YS-T1741-2024《硅多晶还原炉用氮化硅制品》

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硅多晶还原炉用氮化硅制品

1范围

本文件规定了硅多晶还原炉用氮化硅制品的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、

贮存、随行文件及订货单内容。

本文件适用于气压烧结、无压烧结工艺制备的氮化硅制品的测试、检验和评价。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T5593电子元器件结构陶瓷材料

GB/T5594.5电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法

GB/T6569精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T10610产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法评定表面结构的规则和方法

GB/T10623金属材料力学性能试验术语

GB/T14264半导体材料术语

GB/T15463静电安全术语

GB/T16534精细陶瓷室温硬度试验方法

GB/T16535精细陶瓷线热膨胀系数试验方法顶杆法

GB/T17991精细陶瓷术语

GB/T23806精细陶瓷断裂韧性试验方法单边预裂纹梁(SEPB)法

GB/T24582多晶硅表金属杂质含量的测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法

GB/T25995精细陶瓷密度和显气孔率试验方法

GB/T31838.2固体绝缘材料介电和电阻特性第2部分：电阻特性(DC方法)体积电阻和体积电阻率

3术语和定义

GB/T10623、GB/T14264、GB/T15463和GB/T17991界定的术语和定义适用于本文件。

4分类

硅多晶还原炉用氮化硅制品按用途分为氮化硅绝缘环、氮化硅尾气罩和氮化硅喷嘴。

5技术要求

2

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5.1理化性能

硅多晶还原炉用氮化硅制品的理化性能要求见表1。

表1理化性能

项目氮化硅绝缘环氮化硅尾气罩氮化硅喷嘴

密度

3.0～3.23.0～3.23.2～3.4

g/cm³

三点抗弯强度

≥600≥600≥800

MPa

体积电阻率

≥1014≥1014≥1014

Ω·cm

击穿强度

≥15＞10＞10

kV/mm

线膨胀系数（RT-500）

≤3.4≤3.4≤3.0

10-6/℃

维氏硬度

≥1300≥1300≥1400

kgf/mm2

断裂韧性

≥5.0≥5.0≥6.0

MPa·m1/2

表面粗糙度

≤6.3≤6.3≤6.3

μm

尺寸偏差

≤0.5≤0.5≤0.5

%

表面杂质（Fe、Al、Ca、Na、Cu、Ni、Cr、Ti、

Zn、K、Mg、B、P的总含量≤0.5≤0.5≤0.5

mg/kg

5.2尺寸

硅多晶还原炉用氮化硅制品应按图纸要求加工，典型的氮化硅绝缘环见图1，典型的氮化硅尾气罩

见图2，典型的氮化硅喷嘴见图3。

标引序号说明：

3

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D1——氮化硅绝缘环隔热体外径；

d1——氮化硅绝缘环隔热体内径；

D2——氮化硅绝缘环绝缘体外径；

d2——氮化硅绝缘环绝缘体内径；

h1——氮化硅绝缘环高度；

h2——氮化硅绝缘环绝缘体高度。

图1氮化硅陶瓷绝缘环

标引序号说明：

D1——氮化硅尾气罩盖子外径；

D2——氮化硅尾气罩筒体底座外径；

d1——氮化硅尾气罩筒体底座内径；

d2——氮化硅尾气罩盖子下沿外径；

h1——氮化硅尾气罩总高度；

h2——氮化硅尾气罩筒体高度；

h3——氮化硅尾气罩气孔高度；

h4——氮化硅尾气罩气孔下沿至底座下沿高度；

h5——氮化硅尾气罩盖子下沿凸台高度；

h6——氮化硅尾气罩盖子厚度；

h7——氮化硅尾气罩通气孔直线段长度尺寸；

h8——氮化硅尾气罩通气孔下沿至底座上沿尺寸；

L——氮化硅尾气罩通气孔宽度；

R——氮化硅尾气罩通气孔圆弧半径。

图2氮化硅陶瓷尾气罩

4

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标引序号说明：

D1——氮化硅喷嘴主体外径；

d——氮化硅喷嘴主体内径；

D2——氮化硅喷嘴喷嘴底座外径；

M——氮化硅喷嘴螺纹端外径；

h1——氮化硅喷嘴总高度；

h2——氮化硅喷嘴主体高度；

h3——氮化硅喷嘴底座下沿至螺纹端下沿高度；

h4——氮化硅喷嘴底座下沿至螺纹端上沿间距；

C——氮化硅喷嘴上沿倒角；

R——氮化硅喷嘴主体下沿上端内倒角。

图3氮化硅喷嘴

5.3外观质量

硅多晶还原炉用氮化硅制品为色泽均匀的黑色或深灰色结构件，无肉眼可见裂纹，无尺寸大于5mm

的斑点，每平方厘米上小于5mm的斑点数量应不大于2个，崩缺尺寸应不大于2mm。

6试验方法

6.1硅多晶还原炉用氮化硅制品密度的检验按GB/T25995规定的方法进行。

6.2硅多晶还原炉用氮化硅制品三点抗弯强度的检验按GB/T6569规定的方法进行。

6.3硅多晶还原炉用氮化硅制品体积电阻率的检验按GB/T5594.5规定的方法进行。

6.4硅多晶还原炉用氮化硅制品击穿强度的检验按GB/T5593规定的方法进行。

6.5硅多晶还原炉用氮化硅制品线膨胀系数的检验按GB/T16535规定的方法进行。

6.6硅多晶还原炉用氮化硅制品维氏硬度法的检验按GB/T16534规定的方法进行。

6.7硅多晶还原炉用氮化硅制品断裂韧性的检验按GB/T23806规定的方法进行。

6.8硅多晶还原炉用氮化硅制品表面粗糙度的检验按GB/T10610规定的方法进行。

6.9硅多晶还原炉用氮化硅制品的尺寸采用精度为0.01mm的游标卡尺进行检验。

6.10硅多晶还原炉用氮化硅制品表面杂质含量的检验按GB/T24582规定的方法进行。

5

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6.11硅多晶还原炉用氮化硅制品的色泽、裂纹和斑点在光线良好的环境下目视检验，崩缺尺寸采用精

度为0.01mm的游标卡尺进行检验。

7检验规则

7.1检查和验收

7.1.1产品由供方或第三方进行检验，保证产品质量符合本标准及订货单的规定，并填写随行文件。

7.1.2需方可对收到的产品按本文件或订货单的规定进行检验，如检验结果与本文件或订货单的规定

不符时，应在收到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商确定。

7.2组批

产品应成批提交验收，每批应由同一原料、同一工艺、同一用途的产品组成。

7.3检验项目

每批产品应对理化性能、外观质量进行检验。

7.4取样

每批产品项目检测按GB/T2828.1—2012一般检查水平Ⅱ，正常检查一次抽样方案进行，或按供需

双方协商的抽样方案进行。

7.5检验结果的判定

产品检验项目的接收质量限（AQL）应符合表2的规定。

表2检验项目及接收质量限

序号检验项目接收质量限AQL

1密度1.0

2表面粗糙度1.0

3尺寸偏差1.0

4表面杂质元素总含量1.0

5外观质量1.0

8标志、包装、运输、贮存和随行文件

8.1标志

包装箱外应至少注明以下内容：

a)供方名称；

b)产品名称；

c)批号、规格型号；

d)数量；

e)“小心轻放”、“易碎品”、“勿摔勿压”、“防潮”、“向上”等字样。

8.2包装

6

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产品装入洁净的聚乙烯气泡包装袋内，双层包裹后再将包装袋装入包装箱内。包装时应防止聚乙烯

包装袋破损，以避免产品外来沾污。

8.3运输

产品运输时应防止雨淋潮湿，不允许剧烈碰撞。

8.4贮存

产品应存放于干燥、洁净环境中，堆放高度应避免产品的外包装变形和垮塌。

8.5随行文件

每批产品应附有随行文件，其中除应包括供方信息、产品信息、本文件编号、出厂日期或包装日期

外，还宜包括：

a）产品质量证明书，包括以下内容：

——检验项目及其结果；

——批量或批号；

——检验日期；

——检验员签名及印章。

b)产品质量控制过程中的检验报告及成品检验报告；

c)产品使用说明：正确搬运、使用、贮存方法等；

d）供需双方若有其他需求，协商处理。

9订货单内容

需方可根据自身的需要，在订购本文件所列产品的订货单内，列出如下内容：

a)产品名称；

b)数量；

c)本文件编号；

d)本文件规定应在订货单中注明的内容；

e)其他。

7

ICS77.120.99

CCSH83

YS

中华人民共和国有色金属行业标准

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硅多晶还原炉用氮化硅制品

Siliconnitrideproductsforpolycrystallinesiliconreductionfurnaces

（报批稿）

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

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硅多晶还原炉用氮化硅制品

1范围

本文件规定了硅多晶还原炉用氮化硅制品的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、

贮存、随行文件及订货单内容。

本文件适用于气压烧结、无压烧结工艺制备的氮化硅制品的测试、检验和评价。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T5593电子元器件结构陶瓷材料

GB/T5594.5电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法

GB/T6569精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T10610产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法评定表面结构的规则和方法

GB/T10623金属材料力学性能试验术语

GB/T14264半导体材料术语

GB/T15463静电安全术语

GB/T16534精细陶瓷室温硬度试验方法

GB/T16535精细陶瓷线热膨胀系数试验方法顶杆法

GB/T17991精细陶瓷术语

GB/T23806精细陶瓷断裂韧性试验方法单边预裂纹梁(SEPB)法

GB/T24582多晶硅表金属杂质含量的测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法

GB/T25995精细陶瓷密度和显气孔率试验方法

GB/T31838.2固体绝缘材料介电和电阻特性第2部分：电阻特性(DC方法)体积电阻和体积电阻率

3术语和定义

GB/T10623、GB/T14264、GB/T15463和GB/T17991界定的术语和定义适用于本文件。

4分类

硅多晶还原炉用氮化硅制品按用途分为氮化硅绝缘环、氮化硅尾气罩和氮化硅喷嘴。

5技术要求

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5.1理化性能

硅多晶还原炉用氮化硅制品的理化性能要求见表1。

表1理化性能

项目氮化硅绝缘环氮化硅尾气罩氮化硅喷嘴

密度

3.0～3.23.0～3.23.2～3.4

g/cm³

三点抗弯强度

≥600≥600≥800

MPa

体积电阻率

≥1014≥1014≥1014

Ω·cm

击穿强度

≥15＞10＞10

kV/mm

线膨胀系数（RT-500）

≤3.4≤3.4≤3.0

10-6/℃

维氏硬度

≥1300≥1300≥1400

kgf/mm2

断裂韧性

≥5.0≥5.0≥6.0

MPa·m1/2

表面粗糙度

≤6.3≤6.3≤6.3

μm