CN116096837B 氮化物蚀刻剂组合物和方法 （恩特格里斯公司）

2023.02.10PCT/US2021/0459822021.08.13WO2022/036246EN2022.02.17TW201619354A,2016.06.01提供用于选择性地蚀刻氮化钛的组合物的响。本发明组合物通常能够实现超过3.5A/分22ZrF62TiF665.根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物包含选自乙二醇和丙二醇的可与水7.一种用于在钼存在下在微电子装置上选择电子装置在20℃至70℃的温度下暴露于根据权利要求1所述的组合物持续30秒至10分钟的3[0002]光阻掩模常用于半导体行业中以图案化如半导体或介电质的材料。在一种应用金属镶嵌工艺涉及在上覆金属导体层(如铜层)的低用金属硬式掩模来提供对通孔和沟槽的优选轮廓控制。金属硬式掩模可由钛或氮化钛制[0004]本发明大体上提供用于在例如3D与非(NAND)闪存器装置的微电子装置结构中产二氧化硅和多晶硅不受所述工艺影响。本发明组合物通常能够实现超过3.5A/分钟(min)如浴寿命超过24小时并且存放期超过6个月。45[0029]添加蚀刻剂以增加氮化钛的蚀刻速率。所考虑的蚀刻剂包括(但不限于)氟化物铵(TBABF4KHSO44ClO2碘酸铵(NH4IO3)、硝酸铵(NH4NO3)、过硼酸铵(NH4BO3)、过氯酸铵(NH4ClO4)、过碘酸铵(NH4IO4(KIO3H2O26(RhodamineB))吉拉德试剂(Girard'sreagent)、十六烷基(2一羟乙基)二甲基磷酸二氢溴铵(oxyphenoniumbromide)、四庚基溴化铵、四(癸基)溴化铵铵、二甲基二硬脂基氯化铵和氯化六羟季铵。其它腐蚀抑制16烷基7C30烯烃2C30烷氧基斯特2000)、二乙烯三胺五(亚甲基膦酸)(德奎斯特2060S)、乙二胺四(亚甲基膦酸)8(DowChemical)的DOWFAX系列阴离子表面活性剂，其包括DOWFAX[0036]在另一实施例中，本发明组合物中的任一种可进一步包含氮化钛和/或光阻蚀刻9[0051]适用于蚀刻或去除氮化钛的某些组合物利用钝化剂，其用于减少对低k介电层的[0053]通过简单添加对应成分并且混合到均质条件，易于调配出本文所描述的组合分，例如Nowpak@容器(美国康涅狄克州丹伯里(Danbury,Conn.,USA)的美国先进科材NowpakQ容器，气压可施加到所述一或多个容器中的衬里外部以使得衬里的至少一部分的设备的方法(APPARATUSANDMETHODFORMINIMIZINGTHEGENERATIONOFPARTICLES体储存和分配容器系统(RETURNABLEANDREUSABLE,BAG_IN_DRUMFLUIDSTORAGE材料掺合和分配的系统的方法(SYSTEMSANDMETHODSFORMATERIALBLENDING[0058]在蚀刻应用中，以任何适合方式将组合物涂覆到其上具有氮化钛和/或光阻蚀刻组合物的静态或动态体积中)包括氮化钛的装置；通过使装置与其上吸收有组合物的另一材料(例如衬垫或纤维吸附剂施料器元件)接触；文中所描述的组合物借助于其相对于可能存在于微电子装置结构上并且暴露于组合物的氮化钛膜的选择性以高效和高度选择性方式实现至少部分[0059]在使用本文中所描述的组合物从其上具有氮化钛的微电子装置结构去除氮化钛时，通常在约20℃至约100℃或约30℃至约60℃范围内的温度下使所述组合物在单晶片工[0060]在实现所需蚀刻/去除作用之后，所述组合物可易于从其先前所涂覆的微电子装2暴露于本发明组合物持续约30秒至约10分钟的时段，随后用去离子水洗涤所述微电子装电子装置与组合物接触足够时间而从其上具有氮化钛的微电子装置的表面以蚀刻方式去[0063]涉及3D与非闪存器结构中的栅极蚀刻的某些特定微电子装置涉及经由如上文所[0102]在这些实验中，注意到12C(苯甲基二甲基十二烷基氯化铵)作为Mo抑制剂为有效[0108]在这些实验中，注意到12C展现出的TiN/Mo选择率比14C(苯甲基二甲基十四烷基啶)和5mBTA(5