《碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品技术规范》编制说明

《碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品技术规范》

团体标准编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1.1工作任务来源

随着政府对第三代半导体产业以及新材料产业的不断推动，以碳化硅为代表的第三代半导

体备受关注，在新能源汽车、可再生能源、5G通信等领域有广阔应用前景。

碳化钽涂层石墨比裸石墨或碳化硅涂层石墨具有更好的耐化学腐蚀性能，可在2600℃高

温下稳定使用与众多金属元素不反应，是第三代半导体单晶生长和晶圆刻蚀场景中性能最好的

涂层，能显著提高工艺过程中对温度和杂质的控制，制备高质量的碳化硅晶圆和相关外延片。

尤其适用于MOCVD设备生长GaN或AIN单晶和PVT设备生长SiC单晶，所生长的单晶质量得到

明显提高。

同时，碳化钽涂层具有优异的性能，如高硬度、高熔点、良好的耐化学性、抗热冲击性、

低电阻率和低表面发射率等。在碳化硅晶体长晶过程中，它可以作为保护隔离层，延长石墨组

件的寿命，改善径向温度均匀性，保持SiC升华化学计量，抑制杂质迁移，降低能耗。

国际厂商在碳化硅和碳化钽涂层领域占据主导地位，但随着国内相关技术的不断突破，国

内企业在碳化钽涂层产品方面的市场份额有望逐步提升，实现进口替代。因此，制定《碳化硅

晶体长晶用碳化钽涂层产品技术规范》团体标准具有重要的现实意义。

1.行业需求：随着国内半导体生产能力的提高，市场对碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产

品的工艺要求逐渐提升，目前已无法满足行业发展需要；

2.技术发展：碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品技术不断进步，但是目前市场产品质量

参差不齐，需要制定标准来保证产品质量和规范新技术的应用；

3.政策推动：国家对半导体产业的支持政策促使相关标准的制定，以提升整个产业化水

平。

1.2主要工作过程

1.2.1主要参加单位

本标准主要起草单位：湖南泰坦未来科技有限公司、宿迁碳陶新材料科技有限公司、苏州

清研半导体科技有限公司等。起草单位主要参与草案的修改，测试方法验证等标准工作。

1

1.2.2工作分工

1.2.2.1第一次工作会议

2025年3月12日，线上开启《碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品技术规范》标准的启动

会议。湖南泰坦未来科技有限公司张雨萌技术经理宣讲了《碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品

技术规范》的标准草案，多家参编单位共同讨论。

经讨论形成以下意见：

1.4.9中建议补充温度值；

2.6.2.3表三第八项涂层厚度，除了重量法是否需要加入其他方法；

3.6.2.3中提到的堵孔不良、关键面，建议增加其术语和定义。

1.2.2.2工作进度安排

2024年10月，项目市场调研。

2024年11月，开启立项论证会议，项目申报立项。

2024年3月，编写团体标准项目草案，召开标准启动会。

2025年4月，公开征求意见。

2025年5月，召开编制组内部讨论会议。

2025年6月，召开标准审定会。

2025年7月，报批，发布。

二、标准编制原则

标准起草小组在编制标准过程中，以国家、行业现有的标准为制订基础，结合我国目前电

机铸铝转子的现状，按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和

起草规则》的规定及相关要求编制。

三、标准主要内容的确定

标准征求意见稿包括8个部分，主要内容如下：

1、范围

介绍本文件的主要内容以及本文件适用于碳化硅晶体生长用途的碳化钽涂层产品，其制备

工艺包含物理气相沉积或化学气相沉积、等离子喷涂等方法。

2、规范性引用文件

列出了本文件引用的标准文件。

3、术语和定义

2

列出了需要界定的术语和定义。

4、技术要求

本章节对碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层技术的涂层基体、纯度与杂质含量、外观、尺寸及

允许偏差、表面粗糙度、物理性能、涂层结合强度、涂层抗热震性能做出了规定。

5、试验方法

本章节对碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层技术的纯度与杂质检测、涂层厚度、外观、尺寸及

允许偏差、表面粗糙度、物理性能、涂层结合强度、涂层抗热震性能的试验方法做出了规定。

6、检验规则

本章节对碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层技术的检验组批、检验项目、检验设备、抽样规则、

检验结果判定做出了规定。

7、质量检验报告

本章节对碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层技术检验后出具的质量检验报告所需包含的内容

做出了规定。

8、标志、包装、运输和贮存

本章节对碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品的标志、包装、运输和贮存做出了规定。

四、与国际、国外同类标准水平的对比情况

经查，ASTMC1624(陶瓷涂层黏附强度和机械失效模式的测试方法)提供了一些关于涂层测

试的参考。本标准达到国内先进水平。

五、与国内相关标准的关系

本标准的制定过程、技术要求的选定、试验方法的确定、检验项目设置等符合现行法律法

规和强制性国家标准的规定。

六、重大分歧意见的处理经过和依据

无。

七、标准作为强制性或推荐性标准的建议

建议该标准作为推荐性团体标准。

八、其他

本标准不涉及专利。由于本标准首次制定，没有特殊要求。

3

团体标准起草组

2025年4月

4

《碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品技术规范》

团体标准编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1.1工作任务来源

随着政府对第三代半导体产业以及新材料产业的不断推动，以碳化硅为代表的第三代半导

体备受关注，在新能源汽车、可再生能源、5G通信等领域有广阔应用前景。

碳化钽涂层石墨比裸石墨或碳化硅涂层石墨具有更好的耐化学腐蚀性能，可在2600℃高

温下稳定使用与众多金属元素不反应，是第三代半导体单晶生长和晶圆刻蚀场景中性能最好的

涂层，能显著提高工艺过程中对温度和杂质的控制，制备高质量的碳化硅晶圆和相关外延片。

尤其适用于MOCVD设备生长GaN或AIN单晶和PVT设备生长SiC单晶，所生长的单晶质量得到

明显提高。

同时，碳化钽涂层具有优异的性能，如高硬度、高熔点、良好的耐化学性、抗热冲击性、

低电阻率和低表面发射率等。在碳化硅晶体长晶过程中，它可以作为保护隔离层，延长石墨组

件的寿命，改善径向温度均匀性，保持SiC升华化学计量，抑制杂质迁移，降低能耗。

国际厂商在碳化硅和碳化钽涂层领域占据主导地位，但随着国内相关技术的不断突破，国

内企业在碳化钽涂层产品方面的市场份额有望逐步提升，实现进口替代。因此，制定《碳化硅

晶体长晶用碳化钽涂层产品技术规范》团体标准具有重要的现实意义。

1.行业需求：随着国内半导体生产能力的提高，市场对碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产

品的工艺要求逐渐提升，目前已无法满足行业发展需要；

2.技术发展：碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品技术不断进步，但是目前市场产品质量

参差不齐，需要制定标准来保证产品质量和规范新技术的应用；

3.政策推动：国家对半导体产业的支持政策促使相关标准的制定，以提升整个产业化水

平。

1.2主要工作过程

1.2.1主要参加单位

本标准主要起草单位：湖南泰坦未来科技有限公司、宿迁碳陶新材料科技有限公司、苏州

清研半导体科技有限公司等。起草单位主要参与草案的修改，测试方法验证等标准工作。

1

1.2.2工作分工

1.2.2.1第一次工作会议

2025年3月12日，线上开启《碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品技术规范》标准的启动

会议。湖南泰坦未来科技有限公司张雨萌技术经理宣讲了《碳化硅晶体长晶用碳化钽涂层产品

技术规范》的标准草案，多家参编单位共同讨论。

经讨论形成以下意见：

1.4.9中建议补充温度值；

2.6.2.3表三第八项涂层厚度，除了重量法是否需要加入其他方法；

3.6.2.3中提到的堵孔不良、关键面，建议增加其术语和定义。

1.2.2.2工作进度安排

2024年10月，项目市场调研。

2024年11月，开启立项论证会议，项目申报立项。

2024年3月，编写团体标准项目草案，召开标准启动会。

2025年4月，公开征求意见。

2025年5月，召开编制组内部讨论会议。

2025年6月，召开标准审定会。

2025年7月，报批，发布。

二、标准编制原则

标准起草小组在编制标准过程中，以国家、行业现有的标准为制订基础，结合我国目前电

机铸铝转子的现状，按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和

起草规则》的规定及相关要