上海新阳平台型半导体材料公司有望受益新一轮存储扩产

内容目录上海新阳：国内领先的半导体材料平台化供应商 5历史沿革：业务与产能双轮驱动，平台型企业的成长之路 5业务拓展：从单一品类到全链条布局，构建多元技术矩阵 6产能拓展：从单一厂区到多基地布局，匹配市场需求扩容 6公司治理：创始人实控人一体，核心人员多年深耕行业 7财务分析：营收稳定高增长，不断优化产品技术提高毛利率 8研发情况：研发力度持续加大，维持核心竞争力 10电镀液：国内龙头，先进封装&高端存储扩产收益明确 行业分析：大陆先进封装电镀液市场铜系主导，国产替代加速破局 11公司分析：TSV电镀材料达国际水平，先进封装业务实现翻倍增长 14湿电子化学品：刻蚀液龙头地位稳固，有望充分受益于存储空间 湿电子化学品行业分析：集成电路占比近七成，中国光伏应用领跑 15蚀刻液：中韩成增长引擎，中国电子制造业与政策驱动需求旺盛 17清洗液：全球刻蚀后清洗液市场迎增长，本土企业突破外资垄断 19公司分析：关键工艺材料实现技术突破，多基地产能布局保障市场供应 20技术壁垒：打造高端蚀刻与清洗液自主平台，突破存储芯片制造关键环节........................................................................................................................................................20产能布局：多基地产能规划落地，总产能将扩大 21抛光液：差异化布局细分品类，有望受益于存储扩产 行业分析：抛光液引领CMP材料市场，国产替代开启高增长空间 22公司分析：技术破壁进阶，产能与协同双轮夯实竞争力 26光刻胶：浸没A胶边际突破，看好国内领先地位及放量空间 行业分析：中国领跑全球光刻胶市场，国产替代呈现结构性突破 27公司分析：跻身国内供应链关键环节，产能加码与国际合作驱动产业化进程 29投资建议 风险提示 图表目录图1：上海新阳发展历程 5图2：上海新阳股权架构（截至2025年Q3报） 7图3：2020-2025Q1-Q3公司总营业收入（亿元）及增速 9图4：2020-2025Q1-Q3公司归母净利润（亿元）及增速 9图5：2020-2024年公司销售毛利率（、销售净利率（）及细分行业毛利率（） 9图6：2020-2024年公司营业收入结构（亿元） 9图7：2020-2024年上海新阳三费情况 9图8：2020-2024年上海新阳研发费用及研发费用率 10图9：2020-2024年上海新阳研究人员情况 10图10：2020-2024年上海新阳研究人员占比情况（） 10图11：电镀液分类 12图12：中国各类型电镀液市场占比情况 12图13：2022-2027年全球半导体用电镀化学品市场规模 13图14：2023-2026年中国先进封测电镀液市场规模 13图15：中国电镀液行业领先企业 13图16：全球电镀液行业领先企业 14图17：湿电子化学品主要产品分类 15图18：湿电子化学品应用领域 15图19：2023年湿电子化学品分应用领域市场规模占比情况 16图20：2020-2031年全半导体用湿电子化学品全球市场总体规模 17图21：2020-2026年中国湿电子化学品产量及增速 17图22：3DNAND刻蚀工艺流程 17图23：台阶蚀刻 18图24：清洗液类别 20图25：集成电路关键工艺材料项目规划产能 21图26：CMP工艺原理图 22图27：CMP应用场景 23图28：CMP抛光液常用种类 24图29：抛光液种类随先进制程变化情况 24图30：CMP细分抛光材料市场份额（） 25图31：2023-2028年中国和全球CMP抛光液行业市场规模预测 25图32：全球CMP抛光液市场代表企业区域分布 25图33：CMP抛光液国内供应商占比 26图34：光刻胶成分示意图 27图35：光刻胶类别 27图36：半导体光刻胶种类及用途 28图37：2023年中国光刻胶市场竞争 28图38：2023年中国光刻胶重点企业列举 28表1：上海新阳主营产品 5表2：截至2025年半年度报告主要子公司及对公司净利润影响达10以上的参股公司情况..........................................................................................................................................................................7表3：公司核心人员 8表4：电镀液组成成分 11表5：蚀刻液类别 18表6：全球领先的半导体湿化学品厂商核心竞争力 19表7：CMP工艺在FAB制造的前后道的应用 22表8：抛光液主要成分 23表9：技术研发优势 29表10:公司营收拆分预测（百万元） 30上海新阳半导体材料股份有限公司主要从事集成电路制造及先进封装用关键工艺材料及配套设备的研发、生产、销售和服务。公司创立于1999年7月，专注于半导体行业，是世界先进的半导体材料研发生产企业之一。公司是国家工信部第一批“专精特新”小巨人企业、上海市集成电路关键工艺材料重点实验室、高新技术企业、上海市企业技术中心、上海市专利工作示范企业、上海市重合同守信用AAA级企业。电子蚀刻五大核心技术。用于晶圆电镀与晶圆清洗的第二代核心技术已达到国内领先水平，用于存储芯片蚀刻的第五大核心技术已处于国际领先水平，其中第二代电子电镀和电子清洗两大核心技术与产品在芯片铜互连和刻蚀后清洗工艺是国内唯一可以做到90-14nm各技术节点全覆盖，对逻辑电路、模拟电路、存储电路各产品全满足，已成为国内百余家集成电路制造公司主流供应商。表1：上海新阳主营产品主要产品 具体类型集成电路制造及先进封装用电镀液及添加剂系列产品集成电路制造用清洗液系列产品集成电路制造用高端光刻胶系列产品集成电路制造用化学机械研磨液集成电路制造用蚀刻液系列产品半导体封装用电子化学材料配套设备产品氟碳涂料产品系列

主要包括大马士革铜互连、TSV、Bumping电镀液及配套添加剂主要包括铜制程蚀刻后清洗液、铝制程蚀刻后清洗液、化学机械研磨后清洗液等主要包括I线光刻胶、KrF光刻胶、ArF干法、浸没式光刻胶以及稀释剂、底部抗反射膜（BARC）等配套材料主要包括适用于浅槽隔离研磨液（Iluy金属钨研磨液(WSlurry)、金属铜研磨液(CuSlurry),硅氧化层研磨液(OxideSlurry)，多晶硅层研磨液(PolySlurry)等系列产品主要包括用于3DNAND/DRAM存储器芯片制造的氮化硅/钛等蚀刻系列产品主要包括无铅纯锡电镀液及添加剂、去毛刺溶液等主要包括半导体封装引线脚表面处理配套电镀、清洗设备和先进封装制程用电镀、清洗设备。环保、功能性氟碳涂料包括：PVDF氟碳粉末涂料、氟碳喷涂涂料、氟碳辊涂涂料、超细耐候粉末涂料等。上海新阳半导体材料股份有限公司2025年半年度报告历史沿革：业务与产能双轮驱动，平台型企业的成长之路图1：上海新阳发展历程公司公告、家居人物微信公众号业务拓展：从单一品类到全链条布局，构建多元技术矩阵1）1999-2010年，初创期：1999清洗、电镀化学品研发，确立以半导体材料为核心的发展方向，精准切入产业链中游封装环节；2004-2009年，通过完成股份制改造，明确“技术主导”的发展路线，紧盯市场前沿发展技术，始终将技术创新放在公司发展的首位。2）2011-2018年，成长期：跨领域延伸，布局产业链上下游。年，在深交所创业板上市（股票代码：300236依托资本市场加速业务拓展；业合资布局汽车电镀添加剂市场，实现跨行业突破；2014-2016年，进一步向产业链上下游延伸，参股上海新昇（硅片业务、合资设立新阳硅密（半导体湿法设备2018年，成立芯刻微研发193nm高端光刻胶、投资博砚电子布局平板显示材料，全面发力高端材料领域。3）2019年至今，深化期：技术成果落地，拓展客户与应用场景。2023年，I线/KrF光刻胶实现小批量销售、ArF光年，服务客户已覆盖120100光刻胶完成多款产品批量化销售，ArF浸没式光刻胶获得订单，产品成功进7012寸集成电路生产线，在半导体材料核心市场站稳脚跟。产能拓展：从单一厂区到多基地布局，匹配市场需求扩容1）1999-2018年，起步期：依托上海厂区，夯实基础产能。成立初期至2018年，产能集中于上海厂区，聚焦半导体封装用清洗、电镀化学品生产，产能规模随业务需求逐步提升，为早期业务发展提供稳定供给支撑。2）2019-2022年，扩张期：多基地布局，产能规模快速提升。201919万吨集成电路多品类材料扩产项目，实现从单一封装材料到清洗液、刻蚀液、光刻胶等全品类工艺材料的产能升级；20201.7万吨产能，形成“上海+合肥”双基地布局；2022年，5.35亿元，提升市场供给能力。3）2023年至今，升级期：新建高标准基地，强化产能与研发协同。20251018.5亿元建设上海松江新基5万吨集成电路关键材料（清洗液、电镀液等）4.2万平方米总部与研发中心，实现“产能-研发”一体化布局；同年合肥新阳项目一期陆续投产，并开4.35万吨，投资追加至10.49亿元。同年上半年在建工+上海原有+合肥”三大基地产能体系全面成型，为业务拓展提供强有力的产能保障。公司治理：创始人实控人一体，核心人员多年深耕行业公司股权结构呈现出一定的集中特征，主要股东在公司治理中具有显著影响力。公司的控股股东为上海新晖资产管理有限公司、上海新科投资有限公司，实际控制人为王福祥、孙江燕、王溯。王福祥作为公司第一大股东，持有14.37的股份，而上海新晖资产管理有限公司则以12.10的持股位列第二大股东、上海新科投资有限公司以6.63的持股位列第三大股东。股东王福祥、上海新晖资产管理有限公司、上海新科投资有限公司为关联股东，属于一致行动人，合计持股比例接近34，显示出较强的控制力。图2：上海新阳股权架构（截至2025年Q3报）公司控制子公司众多。截至2025年三季报，上海新阳主要控股参股公司共有6家，这些子公司涵盖环保型防腐涂料、半导体材料、光刻材料等的研发、生产及相关业务。表2：截至2025年半年度报告主要子公司及对公司净利润影响达10以上的参股公司情况公司名称公司类型主要业务营业收入（万元）净利润（万元）江苏考普乐新材料子公司专业从事环保型、功能性防腐涂料的研发、18,702.88863.08有限公司生产及相关服务业务，并为客户提供专业的整体涂装业务解决方案上海芯刻微材料技子公司从事半导体微电子材料、光刻材料的技术研0.00-851.74术有限责任公司发、生产和销售，从事货物及技术的进出口业务上海晖研材料科技有限公司子公司从事材料科技领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让；半导体材料研发0.00-71.20和销售，从事货物及技术的进出口业务新阳（广东）半导子公司研发、制造电子信息产品、集成电路产品、1,330.24180.96体技术有限公司化学材料产品（不含危险化学品、半导体电镀设备、清洗设备及零配件；销售公司自有产品。上海特划技术有限子公司从事新材料科技领域内的技术开发、技术咨218.03-82.35公司询、技术服务、技术转让，电子产品及配件合肥新阳半导体材料有限公司

生产销售从事货物及技术的进出口业务子公司 从事半导体材料的制造加工销售及技术自营和代理各类商品及技术的进出口业务（和技术除外。

2,392.37 -1,833.82上海新阳半导体材料股份有限公司2025年半年度报告公司核心团队稳定性强、经验丰富。公司核心团队大多具有工科背景和多年电子行业相关从业经验，能够助力公司快速发展。公司管理团队中大部分成员在上海新阳工作多年，公司核心团队稳定性强、对公司业务熟悉程度高。表3：公司核心人员姓名 职务 从业背景王福祥 董事长 汉族中国国籍持有新加坡永久居留权年8月出生大学本科学历1999年7月至201645201242004年5月至今任本公司董事长。王溯 总经理总工师

1月出生，博士学位。年任本公司2013年任本公司技术中心副主任、副总工程师；20132015年任本5月任本公司董事、高级副总经理、总工程师月至今任本公司董事、总经理、总工程师。周红晓 财务总监曾任公司市场部部长、副总经理、财务总监，现任本公司董事、高级副总经理。2月出生，大学本科学历。曾任威海市新华印刷厂会计，南海新世界彩印厂总账会计，上海富味乡油脂食品有限公司财务主管；2007420178代表；2018年周红晓 财务总监曾任公司市场部部长、副总经理、财务总监，现任本公司董事、高级副总经理。2月出生，大学本科学历。曾任威海市新华印刷厂会计，南海新世界彩印厂总账会计，上海富味乡油脂食品有限公司财务主管；2007420178代表；2018年11月至今任公司财务总监，2024年10月至今任公司董事。杨靖 董事会秘书 汉族，中国国籍，无境外永久居留权年月出生，大专学历，经济管理专业。曾任上海民丰实业(集团)股份有限公司办公室主任、监事、董事会秘书；任上海伊诺尔实业集团有限公司董事会秘书年4月至2023年10月历任上海新阳董事会秘书投资总监人力资源总监审计室主任年月至今任本公司董事会秘书。黄利松 高级副总经理 汉族，中国国籍，无境外永久居留权黄利松 高级副总经理 汉族，中国国籍，无境外永久居留权年3月出生，大学本科学历。年7月加入上海新阳，曾任公司设计工程师、技术服务主管、设备工程部部长、设计部部、总经理助理、市部总监。现任公司高级副总经理、合肥新阳总经理。财务分析：营收稳定高增长，不断优化产品技术提高毛利率2020-2024。6.94/10.16/11.96/12.12/14.7520.74，营业2.74亿/1.04亿/0.53亿/1.67亿/1.76亿。2024年，公司半导体业务营收同比增长，主要得益于新产品技术优势逐步凸显、产品类型不断丰富、重点项目市场开发进展顺利，客户订单数量持续增加。年H1,公司半导体材料业务收入大幅增长，盈利能力显著增强。公司实现营业收入8.9735.671.33126.31。公司半导体行业实现营业收入7.09亿元，同比增长53.12，公司半导体业务块的新产品技术优势逐步显现，产品类型亦日益丰富。涂料板块业务，受建筑行业市场复苏缓慢，涂料产品售价下降等不利因素影响，2025年半年度实现营业收入1.87亿元，较去年同期下降5.29。同比增长归母净利润（亿元）2020 2021 2022 2023 20242025Q1-Q3-1000-50-49.04-62.040.50.535.3930.481.1.041.51001.761.6721502.11200同比增长归母净利润（亿元）2020 2021 2022 2023 20242025Q1-Q3-1000-50-49.04-62.040.50.535.3930.481.1.041.51001.761.6721502.112002.532.74 250215.09同比增长营业总收入（亿元）2024 2025Q1-Q32023202220212020.1.4008.274217.72621.67108 6.9410.161211.96 12.121413.9446.4016 14.75 2020-2024年，公司销售净利率波动较大，总体销售毛利率逐渐爬升。2021年销售净利2024年公司销售毛利率增幅为4.13pct：半导体行业毛利率增幅为1.88c涂料行业及工程服务毛利率增幅为3.71pct，变动原因主要是涂料产品售价下降。分行业来看，半导体行业仍是收入增量最大贡献来源，贡献超55。2020-2024导体行业收入占比分别为47.13/49.44/53.51/63.36/70.1955，2024年度贡献收入增量2.67亿元，是营业收入增长的主要来源。涂料行业及工程服务受建筑行业市场环境低迷、涂料产品售价大幅下降等不利因素影响，自2023年起收入贡献减少。50.0040.0030.0020.0010.000.002020 2021 2022 2023 2024半导体行业毛利率()涂料行业及工程服务毛利率()销售毛利率()销售净利率()16.0014.0012.0010.008.006.004.002.000.002020 2021 2022 2023 2024半导体行业 涂料行业及工程服务图：0050.0040.0030.0020.0010.000.002020 2021 2022 2023 2024半导体行业毛利率()涂料行业及工程服务毛利率()销售毛利率()销售净利率()16.0014.0012.0010.008.006.004.002.000.002020 2021 2022 2023 2024半导体行业 涂料行业及工程服务

图6：2020-2024年公司营业收入结构（亿元）公司三费水平总体较为稳定，管理费用率总体较高，财务费用率总体较低。2024年三费水平均增加：管理费用增幅为26.45，主要原因是公司管理人员薪酬和折旧摊销增加；销售费用增幅为22.12，主要原因是公司销售人员薪酬增加及用于市场拓展相关的费用增加；财务费用增幅为108.33，主要原因是公司利息收入减少。图7：2020-2024年上海新阳三费情况财务费用率财务费用率管理费用率销售费用率202420232022202120200.170.10-0.110.441.053.453.004.514.494.38.007.006.005.004.003.002.001.000.00-1.007.97.69.00研发情况：研发力度持续加大，维持核心竞争力公司积极投入研发，研发费用和研究人员数量同步提高。2020-2024年，公司研发人员持2025年H1，公司研发投入总额1.2亿元，占本期营业收入的比重为13.58制程湿法蚀刻液、清洗液、添加剂、化学机械研磨液等项目。半导体业务上市以来研发投入年均复合增长率超20。图8：2020-2024年上海新阳研发费用及研发费用率研发费用率（）研发费用率（）研发费用（亿元）2020 2021 2022 2023 20240.000.005.000.5010.0010.3611.570.801.0012.2714.9215.001.241.501.4920.002.0025.002.2023.32 2.37 2.50图9：上海新研究员情况 图10：2020-2024年上新阳究人员比情（%）2020 2021 2022 2023 20241611982020 2021 2022 2023 2024161198186250200150100024024030024.00 24.3223.0022.002020 2021 2022 2023 202425.6826.5226.3528.5329.0028.0027.0026.0025.00公司围绕五大核心技术持续创新，半导体材料研发进程加快推进。截至2025年中报，在在清洗及蚀刻技术方面，公司干法蚀刻后清洗液产品已经实现14nm及以上技术节点全覆盖，用于芯片制造的蚀刻液产品目前已有三代技术产品实现规模化市场销售；在光刻胶方IKrFArFArF浸没式各类光刻胶在内的完整的研发合成、配制生产、质量管控、分析测试平台；在研磨液方面，公司成熟的STIslurry、Polyslurry、Wslurry14nm体发展规划，扩大产能并加大投资。通过调整合肥新阳产线布局，对项目原有规划产能进行优化，产能扩充至4.3510.49亿元。同时，稳步推进上海化学工业50000吨集成电路关键工艺材料及总部、研发中心项目，预计投资总额人民币18.5亿元。行业分析：大陆先进封装电镀液市场铜系主导，国产替代加速破局（电镀薄且连续的金属或合金镀层。主要应用于集成电路制造的大马士革铜互连电镀工艺和后道先进封装凸块mig、重布线层RDL、硅通孔（TSV）等电镀工艺。电镀液中包含的主盐、导电盐、阳极活性剂、缓冲剂以及多种添加剂均对电镀功能有重要影响，这些添加剂可以改善镀层的性能和电镀质量。表4：电镀液组成成分产品组分 简介主盐极化下降，出现镀层结晶较粗，镀液的分散能力下降，而且镀液的带出损通称为导电盐。通称为导电盐。导电盐阳极活化剂

在电镀过程中能够消除或降低阳极极化的物质，它可以促进阳极正常溶解，提高阳极电流密度。用来稳定溶液的用来稳定溶液的pH值，特别是阴极表面附近的pH值。缓冲剂一般是用弱酸或弱酸的酸式盐，如镀镍溶液中的比硼酸，和焦磷酸盐镀液中的磷酸氢二钠等。任何一种缓冲剂都只能在一定的范围内具有较好的缓冲作用，超过这一范围其缓冲作用将不明显或完全没有缓冲作用。缓冲液添加剂

是指那些在镀液中含量很低，但对链液和镀展性能却有着显著影响的物2是障低溶液与阴极间的界面张力。、整平剂：具有使镀层将基体表面细微不平处填平的物质。、应力消除剂：能够降低镀层内应力，提高镀层韧性的物质。实建化学公众号电镀液的分类方式常见的有以下两种。图11：电镀液分类华经产业研究院公众号Bumping、、TSV等先进封装工艺。在铜互连电镀工艺中，将带有扩散阻挡层和籽晶层的芯片浸没在含有添加剂的高纯电镀液中，用电镀工艺填充已经刻蚀好的互连穿孔（Via）和槽隙Tech。除芯片制造铜互连工艺Bumping、RDL、TSV等先进封装工艺。TSV技术的核心是在晶圆上打孔，并在硅通孔中进行镀铜填充，从而实现晶圆的互联和堆叠，在无需继续缩小芯片线宽的情况下，提高芯片的集成度和性能。目前中国大陆先进封装中铜电镀液占比先进封装电镀液市场比相对较低。据华经产业研究院，目前中国大陆先进封装所需电镀液中，铜电镀液占据主60以上，2022年市场份额为65.13，其次为锡银电镀液，市场份额11.90，金电镀液市场份额占比较小，为5.45，剩余17.52着环保无氙金在半导体领域的广泛使用，预计金电镀液的市场规模及份额占比将显著提升。图12：中国各类型电镀液市场占比情况华经产业研究院公众号全球半导体用电镀化学品市场规模呈增长态势，预计2027年市场规模超12亿元，其中2024-2028年先进封装领域增速高达8。据华经产业研究院统计，2023年全球半导体用9.9亿美元，20245.610.472027场规模将超过12亿美元。随着先进封装应用及下一代逻辑器件中金属互连层数的增加，TECHCET2024-2028年先进封装和铜互连领域半导体电镀化学品年复合增长率分别84.5。图13：2022-2027年全球半导体用电镀化学品市场规模华经产业研究院公众号IC载板，PSPI及掩模版，CMP中国大陆先进封测镀层材料市场近年规模稳步提升，2026年规模预计超45亿元。随着先进逻辑器件节点带来的互连层的增加，先进封装对重新布线层和铜柱结构应用的增加，以及广泛运用铜互连技术的半导体器件整体增长，或将带动电镀液及其添加剂市场的增长。据华经产业研究院统计，2023年中国大陆先进封测镀层材料市场约为34.62亿元，预计2026年将达到46.11亿元。图14：2023-2026年中国先进封测电镀液市场规模华经产业研究院公众号目前我国电镀液市场相对集中，长期以来，我国芯片领域应用的高端镀层材料几乎全部被外资企业垄断，存在严重的“卡脖子”风险。内资企业如上海新阳、创智芯联、艾森半导体等在中高端市场具有竞争力。国内企业在半导体电镀液领域的研发和生产能力不断提升，国产化进程加快，但与国际先进水平相比特别是在高端产品领域仍有差距。图15：中国电镀液行业领先企业华经产业研究院公众号目前主要电镀液厂商仍以海外为主，领先企业主要包括陶氏、乐思化学及日本田中。其中陶氏公司主要为半导体制造和高端电子封装提供硅通孔电镀液材料；乐思化学在全球芯片铜互连电镀液及添加剂市场中占据主导地位，市场占有率高达80；日本田中的无氰电镀金产品主要应用于金凸块和RDL线路，基本上垄断了这一品类细分市场。图16：全球电镀液行业领先企业华经产业研究院公众号公司分析：TSV电镀材料达国际水平，先进封装业务实现翻倍增长技术壁垒：先进制程突破与专利护城河（TSV）技术的快速发展，先进封装技术的需求快速增长，TSV2.5D/3D封装、异构集成等技术的深度融合，成为推动芯片性能与集成度跃升的关键路径。经过多年的开发创新与技术储备，公司研发并量产的适用于TSV工艺的铜互连电镀添加剂，已经实现高效、均匀及结晶良好的3D-TSV中的微孔电镀填充，最高深宽比可达20：1，处于国际领先水平。随着先进封装工艺技术的日趋成熟，公司与客户联动的紧密度加深，公司电镀液及其添加剂相关产品销售规模将持续快速提升。2024年公司电镀液及添加剂系列产品销售额与去年同期相比增长超50，其中先进封装用电镀材料同比增长116。客户资源：头部厂商认证与基准材料地位电镀液及添加剂系列是公司的传统优势产品，在中芯国际的28nm工艺中是基准产品。芯片铜互连电镀液产品在中芯国际（北京）进入中央供液系统，在中芯国际（上海）采购份额有所增加，在无锡海力士半导体（中国）有限公司产品已经通过验证，并且实现销售。湿电子化学品行业分析：集成电路占比近七成，中国光伏应用领跑湿电子化学品又称超净高纯试剂，主要包含酸类、碱类、氧化剂、有机溶剂类和蚀刻液、电镀液及其添加剂、清洗剂、显影液和剥离液等产品，是超大规模集成电路、新型显示、太阳能电池等制造工艺过程中不可缺少的关键基础化工材料，主要应用于清洗、刻蚀、电镀和表面处理等环节。湿电子化学品上游是基础化工产品，下游是电子信息产业，其应用领域主要包括集成电路、显示面板和太阳能光伏等行业。按照组成成分和应用工艺不同，湿电子化学品分为通用湿电子化学品和功能湿电子化学品两大类。通用湿电子化学品一般为单组份、单功能、被大量使用的超净高纯试剂，常用于湿法工艺中的清洗、显影等工序，主要包括酸类、碱类、有机溶剂类、及其他类产品。功能湿电子化学品指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的复配类化学品，即在单一的超净高纯试剂（或多种超净高纯试剂配合）基础上，加入水、有机溶剂、螯合剂、表面活性剂等中的一种或多种化合物，然后混合而成的化学品。图17：湿电子化学品主要产品分类中国科学院半导体研究所公众号再次为光伏电池。用在半导体行业中的湿化学品号称化工中的贵族，纯度要求是最高的。在纯度方面，全球均执行SEMI国际标准，根据金属杂质、控制粒径、颗粒数、IC线宽分为五个等级，G5是最高等级，不同分级适用于不同应用。其中，太阳能光伏一般只需G1水平，显示面板和LED一般为G2~G3水平，半导体则对应G4~G5，技术壁垒最高。图18：湿电子化学品应用领域厦门鹭汇化工科技有限公司公众号年全球湿电子化学品中集成电路行业应用占比超六成，我国集成电路行业湿电子化根据中国电子年湿电子化学品应用于集成电路行业的市场规模占市场总规模的67.54，应用于显示面板行业的市场规模占市场总规模的19.68；从国32.36用于显示面板行业的市场规模占市场总规模的30.76场规模占比相对较低，主要由于我国集成电路产业用湿电子化学品技术水平和产业规模与世界先进国家和地区的领先湿电子化学品生产企业还存在一定差距，市场规模相对较小。图19：2023年湿电子化学品分应用领域市场规模占比情况华经产业研究院公众号根据《版湿化学品产业研究报告2023年全球湿电子化学品已高达亿元，其中集成电路应用领域占比约68。2023684.02元，在集成电路、显示面板、太阳能光伏三个应用市场使用的湿电子化学品市场规模分别462.00亿元、134.60亿元、87.422025年，全球湿电子化学品整体市827.85544.60亿元，显示面板领域159.00124.25亿元，三大应用领域湿电子化学品市场规模均保持持续增长。版湿化学品产业研究报告年中国湿电子化学品持续增长至亿元，其中太阳能光伏应用总量占比超2023225.00亿元，在集成电路、显示面板、太阳能光伏三个应用市场使用的湿电子化学品总量367.2996.2586.60万吨、太阳能光伏领域用量为184.44万吨。预计到2025年，我国湿电子化学品整体市场规模将292.75130.64万吨，显示面板领域需求量将增110.70340.70万吨，三大应用领域湿电子化582.04万吨。图20：2020-2031年全导体湿电子学品球市场体规模 图21：2020-2026年中湿电化学品量及速LPInformation公众号 共研网公众号全球湿电子化学品生产主要分布于欧美日韩和中国台湾等地区高达31，以德国巴斯夫（BS、E-ec比29，有关东化学公司、三菱化学、京都化工、日本合成橡胶、住友化学等；韩国、4040前还缺乏在多个品种均拥有较高市场占有率的龙头企业，各企业优势产品相对单一。蚀刻液：中韩成增长引擎，中国电子制造业与政策驱动需求旺盛该工艺通过精确复制光刻胶掩模形成的微米/纳米级图案，在半导体基材上构建出三维微结构，其加工精度直接决定了集成电路的特征尺寸和器件性能。作为半导体工艺流程中承上启下的关键工序，蚀刻技术不仅需要与光刻工艺实现亚纳米级的图形转移匹配，更要确保材料去除的维度控制、侧壁形和界面质量满足先进制程的严苛要求。根据作用机理的差异，现代蚀刻技术可分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大体系。湿法刻蚀利用化学溶液的各向同性腐蚀特性，适用于特定材料的批量化处理；干法刻蚀则通过等离子体激发活性粒子实现各向异性刻蚀，典型技术包括反应离子刻蚀RE、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀等，已成为先进制程中的主流技术。3DNAND制造工艺需要广泛应用蚀刻技术。图22：3DNAND刻蚀工艺流程多级接触多级接触3D字线沉积去除氮化物层，然后用原子层沉积工艺创建钨字线狭缝刻蚀沉积硬掩模并形成开口，将通道孔列彼此分开，创建储存单元阵列阶梯刻蚀被刻蚀物质被加速物质轰击，从而使其逐层剥离，形成阶梯状结构通道刻蚀沉积硬掩模并形成开口，然后对所有层进行高纵横比刻蚀交替沉积氧化物、氮化物交替沉积光刻人的世界公众号、中国科学院大学关于多层膜交替沉积：利用化学气相沉积（CVD）技术，在硅衬底上交替沉积多层薄膜，直至达到所需的层数。常见的两种材料组合为氧化物-氮化物和氧化物-多晶硅。为了实现后续的精细图案化，需要在多层薄膜上沉积一层硬掩模，这通常是具有高耐蚀刻性的无定形碳膜。该掩模层将保护不需要刻蚀的部分，并指导后续的沟道刻蚀过程。刻蚀过程中使用的气体主要为氧气O2，并辅以氮气N2）和氢气（2）以优化刻蚀效果。关于台阶蚀刻：阶梯的刻蚀是一个交替刻蚀氧化硅与氮化硅的过程。首先进行光刻，形成需要刻蚀的图形，然后进行第一次蚀刻，去除未被光阻覆盖区域的材料；对剩余的光阻进行trimming，调整第一次刻蚀后光阻的宽度，并清洗以去除蚀刻产生的残留物；重复trimming、蚀刻和清洗步骤，以形成多级台阶。图23：台阶蚀刻中国科学院半导体研究所公众号于芯片制造过程中。中选择性去除特定材料（如硅、二氧化硅、金属等，以形成电路图案，尤其在复杂图形加工和特定材料处理方面具有不可替代的作用。按应用材料分为硅、金属、介质层蚀刻液三大类。分类蚀刻液名称主要成分作用与特点分类蚀刻液名称主要成分作用与特点应用场景硝酸+氢氟硝酸+氢氟酸各向同性蚀刻。反应速度快，蚀刻速率在不同晶1.硅片清洗和平整化；2.在MEMS酸体系向间无差异，会形成圆弧形侧壁。中制造悬空结构(如空腔、沟槽)；3.去除表面损伤层。硅蚀刻KOH+TMAH氢氧化钾或各向异性蚀刻。对不同晶向的硅蚀刻速率差异巨1.MEMS传感器中制造精确的微体系四甲基氢氧大，<111>面最慢，可形成精确的V型槽或金字结构(如加速度计、陀螺仪)；2.制化铵塔形结构。TMAH与CMOS工艺兼容性更好。作硅模具；3.在硅片上制作V型沟槽或孔洞。铜蚀刻液氯化铜+盐酸通过𝑢2u至𝑢𝑢𝑙−PCB制造中蚀刻铜线路图形的主（氧化铜）与𝐶𝑢要工艺。铜蚀刻液过硫酸铵强氧化剂，将Cu氧化为CuO并溶于酸中。蚀刻主要用于IC封装基板等的铜蚀（过硫酸速度快，溶液成分简单，但再生性差。刻。铵）金属蚀刻液铝蚀刻液磷酸+硝酸+醋酸+𝐻2𝑂𝐻𝑁𝑂3溶解氧化物。匀、光滑。半导体前端工艺中蚀刻铝互连线和平板显示阵列基板的金属层。钛蚀刻液氢氟酸基HF与钛表面的氧化钛反应并溶解下方的金属钛。1.蚀刻半导体工艺中的钛阻挡层；蚀刻速率快，需要严格控制浓度和时间。2.蚀刻钛金属薄膜或微器件。银蚀刻液硝酸基硝酸强力氧化银，生成可溶于水的硝酸银。反应蚀刻厚膜电路或装饰性银层。剧烈，可能产生有毒的氮氧化物气体。介质层氧化硅蚀刻液（HF）氢氟酸+𝐻2𝑂直接与𝑆𝑖𝑂2反应生成可溶性的六氟硅酸。蚀刻速率快，但难以控制，对光刻胶攻击性强。1.实验室快速蚀刻氧化硅；2.硅片清洗中去除自然氧化层。氧化硅蚀刻氢氟酸+氟化缓冲氧化物蚀刻剂。𝑁𝐻4𝐹提供𝐹−缓冲对，稳定半导体制造中精确、可控地蚀刻液蚀刻液液（BOE） 铵 浓度，使蚀刻速率更稳定、可控对光刻胶在高温（~180在高温（~180摄氏度）下，磷酸选择性蚀刻氮 半导体制造中去除作为停止层或化硅，而对氧化硅的蚀刻速率很低。 掩模的氮化硅薄膜(如STI工艺中的侧壁掩模)。氮化硅蚀刻 磷酸+𝐻2𝑂液

二氧化硅介质层，如场氧、钝化层窗口。上海新泊地先进材料事业部公众号2024年北美占据全球蚀刻液营收市场最大份额近，日本以近25份额居次，中国和国预计增长最快。北美是全球最大的蚀刻液营收市场，2024年市场收入达96.71亿美元，41.99202457.1724.82额位居第二。上海新泊地先进材料事业部公众号表示，中国和韩国的蚀刻液市场预计将成为增长最快的市场。中国市场由于电子制造业的快速发展和国家对新能源、新材料等战略性新兴产业的支持，蚀刻液需求尤为旺盛。表6：全球领先的半导体湿化学品厂商核心竞争力企业名称国家市场竞争力专注于超高纯度化学品，提供缓冲蚀刻液、清洗液等产品，关东化学日本技术覆盖半导体制造全流程，是全球少数能稳定供应满足3nm及以下先进制程要求的厂商。提供用于蚀刻、清洗和光刻胶剥离的超纯工艺化学品，如高巴斯夫德国纯度硫酸、过氧化氢等，拥有全球一体化生产体系和超痕量金属检测技术。三菱化学集团日本产品涵盖高纯度溶剂、光刻胶配套化学品、高功能清洗液、蚀刻液等，具备从原料到最终产品的完整产业链整合能力。主营超高纯度硫酸、氨水、氢氟酸等蚀刻液原料，其纯度与住友化学日本品质被公认为行业顶级标准，是先进制程（7nm及以下）的核心供应商。（BAGC株式会社日本氟溶剂等蚀刻液及相关材料，应用于3D-NAND高深宽比蚀刻和EUV光刻等前沿领域。凭借独特的技术专长，在粘合剂、高性能聚合物、工业特种化学品和涂料解决方案等领域构建了均衡的业务组合。主要阿科玛集团法国产品为用于CVD/ALD工艺的高纯度特种化学品前驱体（如K前驱体（用于封装或光刻工艺溶剂等。半导体产业研究公众号清洗液：全球刻蚀后清洗液市场迎增长，本土企业突破外资垄断清洗技术指通过化学处理、气体或物理方法去除晶片表面杂质的过程。通常在工艺之间进行，用于去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留物，去除光阻掩膜或残留，也可根据需要进行硅氧化膜、氮化硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀，为下一步工序准备好良好的表面条件。晶圆清洗步骤数量约占所有芯片制造工序步骤30以上，而且随着节点的推进，清洗工序的数量和重要性会继续提升。根据清洗介质的不同，目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线，晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主。湿法清洗即使用化学溶剂或者去离子水清洗晶圆，按照工艺方法可分为浸泡法和喷涂法两种：浸泡法是将晶圆浸入到装有化学溶剂或者去离子水的容器槽中，而喷涂法是将化学溶剂或者去离子水喷到旋转的晶圆上以去除杂质的方法。干式清洗不使用化学溶剂或者去离子水等物质，而是采用气体或等离子体等来进行清洗。清洗液用于半导体制造的清洗工艺，去除微粒、金属或离子型导电污染物及有腐蚀作用的无机、有机污染物等。根据其应用工艺不同，清洗液可分为化学机械抛光（CMP）后清洗液、铝工艺刻蚀后清洗液、铜工艺刻蚀后清洗液、HKMG假栅去除后清洗液、封装工艺用去溢料清洗液等。图24：清洗液类别芯慧通Chipisc公众号刻蚀后清洗液是指在刻蚀工艺之后，应用于清除基材表面上残留的刻蚀剂、污垢和其他杂质的化学溶液。其主要目的是保证半导体芯片、光电器件等高精度元件在后续加工步骤中的质量和性能。2023年全球刻蚀后清洗液市场销售额达亿美元，中国占近22份额，预计2023年全球刻蚀后清洗液市场销售额达到2.28亿美元，20304.09亿美元，2024-2030年复合增长率（CAGR）7.602023国市场规模为49.2921.632030年将达到97.2423.79。年国际刻蚀后清洗液市场前五大厂商占超六成收入份额，国内市场前五大厂商占超七成收入份额，且国内本土企业如安集科技、上海新阳已布局该产品研发生产并实现部分EntegrisDuPontMerckJSR和MitsubishiGasChemical等，202367.27的收入份额。国内市场占有率Entegris、DuPont、MerckFujifilm等，2023年前五大厂商占据国内市场77.89的收入份额。中国本土企业也开始研发生产刻蚀后清洗液比如：安集科技，2021年开始量产，2023年已经开始有两款水性刻蚀后清洗液进入量产阶段；上海新阳半导体材料股份有限公司，28nm干法蚀刻后清洗液产品已规模化量产，14nm技术节点干法蚀刻后清洗液也已量产并实现销售，公司干法蚀刻后清洗液产品已经14nm及以上技术节点全覆盖。清洗工艺是芯片制造过程中占比最高的工序，约占所有芯片制造工序的30。28nm14nm线宽不断减小，工艺流程更加复杂，清洗工艺步骤不断增加，清洗工艺变得更加复杂、更90nm9020nm芯片的清洗工艺达到了21514nm10nm公司分析：关键工艺材料实现技术突破，多基地产能布局保障市场供应技术壁垒：打造高端蚀刻与清洗液自主平台，突破存储芯片制造关键环节蚀刻液2018年立项以来历经三年技术攻关，实的复杂图形的高精度蚀刻，开发出的适用于全世界最高水准的3DNAND存储芯片的高选择比氮化硅蚀刻液，选择性蚀刻速率最高可达2000：1，蚀刻液市场应用规模进一步扩大，销售额持续增长。针对半导体产业快速更新迭代的需求，公司研发团队持续纵深开发，做好前瞻性的材料研究和技术储备，针对3DNAND、DRAM存储工艺需求的蚀刻类配方型化学品技术积极布局重点开发，目前两类蚀刻技术与产品已达到国际领先技术水平，在3D存储芯片制造工艺中已占有举足轻重的地位。公司蚀刻类产品的技术及服务优势不断凸显，品牌影响力不断提高。清洗液在集成电路制造用清洗液产品方面，技术节点干法蚀刻后清洗液也已量产并实现销售，公司干法蚀刻后清洗液产品已经实现14nm2024年公司年报，干法蚀刻后清洗液产品销售规模不断扩大，广泛应用于逻辑电路、模拟电路、存储器件等晶圆制造客户。其中，铝互连干法蚀刻后清洗液长期受制于国外唯一原材料供应商限制，面对先进制程所需的配套材料亦需国产化的现状，公司自主研发攻关的防“卡脖子”的关键原材料项目——非羟胺清洗液项目，完成产品技术不断地迭代升级，在国内主流晶圆制造客户端通过验证并实现销售，该项目产品的清洗能力不断提升，市场份额逐步增加。公司凭借先进的技术优势及市场服务，晶圆制造用铜/铝制程清洗系列产品报告期内销售额快速增加，同比增长47，持续巩固了公司晶圆清洗系列产品市场地位。产能布局：多基地产能规划落地，总产能将扩大合肥基地：产能扩充至万吨，追加投资至亿元关于合肥集成电路关键工艺材料项目，公司结合市场需求变化情况及整体发展规划，拟优化生产线布局，实现厂房空间集约利用，通过调整增加产能、追加投资对项目原有规划产能进行优化及扩充：将芯片铜互连超高纯硫酸铜电镀液及晶体项目产能由6500吨/年扩产至14000吨/年；将芯片超纯清洗液系列项目产能由8500吨/年扩产至清洗液系列产品9000吨/年，蚀刻液系列产品13500吨/年，研磨液系列产品7000吨/年。调整增加产能后，项目总投资预计金额由3.50亿调整为10.49亿。图25：集成电路关键工艺材料项目规划产能公司公告上海化学工业区：稳步推进万吨项目建设58000万元，占地104亩，主要用于开发集成电路关键工艺材料。项500IKrFArF干/10000500015000吨干法蚀刻清洗液系列产品。松江基地：计划投资亿元扩大产品产能1855目，以满足市场及客户需求，扩大产品产能。项目选址松江经济技术开发区，新厂区与现24202511月开工，20275月竣工，2027年11月投产，2032514.7亿元；3.855000吨超纯芯片清洗液系列产品、650033500吨超纯芯片蚀刻液系列产品、5000吨化学机械抛光液系列产品。行业分析：抛光液引领材料市场，国产替代开启高增长空间化学机械抛光（CMP）是半导体先进制程中的关键技术。主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下，被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。根据不同工艺制程和技术节点的要求，每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP抛光工艺步骤。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面的高度（纳米级）平坦化效应。CMP已成为0.35μm以下制程不可或缺的平坦化工艺。图26：CMP工艺原理图公司公告CMP贯穿硅片制造、芯片制造、先进封装的整个工艺流程。在硅片制造领域，半导体抛光片生产工艺流程中，在完成拉晶、硅锭加工、切片成型环节后，在抛光环节，为最终得到平整洁净的抛光片需要通过CMP设备及工艺来实现。在集成电路制造领域，芯片制造过程按照技术分工主要可分为薄膜淀积、CMP、光刻、刻蚀、离子注入等工艺环节，各工工艺会越来越多被引入并大量使用，其中硅通孔（TSV）技术、扇出（Fan-Out）技术、2.5D转接板（ineroer、3DC等将用到大量CP工艺，这将成为P设备除C制造领域外一个大的需求增长点。表7：CMP工艺在FAB制造的前后道的应用工艺环节 技术 作用浅沟槽隔离（STI） 可防止相邻半导体器件元件之间的电流泄漏。连线工艺打造完美的连线工艺打造完美的“画布”刻过程中，平坦的表面能够保证光刻胶均匀涂层间介质（ILD）平坦化“大马士革工艺”-(Dama8ceneProc888);先在介电层上刻蚀出淘槽(Trench)和通孔(Via)，然后填充铜，最后通过化学机械抛光(CMP)去除多余金属互连制造的网，使表面平坦化。0.18~0.13um技术节点，由于铜正式取代铝成为主流导线材料，使CMPnm)RC延迟时间而引入的低后道工艺应用在芯片的铜互连工艺中，铜原子极易向周围的绝缘介质(如SI0z或Low-K材料)扩散，导致电路阻挡层抛光短路或漏电失效。为了阻止这种扩散，必须在铜与介质之问沉积一层纳米级阻挡层。氮化钽(TaN)因其高致密性、抗护散能力和导电性，成28nm以下节点，阻挡层的均匀性和覆盖性面临巨大挑战。硅通孔）是一种通过在硅介质层中制作垂直导通孔并填充导电材料来实现芯片间垂直互连的先进封装技术。晨盈半导体等公众号图27：CMP应用场景金木资本公众号抛光液是晶圆化学机械抛光过程的重要耗材，由固体粒子研磨剂、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等成分构成，借助纳米粒子的研磨及氧化剂的腐蚀作用，从而实现化学机械相结合的抛光效果。表8：抛光液主要成分主要成分 作用机理 常见种类抛光浆料中最重要的组成部分，它能够去调节抛光液的PH值，以保证抛光过程化学反应PH值调节抛光液一般分为酸性与碱性两类，剂调节抛光液的PH值，以保证抛光过程化学反应PH值调节抛光液一般分为酸性与碱性两类，剂前者常用于金属抛光，后者常用于非金属抛光。

氧化铝（Al₂₃、氧化硅（i₂、氮化硅（i₃N₄）等氧化剂

氧化剂是为了在抛光表面形成一层结合力弱的到高质量全局平坦化效果。添加剂

面，增强颗粒间的排斥作用。具有足够的分布稳定性。具有足够的分布稳定性。分散剂户的工艺技术要求也有不同配方。集成电路制造工艺中使用的抛光液按照功能可以分为介TSV同时，CMP抛光液也可以根据抛光颗粒的类型不同分为氧化铈抛光液、二氧化硅抛光液、氧化铝抛光液等。图28：CMP抛光液常用种类粉体圈公众号化学机械抛光液在CMP技术中至关重要，在抛光材料中价值占比超过50，其耗用量随着晶圆产量和CMP平坦化工艺步骤数增加而增加。随着制程节点的进步，多层布线的数量及密度增加，CMP工艺步骤增加，CMP技术越来越重要，其对后续工艺良率的影响越来越大。图29：抛光液种类随先进制程变化情况金木资本公众号全球CMP材料成本中抛光液占比最高，抛光垫次之，二者合计占比超八成。SEMI发布的数据，全球CMP材料成本结构中，抛光液以其高达49紧随其后的则是占比33的抛光垫，两者合并贡献了整个CMP材料成本的82，突显出光液在CMP9，清洗液则约占5图30：CMP细分抛光材料市场份额（%）金木资本公众号CMP抛光液作为抛光材料中占比最高（49）CMP201712.7亿美元，18.9亿美元，CAGR约为CMP国晶圆厂持续扩产扩建等因素，我国CMP抛光液需求持续增长，市场规模逐年提升，由201714.9202329.612.12速显著高于全球平均增速水平。202432亿美元，2025352028459态势，202460亿元。图31：2023-2028年中国和全球CMP抛光液行业市场规模预测智研产业研究院公众号抛光液市场竞争格局相对较分散。抛光液目前全球主流供应商为卡博特at(Vem)、日立iaci、富士美（Fjimi）等。图32：全球CMP抛光液市场代表企业区域分布金木资本公众号全球抛光液市场主要被日本、美国、韩国等国家垄断，占据全球高端市场份额90以上。国内CMP抛光液企业仅占不到10。多年来，美国Cabot公司一直占据全球抛光液市场份额首位，约占中国大陆市场份额的64。在全球及国内CMP抛光液市场均被美日长期垄断的情况下，国产替代势在必行。图33：CMP抛光液国内供应商占比金木资本公众号公司分析：技术破壁进阶，产能与协同双轮夯实竞争力技术研发：高投入构筑技术壁垒STIslurry、PolyslurryWslurry14nm及以上技术节点，并进入批量化生产阶段。其中，先进制程Polyslurry产品已进入国内主流晶圆公司产线，产品性能优越，打破了国外对该产品的垄断，为研磨液产品的量产销售及未来发展奠定基础。产能布局：规模化生产保障供应稳定性合肥新阳第二生产基地一期项目规划产能为4.35万吨/年，其中研磨液（CMP抛光液）产7000吨/418.55万吨集成电路关键工艺材料，其中包括5000吨化学机械抛光液（CMP抛光液）产能。合肥基地和松江基地的产能布局完成后，公司将形成总计12万吨/年的抛光液产能，覆盖铜互连、先进封装等工艺需求，进一步提升在国内半导体材料市场的竞争力。公司通过合肥和上海两地的产能布局，逐步扩大抛光液产能，以满足国内半导体行业对先进制程材料的需求。产业链协同：生态合作强化竞争韧性2020813CMP抛光液。上海晖研具有研发团队，生产工艺技术等专有技术，而上海新阳具有产品生产基础条件与产品销售渠道，双方达成产品研发、生产、销售与服务的合作关系。光刻胶：浸没A行业分析：中国领跑全球光刻胶市场，国产替代呈现结构性突破半导体光刻工艺基本原理是利用光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。半导体光刻工艺主要包括硅片清洗、预烘和底胶涂覆、光刻胶涂覆、烘干、对准和曝光、显影和坚膜、刻蚀及离子注入和光刻胶的去除。光刻工艺是半导体生产过程中的核心步骤之一，半导体生产过程各工艺步骤的紧密连续性及对精度的极度高要求也使得其对光刻胶及光刻胶原材料的要求极高。光刻胶是由光引发剂、树脂以及各类添加剂等化学品组成的对光敏感的感光性材料，主要用于电子信息产业中印制电路板的线路加工、各类液晶显示器的制作、半导体芯片及器件的微细图形加工等领域，又称光致抗蚀剂。图34：光刻胶成分示意图公司公告图35：光刻胶类别公司公告根据曝光光源波长的不同，近年来光刻胶的波长逐步由紫外宽谱至G线（436m、I线（365m、KF（248m、r（193nm，以及最先进的EUV(<13.5m)线水平。曝光波长越短，则加工分辨率越高，能够形成更小尺寸和更精细的图案。据阿斯麦官网，全球半导体光刻胶需求结构较为集中。其中ArF和KrF光刻胶需求占比居3834；其次为G/I线和ArFi1610；EUV小，仅1。图36：半导体光刻胶种类及用途量伙半导体公众号年全球光刻胶市场规模扩大，同比增长态势明显，且各品类均增长。据国际半导体产业协会（SEMI）统计，202427.32亿美元，较上年同期增长16.15线光刻胶较上年同期增长10.22；G线光刻胶较上年同14.06；KrF17.89；ArF21.26。年中国大陆半导体光刻胶市场规模创新高，成全球最大，且各品类均呈增长态势。2024年中国大陆半导体光刻胶市场规模7.71亿美元，达到历史新高，成为全球最大的光42.25，其中G/I线光刻胶市场规模较上年增长29.8；KrF42.61；ArF45.84。202312760万片晶圆。20241813。根据SEMI数据统计，2025182026-2027年投入运营。低，5，ArF1。2023日本感光化学品出口额4057.7（约26.7亿美元6.0；出口重量5237.211.1。20231212.529.9，其次是中国台湾（905922.3。中国香港排名第八（82.9亿元、占比2.0根据行行查研究中心《光刻胶 ，我国光刻胶行业起步较晚，市场主要由日美企业为主。东京应化作为龙头企业占据28-30的份额，其次是美国杜邦占据的份额、JSR与住友化学各占据15-20的份额，最后是DONGIN占据10-15的份富士胶片占据8-10的份额，其他白牌厂商占据7的份额。我国光刻胶重点企业有瑞电材、彤程新材、南大光电等，打破国外技术垄断，积极推进研发，加快国产化速度。图37：2023年中光刻胶场竞争 图38：2023年中光刻胶点企列举门迪夫材料公众号 门迪夫材料公众号公司分析：跻身国内供应链关键环节，产能加码与国际合作驱动产业化进程技术研发表9：技术研发优势特点 优势公司依托自身的技术实力和持续的研发投入，已建成包括I线、KrF、ArF干法、ArF浸没式各类光刻胶在内的完整的研发合成、配制生产、质量管控、分析测试平台，为国内芯片企高强度研发投入产品性能指标突出产品系列丰富公司公告、硬通社公众号产能布局

业提供多品类光刻胶产品，部分品类已实现产业化，少数品类关键光学数据处行业领先水平，公司已成为国内光刻胶供应链中重要一环。上海新阳是国内少数具备全系列光刻胶研发7nmArF浸.。这个赛道以上的市场份额。公司自主研发的光刻胶产品销量显著增加，其I线、KrF光刻胶产品工艺性能指标不断优家客ArF浸没式光刻胶目前已有多款产品在国内多家标与对标产品比较接近。19万吨/年产能；4.35万吨/1285万吨/3.05万吨/14.3万吨/年。未来产能规划合理扩充。上海新阳光刻胶产能布局已明确调整：本部（上海松江）现有产100吨；原合肥基地规划的500吨光刻胶产能将不再建设，全部转移至上海化工区。这500研发合作与产业链协同在产业链协同上，公司在年投资江苏博砚电子科技有限公司，持有其10股权201812285600万元受让宜兴博源投资有限公司持有的博砚电子公司10有助于公司在泛半导体领域内市场、技术、产品、服务、人才等多方面的完善，并实现技术、人才等方面的优势互补，对拓宽公司业务渠道，增强公司的综合实力，将产生积极的影响。投资建议核心假设：半导体行业：公司主要开发用于集成电路制造的关键工艺材料，包括电子电镀、电子清洗、电子光刻、电子研磨、电子蚀刻五大系列产品，处于整个产业链的上游环节，随着半导体制造市场的增长而增长，并对半导体产业的发展起着重要支撑作用。国产材料供2025-2027年15.96/25.36/41.1244.61/47.78/47.26。涂料行业及工程服务：建筑行业市场复苏缓慢，但受涂料产品售价下降等不利因素对，顺应时势调整运营管理策略，不断优化运营成本结构，净利润同比实现增长。在“双碳”目标及环保法规趋严的背景下，涂料建材格局正在发生深刻改变，高质量、绿色低碳20252025-20274.35/4.30/4.2423.07/23.07/23.07。表10:公司营收拆分预测（百万元）按业务类型拆分20242025E2026E2027E半导体行业收入1035.41596.392535.784112.49增长率34.7854.1858.8462.18成本557.18884.231324.212168.80毛利478.23712.161211.571943.70毛利率46.1944.6147.7847.26涂料行业及工程服务收入439.78434.64429.52424.43增长率-0.99-1.17-1.18-1.19成本338.37334.39330.43326.51毛利101.41100.2599.0997.92毛利率23.0623.0723.0723.07合计收入1475.182031.032965.314536.92增长率21.6737.6846.0053.00成本895.551218.621654.642495.31毛利579.64812.411310.672041.61毛利率39.2940.0044.2045.00电子蚀刻五大核心技术，始终坚持以技术主导为核心，持续研发创新，积极融入国家创新体系。我们看好公司继续引领半导体材料行业，预计公司2025-2027年总营收分别为20.31/29.65/45.372.81/4.49/7.02市场份额进一步提升。首次覆盖，给予“增持”评级。风险提示新产品开发所面临的风险公司的电子化学材料具有品种多、批量少、升级快、研发投入大、周期长、风险高等特点，员工素质差异等都可能导致产品品质波动，面临产品难以规模化生产风险。原创研发与引领研发面临更多的不确定因素与更大的失败风险。公司通过多年持续不断的研发投入，加强技术储备和科研管理，掌握了自主知识产权的核心技术，在电子化学材料研发及生产领域积累了较为丰富的经验和技术储备，能够降低新产品开发的风险。新产品市场推广风险由于芯片制造工艺对环境、材料的要求严格，芯片制造企业一般选择认证合格的安全供应商保持长期合作，从而降低材料供应商变化可能导致的产品质量风险；同时，新的材料供应商必须通过芯片制造企业对公司和产品严格的评估和认证才能成为其合格供应商。因此，公司芯片铜互连电镀液、添加剂、清洗液、光刻胶、研磨液及蚀刻液等新产品大规模市场推广面临客户的认证意愿、对公司质量管理能力的认可以及严格的产品认证等不确定因素，存在一定的市场推广风险。公司一直高度重视新市场推广工作，并通过加大新产品市场开发投入、严格新产品质量管理、引进新市场专业人员等手段控制新市场推广的风险。行业和市场波动风险半导体产业具有技术呈周期性发展和市场呈周期性波动的特点，公司主营业务处于半导体产业链前端的材料和设备支撑行业，其市场需求和全球及国内半导体产业的发展状况息息相关，业务发展会受到半导体行业周期性波动的影响。受国际贸易摩擦、地缘政治矛盾加剧及供需关系大幅变动的影响，化工原材料及有色金属行业持续面临冲击，对公司下游客户需求或者订单量产生不利影响，将会增加公司生产成本。以上原因可能造成公司盈利水平下降，甚或公司面临业务发展放缓、业绩波动的风险。公司及时了解市场行情信息，对部分原材料采取预订、锁单等措施，保障采购材料的价格基本稳定，减少行情波动给公司带来的风险，并加大公司在技术开发和市场开发的投入。研发出符合市场需求的产品、加速进口替代扩大公司市场份额，保证经营业绩；开发技术、持续推出新产品可以不断拓宽公司产品应用领域，提高产品毛利。安全环保风险公司产品从生产工艺看属精细化工行业，虽然公司细分产品多为配方类的电子化学品，生产过程的污染工艺较少，但在生产经营中仍存在着少量“三废”排放。随着国家经济增长模式的转变和可持续发展战略的全面实施，国家环保政策日益完善，环境污染治理标准日趋提高，以及主要客户对供应商产品品质和环境治理要求提高，环保治理成本将不断增加。同时，公司生产过程中使用的部分原材料为酸碱和有机溶剂，如操作不当可能发生安全事故，影响公司的生产经营，并可能造成一定的经济损失。公司对安全和环保工作高度重视，通过了环境管理体系、职业健康与安全管理体系、安全标准化企业等多项认证，并获得了安全生产许可证、危险化学品经营许可证等资质，能够有效减少安全环保方面的风险。核心技术泄密风险公司拥有多项国家发明专利和实用新型专利，在不断研发的过程中，公司还形成了较多的非专利技术和核心配方，这些技术和配方都是公司技术领先的保证。如果出现任何侵犯本公司专利或相关知情人士违反保密义务的情形，可能对公司的正常经营产生不利影响。公司自成立以来就非常注重对专利、非专利技术和核心配方的保护，为了保证公司的核心机密不外泄，公司与董事、监事、高级管理人员、所有研发人员以及管理、财务等各个岗位的核心人员均签订了《保密协议书》，采取了配方保密、专人保管等特殊方法，并通过岗位分离及权限设置，避免部分技术人员掌握全部核心技术内容，最大限度的降低核心技术泄密风险。投资项目无法实现预期收益的风险公司在对外投资决策过程中综合考虑了各方面的情况，为投资项目作了多方面的准备，但项目在实施过程中仍可能受到市场环境变化、国家产业政策变化、设备供应、产品质量管控、客户开发、产品市场销售等诸多因素的影响。投资项目不能顺利实施，或实施后由于市场开拓不力无法消化新增的产能，公司将会面临投资项目无法达到预期收益的风险。公司将组建专业项目团队，制定切实可行的项目实施方案，采取周密谨慎的办法组织实施，积极争取国家产业扶持政策，确保项目顺利实施并达到预期收益。行业竞争加剧的风险伴随着半导体产业链国产化的趋势加快，行业技术迭代升级快及国家政策的持续鼓励等特点，电子化学品产业面临着良好的行业发展机遇，国内市场参与者逐步增加，将可能使市场竞争加剧。财务预测摘要资产负债表(百万元)202320242025E2026E2027E利润表(百万元)202320242025E2026E2027E货币资金869.88709.10162.48237.22362.95营业收入1,212.421,475.182,031.032,965.314,536.92应收票据及应收账款734.42821.951,293.421,892.442,902.99营业成本786.10895.551,218.621,654.642,508.92预付账款9.9514.9834.6718.7565.60营业税金及附加10.2312.0416.2224.3036.71存货274.71326.46526.02632.781,122.71销售费用54.4666.5194.44139.37263.14其他88.2147.83208.88120.14155.78管理费用92.67117.18121.86185.33333.46流动资产合计1,977.161,920.322,225.472,901.344,610.02研发费用148.71220.12264.03394.39648.78长期股权投资9.0715.8415.6215.8018.04财务费用1.182.455.7314.3226.41固定资产455.32837.591,034.47958.35891.34资产/信用减值损失(9.54)(13.84)(11.19)(11.52)(12.18)在建工程449.71122.67139.98149.91157.96公允价值变动收益42.140.29(8.88)(83.89)6.34无形资产106.95117.08124.04129.26134.52投资净收益2.101.532.602.082.07其他2,590.382,847.172,671.802,693.742,727.85其他(104.73)(19.24)0.000.000.00非流动资产合计3,611.433,940.353,985.923,947.063,929.71营业利润189.10192.58292.65459.61715.72资产总计5,588.595,860.676,211.386,848.408,539.73营业外收入0.081.380.540.660.86短期借款201.17156.86218.93347.80936.36营业外支出2.691.924.122.912.99应付票据及应付账款420.63507.11688.84956.891,562.03利润总额186.48192.03289.07457.36713.59其他113.19125.18168.43154.20207.80所得税18.8416.641.394.124.92流动负债合计734.98789.161,076.201,458.892,706.19净利润167.64175.39287.68453.24708.66长期借款284.17163.21217.27221.55280.51少数股东损益0.80(0.32)6.473.856.89应付债券0.000.000.000.000.00归属于母公司净利润166.84175.71281.21449.40701.77其他328.94329.53336.95331.81332.76每股收益（元）0.530.560.901.432.24非流动负债合计613.11492.74554.22553.36613.27负债合计1,360.961,290.891,6