AI推动PCB产业高端化-材料升级、工艺迭代与产品创新

内容目录头部企业持续发力，AI产业基础夯实 5北美云厂：资本开支与收入均实现增长 5台积电与英伟达：高资本开支与高毛利率 7设备储备充足，国内科技产业蓄势待发 9产品多样，MLPCB与高阶迎来高速增长 10PCB与覆铜板介绍 MLPCB与高阶HDI有望迎来高速增长 高端产业趋势：材料升级、工艺迭代与产品创新 15材料升级 工艺迭代 产品创新 产业链公司与投资建议 28风险提示 29图表目录图1：北美云厂资本开支（单季度，亿美元） 5图2：谷歌单季度营收（亿美元） 5图3：谷歌资本开支与经营活动现金流（亿美元） 5图4：亚马逊单季度营收（亿美元） 6图5：亚马逊资本开支与经营活动现金流（亿美元） 6图6：微软单季度营收（亿美元） 6图7：微软资本开支与经营活动现金流（财年，亿美元） 6图8：Meta单季度营收（亿美元） 7图9：Meta资本开支与经营活动现金流（亿美元） 7图10：台积电收入（亿美元） 7图台积电净利润（亿美元） 7图12：台积电资本开支与经营活动现金流量净额（亿美元） 8图13：英伟达收入情况（财年，亿美元） 8图14：英伟达归母净利润情况（财年，亿美元） 8图15：英伟达费用与费用率情况（财年，亿美元） 9图16：英伟达毛利率与净利率（年） 9图17：半导体前道设备单月进口情况（亿美元） 10图18：多层板示意图 图板示意图 图20：常规PCB生产工序 12图21：PCB成本结构 13图22：覆铜板成本结构 13图23：粘结片与覆铜板关联 13图24：覆铜板生产流程 13图25：PCB市场规模-按产品分布（亿美元） 14图26：PCB市场规模-按应用领域分类（亿美元） 14图27：2024年层及以上市场规模（亿美元） 14图28：2024-2029年14层及上市场规模CAGR 14图29：2024年高阶板市场规模（亿美元） 15图30：2024-2029年阶板市场规模15图31：不同频率下的介电常数与传输损耗 16图32：不同频率下的介质损耗因子与传输损耗 16图33：高速覆铜板分级 16图34：印制电路用覆铜板进口均价（万美/吨） 17图35：印制电路用覆铜板出口均价（万美/吨） 17图36：趋肤深度与工作频率之间的相互关系曲线 20图37：影响铜箔与板材结合力的因素 20图38：一款服务器加速卡PCB（7+12+7）制作流程 20图39：减成法、加成法与半加成法示意图 21图40：改进型半加成法工艺示意图 22图板中导通孔示意图 22图42：背钻孔示意图 22图43：英伟达服务器路线图 23图44：Oberon与机架对比图 24图的三种架构示意图 25图系列机架组成 25图CPXComputeTray侧视图 26图CPXComputeTray拓扑图 26图、CoPoS、对比图 27表1：半导体前道设备进口额情况（亿美元） 9表2：中芯国际募投项目情况 10表3：PCB产品分类介绍 表4：常用树脂的介电性能表 18表5：特种玻纤布分类 18表6：低轮廓电解铜箔品种及等级 19表7：PCB产业链部分公司2025年前三季度经营情况（亿元） 28北美云厂：资本开支与收入均实现增长资本开支持续增长，AI产业发展基础夯实。发布以来，全球范四大云厂资本开支显著增长。根据同花顺数据，谷歌、亚马逊、微软（不含融资租赁）Meta2025年（日历年）980.2466.16%8.93%；20252599.1566.40%。北美云厂资本开支持续增长的同时，收入规模亦有增长，具体如下：图1：北美云厂资本开支（单季度，亿美元）谷歌 亚马逊 微软 Meta 合计同比120010000

80.00%60.00%40.00%20.00%0.00%-20.00%-40.00%备注：图中所用时间为日历年，本报告其他部分涉及的日期如未做特殊说明，均为日历年2025年第三季度资本性开支为239.538.39%6.7%；635.9665.96%25Q3实现收1023.461000349.7932.99%。2025年前三季度，谷歌资本性开支占经营活动56.62%。图2：谷歌单季度营收（亿美元） 图3：谷歌资本开支与经营活动现金流（亿美元）营收 同比 资本性支出 资本支出/经营活动现金流量净额120010000

0.70.60.50.40.30.20.10-0.1

0

60%50%40%30%20%10%0%亚马逊2025年第三季度资本性开支为350.95亿美元，同比增长55.15%，环比增长9.05%922.9767.31%25Q31801.691.40%21.8738.22%。2025108.51%。图4：亚马逊单季度营收（亿美元） 图5：亚马逊资本开支与经营活动现金流（亿美元）营收 同比 资本性支出 资本支出/经营活动现金流量净额2000150010000

50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%

10000

160%140%120%100%80%60%40%20%0%微软193.94（不含融资租赁29.96%，3.04%549.6138.27%。经营层面，25Q3776.73277.4712.49%。2026财年第一季度，微软资本性开支占经营活动现金流量净额的比重为43.04%。图6：微软单季度营收（亿美元） 图微软资本开支与经营活动现金流（财年，亿美元）营收 同比 资本性支出 资本支出/经营活动现金流量净额0

25.00%20.00%15.00%10.00%5.00%0.00%

0

2021 2022 2023 2024 2025

60%50%40%30%20%10%0%Meta2025195.82133.40%，环比增长490.61113.65%25Q3512.422.25%27.982.73%。202560.70%。图8：单季度营收（亿美元） 图9：资本开支与经营活动现金流（亿美元）营收 同比 资本性支出 资本支出/经营活动现金流量净额0

60.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%-10.00%

0

70%60%50%40%30%20%10%0%1.2台积电与英伟达：高资本开支与高毛利率台积电202541.7%5.7%以美元计，2025907.0841.71%397.94亿美元，51.79%331.0前公司指引为318亿至330亿美元；毛利率为59.5%，同比增加1.7个百分点，环比增加0.955.5%57.5%。四季度指引方面，管理层预计公司四季度营收将在亿美元至334亿美元之间；基于1美元兑30.6层预计毛利率将在59%至61%之间。图10：台积电收入（亿美元） 图11：台积电净利润（亿美元）收入 同比 归母净利润 同比1000.00800.00600.00400.00200.000.00

50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%-10.00%

500

80.00%60.00%40.00%20.00%0.00%-20.00% 台积电近四个季度资本开支维持高位，先进制程产能供给有望持续增长。根据同花202594.37亿美元，25Q2、24Q3101.86、65.43亿美元，资本开支仍处于较高水平，先进制程产能供给有望持续增长；25Q3资本支出经营活动现金流净额的比例为67.34%，处于较为健康的水平，未来的资本开支具备可持续性。806040202016Q12016Q22016Q12016Q22016Q32016Q42017Q12017Q22017Q32017Q42018Q12018Q22018Q32018Q42019Q12019Q22019Q32019Q42020Q12020Q22020Q32020Q42021Q12021Q22021Q32021Q42022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q22023Q32023Q42024Q12024Q22024Q32024Q42025Q12025Q22025Q3

资本性支出 经营活动现金流量净额 资本支出/经营性活动现金流流量净

160.00%140.00%120.00%100.00%80.00%60.00%40.00%20.00%0.00%1478.1162.13%771.0751.82%。公司持续加GPU2024202415.7932.66202669.26%73.4%，74.8%75.0%，显示其毛利率仍具备环比增长动力。图13：英伟达收入情况（财年，亿美元） 图14：英伟达归母净利润情况（财年，亿美元）总收入 同比 归母净利润 同比16001400120010000

140.00%120.00%100.00%80.00%60.00%40.00%20.00%0.00%

0

700.00%600.00%500.00%400.00%300.00%200.00%100.00%0.00%-100.00% 30.00%25.00%20.00%15.00%10.00%5.00%0.00%

市场、销售和管理费用 研发费用市场、销售和管理费用率 研发费用率

140120100806040200

80.00%70.00%60.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%

销售毛利率 销售净利率 1.3设备储备充足，国内科技产业蓄势待发半导体设备单月进口额自2023年6本报告对部分海关总署进20236月以来，半导体前道设备进口额出现较大增20236202510254.46142.75142.512015年1月至2022年12月，光刻设备共进口204.97亿美元，占总进口额的23%。表1：半导体前道设备进口额情况（亿美元）海关总署进口设备种类 本报告代称202306-202510 201501至202212 进口额 占比 进口额 占比制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置CVD142.5117%180.1520%制造半导体器件或IC的物理气相沉积装置PVD40.645%50.426%其他制半导体件或集成电路用薄膜沉积设备ALD14.072%12.181%制造半导体器件或IC的等离子体干法刻蚀机干法刻蚀142.7517%168.9719%制造半导体器件或IC的其他刻蚀及剥离设备其他刻蚀机26.143%47.615%制半导体器件或集成电路用的分步重复光刻机光刻机A23.553%79.569%其他投影绘制电路图的制半导体件或IC的装置光刻机B230.9128%125.4114%制半导体器件或IC的氧化扩散等热处理设备热处理46.046%81.789%制造半导体器件或集成电路用的离子注入机离子注入机39.175%41.245%其他制半导体器件或集成电路用的机器及装置其他制造设备118.0314%124.2314%海关总图17：半导体前道设备单月进口情况（亿美元）CVD PVD ALD 干法刻蚀 其他刻蚀 光刻机A 光刻机B 热处理 离子注入 其他前道设备50.0045.0040.0035.0030.0025.0020.0015.0010.005.002021-012021-032021-012021-032021-052021-072021-092021-112022-012022-032022-052022-072022-092022-112023-012023-032023-052023-072023-092023-112024-012024-032024-052024-072024-092024-112025-012025-032025-052025-072025-09海关总关键前道设备进口额大幅增长，有望为国产芯片扩产提供有力支撑。参考中芯国际招股说明书中披露数据，中芯国际12英寸芯片SN1项目规划月产能3.5万片，工艺技14nm90.5980%23%，设备80%20236202510254.46亿美元，对应总1382.93亿美元。参考中芯国际募投项目的投入产出情况，1382.93亿美元53.43万片/1214nm及以下制程的晶圆产能（备注：53.43万片/每月仅做参考，实际设备投向未知，厂商与工艺存在不确定性）。表2：中芯国际募投项目情况项目名称总投资金额工艺规划产能12英寸芯片SN1项目90.59亿美元可实现14nm3.5万片/月芯国际招股说明PCB迎来高速增长与覆铜板介绍PCB是电子元器件支撑体，提供产品所需电气连接。印制电路板（PrintedCircuitBoard，简称PCB），是指在绝缘基板上按预定设计形成导电路径的电路板。PCB的主要功能是使各种电子零组件形成预定电路的连接，起中继传输作用，是电子产品的关键电子互连件。除了提供电子元器件的电气连接，PCB也承载着电子设备数字及模拟信号传输、电源供给和射频微波信号发射与接收等业务功能，绝大多数电子设备及产品均需配备。产品具有多样性，PCB分类标准没有绝对的规则，可根据不同标准进行分类。根据挠性划分，可分为硬板、软板、软硬结合板；根据工艺划分，可分为通孔板、顺序层压板、高密度互连板board）；根据层数划分，可分为单面板、双面板、多层板；根据导通结构划分，可以分为通孔板、微孔板、盲埋孔板；包括应用领域、介质材料等因素均PCB分为单双层板、多层板、板、软板与封装基板进板的发展主要是提高电路的复杂性和密度，软板则广泛应用于消费电子领域。表3：PCB产品分类介绍分类标准产品种类简介硬板以刚性绝缘基材制成，通常指普通的PCB。挠性软板以柔性绝缘基材制成，轻薄可弯曲，通常使用在消费电子领域。软硬结合板可同时提供硬板的支撑作用和软板的弯曲特性，满足三维组装需求。单面板仅在绝缘基板一侧表面布线。层数双面板在绝缘板两面进行布线，顶、底层通过通孔进行电气连接。多层板四层或四层以上，由多层的单面板或双面板热压在一起。通孔板所有的连接孔贯穿整个PCB板，制造过程相对简单，是最基本的PCB。顺序层压板制造过程中逐步增加PCB层数，能够实现更复杂的层叠结构。工艺高密度互连板HDI板导通孔使用微孔、盲孔、埋孔，可以理解为能够实现更高电路密度的特殊顺序层压板。PCBPCB内部的孔，不穿透到PCB表面也不到达背面。信证券图18：多层板示意图 图19：HDI板示意图阳电路 阳电路不同类型压合等流程。覆铜板开料后，经前处理、压干膜、曝光（使干膜发生光化学反应）、显影（去除未曝光部分）、蚀刻（形成线路）和去膜，并通过自动光学检测）确保内层线路无缺陷。接着进行层压，将内层板、半固化片及外层铜箔通过棕化、叠板与热（如沉铜和电镀铜）（二次铜和锡保护）、碱性蚀刻和退锡形成外层线路。后续进行阻焊（如丝印绿油并曝光显影以保护线路和绝缘）及字符印刷，再进行表面处理（、ENIGOSP等以防氧化并保证可焊性），最后通过成型切割、电测（如飞针或专用机测试）和终检完成制作。整个流程的核心在于图形转移、打孔与孔金属化，确保线路精确且层间可靠互联，从而为电子元器件提供支撑与连接。图20：常规PCB生产工序族数控招股说明书核心原材料为覆铜板。PCBPCBPCB1）在一般的成本结构中，原材料覆30%、9%、6%、3%50%，制42%、26%、19%、3%90%，制造费用7%4%50%，覆铜板原材料90%。图21：PCB成本结构 图22：覆铜板成本结构覆铜板 制造费用 直接人工 铜箔 磷铜球 油墨 其他 铜箔 树脂 玻纤布 制造 人工 其他原材料3%12%6%3%12%6%9%30%20%20%7%19%42%26%商产业研究 商产业研究覆铜板（CopperCladLaminate，简称CCL）全称为覆铜箔层压板，是将增强材料浸以树脂胶液，一面或两面覆以铜箔，经热压而成的一种板状材料，担负着印制电路板导电、绝缘、支撑三大功能，是制作印制电路板的核心材料。粘结片（PP）又称半固化片，是覆铜板生产过程中的前道产品，粘结片在较大程度上决定了覆铜板的整体性能，系覆铜板产品的配方技术与核心附加值之体现。根据机械刚性，覆铜板可以分为刚性覆铜板和挠性覆铜板两大类。根据增强材料和树脂品种的不同，刚性覆铜板主要可分为玻PCB制造中用量最大、应用最广的产品。覆铜板的整个生产工艺流程主要包含调胶、上胶、裁片、排版、压合、裁切和检验等六项主要步骤，可分为三阶工序，第一阶工序为调胶；第二阶工序为上胶、烘干、裁片；第三阶工序为叠配、压合、裁切、检验。其中，第一、二阶工序形成的产品即为粘结片，再经过第三阶工序形成覆铜板。图23：粘结片与覆铜板关联 图24：覆铜板生产流程亚新材招股说明书 亚新材招股说明书与高阶HDI有望迎来高速增长2024年全球市场规模约亿美元，预计到2029年达到937亿美元，CAGR为4.6%。PCB20206202024年的750亿美元，2020-20244.9%2029937亿美元，2024-2029年4.6%按产品区分，、FPC2024年市场792861281281292024-20292.6%3.8%、5.7%、3.9%、6.7%按应用领域划分，、网络通信、消费电子、汽车电子、其202460、95、367、94、1342024-2029年CAGR分别20.1%、4.4%、2.7%、3.4%、0.7%。图25：PCB市场规模按产品分布（亿美元） 图26：PCB市场规模按应用领域分类（亿美元）350

2024年市场规模 2024-2029年CAGR

8.0%

400

2024年市场规模 2024-2029年CAGR367

25.0%500

792.6%

286

3.8%

5.7%128 128

129

6.7%7.0%6.0%5.0%4.0%3.0%2.0%1.0%0.0%

500

20.1%60

954.4%

942.7%

134

20.0%15.0%10.0%5.0%0.7%0.0%单双面板 多层板 HDI FPC 封装基板 AI&HPC 网络通信 消费电子 汽车电子 其他宏科 宏科高多层（MLPCB）与高密度互连板（HDI）有望迎来更快发展。全球范围大规模的资本投入加速推动新一代服务器、数据中心等基础设施的建设和升级换代，从而大幅PCB板有望迎来更快发展。2024年全球14层及以上市场规模约5697亿美元，2024-202911.6%层及以上高多层板的市场规模在AI&HPC、网络通信、智能终端、汽车电子分别为15、11、17、8亿美元，预计2024-2029年CAGR分别为21.8%、9.6%、5.0%、8.1%。图年14层及以上市场规（亿美元） 图28：2024-2029年14层及以上市场规模CAGR市场规模 占比1715171530%27%1120%814%59%1614121086420AI&HPC 网络通信 智能终端 汽车电子 其

35%30%25%20%15%10%5%0%

25.20.15.0%10.5.0%0.0%

21.8%21.8%11.6%9.6%8.1%5.0%3.0%AI&HPC网络通信智能终端汽车电子 其他 合计宏科 宏科2024年全球高阶三阶及以上市场规模约602029969.9%的市场137296亿美元，预计2024-2029年CAGR分别为20.3%、8.1%、5.8%、8.6%。图29：2024年高阶板市场规模（亿美元） 图30：2024-2029年高阶板市场规模市场规模 占比2948%2948%1322%7612%510%8%302520151050AI&HPC 网络通信 智能终端 汽车电子 其

60%50%40%30%20%10%0%

25.0%20.0%15.0%10.0%5.0%0.0%

20.3%20.3%9.9%8.1%8.6%5.8%3.9%AI&HPC网络通信智能终端汽车电子 其他 合计宏科 宏科高端技术呈现如下发展趋势：1）层数增加。为支持更加复杂、精确、高PCB厂商大规模生产MLPCB14层及以上，线宽/100/100μm50/50μm2）高密度互连技术。技术通过采用MLPCB结技术向更高阶发展。HDI（3+N+3或以上结构），具有高密度、高频、信号处100μm40μm150μm缩60μm、30:14）高频高速材料升级。PCBPCB、M6材料、等高速材料，以有效降低能量并确保高速数据传输的稳定性和可靠等更低损耗等级的材料持续发展。材料升级高速覆铜板通常以松下电子和介质损Df（转化为热能图31：不同频率下的介电常数与传输损耗 图32：不同频率下的介质损耗因子与传输损耗进展

会录,夏婷,苏建锋,等.碳氢树脂高频覆铜板的研究

进展

会录,夏婷,苏建锋,等.碳氢树脂高频覆铜板的研究根据不同的Df和Dk，将覆铜板分为普通板材、中等损耗、低损耗、较低损耗、超低损耗和极低损耗等，中等到极低损耗分别对应松下电子的M2、M4、M6、M7、M8。其中M7级别覆铜板对应Dk为3.5、Df为小于0.004，支持112Gbps的信号传输速度。长期以来，尖端高频、高速覆铜板关键原材料被美国、日本等国外厂商垄断，随着AI与HPC需求的增长，高速覆铜板材料自主开发迎来发展机遇。2025年10月，印制电路用覆铜板进口均价为4.65万美元/吨，同比增长69%；出口均价为0.88万美元/吨，同比增长25%。图33：高速覆铜板分级艺新材招股说明书进口均价 同比 出口均价 同比5.004.003.002.001.000.00

80%60%40%20%0%-20%2019-012019-082019-012019-082020-032020-102021-052021-122022-072023-022023-092024-042024-112025-062026-012026-082027-032027-102028-052028-122029-07

1.201.000.800.600.400.200.00

80%60%40%20%0%-20%2019-012019-082019-012019-082020-032020-102021-052021-122022-072023-022023-092024-042024-112025-062026-012026-082027-032027-102028-052028-122029-07关总署，同花 关总署，同花覆铜板的与由铜箔、树脂、玻纤以及其他填料共同决定。PCB线路板的传输过程中的损失主要包括介电损失、导体损失、辐射损失和泄露损失四个部分，PCB中所使用的介电材料相关，辐射损耗和泄露损耗一般与线路板的设计密切相关。随着高频高速场景下PCB1）树脂从中损耗（Df：0.015@105@10PCB2）玻纤布，E布至低Dk2Dk布、石英布等。玻璃布的介电常数、介质损耗不断下降，但布的脆性及加工难度增大，玻璃布厂商制作的玻璃布出现中空纤维的概率增加，且玻璃布自身PCB3）铜箔，从普通高温延展性铜箔发展到反转处理铜箔、、、高速低轮廓铜箔、HVLP2、、等。低，结合力主要依靠铜箔处理面的偶联剂通过化学键与基材结合，偶联剂技术显著影响CTE（热膨胀系数），20%以上，填料类型变化及比例PCB钻孔、外形、除胶等带来较大影响。高频高速5@10GHz）发展，从普通环氧体系向改性环氧、氰酸酯、聚苯醚、改性碳氢、聚四氟乙烯等方向发展。目前介电性能从强到弱依次为聚四氟乙烯（PTFE）、碳氢树脂、改性PPO、PPO。聚苯醚（PPO/PPE）是目前高频高速领域的主要材料；聚四氟乙烯（PTFE）是目PTFE本身存在机械强度差、线膨胀系数高、导热性不佳和成型工艺困难等挑战，需通过无机填料填充（如陶瓷颗粒）或与聚苯硫醚等工程FR-4表4：常用树脂的介电性能表基体树脂Dk(1MHz)Df(1MHz)环氧树脂3.5~3.90.025改性环氧树脂3.4~3.60.02PI3.60.008BT2.9~3.20.0015~0.0030CE2.7~3.00.003~0.005PPO2.450.007改性PPO2.50.001碳氢树脂2.2~2.60.001~0.005PTFE2.10.0004会录,夏婷,苏建锋,等.碳氢树脂高频覆铜板的研究进展[J].202电子级玻璃纤维布是由电子级玻璃纤维纱（E玻璃纤维/无碱玻璃纤维制成的纱线，一般单丝直径9微米及以下）织造而成，可提供双向（或多向）增强效果，属于重要的基础性材料，简称电子布。低介电、低膨胀、超低损耗性能的特种玻纤布已成为支撑新一代信息技术产业发展的关键材料。（LowPCB5G2）低热膨胀系多用于高端芯片封装，下游包括AI服务器、交换机、高端消费电子等。分类 简称 分类 简称 特征 主要用途 日东纺命名低介电玻璃布（LowDk）

一代布二代布Q布

Low-Dk电损耗因子比一代布更低的介电常数和介电损耗因子比二代布更低的介电常数和介电损耗因子

PCB

NEGlassNERGlass低膨胀玻璃布 低热膨胀系数和高强度 封装基板 东PCB铜箔是沉积在线路板基底层上的一层薄的铜箔，是CCL及PCB制造的重要原材料，起到传输信号的作用。作为PCB线路板中信号传输的主要介质，电子电路铜箔自身的性能，以及后续加工过程中的工艺对信号传输性能发挥着决定性作用。按性能水平划分，电子铜箔可分为一般常规型和高端型铜箔两大类。高端型铜箔主要品种包括：1）高端PCB锂电池用极薄/高抗力性铜箔；6）特殊功能铜箔等。低轮廓电解铜箔可按表面粗糙度（Rz）的大小划分为超低轮廓铜箔（VLP）、低轮廓反转铜箔（RTF）、极低轮廓铜箔（HVLP）三大类。RTF铜箔和HVLP铜箔系高性能电子电路中的高频高速基板用铜箔，具有较低的表面轮廓度，传送信号损失低，阻抗已发展出四个世代的品种，应用于甚低损耗Loss）、超低损耗Loss）等级的覆铜板以及对应的多层板制造。表6：低轮廓电解铜箔品种及Rz等级低轮廓电解铜箔品种类别代号压合面粗糙度（Rz），(μm)较低轮廓铜箔（VLP）VLPRTF1（2.0）~4.2（>2.5）~（≤3.5）低轮廓反转铜箔（RTF）RTF2≤2.5RTF3HVLP1≤2.0（>1.5）~（≤2.0）极低轮廓铜箔（HVLP）

大同.印制电路板用高端电子铜箔及其技术新发展（上）[J].2022铜箔的粗糙度越大会导致信号传输路径的延2交流电频率增大导致靠近导体表层区域的电流密度相应逐渐增大，形成趋肤效应。铜箔中的趋肤深度与电信号的频率呈现负相关关系，信号频率越高趋肤深度越小，电流也就越集中在铜箔的表层区域传导。高频下趋肤效应导致铜箔导体的有效电流传导截面积显著降低，导体电阻增大，叠加电流密度增大，以热量形式的能量损失增大，信号完整性劣化。降低铜箔表面粗糙度有利于抑制趋肤效应，减少铜箔在信号传输过程中产生的热损失，提高线路板中传输线的信号完整性。根据趋肤深度的计算公铜箔具有相对较低的表面粗糙度，有利于抑制趋肤效应对信号传输的不利影响。的关键性能，主要为两大项目，即极低且均匀一致的表面低粗糙度，以及高度，技术上面临更大挑战。铜箔与板材之间的结合力是衡量可加工性和可靠性的一项重PCB生产过程中出现分层爆板的概率以及终端应用过程中失效的风合力主要来源于铜箔与板材之间相互交错形成的互锁结构提供的咬合力；化学结合力主要源自铜箔压合面硅烷偶联剂与板材中树脂活性官能团之间形成的化学键。图36：趋肤深度与工作频率之间的相互关系曲线 图37：影响铜箔与板材结合力的因素杰,杨红光,金荣涛.第三代超低轮廓电解铜箔V-HS3性能研究[C].2023

杰,杨红光,金荣涛.第三代超低轮廓电解铜箔V-HS3性能研究[C].2023工艺迭代随着（即&的发展其制造工艺正经历持续迭代。工艺步骤与生产周期远超常规多层板，下图所示为一款7+12+7PCB单一工序面临更高要求，传统的减成法图形转移工艺在处理极细线路与高精度互连时逐渐面临瓶颈，高频通信时过孔的寄生效应对信号完整性的影响难以忽略，改良型半加成法（MSAP）和背钻（BackDrilling）等先进工艺变得日益关键。图38：一款AI服务器加速卡PCB（7+12+7）制作流程北水,胡诗益,陈蓓,等.AI服务器GPU加速卡印制电路板制作关键技术[J].2025PCB图形形成路径可分为减成法、加成法与半加成法。1）减成法（subtractivePCB制造的主流技术。2）加成法（additiveprocess），采用含光敏催化剂的绝缘基板，在按线路图形曝光后使需要导电线路区域活化、沉铜，通过选择性化学镀铜（厚铜）得到导体图形，其不存在蚀刻（减法）过程。加成法能做到小于10μm的高密度细线路，但在与基板结合力和线路导电可靠性方面存3）半加成法（semi-additive（负像）和图形电镀加厚导体，将多余薄铜箔快速蚀刻除去得到导体图形。以沉积铜导体（加法）为主，又辅以快速蚀刻（减法）过程。半加成法使导体有一定厚度，保证了线路的导电性，而蚀刻的是薄铜层，快速蚀刻（闪蚀）有利于细线路制作，可加工最小线宽/线距小于30μm。图39：减成法、加成法与半加成法示意图永林.PCB制造基本工艺路线——减成法与加成法[J].2023改进型半加成法（modifiedsemi-additiveprocess，MSAP）在满足细线路要求同时增强铜箔与绝缘层之间的结合力。采用覆铜板或绝缘板上压合铜箔构成导体层，35μm的厚铜箔层蚀刻至12μm9μm以下，然后再制作线路图形。如果采用的是薄铜箔覆铜板，或压合的是薄IC载板制造中。图40：改进型半加成法工艺示意图永林.PCB制造基本工艺路线——减成法与加成法[J].2023钻孔工序是指用一种专用工具在≥0.15mm时会采0.15mm2）3）微孔，0.15mm4）盲孔与埋孔，是两种不贯穿整板的高密度孔，盲孔从表面连接到内层，埋孔完全隐藏在内层之间，都需要在层压前逐层加工，通常采用激光钻孔。PCB（stub）背钻通过消除，能够提高高频信号的稳定性、改善信号传输、减少干扰、减少孔内阻抗，是提升高速信号质量的PCB长度对信号完整性的影响更加突出，Stub0.1524mm以下，同时不同位置的板厚存在一定的差异，对背钻工艺提出了更大的挑战。图41：HDI板中导通孔示意图 图42：背钻孔示意图 众鑫 多邦产品创新厂商持续升级服务器，推动高端产品创新。年先后更新其GTC2025VR300（Ultra）PCB背板替代铜缆；随后推出了RubinCPXVR200VR200NVL144PCBPCB产品形态有望跟随服务器持续更PCB产业持续增长。图43：英伟达服务器路线图emiAnalysisPCBGTC2025RubinNVL576，RubinNVL72Oberon机架架构相比，主要有以下区别：计算托盘旋转度。度呈刀片状排列以实现更高的机架密度。单机架芯片数达576个。18个计2GPU2144个GPU（576个芯片）。将采用PCB背板取代铜缆，作为GPU与机架内NVSwitch之间的扩展链路。机架背面的NVSwitchPCB背板的背面连接到计算托盘。图44：Oberon与Kyber机架对比图emiAnalysis在年9月推出了20243OberonCPXNVL144：18个computetraycomputetray4GPU2VR200computetray额外8CPXonly：18compute8CPXGPU2NVL144机NVL144、2）VRCPX、3）VRCPXVRCPX18ComputeSwitch的基本架构，但computetrayCPXCPUGPU和高速网卡。图45：VR200的三种架构示意图emiAnalysis图46：VR系列机架组成emiAnalysisVR采用无线缆设计。CPX采用无线缆设计。Overpass板对板连mdpnevrpssSP（cg）ConnectXDPU及其他侧边带线缆均被取消。图47：VRNVL144CPXComputeTray侧视图emiAnalysis为适应这种无线缆设计，BiancaCX-9网卡从机箱后半部移至前半部。GB200/GB300机型中，BiancaCX-7/8PCIeCX-7/8与OSFP200G以太网信号从计算托盘后部的OSFP200Gbit/sPCBOverpassCPXPCIeGen6（64Gbit/s单向PCBPCIeGen6信PCB上的驱动仍具有挑战性，但通过升级材料可确保良好的信号完整性。图48：VRNVL144CPX拓扑图emiAnalysisVR单套tray价值约美元。根据台湾电路板协会CPXPCB上有四大创新。1）CPX22（HVLP4铜箔+Q布的nca44dpne93nca2464）NVSwitchGPU互tray的价值相较世代增加近，每套约3000美元。封装技术有望向CoWoP（Chip-on-Wafer-on-PCB）演进。是目前主流的的衍生变体，结构上的核心差异在于将使用高质量的基板级PCB（Substrate-Level,SLP）CoPoS中信号经由基板、BGAPCB通过去除封装基板和PCB工艺对技术尝试将整个芯片和硅组件直接安装PCBPCB工艺整合PCBPCB的热膨胀系数提PCBPCB热膨胀系数与硅组件相匹配，PCB提出了更高要求。图49：CoWoS、CoPoS、CoWoP对比图T之家PCB材料升级、工艺迭代、产品创新，AI驱动PCB产业高端化发展。受益于MLPCB与HDI等高端产品的需求释放，PCB产业链相关上市公司在2025年前三季度经营情况普遍较好。1）PCB制造环节，胜宏科技前三季度营收141.17亿元，同比增长83.40%；32.45324.38%36.54379.90%；+14.30ppts135.1249.96%；27.1847.03%21.0460.62%；毛-0.45ppts206.14亿元，39.80%24.4378.04%17.01亿元，同145.35%+4.72ppts原材料环节，宏和科技前三季度营8.5237.76%1.391696.45%；资本开支3.923238.04%32.62%，同比+16.17ppts。设备与耗材环节，39.0366.53%4.92亿元，同比增长142.19%1.0642.88%+3.74ppts。鼎泰14.572.13%2.8263.94%；1.8421.70%40.62%，同比+5.04ppts。我们维持元件行业领先大市评级。AI驱动PCB产业高端化发展，行业有望迎来材料升级、工艺迭代、产品创新三轮驱动。以英伟达为代表的GPU供应商有望持