《射频电源动态阻抗的测试方法》编制说明

附件2

编制说明

一、工作简况

1、任务来源

本团体标准根据《广东省真空学会〈广东省真空学会团体标准管理办法〉

的通知》要求进行制定。起草单位有深圳市恒运昌真空技术有限公司、广东工

业大学等。《射频电源动态阻抗的测试方法》团体标准由广东省真空学会归口。

2、主要工作过程

提案、立项阶段：2022年3月，深圳市恒运昌真空技术有限公司按《广东

省真空学会团体标准管理办法》要求，向省真空学会提出了制定《射频电源动

态阻抗的测试方法》团体标准的申请，获得了省真空学会的批准和立项。

起草（草案、论证）阶段：2022年4月，由深圳市恒运昌真空技术有限公

司与广东工业大学联合成立了标准工作组，并开始对标准的范围、术语与定义，

及各章节内容进行了细致讨论。结合企业实际情况，对标准内容进行了修改，

于2022年5月形成了标准征求意见稿。

3、征求意见

2022年5月，学会将向各会员单位发送征求意见材料，将开展为期30天的

广泛意见征集工作。征集相关单位对标准范围、可操作性、语言表述等方面的

意见建议。

二、标准的编制原则

本标准在起草过程中，主要遵从了以下原则：

1、遵从会员企业实际原则

标准起草过程中，标准化工作组成员广泛查阅相关文献资料，并对半导体

设备制造商、晶圆制造厂商、关键元器件厂商进行调研，充分听取这些领域头

部企业的意见，在标准内容上认真研究企业实际应用，充分反映会员企业实际，

做到标准为本团体企业服务、为团体企业产品质量提升提供技术支撑。

2、鼓励技术进步和规范行业发展原则

射频电源设备，其技术发展和更新快、应用领域广泛，为鼓励技术进步，

标准在条款上尽量只陈述原则和要求，对个性化的产品特征不作限制，鼓励技

术创新。同时积极参考国内外最新的技术要求，保证了标准内容的先进性。

3、与其它标准的协调一致原则

标准起草过程中，细致研究国内外目前现有相关标准，结合GB4793.1、

GB/T11313.201等国家标准，以及SEMIE113、SEMIE115、SEMIE143等半导

体设备与材料国际组织标准，在内容、术语、测试方法上尽量与其它标准保持

协调一致。

三、标准主要内容

本文件规定了射频电源动态阻抗测试的范围、规范性引用文件、术语和定

义、符号和缩略语、测试条件、数据测量流程、射频电源动态阻抗系数应用场

合。

（一）范围

本文件适用于在半导体刻蚀、薄膜沉积等应用中使用，输出频率范围在

0.2MHz～100MHz的射频电源产品。

（二）术语和定义

除GB/T11313.201、SEMIE113、SEMIE115和SEMIE143中给出的术语适

用于本文件外，给出了开环控制、闭环控制、负载牵引、史密斯圆图、数据拟

合、等离子体、自动匹配的定义。

（三）符号和缩略语

给出了本文件中多次提及的电压驻波比的缩略语（VSWR）。

（四）测试条件

针对射频电源和测试用负载设备介绍了测试前所需的设备和准备工作。

（五）数据测量流程

结合实际数据，更加清晰、完整地呈现射频电源动态阻抗的测试流程，使

其具备可操作性。

（六）射频电源动态阻抗系数应用场合

从用户角度出发提出该测试的应用场合。为改善射频输送系统的稳定提供

帮助。

四、采用国际标准或国外先进标准的程序及水平说明

查无相关国际标准和国外标准，因而本标准制定过程未启用采标程序。

五、与现行法律、法规和强制性国家标准的关系

本标准与现行相关法律、法规和强制性国家标准无冲突之处。

六、标准宣贯及实施建议

半导体刻蚀、薄膜沉积加工、射频电源生产制造等相关企业是标准实施的

主体，为促进各相关企业准确理解、掌握和执行标准，规范企业的操作和管理，

提高射频电源系统的设计、加工制造和应用水平，加强行业自律，标准发布后，

后续工作将通过标准的宣贯培训、座谈等形式来推动标准的实施落地。

《射频电源动态阻抗的测试方法》团体标准工作组

2022年5月26日

附件2

编制说明

一、工作简况

1、任务来源

本团体标准根据《广东省真空学会〈广东省真空学会团体标准管理办法〉

的通知》要求进行制定。起草单位有深圳市恒运昌真空技术有限公司、广东工

业大学等。《射频电源动态阻抗的测试方法》团体标准由广东省真空学会归口。

2、主要工作过程

提案、立项阶段：2022年3月，深圳市恒运昌真空技术有限公司按《广东

省真空学会团体标准管理办法》要求，向省真空学会提出了制定《射频电源动

态阻抗的测试方法》团体标准的申请，获得了省真空学会的批准和立项。

起草（草案、论证）阶段：2022年4月，由深圳市恒运昌真空技术有限公

司与广东工业大学联合成立了标准工作组，并开始对标准的范围、术语与定义，

及各章节内容进行了细致讨论。结合企业实际情况，对标准内容进行了修改，

于2022年5月形成了标准征求意见稿。

3、征求意见

2022年5月，学会将向各会员单位发送征求意见材料，将开展为期30天的

广泛意见征集工作。征集相关单位对标准范围、可操作性、语言表述等方面的

意见建议。

二、标准的编制原则

本标准在起草过程中，主要遵从了以下原则：

1、遵从会员企业实际原则

标准起草过程中，标准化工作组成员广泛查阅相关文献资料，并对半导体

设备制造商、晶圆制造厂商、关键元器件厂商进行调研，充分听取这些领域头

部企业的意见，在标准内容上认真研究企业实际应用，充分反映会员企业实际，

做到标准为本团体企业服务、为团体企业产品质量提升提供技术支撑。

2、鼓励技术进步和规范行业发展原则

射频电源设备，其技术发展和更新快、应用领域广泛，为鼓励技术进步，

标准在条款上尽量只陈述原则和要求，对个性化的产品特征不作限制，鼓励技

术创新。同时积极参考国内外最新的技术要求，保证了标准内容的先进性。

3、与其它标准的协调一致原则

标准起草过程中，细致研究国内外目前现有相关标准，结合GB4793.1、

GB/T11313.201等国家标准，以及SEMIE113、SEMIE115、SEMIE143等半导

体设备与材料国际组织标准，在内容、术语、测试方法上尽量与其它标准保持

协调一致。

三、标准主要内容

本文件规定了射频电源动态阻抗测试的范围、规范性引用文件、术语和定

义、符号和缩略语、测试条件、数据测量流程、射频电源动态阻抗系数应用场

合。

（一）范围

本文件适用于在半导体刻蚀、薄膜沉积等应用中使用，输出频率范围在

0.2MHz～100MHz的射频电源产品。

（二）术语和定义

除GB/T11313.201、SEMIE113、SEMIE115和SEMIE143中给出的术语适

用于本文件外，给出了开环控制、闭环控制、负载牵引、史密斯圆图、数据拟

合、等离子体、自动匹配的定义。

（三）符号和缩略语

给出了本文件中多次提及的电压驻波比的缩略语（VS