40%奖励给3位主要成果完成人（路新春34.125%、雒建斌3 875%、朱煜34.00%），2022年清华大学将所持清华控股100%股权无偿转让给四川省国资委，公司实控人变为四川省国资委，同年清华控股更名为天府清源。截至2025年三季报，公司前三大股东为清控创投、路新春、天津科海，分别持股28.14%、5.94%、3.31%。公司多位高管、核心技术人员具有清华背景，技术实力雄厚。图表3：公司股权结构（2025三季报） 图表4：公司部分子公司（2025中报）告附注中的风险提示和免责声明9CMP设备快速放量，2020-2024年业绩持续高增。2020-2024年公司营收CAGR达54.58%，归母净利润CAGR达59.94%。CMP设备是公司主要产品，2024年收入占比达87.70%，受益于国内半导体行业扩产、公司CMP设备市场竞争力提升，2020-2024年公司CMP设备营收CAGR达53.26%。2025H1公司CMP等装备产品、晶圆再生和维保升级、技术服务及配套材料等收入均有较大幅度增长，营收为19.50亿元，同比增长30.28%，归母净利润为5.05亿元，同比增长16.82%。图表5：2020-2025前三季度公司营业收入图表6：2020-2025前三季度公司归母净利润图表7：2020-2024年公司分产品营业收入iFinD353.28693.721,430.732277.782,987.42218.11230.22418.8132.6111

1605001,0001,5002,0002,5003,0003,5004,00020242020 2021 2022 2023CMP设备 其他 配套材料及技术服务百万元告附注中的风险提示和免责声明10目前毛利率同业中上水平，持续加大研发投入。公司综合毛利率的主要影响因素是CMP设备毛利率，2019-2021年，受益于量产阶段后的规模效应、产品升级拉升设备单价，CMP设备毛利率持续快速提升；2022年，受益于产品设计优化、零部件国产化等有效降本措施，CMP设备毛利率显著提升至47.65%；2023-2024年，公司综合毛利率略有下降，2025Q1-3综合毛利率为44.09%，目前在同业可比公司中处于中上水平。2020-2024年，公司期间费用率持续下降，净利率基本处于上升趋势，2025Q1-3净利率为24.78%，公司持续加大研发投入，近年研发费用率持续超过10%。图表8：2020-2025前三季度公司毛利率图表10：2020-2025前三季度公司期间费用率及净利率iFinD图表9：2020-2025前三季度可比公司毛利率告附注中的风险提示和免责声明112、CMP工艺耗材特征显著，公司高端产能持续扩充告附注中的风险提示和免责声明12CMP工艺效果优异。化学机械研磨（CMP）工艺结合化学反应和机械研磨去除沉积的薄膜，是一种表面全局平坦化技术，可用于晶圆抛光（几μm的硅被去除）、平坦化（材料去除量约1μm或更少）等工序。不同于纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学和机械的综合作用，最大程度减少较硬材料和较软材料的去除速率差异，同时有效避免由单纯机械抛光造成的表面损伤，以及由单纯化学抛光造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。《集成电路铜互连技术中阻挡层钴的CMP研究》左劲松等，《碳化硅化学机械抛光中材料去除非均匀性研究进展》孙兴汉等3硅片CMP抛光原理：硅片CMP一般采用碱性二氧化硅抛光液，化学反应方程式为:𝑆

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2�2，利用碱与硅的化学腐蚀反应生成可溶性硅酸盐，再通过细小柔软、比面积大、带有负电荷的SiO2胶粒的吸附作用及其与抛光垫和片之间的机械摩擦作用，及时除去反应产物，从而去除晶片表面损伤层与沾污杂质。图表11：CMP工艺原理示意图未平坦化（a）和平坦化后（b）的三层金属互连COMS器件截面图图表12：CMP工艺效果告附注中的风险提示和免责声明13《化学机械抛光技术发展及其应用》李思等CMP与芯片制程材料、互连工艺协同发展。进入超大规模集成电路（ULSI）时代后，横向空间逐渐饱和，促使芯片制程向垂直空间发展，CMP技术旨在解决两大问题，一是多层互连中的台阶问题，二是为光刻提供平坦化表面。根据《化学机械抛光技术发展及其应用》（李思，2019），CMP技术发展过程存在以下关键节点，我们发现，CMP技术发展与芯片制程材料、互连工艺发展紧密相关。0.35-0.25μm起：CMP成为唯一可实现全局平坦化的芯片制程关键技术。0.18-0.13μm：铜正式取代铝成为主流导线材料，使CMP成为铜互联技术必不可少的工艺。65nm：开发低压力、低K介质材料适用的CMP设备成为新发展方向。30-20nm：Cu互连不再适用于20nm以下节点，应用于钴互连技术的CMP工艺成为新发展方向。14nm：CMP成为实现Fin

FET、TSV等新工艺的关键技术。图表13：CMP工艺发展历程告附注中的风险提示和免责声明14先进制程对CMP提出更高要求。随着先进制程发展，CMP的步骤数量、工艺水平不断提升，根据《化学机械抛光垫在集成电路制造中的专利技术分析》（王海，2023），28nm制程需要12次抛光，10nm制程需要30次抛光；根据华海清科招股说明书，对于7nm以下节点，CMP工艺在最初的氧化硅CMP和钨CMP基础上新增氮化硅CMP、鳍式多晶硅CMP、钨金属栅极CMP等先进CMP工艺，所需抛光步骤增至30余步。台积电官网，晶亦精微招股说明书图表14：半导体工艺节点发展图表15：9-11层金属结构Cu

CMP示意图告附注中的风险提示和免责声明15晶亦精微招股说明书先进封装成为CMP新增长点。CMP是先进封装TSV技术的重要工艺步骤，根据《硅通孔抛光液的研究进展》（郑晴平等，2021），TSV技术中的CMP工艺主要用于TSV铜淀积后的正面抛光、晶圆背面TSV结构的铜暴露及平坦化，TSV正面抛光包括含铜层、阻挡层（Ti、Ta、TiN和TaN等）和隔离层（SiO2）抛光。根据《TSV关键工艺设备特点及国产化展望》，TSV工艺涉及二十多种设备，其中深孔刻蚀设备、气相沉积设备、铜填充设备、减薄抛光设备等较为关键。图表16：CMP可应用于先进封装告附注中的风险提示和免责声明16MKS官网，晶亦精微招股说明书图表17：CMP设备主要单元CMP设备主要由抛光单元、清洗单元和晶圆传输单元三大模块组成，其中，1）抛光单元包括抛光头、抛光盘、抛光垫、修整器、抛光液供应系统、终点检测系统等；2）清洗单元一般包括兆声清洗模组、刷洗模组及干燥模组等；3）晶圆传输单元主要包括前端模组、晶圆传输手等，前端模组将晶圆搬运至机台内进行加工。通过模块优化，CMP设备实现制程升级。CMP设备在较长时间内并不存在技术迭代周期，相比成熟制程，先进制程对应设备并无明显差异，仅是特定模块技术的优化。随着半导体工艺节点持续发展，CMP技术将不断趋于抛光头分区精细化、工艺控制智能化、清洗单元多能量组合化方向发展。图表19：CMP设备清洗单元图表18：CMP设备抛光单元告附注中的风险提示和免责声明17《抛光头和抛光垫修整器压力对金属钨CMP效果的影响研究》赵世鑫等，《用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光（CMP）技术研究》梅燕等图表20：CMP抛光头结构图CMP工艺耗材特征显著。对于晶圆厂，CMP的耗材消耗量仅次于光刻，大致分为通用耗材、关键耗材，其中通用耗材包括抛光液、抛光垫等，关键耗材是设备自身的抛光头、钻石碟（修整器）、清洗刷等。根据《图解入门

半导体制造设备基础与构造精讲

(佐藤淳一)》，CMP一半运行成本都是消耗品，其中抛光液和抛光垫占比较大。抛光头：晶圆抛光中的主要夹持装置，主要用于传输及抛光晶圆，主要结构包括抛光头主体、固定环、薄膜及空气气囊等。抛光液：主要成分包括磨料粒子、成膜剂和助剂、腐蚀介质，磨料粒子通常采用SiO2、CeO2、ZrO2、Al2O3、TiO2等，不宜用硬度太高的材料。抛光垫：一般是聚氨酯材料，抛光垫的材质和机械特性直接影响材料去除率、抛光均匀性。修整器：用于修整抛光垫，防止抛光垫中的抛光液和平坦化加工碎屑堵塞，可延长抛光垫的使用寿命。图表21：CMP浆料种类 图表22：抛光垫结构及应用告附注中的风险提示和免责声明18《化学机械抛光方法专利技术综述》刘然等专利技术领域：B24B

37/00：研磨机床或装置;附件B24B

1/00：磨削或抛光的工艺;与此工艺有关的所用辅助设备B24B

49/00：用于控制磨具或工件进给运动的测量或校准装置;指示或测量装置的布置,如用于指示磨削加工开始的B24B

53/00：用于修整或调节研磨表面的装置或工具H01L

21/00：专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备注：专利统计周期为1990-2018年CMP工艺变量复杂，行业壁垒较高。CMP是一个动态的机械和化学互动作用过程，影响因素较为复杂，多因素交互作用下，CMP过程很难达到精密的再现性，只有化学因素和机械因素达到相对稳定、精细的动态平衡时，才能实现低损伤、超精密的平整表面。根据《化学机械抛光方法专利技术综述》（刘然等，2020），CMP相关技术主要分为化学机械抛光工艺、抛光中的检测和指示、磨具修整等三大部分，通过检索分析1990-2018年全球CMP相关专利，文章发现应用材料专利申请量最多，其在一级技术分支上的专利布局主要是磨削方法（占16.67%）、检测和指示（占1 55%），其在二级技术分支上的专利布局主要是光学手段测量、指示。图表23：CMP技术主要结构 图表24：CMP相关专利主要申请人 图表25：应用材料专利技术结构注：专利统计周期为1990-2018年告附注中的风险提示和免责声明19受益AI催化下先进半导体技术发展，全球半导体设备需求旺盛。近年AI应用迅速普及推动技术创新，对先进半导体技术的需求强劲，进而拉动半导体设备需求，根据SEMI数据，2025年全球半导体设备销售额预计将达1255亿美元，同比增长超过7%，预计2026年销售额进一步攀升至1381亿美元。2024年中国大陆半导体设备销售额达496亿美元，同比增长35%，连续五年成为全球最大半导体设备市场。图表26：2022-2026E全球半导体设备销售额图表27：2019-2024中国大陆半导体设备销售额SEMI，半导体行业观察公众号，拓荆科技公司公告告附注中的风险提示和免责声明20晶亦精微招股说明书，Gartner，TECHCE，SEMI，北京半导体行业协会公众号，拓荆科技公告图表28：2023-2026年全球/中国大陆CMP设备及耗材空间测算我们测算，2024/2025/2026年中国大陆CMP设备市场空间预计为13.2/13.3/14.7亿美元，CMP耗材市场空间预计不低于9.1/10.4/1

8亿美元，其中CMP通用耗材市场空间预计不低于7.0/7.9/8.8亿美元，CMP关键耗材市场空间预计不低于2.1/2.4/3.0亿美元。假设1：根据Gartner，CMP设备在晶圆制造设备中的份额为3%，假设2023/2024/2025/2026年全球市场该比例维持3%。假设2：根据TECHCE，2023/2024年全球CMP耗材（仅抛光液+抛光垫）市场空间为33/35亿美元，2027年该市场空间有望增至42亿美元，我们计算，2024-2027年CAGR为6.3%，假设2025/2026年yoy均为6.3%，则2025/2026年全球CMP耗材（仅抛光液+抛光垫）市场空间预计为37.2/39.5亿美元，因此2024/2025/2026年全球CMP通用耗材市场空间预计不低于35.0/37.2/39.5亿美元。假设3：根据TECHCET，2025/2027年全球CMP辅助设备（调节器/PVA清洗刷/POU浆料过滤器/固定环等）市场空间为1

5亿美元，根据2025年yoy预计约11%、2024年yoy预计约5%，假设2026年市场空间为2025和2027年均值，我们计算，2023/2024/2026年全球CMP辅助设备（调节器/

PVA清洗刷/

POU浆料过滤器/

固定环等）

市场空间预计为9

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亿美元，

因此2024/2025/2026年全球CMP关键耗材市场空间预计不低于10.4/1

5/13.5亿美元。假设4：根据SEMI，2023/2024年中国大陆半导体设备市场空间为366/496亿美元，我们计算对应全球占比为34%/42%，假设2025/2026年中国大陆半导体设备全球占比分别为40%/40%。假设5：2023/2024/2025/2026年中国大陆晶圆制造设备/半导体设备与全球市场一致，CMP设备/晶圆制造设备与全球市场一致。假设6

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耗材需求量与晶圆生产状况相关，

根据北京半导体行业协会公众号，2023/2024/2025/2026年中国大陆半导体产能的全球份额分别为19.1%/20.1%/2

3%/22.3%，假设中国大陆CMP耗材的全球份额等于半导体产能的全球份额。告附注中的风险提示和免责声明21晶亦精微招股说明书全球CMP设备行业集中度较高，应用材料和荏原垄断先进制程市场。全球CMP设备行业集中度较高，美国应用材料和日本荏原占据主要市场份额，根据晶亦精微招股说明书，12英寸设备方面，对于28nm及以上制程，2022年两家合计全球市占率约88%，对于28nm以下制程，2022年两家合计全球市占率接近100%。国产CMP设备供应商主要包括华海清科、晶亦精微，主要产品分别为12英寸、8英寸CMP设备。8英寸设备方面，2022年晶亦精微在中国大陆的市占率约68.3%；12英寸设备方面，2022年华海清科在中国大陆28nm及以上制程应用的市占率约46.66%。图表29：全球CMP设备主要供应商告附注中的风险提示和免责声明22日本是中国CMP主要进口来源，地缘催化下国产替代正加速。根据海关统计数据在线查询平台，2022/2023/2024/2025年1-10月中国CMP设备进口数量分别为465/413/371/344台，进口金额分别为6.3/6.7/6.7/6.4亿美元。日本是中国CMP设备主要进口来源，2022/2023/2024/2025年1-10月进口数量分别为170/181/156/117台，中国从美国进口的CMP设备数量较少，且近年整体呈现下降趋势，2022/2023/2024/2025年1-10月进口数量分别为38/29/4/7台。2023年1月，美国、日本、荷兰三国在尖端半导体设备的出口方面达成一致意见，随着地缘因素持续催化，CMP设备国产替代有望加速。图表30：2020-2025年前10月中国部分半导体设备进口数量及进口金额海关统计数据在线查询平台图表31：日本是中国CMP设备主要进口来源告附注中的风险提示和免责声明23公司产品在硅片尺寸、加工材料、下游应用等维度覆盖较全。公司CMP设备可广泛应用于12英寸和8英寸的集成电路大生产线，全面覆盖非金属介质CMP、金属薄膜CMP、硅CMP等抛光工艺并取得量产应用。一方面，公司持续保持前道晶圆制造CMP设备国产领先地位；另一方面，公司积极开拓先进封装、大硅片、化合物半导体等市场，用于先进封装、大硅片领域的CMP设备已批量交付客户大生产线，面向化合物半导体推出的CMP设备已在SiC、GaN、LN、LT等领域取得批量订单。根据公司2024年报，公司面向第三代半导体客户端的专用CMP设备研制成功并已发往客户端验证。图表32：公司CMP设备部分型号公司官网，公司公告告附注中的风险提示和免责声明24设备指标已达国际水平，先进制程产品持续发展。公司CMP设备在逻辑芯片、DRAM、3D

NAND等领域的成熟制程均完成90%以上CMP工艺类型和工艺数量的覆盖度，部分关键CMP工艺类型成为工艺基准机台。根据公司招股说明书，对于逻辑芯片，公司CMP设备在150-28nm节点已实现产业化应用，14nm节点处于验证阶段；对于3DNAND，公司CMP设备在128/64/32层实现产业化应用；对于DRAM，公司CMP设备在1X/1Y

nm已实现产业化应用。根据公司2025年中报，公司新签CMP设备订单中先进制程占比较高，部分先进制程CMP设备在国内多家头部客户实现全部工艺验证。图表33：CMP设备关键技术指标及公司水平公司公告告附注中的风险提示和免责声明25持续扩充高端产能，生产基地布局完善。公司目前生产基地中，天津基地主要用于CMP装备及晶圆再生的生产；天津二期项目为公司进一步扩大CMP装备及晶圆再生生产规模提供配套设施；北京基地将主要开展减薄装备、湿法装备等高端半导体装备研发及产业化，将进一步推动公司平台化战略布局；上海基地将开拓长三角及周边地区的重要客户，并围绕先进制程和公司的平台化发展开展重点项目的研发。零部件国产化持续发力，积极拓展产业布局。公司持续推进国内零部件供应商的培养，同时成立全资子公司华海清科（广州）半导体有限公司，建设半导体设备关键零部件孵化平台。2024H1，公司参与设立华海金浦创业投资（济南）合伙企业（有限合伙），借助专业投资机构在半导体等相关领域的资源优势和投资能力，同时认购合肥启航恒鑫投资基金合伙企业（有限合伙）基金份额，拓展公司产业布局，增强产业协同效应。图表34：公司近年建设项目iFinD，临港集团官网，华海清科官网，华海清科公众号告附注中的风险提示和免责声明263、受益CMP设备优势，服务类业务空间广阔告附注中的风险提示和免责声明27中欣晶圆公众号，华经情报网先进制程助推晶圆再生需求，CMP是核心设备。按照作用，半导体硅片可分为正片（主要包括抛光片、外延片等）、测试片（主要包括控片、挡片等）两大类。由于旧片再生的成本远低于新购硅片的成本，晶圆再生是集成电路制造商材料成本管理的重要一环，主要流程是对控挡片进行去膜、粗抛、精抛、清洗、检测等工序处理，使其表面平整化、无残留颗粒，其中精抛是最关键流程，主要通过CMP设备完成。随着芯片制程发展，基于精度要求及良率的考量，需要在生产过程中增加监控频率，空挡片的使用量会大幅增加。图表35：晶圆再生工艺流程 图表36：先进制程助推晶圆再生需求告附注中的风险提示和免责声明28RS

Technologies公告，北京半导体行业协会公众号晶圆再生行业集中度较高，国内专业代工能力持续提升。基于降低损耗、减少运输时间等因素，晶圆再生业务属于地域性很强的专业服务，行业集中度较高，日本和中国台湾企业目前是主要参与者，根据日本RSTechnologies公告，2024年RSTechnologies全球市占率已达33%。2020年之前，中国大陆晶圆再生专业代工领域较为空白，内地晶圆厂都是将大部分的测试晶圆送去中国台湾或日本的专业代工企业进行再生加工，少部分会自己进行再生加工。目前华海清科、至纯科技、协鑫集成等A股上市公司均已公告进入晶圆再生赛道，国内晶圆再生服务能力正在持续提升。图表37：2024年全球晶圆再生市场格局 图表38：全球半导体晶圆产能区域结构（等效8英寸月产）RS

Technologies告附注中的风险提示和免责声明29iFinD，日本荏原公告依托CMP设备优势，服务业务成长空间广阔。公司配套材料及技术服务主要为耗材销售、抛光头维保等技术服务以及晶圆再生业务：（1）关键耗材及维保服务方面，随着公司CMP设备保有量持续增长，耗材零部件、抛光头维保服务等需求有望加速放量。（2）晶圆再生业务方面，公司通过采用先进的CMP研磨方式，大幅提升再生晶圆的循环次数，在更先进制程再生晶圆服务方面更具竞争力，公司晶圆再生业务现已获得多家大型生产线的批量订单，实现长期稳定供货；产能方面，天津基地20万片/月的产能现处于满产运行状态，同时推进昆山晶圆再生扩产项目，规划总产能为40万片/月，其中首期产能为20万片/月。参考海外同业公司，日本荏原FY2025Q1-3精密机械部门服务收入占比为31%，近年公司晶圆再生、关键耗材及维保等服务类收入占比约为10%，服务类业务有望成为公司新的业绩增长点。图表39：FY2023~FY2025Q1-3日本荏原精密机械部门服务收入占比 图表40：公司配套材料及技术服务/其他收入占比注：“其他”是指CMP设备以外产品及服务，包括减薄/划切/边缘抛光/离子注入/湿法装备、晶圆再生、关键耗材与维保服务等。告附注中的风险提示和免责声明304、离子注入、减薄等设备近年快速发展告附注中的风险提示和免责声明31离子注入工艺优势显著，在掺杂工艺中占据主导地位。离子注入工艺将特定元素（B、P、As等）以离子形式加速到预定能量后注入至半导体材料（Si、Ge、SiC等）之中，并按预定方式改变材料电性能。目前掺杂工艺主要有高温扩散和离子注入两种，离子注入凭借其掺杂均匀性好、纯度高、低温灵活、可控精度等优点在掺杂工艺中占据主导地位。随着集成电路工艺的发展，离子注入机除应用于掺杂工艺外，还应用于辅助掺杂（预非晶化、扩散和激活控制等）、辅助其他集成电路制造工艺（光刻、刻蚀等）等方面。图表41：离子注入与扩散工艺对比《半导体制造技术导论》

HongXiao（萧宏）告附注中的风险提示和免责声明32《集成电路离子注入机发展现状与趋势》张丛等，中关村集成电路产业联盟公众号低能大束流离子注入机成为市场主流。离子注入有两个最基本的参数，离子能量和注入剂量（单位面积注入的离子个数），其中，离子能量决定掺杂深度，注入剂量决定掺杂浓度。根据能量和剂量两大参数，应用于集成电路制造的离子注入机主要分为三类，大束流离子注入机、中束流离子注入机和高能离子注入机，其中，大束流离子注入机的主要发展方向是低能大束流。根据万业企业公告，随着芯片尺寸逐渐微缩，为制备先进制程中的超浅结，低能大束流离子注入机逐渐成为市场主流，占比约60%，中束流和高能离子注入机分别约占20%。图表42：离子注入机分类 图表43：各类离子注入机对比告附注中的风险提示和免责声明33离子注入机结构复杂，离子射线系统是重要部件。根据《基于全球离子注入机行业现状探析中国离子注入机突破之路》（池宪念），离子注入机的技术壁垒包括：1）角度控制，注入角度精度±0.1°；2）剂量控制，即均匀性、浓度；3）能量控制，±1%。离子注入机较为庞大，主要包括气体系统、电机系统、真空系统、控制系统和射线系统，其中，离子射线系统是最重要部分，包括离子源、萃取电极、质谱仪、后段加速系统、等离子体注入系统及终端分析仪。热灯丝离子源是最常见的离子源，射频离子源和微波离子源等其他离子源也应用于离子注入工艺。图表44：离子注入机及关键部件结构示意图《半导体制造技术导论

》HongXiao（萧宏）离子注入机示意图离子束产生与控制子系统示意图热灯丝离子源Freeman离子源微波离子源射频离子源告附注中的风险提示和免责声明34我们测算，

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年中国大陆离子注入设备市场空间为16.8/17.1/18.8亿美元，2026年低能大束流、中低束流、高能离子注入设备市场空间分别为1

3/3.8/3.4亿美元。假设1：根据北方华创公告，2023年离子注入设备在集成电路设备资本支出中的占比为3.4%，假设2024/2025/2026年离子注入设备占比维持3.4%。假设2：根据万业企业公告，在离子注入机各类机型中，低能大束流、中低束流和高能离子注入机分别占60%、20%和18%，假设2024/2025/2026年该比例维持不变。假设3：根据SEMI，2024年中国大陆半导体设备市场空间为496亿美元，我们计算对应全球占比为42%，假设2025/2026年中国大陆半导体设备全球占比分别为40%/40%，假设中国大陆离子注入设备在半导体设备中的占比、各类型离子注入机的占比与全球市场一致。图表45：2024-2026年全球/中国大陆离子注入设备市场空间测算北方华创公告，万业企业公告，SEMI告附注中的风险提示和免责声明35离子注入机行业集中度高，美国是中国设备主要进口来源。根据《离子注入专利技术》（林琳，2021），全球离子注入机行业集中度较高，1）半导体晶圆制造领域，美国应用材料、美国Axcelis市占率分别约70%、20%；2）太阳能电池制造领域，全球离子注入机供应商主要包括中国凯世通、美国Intevac和日本真空技术；3）AMOLED面板制造领域，日本日新离子机株式会社几乎垄断全球市场。图表46：全球离子注入机主要供应商《基于全球离子注入机行业现状探析中国离子注入机突破之路》池宪念等，海关统计数据在线查询平台图表47：美国是中国离子注入机主要进口来源告附注中的风险提示和免责声明36《全自动晶圆减薄机控制系统设计与开发》

张逸民等，《超薄晶圆减薄工艺研究》衣忠波等半导体先进工艺对晶圆减薄提出更高要求。根据《晶圆减薄工艺技术与设备研究进展》（蒋凯，2025），先进的芯片多层封装所用晶圆厚度通常小于100μm，甚至低至30μm以下。在晶圆被减薄至100μm以下，表现出形态上柔软、刚性差、实质脆弱等物理特性，给晶圆加工和传输带来很大难度。晶圆减薄是3D

IC的关键工艺。根据华海清科公告，3D