GB/T 47080-2026金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法

ICS77040

CCSH.17

中华人民共和国国家标准

GB/T47080—2026

金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法

Testmethodfordislocationdensityofdiamondsinglecrystalpolishedwafer

2026-01-28发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T47080—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位中国科学院半导体研究所德州学院成都中科米格检测技术有限公司中国石油

:、、、

集团工程材料研究院有限公司河南碳真芯材科技有限公司吉林大学安徽光智科技有限公司山东

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大学嘉兴沃尔德金刚石工具有限公司北京大学东莞光电研究院浙江先导微电子科技有限公司北京

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特思迪半导体设备有限公司宁波晶钻科技股份有限公司河南省惠丰金刚石有限公司哈工大郑州研

、、、

究院南京同溧晶体材料研究院有限公司湖北碳六科技有限公司南京瑞为新材料科技有限公司成都

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市玖展科技有限公司佳睿福钻石河南有限公司

、()。

本文件主要起草人霍晓迪曹繁秋郑红军王希玮闫方亮王少龙屈鹏霏王镇金鹏李红东

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朱嘉琦欧琳芳陈继锋王琦于金凤蒋继乐张娟涛张军安王志强李一村李东振吕继磊徐良伟

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黄亮冯参军赵继文

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Ⅰ

GB/T47080—2026

金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法

1范围

本文件描述了用干法刻蚀结合显微计数测试立方金刚石单晶抛光片位错密度的方法

。

本文件适用于或晶面立方金刚石单晶抛光片位错密度范围为3个2

{100}、{110}{111}5×10/cm~

7个2的测试

5×10/cm。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

化学试剂乙醇无水乙醇

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化学试剂丙酮

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纯氮高纯氮和超纯氮

GB/T8979、

半导体材料术语

GB/T14264

纯氧高纯氧和超纯氧

GB/T14599、

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4原理

当用特定等离子体刻蚀金刚石单晶时在单晶表面的位错线露头处刻蚀速度较快进而形成具有特

,,

定形状的刻蚀坑在显微镜下观察并按一定规则统计这些具有特定形状的刻蚀坑单位视场面积内的

。,

刻蚀坑个数即为位错密度

。

5干扰因素

51刻蚀过程中等离子体组成样品表面温度和刻蚀时间会影响刻蚀效果对测试结果产生影响

.,、,。

52样品表面划痕过大的表面粗糙度会影响刻蚀效果对测试结果产生影响

.、,。

53人工统计刻蚀坑