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文档简介
电子科学与技术电子器件公司器件研发实习生实习报告一、摘要
2023年7月1日至2023年8月31日,我在电子器件公司担任器件研发实习生。核心工作成果包括完成12项器件参数测试,优化3款MOSFET器件的阈值电压,将测试精度提升至±0.5%,并设计制作5组器件结构仿真模型。期间,应用了半导体物理、器件建模和实验分析方法,通过MATLAB和Keysight仪器完成数据采集与处理,验证了理论模型与实际器件的线性相关性(R²=0.94)。提炼出可复用的器件参数标定流程:以温度、偏压为变量,建立器件响应函数,缩短研发周期约20%。
二、实习内容及过程
1.实习目的
想通过实践了解器件研发实际流程,把学校学的半导体物理、器件原理什么的跟真东西对上号,看看自己到底差在哪,顺便积累点项目经验。
2.实习单位简介
公司主要搞新型MOSFET器件开发,客户都是做电源管理芯片的,技术方向挺前沿,实验室有国产和进口的半导体参数测试仪、仿真设备。
3.实习内容与过程
第12周主要是熟悉环境,导师给我看了几篇关于沟道长度调制效应的文章,然后带我去实验室认识设备,怎么用Keithley源表测漏电流,怎么调CV曲线。第34周开始独立任务,我的工作是优化一款enhancementmodeMOSFET的阈值电压。器件参数测试占了大头,我花了2周时间,每天跑3组不同温度(25°C、85°C、125°C)和栅极偏压(2V到+2V)下的IV特性,总共12组数据。用KeysightB1506A测试,精度要求±0.5%,我得反复校准探头。第56周做仿真验证,导师教我用SentaurusTCAD,我建了5组器件结构模型,调整源漏掺杂浓度和沟道长度,发现掺杂浓度从1e20cm⁻³提高到1e21cm⁻³,阈值电压能提升0.3V左右。第78周整理报告,把实验数据和仿真结果画成转移特性曲线,跟理论模型对比,发现线性相关系数R²能达到0.94,说明模型基本靠谱。
4.实习成果与收获
成果就是完成了3款器件的参数优化,其中一款的阈值电压从1.8V降到1.5V,符合项目要求。收获是学会了完整的器件研发流程:从参数测试到仿真建模,再到数据分析和报告撰写。以前觉得器件物理挺虚的,现在知道怎么用源表测出每个点的漏电流,怎么在Sentaurus里调参数,感觉踏实多了。最大的体会是实验要耐心,有时候测试结果跟预期差0.1V,就得查是不是环境温度波动或者探头接触不良。
5.问题与建议
遇到的困难有两个。一是刚开始用Sentaurus,建模型卡了很久,光标老是移不动,问了导师才知道是网格划分没调对,学到了网格密度和计算时间的平衡技巧。二是实验室的设备管理有点乱,有时候想用某个参数测试仪得等半天,建议公司可以建个设备预约系统,用电脑或者APP就能看哪个仪器空闲。另外,培训上可以多讲讲行业常用的器件模型,比如BSIM的参数怎么跟实验关联,现在学校教的这些东西跟实际应用还是有差距。我建议公司可以搞个新员工技术分享会,让老员工讲讲怎么快速看懂器件数据手册,或者常见问题怎么排查,比如栅氧化层击穿怎么判断是不是工艺问题还是测试电压设高了。还有岗位匹配度上,我觉得我可以多接触点失效分析,现在做的优化工作虽然重要,但跟器件寿命这些实际应用离得有点远,如果能参与点可靠性测试就更好了。
三、总结与体会
1.实习价值闭环
这8周像把书上的知识缝进了现实里。7月1号刚去的时候,面对Sentaurus软件还手足无措,连建个简单二极管模型都要导师提醒网格密度,现在能独立调整掺杂分布看阈值电压变化了。我参与的那款MOSFET优化,最终把器件参数漂移控制在±0.3V以内,测试精度达到±0.5%,这跟学校实验室那种“差不多就行”的作风完全不一样。最值的是弄懂了理论参数怎么转化成工程语言,比如温度系数α怎么通过实验数据拟合,这个细节在学校做项目时根本没机会接触到。每天处理数据到晚上11点,虽然累,但感觉自己真的在“造东西”,不是光纸上谈兵。
2.职业规划联结
这段经历让我清楚自己想干嘛了。以前觉得器件研发就是改改参数,现在知道要搞懂从衬底掺杂到封装工艺的全链条。我注意到公司用的Sentaurus版本挺旧的,后面去查了资料,现在业界好像在卷GaNHEMT的器件建模,打算下学期把课设改成这个方向,顺便考个PMP证书,提升项目管理能力。导师跟我说过,以后做器件要既能沉到细节里,也能跳出来看整条技术链,感觉自己离这个目标近了一步。
3.行业趋势展望
公司现在主推的器件是碳纳米管FET,但实验数据总比预期差那么一点,导师怀疑是转移沟道里杂质浓度不均。我翻文献看到国外在用低温扫描电子显微镜看纳米尺度杂质,这个技术国内好像还没普及。我下个月要交实习报告,琢磨着要不要把这个点加进去,提个“基于CryoSEM的器件微纳结构表征方案”。感觉行业现在特别卷,光会仿真还混不下去,得既懂物理原理,又会用各种表征手段,比如原子力显微镜、电声显微镜这些,才能把器件问题揪出来。
4.心态转变与未来深化
最深刻的是认识到责任。以前做实验随便调调参数,现在知道每个电压档位、温度设定都可能影响最终结果,这让我开始学做实验记录,连喝水的次数都记得,生怕哪次没按标准流程操作。抗压能力也练出来了,8周连续加班到10点以上5次,以前想骂街,现在就默默打开第6次仿真任务。下学期打算啃完《半导体器件物理》的补充篇,特别是金属半导体界面那一章,感觉这才是解决器件漏电问题的关键。导师最后跟我说:“学校教你原理,公司教你落地”,这句话我现在天天琢磨,打算下个月去考个ISTQB认证,先从软件测试开始积累项目经验,等真要进企业做器件,至少流程上的弯路能少走点。
四、致谢
1.
感谢器件研发部门给我这个实习机会,让我把课堂上学到的半导体物理知识用到了实际器件优化上。
2.
特别感谢我
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