CN115233245B 一种硫化铜-硫化铋异质结纳米片催化剂及制备和应用方法 （西北工业大学）

ConstructuringofCopper-DopedCatalystforHighlyEffiElectrolysistoFormateinAmpere-Lev一种硫化铜-硫化铋异质结纳米片催化剂及酸为硫源，通过简单的一步溶剂热法制备硫化铜硫化铋异质结纳米片催化剂。由于其独特的该硫化铜硫化铋异质结纳米片催化剂结构新颖21.一种硫化铜_硫化铋异质结纳米片催化剂，其特征在于元素组成的表达式为CuS_硫化铋异质结纳米片催化剂为一种具有粗糙表面的片状结构，其中的硫化铜_硫化铋异质3.一种权利要求1或2所述硫化铜_硫化铋异质结纳米片催化剂的制备方法，其特征在经抽滤或离心分离得到硫化铜_硫化铋即CuS_Bi2S3的异质结纳4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述L_半胱氨酸溶液浓度为1mmol/L_3了Bi纳米枝晶，该催化剂在一0.74V的电位下得到8催化剂能够在0.4V的超低电位下达到79.5％的甲酸盐法拉第效率(NanoEnergy,2017,4了一种具有优异电催化还原二氧化碳制备甲酸活性的硫化铜一硫化铋异质结纳米片催化[0008]一种硫化铜硫化铋异质结纳米片催化剂，其特征在于元素组成的表达式为CuS[0009]所述硫化铜硫化铋异质结纳米片催化剂为一种具有粗糙表面的片状结构，其中具有优异电催化还原二氧化碳(CO2RR)制备甲酸活性的硫化铜一硫化铋异质结纳米片催化5[0028](2)借助铜的掺杂，有效提高铋基催化剂进行CO2RR的电流密度和长时间稳定性。该催化剂在_1.06V(相对于可逆氢电极)下，使用1M的KOH水溶液为电解液时，电流密度高效率高于90％的电位窗口超过1050mV；在_400mAcm_2的高电流密度下可长时间稳定工作中晶面间距分析可以确定，CuS_Bi2[0033]图4为实施例1所得的CuS_Bi2S3异质结纳米片催化剂涂覆于气体面制备得到的CuS_Bi2S3/GDE电极分别在Ar和CO2饱和的碱性水溶液中的线性扫描伏安曲为_100mAcm_2所需的电压仅为[0034]图5为实施例1所得的CuS_Bi2S3异质结纳米片催化剂和实施例6中制备的单一Bi2S3催化剂涂覆于GDE表面制备得到CuS_Bi2S3/GDE和Bi2S3/GDE电极在CO2饱和碱性水溶液[0035]图6为实施例1制得的CuS_Bi2S3/GDE电极以1M的KOH碱性水溶[0036]图7为在流动型电解池中，CuS_Bi2S3异质结纳米片催化剂与部还原制甲酸的长时间稳定性测试(图8a)及其与现有催化剂电催化CO2还原制甲酸的长时间6取30mgL_半胱氨酸、75mg六水合硝酸铋以及20mg六水合硝酸铜，将其加入54mL去离子水化铋异质结纳米片催化剂粗样品。将得到的CuS_基本一致，不同的是将第一步中54mL去离子水更基本一致，不同的是水热釜的反应温度由120℃变为100℃,得到纳米片状CuS_Bi2S3_H2O_片状CuS_Bi2S3_H2O_100_100[0053]将实施例1所制备的CuS_Bi2S3催化剂负载到GDE表面，制备得到CuS_Bi2S3/GDE电7(1)将10mg所述CuS_Bi2S3催化剂与1mL无水乙醇、流动型电解池中，所述电解装置包含流动型电解池、Ag/AgCl参比电极、泡沫镍对电极和[0054]测试结果表明，CuS_Bi2S3/GDE电极可以显著抑制HER，实现备的CuS_Bi2S3异质结纳米片催化剂具有优异的CO2RR制备甲酸性能，同时具有非常宽的高简单的一步溶剂热法制备硫化铜_硫化铋异质结纳米片催化剂。由于其独特