2026年电子行业关注存储超级周期下国产化机遇

目录TOC\o"1-2"\h\z\u1．2024年以来存储步入新一轮上行周期 4周期性：高资本开支叠加技术迭代导致产能、库存和价格波动 52018年以来历经多轮典型周期 6价格端：DRAM更具弹性和上修幅度 7库存端：从“去库存”到“抢产能” 9供给端：资本开支呈现分化有效供给弹性下降 12资本开支从“控量”转向“结构性补短板” 12稼动率呈现结构性分化 12扩产受制于物理和经济双重约束 13需求端：从消费电子转向数据中心主导 14AI数据中心为要引擎 14消费端从“出货周期”转向“单机容量/配置周期” 16投资建议 17风险提示 19图表目录图1：近年来全球半导体销售额月度数据 4图2：WSTS统计预测全球半导体销售情况（单位：十亿美元） 5图3：近年来全球存储销售额年度数据 6图4：近年来全球存储销售额年度增长率 6图5：TrendForce关于DRAM价格走势统计和预测 8图6：TrendForce关于NAND价格走势统计和预测 9图7：三星电子2025年存货情况 10图8：美光2025年存货情况 10表1：WSTS统计预测全球分产品半导体销售情况 5表2：主要存储原厂（三星、美光、海力士）平均库存天数(DOI)趋势(24Q4-25Q4) 表3：AI发展的四个时代 15表4：全球终端类型DRAM平均搭载量(GB) 16表5：重点公司盈利预测情况 181．2024年以来存储步入新一轮上行周期1072727.2%，环比增长4.7%192084200025.1%15.8%2009图1：近年来全球半导体销售额月度数据80 12070 10060 8050 6040402030 020 -2010 -402002-012002-092002-012002-092003-052004-012004-092005-052006-012006-092007-052008-012008-092009-052010-012010-092011-052012-012012-092013-052014-012014-092015-052016-012016-092017-052018-012018-092019-052020-012020-092021-052022-012022-092023-052024-012024-092025-05销售额（十亿美元） 同比增速（%）2528%AIHBMNAND图2：WSTS统计预测全球半导体销售情况（单位：十亿美元）140012001000800600400200

6050403020100-1002013201420152016201720182019202020212022202320242025E2026E2027E2028E

-20MarketSize(US$bn) YoYGrowth(%)资料来源：WSTS，Fall2025AmountsinUS$MYearonYearGrowthin%20242025E2026EFall2025AmountsinUS$MYearonYearGrowthin%20242025E2026E20242025E2026EDiscreteSemiconductors31,02630,90033,436-12.70%-0.40%8.20%Optoelectronics41,09542,59745,020-4.80%3.70%5.70%Sensors18,92320,89422,713-4.10%10.40%8.70%IntegratedCircuits539,505677,852874,29125.90%25.60%29.00%Analog79,58885,55291,988-2.00%7.50%7.50%Micro78,63384,83996,6203.00%7.90%13.90%Logic215,768295,892390,86320.80%37.10%32.10%Memory165,516211,568294,82179.30%27.80%39.40%TotalProducts-$M630,549772,243975,46019.70%22.50%26.30%资料来源：WSTS，周期性：高资本开支叠加技术迭代导致产能、库存和价格波动（//从全球存储销售额看，2018–2024年曾多次出现两位数甚至更大幅度的年度波动。图3：近年来全球存储销售额年度数据资料来源：SIA、WSTS，图4：近年来全球存储销售额年度增长率资料来源：SIA、WSTS，2018年以来历经多轮典型周期2018SIA数据显示，2018年全球存储销售额达1580亿美元，且存储是当年最大品类。主要驱动包括北美云厂资本开支爆发，叠加智能手机内存容量升级。这一阶段的典型特征：一是价格与盈利强，且扩产预期升温；二是下游在高价下开始寻求降配与库存回落；三是景气在高位钝化，对负面冲击更敏感。2019价格回落SIA10643DNAND→→/2020–2021SIA数据显示，2020年存储销售额回升至1173亿美元，2021年进一步升至1538亿美元。C2022–2023年再度下行：消费电子走弱的去库存周期SIA1298923亿2024年开启复苏：AISIA2024165178.9%这一轮修复与以往不同之处在于：AI/HBM的增量需求不仅抬升需求，还改变产品结构与供给分配，使得行业在复苏期更容易出现量价齐升+高端紧缺的格局。价格端：DRAM更具弹性和上修幅度）锁价/。DRAMHBMDDR5DDR4EOL停产/AIQ3TrendForceQ2、Q3DRAM316.3、41417.1%25年Q4的常规型DRAM价格45-50%HBM50-55%。图5：TrendForce关于DRAM价格走势统计和预测资料来源：TrendForce，NAND方面：2025年初仍处去库压力，随后在AI/企业级需求改善与供给端策略调整下，2Q25开始企稳并分品类回升。TrendForce预计四季度NAND季增幅为9SSD预计25%。AI训练流程中的数据清洗和Checkpoints64TB/128TBQLCeSSD成NANDeSSD模组）AI图6：TrendForce关于NAND价格走势统计和预测资料来源：TrendForce，总体来看，DRAM体现出更强的价格弹性和上修幅度，主要原因如下——BR5DAM（尤其DDR4长尾）形成更强挤出效应，价格更容易跳升。二是需求侧补库更集中：DDR4EOL预期带来集中性备货，叠加传统旺季，形成短期需求脉冲。三是NAND供给弹性相对更大：NAND在技术迭代与产能调整上通常更容易回补供给，因此价格趋势更常表现为温和爬坡+分品类分化，直到年末在特定扰动下才可能出现更强弹性。1.4库存端：从去库存到抢产能库存是存储周期里关键的二阶放大器：上行期：供应偏紧→客户担心缺货→预购与锁量→进一步推升价格；下行期：终端转弱→去库存→合同价滞后下调→厂商被动降价换现金流。因此，库存变化往往领先于价格拐点，而价格拐点又领先于厂商资本开支调整。2025年从头部厂商口径看，上半年库存偏高、下半年逐步去化——以三星披露的合并口径库存为例，库存由2024/12/31的51,754,865（KRWmn）抬升到202531的532202（Wn025630的1,07,43n、225930的50332392W（。

KRW美光2025财年内库存呈先升后降，并在年末进一步下探。美光在其财报新闻稿披露的资产负债表口径中，库存由2025/2/27的9,007（USDmn）升至2025/5/29的8,7UD）225828的8,35UDn（。图7：三星电子2025年存货情况资料来源：三星电子财报，图8：美光2025年存货情况资料来源：美光财报，表2：主要存储原厂（三星、美光、海力士）平均库存天数(DOI)趋势(24Q4-25Q4)时间节点DRAMDOI(周)NANDDOI(周)状态描述2024Q413-1514-16高库存，去化压力大2025Q111-1312-14季节性淡季，缓慢下降2025Q210-1210-12供需弱平衡2025Q39-109-11AI需求开始挤压产能2025Q46-88-10结构性短缺(Alert)资料来源：TrendForce,公司财报，行业层面来看，25年存储行业整体库存管理更强调稳库存/控波动，与AI相关的高端产品如HBM、AI服务器内存/eSSD更偏供给约束，而通用型DRAM/NAND则仍体现价格-库存-资本开支的经典周期，如海力士在2025年二季度业绩新闻稿中亦强调库存水平保持稳定。分产品来看，呈现一定结构性分化——2025年DRAMHBM（高带宽内存。HBM库存：几乎为零。海力士与三星的HBM产能早在2025年初即被NVIDIA、AMD及CSP大厂预订一空，HBM3e12hi产品的良率挑战导致晶圆消耗量是传统DDR5的3倍以上。这导致实际上没有库存可言，只有积压订单。DDR5/DDR4库存：被动去化。由于产能向HBM倾斜，2025年Q4成熟制程DDR4的产出大幅减少。渠道商手中的低价库存在11月前已基本耗尽。2512DDR4/DDR520%NANDFlash：企业级SSD与DRAM企业级SSD(eSSD)：受AI推理服务器对大容量存储需求的拉动，QLC颗粒的eSSD库存迅速下降，原厂在此领域的DOI已降至6周以下。ClientSSD/MobileeMMC/UFS)：2025SKQ3NANDHBMTSVTrendForce在Q4初对部分低价订单执行了毁约或重议价，这在历史上是库存极度紧张的信号。展望2026年，鉴于2025Q4合约价暴涨50%（DRAM）的基数效应，且HBM4投产将进一步消耗晶圆产能，我们判断2026年上半年将继续维持卖方市场，库存重建将是贯穿全年的主旋律。/AI时代最重要的供给端变量是HBM产能与瓶颈，当头部厂商把更多资源投向HBM，会在一段时间内压缩常规DRAM/客户端SSD的供给弹性。资本开支从控量转向结构性补短板三星：维持高强度投资，方向更偏先进节点迁移+下一代HBM三星2025年仍维持较高投资强度。其2025年三季报/临时业务报告披露3Q25单季资本开支约32.3万亿韩元，投资重点包括DSDivision与显示业务的产能扩张、先进节点迁移与基础设施，同时持续投资下一代存储技术以应对中长期需求。从更可比的累计口径看，三星同一报告中披露2025年1–9月资本开支合计322,5KW100（SDvon）25,37KW100我们认为，在价格上行周期中后段仍保持高资本开支，意味着三星策略更接近以技术/结构升级来换取单位产能价值，而非简单意义上的通用DRAM/NAND扩产。美光：明确补供给，设备前置、产能爬坡时间表前移美光给出了更清晰的供给侧硬指引。美光25年12月表示将FY26资本开支上调至约200亿美元（此前预计180亿美元），主要用于支持HBM供给能力与1-gamma供给；并且前置设备订单、加速安装、同时将Idaho首座新厂首片晶圆产出时间由此前预期的2027年下半年前移到2027年年中。此外，美光在FY25业绩材料中披露FY25资本开支为138亿美元（为FY26上调提供对比基准）。我们认为，美光的表述直接指向2026年仍偏供给约束的判断——一方面上调资本开支，另一方面仍强调难以满足需求，这意味着供给释放并不会在短期内追平需求扩张，周期顶部的供给拐点更可能后置。稼动率呈现结构性分化在供给端判断中，稼动率是观察是否进入主动减产/被动减产的关键变量。三星电子披露其DSDivision（存储）稼动率25年Q1、Q3均为100%。然而，高稼动率并不意味着所有品类都紧缺，而是龙头工厂处于满负荷运行、供给调节更多通过产品结构（HBM/高端DRAMvs通用料）与节点迁移节奏来完成。AI驱动下，厂商倾向于把更多有效产能配置给高附加值产品如HBM，从而造成通用DRAM/NAND在某些时点出现阶段性松动，但整体供给并不宽裕。具体来看：——SKAI（32TB/64TB）NAND原厂QLC产线亦几近满载。LegacyDRAM（K（如2BM225Q，韩系原厂D415%扩产受制于物理和经济双重约束技术维度：2.5D/HBM供给DRAM15%1GBHBM所消耗的有效产能是传统DDR53倍。HBM供给链条较传统DRAMDRAMdie艺、以及与GPU/加速器协同的先进封装（2.5D/中介层等）。一条新线即便完成设备安装，也需要经历长周期良率爬坡，而良率未达标前，其名义产能并不能进入市场。这使得供给弹性显著下降，也意味着行业周期的供给拐点更钝化。据TrendForce报道，SK海力士计划在美国建设2.5D封装产线，投资约38.7亿美元，目标在2028年下半年开始运营（该项目被视为其向turnkeyHBM（从内存到封装交付一体化）的重要一步。综上可知，HBM扩产本质是前道晶圆+封装+客户认证的系统工程，而非单一环节加码即可解决，行业供给扩张需成体系投入，导致供给释放节奏更慢、周期上行持续性更强。单位产能资本开支持续抬升，扩产风险不对称40%3–52019、2022–2023存储行业的一个核心矛盾是：价格周期（6–18个月）<扩产兑现周期（24–36个月）这意味着当价格高企时启动扩产，而等到产能真正释放，价格往往已进入回落区间。因此厂商在扩产决策上更强调防守型思维。综上我们认为，AI与HBM进一步抬高了扩产门槛，使供给弹性下降，意味着未来较长时间供给端的扩产更慢、周期更长，同时波动更多体现为结构分化。需求端：从消费电子转向数据中心主导传统存储周期（尤其DRAM）往往由PC/手机拉动的需求波动与库存周期主导；而本轮周期需求增量的来源更集中、增速更快、且对产品结构的牵引更强——AI数据中心对HBM、服务器DRAM、企业级SSD的拉动，呈现出类似基础设施投资周期的特征，需求弹性显著高于消费电子，对DRAM、HBM的需求更偏资本开支驱动，并且单机内存配置呈结构性抬升。AI数据中心为主要引擎HBM截至2025年底，HBM（高带宽内存）已成为科技巨头的战略物资。一是单卡容量激增：英伟达BlackwellUltra及后续Rubin架构，单GPU搭载的HBM容量已从H100时代的80GB激增至288GB甚至更高。二是模型参数膨胀：GPT-5级模型及MoE（混合专家模型）架构对显存带宽的需求呈指数级增长。三是具有需求刚性：据TrendForce2025CSP（对AIHBMGPUBOM（）产业趋势来看，SKHBM3E2026HBM4SSD6-12HBM3E和HBM4代际主导驱动力技术标志核心瓶颈竞争逻辑代际主导驱动力技术标志核心瓶颈竞争逻辑（2012–2019）深度学习与Transformer崛起算法创新计算力不足算法即壁垒（2020–2023）GPU集群化与A100/H100时代GPU扩张成本与能耗算力即优势3G：通信互联驱动（2024）NVLink/IB/光互连爆发通信墙初破互连拓扑与延迟连接即性能体系代工化（2025–2027）HBM/CXL/NVMe池化体系形成内存墙突破吞吐与能效体系即竞争力资料来源：公开信息整理，企业级SSD：AI推理阶段需求持续增长随着AI应用从训练转向推理，RAG（检索增强生成）技术成为主流。RAG需要将海量的私有数据存储在高速SSD中以便实时调用，这直接引爆了大容量QLCeSSD的需求——2025年Q4，30TB/60TB级QLCeSSD出现全行业断货。SSDAISSD70%HDD。IDC2026AINAND40TB，是4AI/2026AINAND40TB4TrendForce报告指出，AI需求从训练扩展到推理，同时北美CSP也在扩张通用服务器，带动企业级SSD出货与价格上行，Top5品牌3Q合计收入环比增长28%至约65.4亿美元；并进一步提示4Q市场情绪从复苏转向抢料，CSP主动增库以避免SSD供给不足拖累昂贵AI服务器部署。综上可知，当缺SSD可能导致AI服务器延期成为行业共识时，企业级需求相较于手机/PC，成为影响NAND行业周期波动的更重要因素。服务器DRAMAI）TrendForce报告，2026AI20%以上，AI17%AI服务器收入预计继续增长（且2026年AI服务器收入或占整体服务器市场价值的74%）。AIAI服务器的存储BOM通用服务器方面，亦提供了存储市场坚实的基本盘——由于原厂将产能调配给HBM，导致通用DDR5RDIMM供应紧张，传统企业（银行、制造业、政府）在2025Q4开启了备货潮。消费端从出货周期转向单机容量/配置周期智能手机：AI功能提升内存要求TrendForce3Q253.289%7%；这意味着手机端对存储需求的贡献并非强出货驱动，而更可能体现在：一是更高内存配置成为中高端机标配。2026年旗舰机型的标配内存已从12GB跃升至16GB/24GB，LPDDR5T/LPDDR6成为标配。端侧AIAppleAppleIntelligenceiPhoneRAM12GB起步。三是价格上行会促使部分厂商在低端机降配控本，使需求分化加剧。PC：AI从存储角度，AIPC关键不在量，而在配置：更大DRAM/SSD配置将提升单位出货的存储内容量，使存储需求的敏感性从台数转向每台容量。从单机平均容量来看，2026年PCDRAM平均搭载量预计将达22GB，同比2024年增长超50%。微软Copilot+PC标准则明确要求NPU算力40TOPS以上，内存16GB起步，推荐32GB。表4：全球终端类型DRAM平均搭载量(GB)终端类型2024A2025E2026F驱动因素智能手机6.88.210.5端侧7B模型落地PC/笔电14.518.222.0Copilot+强制标准服务器6509201,250CPU核心数增加+AI需求资料来源：Gartner,投资建议综上我们认为，1）HBM2025HBM180AI2026TSVASP企业级SSD/NAND需求进入新周期AIRAG2025–2026级SSD35–40%NANDDDR5和CXL2025DDR550%CXL2026从成本结构来看，随着GPU性能迭代趋缓、系统瓶颈逐步上移至数据流传输与访问效率，预计内存+NAND占整机BOM比例将提升至50–60%（较2023年提升约20pct），存储成为继GPU之后的第二大成本中心，在AI资本开支年化规模超过1万亿美元的大背景下，存储产业链的需求增速与AI服务器整体出货量呈现高同步性。我们认为，AI时代的摩尔定律正在向存储侧迁移——吞吐成为核心约束，存储层决定AI系统的上限，模型训练规模每12个月翻倍，但HBM与NAND吞吐增长更快，在训练走到平台期后，推理时代的竞争核心从算力规模转向能效与吞吐，而存储正是能效改善的重要抓手，某种程度上可以说掌握AI下半场的潜在定价权。232NANDQLCDRAMHBM2026（2025年积累）上游设备端加速验证：存储工艺的层数/深宽比提升、关键介质层变薄、对一致性与缺陷控制要求更严，使得刻蚀、薄膜沉积、清洗、量测等环节的验证价值显著提升。随着存量产线升级改造与新产线建设并行推进，相关设备需求不仅体现在数量增长，更体现在技术规格与可靠性要求的同步抬升。在这一过程中，国产设备在关键工艺环节中的参与度有望持续提升，国产化率存在突破临界点的现实基础，其验证逻辑也将从单机可用逐步过渡至整线可复制。DRAM制造工艺中，电容制造是核心难点，涉及高深宽比刻蚀和原子层沉积（DAM在刻蚀、薄膜沉积等核心工艺上，国产方案已在先进存储制造中实现导入，并有