刻蚀工艺辅助技师考试试卷及答案

刻蚀工艺辅助技师考试试卷及答案刻蚀工艺辅助技师考试试卷及答案一、填空题（每题1分，共10分）1.刻蚀按是否用液体分为干法和______刻蚀。2.干法刻蚀常用等离子体源缩写为______（电感耦合等离子体）。3.湿法刻蚀SiO₂最常用的酸是______。4.检测刻蚀完成的方法称为______检测。5.深反应离子刻蚀英文缩写是______。6.刻蚀速率常用单位是______（如nm/min）。7.湿法刻蚀通常为______刻蚀（侧壁与底面速率相近）。8.干法刻蚀垂直侧壁属于______刻蚀。9.光刻胶作为掩模的核心优势是______（易剥离+抗刻蚀）。10.刻蚀后清洗常用有机溶剂是______（丙酮/异丙醇）。二、单项选择题（每题2分，共20分）1.属于干法刻蚀的是（）A.化学浸泡B.等离子刻蚀C.酸液腐蚀D.碱液腐蚀2.DRIE核心优势是（）A.各向同性B.高深宽比刻蚀C.低速率D.无残留3.湿法刻蚀Si常用试剂是（）A.HFB.HNO₃+HF混合液C.HClD.NaOH4.干法刻蚀离子轰击作用是（）A.仅化学腐蚀B.仅物理溅射C.两者都有D.无作用5.刻蚀选择比指（）A.时间与厚度比B.目标速率与掩模速率比C.流量与功率比D.速率与清洗时间比6.干法刻蚀SiO₂常用气体（）A.O₂B.CF₄C.N₂D.Ar7.湿法刻蚀环境是（）A.真空B.常压C.高压D.低温8.OES指（）A.光学发射光谱B.电子探针C.扫描电镜D.称重法9.光刻胶在刻蚀中是（）A.牺牲层B.掩模层C.衬底层D.电极层10.不影响干法刻蚀速率的是（）A.射频功率B.气体压力C.衬底温度D.环境湿度三、多项选择题（每题2分，共20分）1.干法刻蚀类型包括（）A.等离子刻蚀B.RIEC.DRIED.湿法刻蚀2.湿法刻蚀常用试剂（）A.HF（SiO₂）B.HNO₃+HF（Si）C.KOH（Si）D.O₂（光刻胶）3.刻蚀终点检测方法（）A.OESB.EPDC.SEMD.称重法4.刻蚀基本要求（）A.合适选择比B.所需各向异性/各向同性C.速率均匀D.无损伤5.影响干法刻蚀速率的因素（）A.射频功率B.气体流量C.衬底温度D.真空度6.光刻胶掩模优势（）A.易剥离B.抗刻蚀C.成本低D.导电优7.湿法刻蚀影响因素（）A.试剂浓度B.温度C.时间D.搅拌速度8.干法刻蚀优点（）A.各向异性B.高深宽比C.无废液D.可控性好9.刻蚀后清洗目的（）A.去残留B.去光刻胶C.提洁净度D.增强导电10.干法刻蚀惰性气体（）A.ArB.N₂C.O₂D.He四、判断题（每题2分，共20分）1.干法刻蚀需真空环境。（）2.湿法刻蚀均为各向同性。（）3.DRIE可实现高深宽比刻蚀。（）4.选择比越高工艺越好。（）5.光刻胶抗所有干法刻蚀气体。（）6.湿法刻蚀成本低。（）7.干法速率与气体比例无关。（）8.终点检测仅适用于干法。（）9.深槽刻蚀优先选湿法。（）10.刻蚀后用去离子水冲洗。（）五、简答题（每题5分，共20分）1.简述干法与湿法刻蚀核心区别。2.解释刻蚀选择比的定义及意义。3.简述DRIE工艺原理。4.刻蚀后清洗的常用方法及目的。六、讨论题（每题5分，共10分）1.如何提高刻蚀工艺均匀性？2.如何避免光刻胶过度腐蚀？---答案部分一、填空题答案1.湿法2.ICP3.氢氟酸（HF）4.终点5.DRIE6.nm/min7.各向同性8.各向异性9.易剥离且抗刻蚀10.丙酮（或异丙醇）二、单项选择题答案1.B2.B3.B4.C5.B6.B7.B8.A9.B10.D三、多项选择题答案1.ABC2.ABC3.ABD4.ABCD5.ABCD6.ABC7.ABCD8.ABCD9.ABC10.AD四、判断题答案1.√2.√3.√4.×5.×6.√7.×8.×9.×10.√五、简答题答案1.核心区别：①环境：干法真空，湿法常压；②刻蚀性：干法可各向异性（垂直侧壁），湿法各向同性；③废液：干法无，湿法有；④应用：干法适用于微纳精细结构（MEMS深槽），湿法适用于简单结构（SiO₂薄膜腐蚀）。2.定义：目标材料刻蚀速率与掩模/衬底速率之比；意义：保证目标精准刻蚀，避免掩模过度消耗或衬底损伤，提升精度与良率（如SiO₂刻蚀需SiO₂速率远大于光刻胶）。3.DRIE原理：交替“刻蚀-钝化”循环：①刻蚀：SF₆等离子体物理溅射+化学腐蚀硅；②钝化：C₄F₈沉积聚合物保护侧壁；重复实现高深宽比垂直刻蚀。4.常用方法：①去离子水冲洗（湿法残留）；②有机溶剂清洗（丙酮/异丙醇，光刻胶残留）；③O₂等离子体清洗（有机残留）；目的：去除残留，提高表面洁净度，为后续工艺做准备。六、讨论题答案1.提高均匀性：①设备：静电卡盘固定衬底（温度均匀），优化气体喷嘴分布（反应均匀）；②工艺：稳定气体比例/流量，